JP2001305580A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気光学装置において、画素開口率を高める
と同時に蓄積容量の増大を図り且つ斜めの入射光や戻り
光に対する遮光性能を高めることにより、クロストーク
やゴーストを低減しコントラスト比を向上して、高品位
の画像表示を行う。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチン
グ制御するＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴに接続された
走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。平面
的に見てデータ線に重なる領域に、蓄積容量（７０）が
構築される。蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１
容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続
するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極
（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置され
てなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素電極に対し蓄積容量を付加するための一対の容量電極
と、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）とを、基板上
の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に
属する。

【０００２】

【背景技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置においては、ＴＦＴのゲー
ト電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦ
Ｔはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線
を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ド
レイン間を介して画素電極に供給される。このような画
像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて
短時間しか行われないので、ＴＦＴを介して供給される
画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりも遥
かに長時間に亘って保持するために、各画素電極には
（液晶容量等と並列に）蓄積容量が付加されるのが一般
的である。

【０００３】係る蓄積容量は一般に、画素電極に接続さ
れたＴＦＴのドレイン領域を構成する導電性のポリシリ
コン膜等から延設され画素電極電位とされる第１容量電
極と、この第１容量電極に誘電体膜を介して対向配置さ
れた第２容量電極を含み固定電位とされる容量線とを備
えて構成されている。そして、このような容量線は、走
査線と同一導電膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）
から構成され、走査線に平行して横並びに配線されるの
が一般的である。

【０００４】他方、この種の電気光学装置では、相隣接
する画素電極の間隙を表示光が素通りしてしまうと（所
謂光抜けにより）コントラスト比が低下し、画質が低下
する。このため、一般に透明なポリシリコン膜等からな
る走査線及び容量線に沿った画素電極の間隙を覆うよう
に対向基板にストライプ状の遮光膜を設けたり、データ
線に沿った画素電極の間隙を覆うように、当該データ線
をＡｌ（アルミニウム）膜等の反射膜から幅広に形成し
たりする。このように、対向基板上の遮光膜やデータ線
を組み合わせることにより各画素の開口領域（即ち、各
画素において表示に有効に寄与する光が通過する領域）
を規定している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この種の電気光学装置
においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が
強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素
開口率化を高める（即ち、各画素において、表示光が透
過しない各画素における非開口領域に対して、表示光が
透過する開口領域を広げる）ことが重要となる。

【０００６】しかしながら、画像表示領域内において走
査線と容量線とが横並びに配線された前述の背景技術に
よれば、このように微細ピッチな画素の高開口率化に伴
い走査線や容量線を配線可能な各画素の非開口領域は狭
くなる。このため、画素ピッチの微細化が進む程、十分
な大きさの蓄積容量を作り込むことや、走査線や容量線
に十分な導電性を与えることが困難になるという問題点
がある。そして、十分な蓄積容量が得られなかったり、
走査線や容量線に十分な導電性が得られなかったりする
と、最終的には、表示画像中におけるクロストークやゴ
ーストが増大して画質劣化するという問題点が生じる。
即ち、微細ピッチな画素の高開口率化に伴ってこのよう
な画質劣化が顕在化してくるという画質向上のために解
決困難な問題点がある。

【０００７】他方、前述のように対向基板上の遮光膜や
データ線を組み合わせることにより各画素の開口領域を
規定する技術によれば、斜めの入射光に対する遮光や特
にプロジェクタ用途の如く強力な入射光に対する遮光を
十分に行うことは困難である。即ち、この技術によれ
ば、斜めの入射光に対する遮光や、裏面反射光や当該電
気光学装置をライトバルブとして複板式のプロジェクタ
に組み合わせて使用する場合に合成光学系を突き抜けて
くる光などの戻り光に対する遮光は十分でなく、更にこ
のような斜めの入射光や戻り光により内面反射光や多重
反射光が発生するのを阻止することも困難である。従っ
て、このような斜めの入射光、戻り光、内面反射光や多
重反射光により、コントラスト比が低下するという問題
点がある。加えて、このような斜めの入射光、戻り光、
内面反射光や多重反射光が、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔのチャネル領域に侵入すると、光電効果によりＴＦＴ
のトランジスタ特性の劣化（光リーク）が生じて、最終
的に画質劣化を引き起こすという問題点もある。

