KR100936889B1 - 액정 표시 장치의 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치의 어레이기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 유기막과 반사 전극의 접촉 특성을 개선한 어레이기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 액정 표시 장치의 어레이기판을 제작하는 과정에 있어서 반사판을 보호층인 유기절연막 상에 증착하여 형성할 시에 상기 유기절연막 상에 금속의 반사판 재료를 증착하면서 질소(N2) 가스를 주입하여 질화금속층을 형성하고 상기 질화금속층 위에 금속의 반사 전극을 증착하고 난 후 패턴을 형성함으로써 식각 CD의 공정 제어가 용이하고 상기 반사 전극이 유기절연막과 개선된 접촉 특성을 가지게 하여 공정 불량을 줄이고 신뢰성을 향상시켜 제조 비용을 절감한다.
반사판, 반사 전극, 알루미늄층, 질화알루미늄층, 스퍼터링
Description
도 1은 종래 반사형 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 어레이기판에서 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 일 실시예로서, 다결정 박막 트랜지스터 및 반사판을 형성하는 제조 공정을 보여주는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
200 : 기판 210 : 결정성 반도체막
211 : LDD 영역 212 : 소스/드레인 영역
220 : 게이트 절연막 240 : 층간 절연막
230 : 게이트 전극 270 : 요철
251 : 소스 전극 252 : 드레인 전극
260 : 제 1 보호막 265 : 제 2 보호막
290 : 반사 전극 291 : 알루미늄층
292 : 질화알루미늄층
본 발명은 액정 표시 장치의 어레이기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 유기막과 반사 전극의 접촉 특성을 개선한 어레이기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 따랐다.
이에 따라, 표시 면적이 크더라도 그 두께가 얇아서 어느 장소에서든지 쉽게 설치하여 사용할 수 있는 박막형 평판 표시 장치가 개발되었고, 점점 브라운관 표시 장치를 대체하고 있다.
특히, 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치(TFT-LCD:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
이와 같은 TFT-LCD의 동작을 간략하게 살펴보면, 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부 광원의 빛 투과량 을 조절할 수 있게 된다.
상기 스위칭 소자는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor: a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있으며, 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다.
일반적으로 사용되는 액정 표시 장치는, 패널의 하부에 위치한 백라이트라는 광원에서 발광되는 빛에 의해 영상을 표시하는 방식을 사용한다.
그러나, 이와 같은 액정 표시 장치는 백라이트에 의해 입사된 빛의 3∼8%만 투과하는 매우 비효율적인 광 변조기이다.
이러한 점을 감안하여, 백라이트 광을 사용하지 않는 반사형 액정 표시 장치에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있다.
상기 반사형 액정 표시 장치는 기존 투과형 액정 표시 장치에서 투명전극으로 형성된 화소부를 불투명의 반사특성이 있는 물질을 사용함으로써, 외부광을 반사시키는 구조로 되어있다.
따라서, 상기 반사형 액정 표시 장치는 백라이트 없이 자연광을 이용하여 동작되므로, 백라이트에서 소모되는 전력량을 대폭 감소시킬 수 있는 효과가 있으며 이로 인하여 장시간 휴대 상태에서 사용이 가능하고, 개구율 또한 기존의 백라이트형 액정 표시 장치보다 우수한 장점이 있다.
한편, 일반적으로 사용자가 이러한 반사형 액정 표시 장치를 사용하는 환경은, 자연광 또는 인조 광원이 항상 존재하는 것은 아니다.
즉, 상기 반사형 액정 표시 장치는 자연광이 존재하는 낮이나, 외부 인조광이 존재하는 사무실 및 건물 내부에서는 사용이 가능할지 모르나, 자연광이 존재하지 않는 어두운 환경에서는 상기 반사형 반사형 액정 표시 장치를 사용할 수 없게 된다.
따라서, 최근에는 자연광을 사용하는 반사형 액정 표시 장치와 백라이트광을 사용하는 투과형 액정 표시 장치의 장점을 복합적으로 이용한 반투과형 액정 표시 장치가 연구/개발되고 있는 상황이다.
도 1은 종래 반사형 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
여기서는 박막 트랜지스터 및 화소 영역이 구비되는 하부기판만을 도시하였으며, 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 경우를 기준으로 도시하였다.
도 1을 참조하여 설명하면, 종래 반사형 액정표시장치의 하부 기판에는, 글라스와 같은 기판(100) 상에, 소스 전극(151)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인과, 게이트 전극(130)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다.
그리고, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역이 되며, 반사형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 반사판(190)이 형성된다.