【０００８】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を
図る（或いは蓄積容量の減少を抑制する）ことができる
と共に表示に寄与しない斜めの入射光や戻り光に対する
遮光性能を向上でき、クロストークやゴーストが低減さ
れると共にコントラスト比が向上されており、高品位の
画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題と
する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上に、相交差する走査
線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に接続された
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに中間導電層
を中継して接続された画素電極と、平面的に見て前記デ
ータ線に重なる領域に配置された蓄積容量と、各画素の
開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の遮光膜
とを備える。そして、前記蓄積容量は、前記走査線と同
一膜からなると共に前記画素電極に接続されて画素電極
電位とされる第１容量電極と、該第１容量電極に誘電体
膜を介して対向配置され且つ前記中間導電層と同一膜か
らなると共に前記遮光膜に接続されて固定電位とされる
第２容量電極とを備える。

【００１０】本発明の電気光学装置によれば、平面的に
見てデータ線に重なる領域を利用して蓄積容量を構築す
ることができる。この際、前述した背景技術の如く容量
線或いは容量電極を走査線に横並びに配線する必要が無
いので、当該横並びの走査線及び容量線或いは容量電極
の存在により、各画素の非開口領域を広げないで済む。
即ち、基板上で第１容量電極及び第２容量電極をデータ
線に立体的に重ねて形成することにより各画素の開口領
域を広げつつ相対的に蓄積容量を増大させることが可能
となる。

【００１１】しかも、画素電極電位とされる第１容量電
極は、走査線と同一膜からなり、固定電位とされる第２
容量電極は、薄膜トランジスタを画素電極に中継接続す
る中間導電層と同一膜からなるので、このような蓄積容
量をデータ線に重なる領域に構築するために専用の導電
膜を追加形成する必要はなく、装置構成及び製造工程を
簡略化する上でも大変有利である。特に、データ線に重
なる領域（走査線に重ならない領域）における、走査線
と同一膜の有効利用が図られ、走査線形成時におけるパ
ターンニングに変更を加えるだけで第１容量電極を形成
できるので実用上便利である。更に、このような中間導
電層は、画素電極と薄膜トランジスタとの層間距離が長
いため一つのコンタクトホールで両者を接続する技術的
困難性を回避し、比較的小径の二つの直列なコンタクト
ホールで両者を接続することを可能ならしめ、両者を接
続するために必要な平面領域を低減でき且つ装置信頼性
を高めることができる。そして、このような中間導電層
形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第
２容量電極を形成できるので実用上便利である。

【００１２】これらに加えて、第２容量電極は、各画素
の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の遮光
膜に接続されて固定電位とされる、即ち、当該遮光膜を
固定電位に落とすための容量線としても用いるので、走
査線と横並びに、固定電位とされる容量線を配線する必
要がなくなり、画素開口率を向上することができる。更
に、特にプロジェクタ用途のように強力な入射光を扱う
場合でも、第２容量電極を固定電位にする遮光膜によ
り、前述の如き斜めの入射光、戻り光、内面反射光、多
重反射光等の表示に悪影響を及ぼす光に対する遮光性能
を向上できる。

【００１３】以上の結果、本発明の電気光学装置によ
り、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大できる
と共に遮光性能を向上でき、最終的には、クロストーク
やゴーストが低減され且つコントラスト比が向上された
高品位の画像表示が可能となる。

【００１４】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
第１容量電極と前記データ線との間に、前記第２容量電
極が配置されている。

【００１５】この態様によれば、画素電極電位とされる
第１容量電極と画像信号が供給されるデータ線との間
で、固定電位とされる第２容量電極が電磁シールドとし
て機能する。このため、データ線と第１容量電極との間
の容量カップリングにより、データ線における電位変動
が第１容量電極（更には画素電極）に悪影響を及ぼした
り、或いは第１容量電極における電位変動がデータ線に
悪影響を及ぼすことを未然防止できる。逆に、このよう
な容量カップリングによる悪影響を低減するために両者
間の層間絶縁膜を厚くしないで済む。

【００１６】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層
側に配置され且つ前記薄膜トランジスタの少なくともチ
ャネル領域を前記基板側から見て覆う導電性の下層遮光
膜からなり、該下層遮光膜と前記第２容量電極とは、平
面的に見て前記第１容量電極の形成されていない領域に
開孔されたコンタクトホールを介して接続されている。

【００１７】この態様によれば、下層遮光膜が薄膜トラ
ンジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見て覆
うので、薄膜トランジスタの下層側からの戻り光（即
ち、裏面反射光や当該電気光学装置をライトバルブとし
て複板式のプロジェクタに組み合わせて使用する場合に
合成光学系を突き抜けてくる光など）に対してチャネル
領域を遮光でき、戻り光による薄膜トランジスタの特性
劣化を低減できる。そして、第２容量電極は、平面的に
見て第１容量電極の形成されていない領域に開孔された
コンタクトホールを介して、このような導電性の下層遮
光膜に接続されて、固定電位とされる。従って、下層遮
光膜を容量線としても利用して、蓄積容量をデータ線に
重なる領域に構築できる。

【００１８】この上層遮光膜を備えた態様では、前記薄
膜トランジスタの上層側に前記各画素の開口領域を少な
くとも部分的に規定する上層遮光膜を更に備えてもよ
い。

【００１９】このように構成すれば、薄膜トランジスタ
の上層側に備えられた上層遮光膜により、薄膜トランジ
スタの上層側からの斜めの入射光に対する遮光を、例え
ば対向基板に設けられた遮光膜と比べて薄膜トランジス
タの直近で行うことが可能となり、特にプロジェクタ用
途のように強力な入射光の場合にも、斜めの入射光によ
る光抜けを効果的に防止でき、更に斜めの入射光や更に
これや戻り光に基づく内面反射光や多重反射光をも有効
に遮光可能となる。尚、この場合には、上層遮光膜が導
電性である必要はない。

【００２０】この場合には更に、前記上層遮光膜は、前
記基板上で前記データ線よりも上層側に積層され且つ平
面的に見て格子状に形成されてもよい。

【００２１】このように構成すれば、データ線と薄膜ト
ランジスタとの間に上層遮光膜が存在しないため、平面
的に見てデータ線と薄膜トランジスタとを接続するため
のコンタクトホールを上層遮光膜に重なる位置に開孔で
きる。即ち、係るコンタクトホールを開孔する隙間を確
保するために、上層遮光膜に括れや開口を設けたり、上
層遮光膜をストライプ状に分断形成する必要が無くな
り、上層遮光膜をデータ線及び走査線を完全に覆う格子
状に形成できる。これにより、各画素の開口領域を上層
遮光膜のみにより規定することが可能となり、遮光性能
を一層高められる。

【００２２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの上層
側に配置された導電性の上層遮光膜からなる。

【００２３】この態様によれば、薄膜トランジスタの上
層側に備えられた上層遮光膜により、薄膜トランジスタ
の上層側からの斜めの入射光に対する遮光を行うことが
可能となり、特にプロジェクタ用途のように強力な入射
光の場合にも、斜めの入射光による光抜けを効果的に防
止でき、更に斜めの入射光や更にこれや戻り光に基づく
内面反射光や多重反射光をも有効に遮光可能となる。そ
して、第２容量電極は、このような導電性の上層遮光膜
に接続されて、固定電位とされる。従って、上層遮光膜
を容量線としても利用して、蓄積容量をデータ線に重な
る領域に構築できる。

【００２４】この上層遮光膜を備えた態様では、前記上
層遮光膜は、前記基板上で前記データ線よりも下層側に
積層され且つ平面的に見て前記走査線に沿った本線部と
該本線部から前記データ線に沿って突出した突出部とを
含むストライプ状に形成されており、前記データ線と前
記薄膜トランジスタとは、平面的に見て前記ストライプ
状の上層遮光膜が形成されていない領域に開孔されたコ
ンタクトホールを介して接続されてもよい。