다음에는, 이와 같은 구조를 갖는 다결정 박막 트랜지스터 및 반사판을 형성하는 제조공정의 한 예를 간략하게 설명해 보기로 한다.
먼저, 글라스와 같은 기판(100) 위에 비정질 반도체막(예컨대 비정질 실리콘)을 증착시킨다. 그리고, 레이저를 이용한 열처리(annealing) 등의 방법을 통하여 상기 비정질 반도체막에 대한 결정화를 진행시키고, 결정화된 반도체막에 대하여 소정의 패터닝을 수행한다.
이후, 상기 기판(100) 및 패터닝된 결정성 반도체막(110, 111, 112) 위에 소정 두께의 게이트 절연막(120)을 형성시킨다. 이때, 상기 게이트 절연막(120)으로는 SiNx 또는 SiOx 등의 무기절연막이 많이 이용된다.
그리고, 상기 게이트 절연막(120) 위의 소정 위치(상기 결성정 반도체막(110)의 위치에 대응되어)에 게이트 전극(130)이 추가로 형성된다.
여기서, 상기 게이트 전극(130)으로는 AlNd 등이 이용될 수 있으며, 일반적인 반도체 공정을 통한 증착 및 패터닝 공정에 의하여 형성될 수 있다.
이와 같은 상태에서, 상기 게이트 전극(130)을 마스크로 하여, 상기 게이트 절연막(120) 위에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역 형성을 위한 저농도 불순물을 도핑시킨다.
이 때, 상기 게이트 전극(130)이 마스크의 역할을 수행할 수 있도록, 상기 게이트 전극(130)의 두께 및 저농도 불순물의 주입 조건을 조절함으로써, 상기 게이트 전극(130)이 형성되지 않은 영역에 대응되는 위치의 결정성 반도체막(111)에 저농도 불순물이 도핑되게 된다(LDD 영역 형성).
그리고 일반적인 반도체 공정을 이용하여, 상기 게이트 전극(130) 주위에 포토 레지스트막(미도시)을 형성시키고, 소스/드레인 영역(112) 형성을 위한 고농도 불순물을 도핑시킨다.
이 후, 상기 포토 레지스트막(미도시)을 제거함으로써, 상기 기판(100) 위에 소스/드레인 영역(112) 및 LDD 영역(111)이 마련된 결정성 반도체막(110)과, 게이트 절연막(120) 및 게이트 전극(130)을 형성시킬 수 있게 된다.
그리고, 이와 같이 소스/드레인 영역(112) 및 LDD 영역(111)이 형성된 이후에, 전체적으로 층간 절연막(inter layer)(140)을 형성시킨다.
또한, 상기 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(120)에 비아 홀(via hole)을 형성한 후에, 소스 전극 (151)과 드레인 전극(152)을 형성시킴으로서, 다결정 박막 트랜지스터를 형성시킬 수 있게 된다.
그리고, 반사형 액정표시장치에서 영상을 표시하기 위해서는, 반사판의 역할을 수행하는 화소 전극을 추가로 형성시켜 주어야 한다.
이를 위해서는, 먼저 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(151)(152)과 층간 절연막(140) 위에 보호막을 형성한다. 여기서, 상기 보호막은 SiNx 등의 물질로 형성되는 제 1 보호막(160)과, BCB와 같은 유기 절연막 물질로 형성되는 제 2 보호막(165)으로 적층하여 형성시킬 수도 있다.
그리고, 반사판에서의 효율적인 빛의 반사를 위해서는 반사판을 굴곡이 있는 요철형으로 형성하는 것이 바람직하다.
따라서, 요철형의 반사판을 형성하기 위하여 감광성 수지막(예컨대 중합체 수지)(170)을 상기 제 2 보호막(165) 상에 스핀코팅법 또는 롤코팅법 등의 방법을 이용하여 형성시킨다.
그리고, 마스크로 상기 감광성 수지막(170) 위에 정렬한 후, 윗쪽으로부터 자외선(도면의 화살표)을 조사한다. 이후, 현상공정을 거치게 되면, 상기 마스크에 형성되어 있는 복수의 홀의 형상에 대응되어, 상기 제 2 보호막(165) 상에 서로 상이한 형태를 갖는 복수의 감광성 수지막(170) 블록부가 형성된다.
이후, 열처리를 통하여 상기 복수의 감광성 수지막(170) 블록부를 연화시킴으로써 굴곡 형상의 요철을 형성시킬 수 있다.
그리고, 상기 드레인 전극(152) 위에, 일반적인 반도체 공정에 의한 포토 레지스트막 도포/노광/현상 및 식각 공정에 의하여, 상기 제 1 및 제 2 보호막(160) (165)을 관통하는 콘택 홀(contact hole)을 형성시킨다.
이 후, 상기 보호막(160, 165) 영역 위에, 영상 표시를 할 수 있도록 알루미늄계 금속과 같은 반사특성이 좋은 물질을 이용하여 소정의 방법으로 증착하여 반사전극(190)을 형성시킨다.
이에 따라 상기 반사전극(190)은, 상기 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극 (152)과 전기적으로 연결되며, 상기 박막 트랜지스터의 구동에 따라 영상 표시를 위한 동작을 수행할 수 있게 된다.
이와 같은 방법으로 종래의 반사형 및 반투과형 액정 표시 장치의 어레이기판을 제작할 수 있다.
그러나, 전술한 바와 같은 구성을 가지는 종래의 반사형 및 반투과형 액정 표시 장치의 어레이기판에서는 유기 절연막으로 형성되어 있는 보호막과 상기 보호막 상에 형성되어 있는 알루미늄 계열의 반사 전극이 일반적으로 접촉 특성이 좋지 않아 상기 반사 전극의 벗겨짐 현상이 발생하는 문제점이 있다.
따라서, 상기 반사 전극이 상기 유기 절연막에 안정하게 증착되지 않아, 액정 패널의 전기적 특성을 저하하는 문제가 발생한다.
또한, 상기 유기 절연막 상에 형성되는 반사 전극을 스퍼터링 방법을 사용하여 증착시키고 패턴을 형성하기 위한 노광 공정 중 CD(Critical Dimension)값이 매우 큰 경우에 많은 불량이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명은 액정 표시 장치의 어레이기판을 제작하는 과정에 있어서 반사판을 보호층인 유기절연막 상에 증착하여 형성할 시에 상기 유기절연막 상에 금속의 반사판 재료를 증착하면서 질소(N2) 가스를 주입하여 질화금속층을 형성하고 상기 질화금속층 위에 금속의 반사 전극을 증착하여 상기 반사 전극의 접촉 특성을 개선한 반사형 및 반투과형 액정 표시 장치의 어레이기판 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 어레이기판은, 기판과; 상기 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 액티브층을 포함하여 구성되는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성된 유기 절연막으로 이루어진 보호막과; 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 보호막 상에 형성되는 질화금속층과 상기 질화금속층 상에 형성되는 금속층으로 이루 어진 반사 전극;을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층 및 금속층은 알루미늄계 금속을 이용하여 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층 및 금속층은 은을 이용하여 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층을 산화금속층으로 대체할 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 보호막 상에는 반사 요철을 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 반사 전극은 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 어레이기판 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 액티브층을 포함하여 구성되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터 상부에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 질화금속층을 형성하는 단계와; 상기 질화금속층 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 보호막은 유기 절연막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 보호막을 형성하는 단계에 있어서, 상기 보호막 상에 반사 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층 및 금속층은 알루미늄계 금속을 이용하여 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층 및 금속층은 은을 이용하여 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층을 산화금속층으로 대체할 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 산화금속층은 산소(O2) 가스를 반응 가스로 하여 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 질화금속층을 형성하는 단계에 있어서, 질소(N2) 가스를 반응 가스로 하여 스퍼터링 방법으로 적층하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 어레이기판에서 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 반사형 액정표시장치의 어레이기판에는, 글라스와 같은 기판(200) 상에, 소스 전극(251)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인과, 게이트 전극(230)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다.
그리고, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역이 되며, 반사형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 반사 전극(290)이 형성된다.
그리고, 상기 반사 전극(290)은 질화알루미늄층(AlN)과 알루미늄(Al)층이 순차적으로 적층되어 있다.
다음에는, 이와 같은 구조를 갖는 다결정 박막 트랜지스터 및 반사판을 형성 하는 제조공정의 한 예를 도 3을 참조로 하여 간략하게 설명해 보기로 한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 반사형 액정 표시 장치에서 다결정 박막 트랜지스터 및 반사판을 형성하는 제조공정을 보여주는 도면이다.
도 3a를 참조하면, 글라스와 같은 기판(200) 위에 비정질 반도체막(예컨대 비정질 실리콘)을 증착시킨다. 그리고, 레이저를 이용한 열처리(annealing) 등의 방법을 통하여 상기 비정질 반도체막에 대한 결정화를 진행시키고, 결정화된 반도체막에 대하여 소정의 패터닝을 수행한다.
이후, 상기 기판(200) 및 패터닝된 결정성 반도체막(210, 211, 212) 위에 소정 두께의 게이트 절연막(220)을 형성시킨다. 이때, 상기 게이트 절연막(220)으로는 SiNx 또는 SiOx 등의 무기절연막이 많이 이용된다.
그리고, 상기 게이트 절연막 (220) 위의 소정 위치(상기 결성정 반도체막(210)의 위치에 대응되어 게이트 전극(230)이 추가로 형성된다.
여기서, 상기 게이트 전극(230)으로는 AlNd 등이 이용될 수 있으며, 일반적인 반도체 공정을 통한 증착 및 패터닝 공정에 의하여 형성될 수 있다.
이와 같은 상태에서, 상기 게이트 전극(230)을 마스크로 하여, 상기 게이트 절연막(220) 위에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역 형성을 위한 저농도 불순물을 도핑시킨다.
이 때, 상기 게이트 전극(230)이 마스크의 역할을 수행할 수 있도록, 상기 게이트 전극(230)의 두께 및 저농도 불순물의 주입 조건을 조절함으로써, 상기 게이트 전극(230)이 형성되지 않은 영역에 대응되는 위치의 결정성 반도체막(211)에 저농도 불순물이 도핑되게 된다(LDD 영역 형성).
그리고 일반적인 반도체 공정을 이용하여, 상기 게이트 전극(230) 주위에 포토 레지스트막(미도시)을 형성시키고, 소스/드레인 영역(212) 형성을 위한 고농도 불순물을 도핑시킨다.
이 후, 상기 포토 레지스트막(미도시)을 제거함으로써, 상기 기판(200) 위에 소스/드레인 영역(212) 및 LDD 영역(211)이 마련된 결정성 반도체막(210)과, 게이트 절연막(220) 및 게이트 전극(230)을 형성시킬 수 있게 된다.
그리고, 이와 같이 소스/드레인 영역(212) 및 LDD 영역(211)이 형성된 이후에, 전체적으로 층간 절연막(inter layer)(240)을 형성시킨다.
또한, 상기 층간 절연막(240) 및 게이트 절연막(220)에 비아 홀(via hole)을 형성한 후에, 소스 전극 (251)과 드레인 전극(252)을 형성시킴으로서, 다결정 박막 트랜지스터를 형성시킬 수 있게 된다.
그리고, 반사형 액정표시장치에서 영상을 표시하기 위해서는, 반사판의 역할을 수행하는 반사 전극을 추가로 형성시켜 주어야 한다.
이를 위해서는, 먼저 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(251)(252)과 층간 절연막(240) 위에 보호막을 형성한다. 여기서, 상기 보호막은 SiNx 등의 물질로 형성되는 제 1 보호막(260)을 적층하여 형성한다.
도 3b를 참조하면, 상기 제 1 보호막 상에 BCB와 같은 유기 절연막 물질로 형성되는 제 2 보호막(265)을 적층하여 형성시킨다.
그리고, 반사판에서의 효율적인 빛의 반사를 위해서는 반사판을 굴곡이 있는 요철형으로 형성하는 것이 바람직하다.
따라서, 요철형의 반사판을 형성하기 위하여 감광성 수지막(예컨대 중합체 수지)(270)을 상기 제 2 보호막(265) 상에 스핀코팅법 또는 롤코팅법 등의 방법을 이용하여 형성시킨다.
그리고, 마스크로 상기 감광성 수지막(270) 위에 정렬한 후, 윗쪽으로부터 자외선(도면의 화살표)을 조사한다. 이후, 현상공정을 거치게 되면, 상기 마스크에 형성되어 있는 복수의 홀의 형상에 대응되어, 상기 제 2 보호막(265) 상에 서로 상이한 형태를 갖는 복수의 감광성 수지막(270) 블록부가 형성된다.
이후, 열처리를 통하여 상기 복수의 감광성 수지막(270) 블록부를 연화시킴으로써 굴곡 형상의 요철을 형성시킬 수 있다.
여기서는 상기 제 2 보호막(265) 상에 감광성 수지막을 이용하여 굴곡 형상의 반사 요철(270)을 형성하였으나, 스핀코팅법 등으로 상기 제 2 보호막(265)을 형성하면서 반사 요철(270)을 동시에 형성하는 것도 가능하다.
그리고, 상기 드레인 전극(252) 위에, 일반적인 반도체 공정에 의한 포토 레지스트막 도포/노광/현상 및 식각 공정에 의하여, 상기 제 1 및 제 2 보호막(260) (265)을 관통하는 콘택 홀(contact hole)을 형성시킨다.
이 후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(260, 265) 영역 위에, 영상 표시를 할 수 있도록 알루미늄계 금속 또는 은(Ag)과 같은 반사특성이 좋은 물질을 이용하여 소정의 방법으로 증착하여 반사 전극(290)을 형성시킨다.
이 때, 상기 반사 전극(290)은 질화알루미늄(AlN)층과 알루미늄(Al)층으로 형성되어 있으며, 다음과 같은 방법으로 형성한다.
상기 유기 절연막으로 형성되어 있는 제 2 보호막(265) 상에 금속 물질을 이용하여 반사 전극(290)을 증착한다.
이 때, 상기 반사 전극(290)을 증착하는 데 있어서, 통상 스퍼터링 방법(sputtering method)이 사용되며, 이는 기판 상에 형성하고자 하는 물질로 이루어진 타겟(cathode) 쪽에 전압을 걸어주어 챔버 안의 스퍼터링 가스(주로 Ar+)가 타겟을 때림으로써 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 원자들이 기판 상에 축적되어 박막을 형성하도록 하는 방법이다.
여기서, 반응 가스로 질소(N2) 가스를 주입하여 상기 유기 절연막 상에 질화알루미늄(AlNx)이 적층되도록 한다.
다른 실시예로는, 반응 가스로 질소(N2) 또는 산소(O2) 가스를 주입하여 상기 유기 절연막 상에 질화알루미늄(AlNx) 또는 산화알루미늄(AlOx)이 적층되도록 할 수 있다.
이어서, 도 3d에 나타낸 바와 같이 상기 적층된 질화알루미늄층(291) 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 알루미늄(Al)만을 적층한다.
이와 같이 상기 제 2 보호층인 유기 절연막 상에 질화알루미늄층(291)과 알루미늄층(292)을 순차적으로 형성시킨 후에, 패터닝 공정을 한다.
상기 알루미늄층(292)과 질화알루미늄층(291)으로 형성되는 반사 전극은 상기 유기 절연막으로 형성되는 보호막과의 접촉 특성이 우수하다.
이상, 전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 반사형 액정 표시 장치의 어레이기판을 제작할 수 있다.
또한, 이상에서와 같은 제조 공정은 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판 제조에도 채용될 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 어레이기판 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치의 어레이기판은 금속의 반사판 재료를 유기 절연막으로 이루어진 보호막 위에 증착하여 반사판을 형성하는데 있어서, 질소(N2) 가스를 주입하여 질화금속층을 형성하고 상기 질화금속층 위에 금속의 반사 전극을 이어서 증착한 후 패턴 형성시 식각 CD의 공정 제어가 가능하고 상기 반사 전극이 유기절연막과 개선된 접촉 특성을 가짐으로써 공정불량을 줄여 신뢰성을 향상시키고 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.
Claims (14)
- 기판과;상기 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 결정성 반도체막, 소스영역, 드레인 영역, LDD영역을 포함하여 구성되는 다결정 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되고, SiNx 및 BCB가 적층 형성된 보호막과;상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 보호막 상에 형성되는 질화알루미늄층과 상기 질화알루미늄층 상에 형성되는 알루미늄층으로 이루어진 반사 전극;을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 어레이기판.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 보호막 상에는 반사 요철을 형성한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 어레이기판.
- 제 1항에 있어서,상기 반사 전극은 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 어레이기판.
- 기판을 준비하는 단계와;상기 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 결정성 반도체막, 소스영역, 드레인영역, LDD영역을 포함하여 구성되는 다결정 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막 트랜지스터 상부에 SiNx 및 BCB가 적층 형성된 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막 상에 질화알루미늄층을 형성하는 단계와;상기 질화금속층 상에 알루미늄층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 액정 표시 장치의 어레이기판 제조 방법.
- 삭제
- 제 7항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계에 있어서, 상기 보호막 상에 반사 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 어레이기판 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 7항에 있어서,상기 질화알루미늄층을 형성하는 단계에 있어서, 질소(N2) 가스를 반응 가스로 하여 스퍼터링 방법으로 적층하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 어레이기판 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR102037262B1 (ko) | 2019-06-24 | 2019-12-02 | 주식회사 이지건축 | 건축용 베란다 안전난간 |
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| JPH10177176A (ja) | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| KR20010040173A (ko) * | 1999-10-26 | 2001-05-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 패터닝된 기판 및 그를 포함하는 액정 표시장치 |
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- 2002-12-31 KR KR1020020088111A patent/KR100936889B1/ko not_active IP Right Cessation
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