【００２５】このように構成すれば、走査線に沿った本
線部と該本線部からデータ線に沿って突出した突出部と
を含むストライプ状に形成された上層遮光膜により、走
査線の全部とデータ線の大部分とにおける画素の開口領
域を規定できる。そして、上層遮光膜がデータ線と薄膜
トランジスタとの間に積層されているものの、ストライ
プ状の上層遮光膜が形成されていない領域（即ち、突出
部の先にある領域）に、データ線と薄膜トランジスタと
を接続するコンタクトホールを何ら問題なく開孔でき
る。

【００２６】或いは、この上層遮光膜を備えた態様で
は、前記上層遮光膜は、前記基板上で前記データ線より
も上層側に積層され且つ平面的に見て格子状に形成され
ており、前記上層遮光膜と前記第２容量電極とは、平面
的に見て前記データ線が形成されていない領域に開孔さ
れたコンタクトホールを介して接続されてもよい。

【００２７】このように構成すれば、データ線と薄膜ト
ランジスタとの間に上層遮光膜が存在しないため、デー
タ線と薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクト
ホールを開孔する隙間を確保するために、上層遮光膜に
括れや開口を設けたり、上層遮光膜をストライプ状に分
断形成する必要が無くなり、上層遮光膜をデータ線及び
走査線を完全に覆う格子状に形成できる。これにより、
各画素の開口領域を上層遮光膜のみにより規定すること
が可能となり、遮光性能を一層高められる。そして、デ
ータ線が上層遮光膜と第２容量電極との間に積層されて
いるものの、データ線が形成されていない領域に（平面
的に見てデータ線の形成領域から第２容量電極を若干突
出して形成することにより）上層遮光膜と第２容量電極
とを接続するコンタクトホールを何ら問題なく開孔でき
る。

【００２８】この上層遮光膜を備えた態様では、前記薄
膜トランジスタの下層側に前記薄膜トランジスタの少な
くともチャネル領域を前記基板側から見て覆う下層遮光
膜を更に備えてもよい。

【００２９】このように構成すれば、下層遮光膜が薄膜
トランジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見
て覆うので、薄膜トランジスタの下層側からの戻り光に
対してチャネル領域を遮光でき、戻り光による薄膜トラ
ンジスタの特性劣化を低減できる。尚、この場合には、
下層遮光膜が導電性である必要はない。

【００３０】上述した上層遮光膜及び下層遮光膜の両者
を備えた態様では、前記下層遮光膜、前記走査線、前記
データ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平
面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さない
のが好ましい。

【００３１】このように構成すれば、基板上に入射した
入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出した走査線、
データ線、薄膜トランジスタ又は下層遮光膜の上面で反
射することで、当該電気光学装置の内部における内面反
射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止で
きる。尚、戻り光が下層遮光膜の形成領域からはみ出し
た上層遮光膜の下面で反射することで、当該電気光学装
置の内部における内面反射光や多重反射光は若干発生す
るが、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いため
に、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射
光のそれ比べて軽微である。従って、このように下層遮
光膜が上層遮光膜からはみ出さない（即ち、上層遮光膜
が下層遮光膜よりも一回り大きい）方が好ましい。

【００３２】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線に重なる領域
に加えて、前記走査線に沿った領域にも部分的に配置さ
れている。

【００３３】この態様によれば、基板上で第１容量電極
及び第２容量電極を、データ線に立体的に重ねて形成す
るのみならずデータ線に沿った領域にも形成することに
より、各画素の開口領域を広げつつ相対的に蓄積容量を
増大させることが可能となる。

【００３４】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、画像表示領域内から該画像表示領域外に延
設されており、該画像表示領域外で固定電位に落とされ
ている。

【００３５】この態様によれば、画像表示領域内におい
て第２容量電極と接続された遮光膜は、画像表示領域外
に延設されて固定電位に落とされているので、容量線と
して良好に機能する。この際特に、画像表示領域外の周
辺領域にある周辺回路や駆動回路用の定電位線或いは定
電位源を利用して、遮光膜を比較的簡単且つ確実に固定
電位にできる。

【００３６】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気
光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００３８】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１から図５を参
照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図
２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’断
面図である。また図５は、遮光膜を抽出して示すＴＦＴ
アレイ基板の画素の平面図である。尚、図３及び図４に
おいては夫々、各層や各部材を図面上で認識可能な程度
の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならし
めてある。

【００３９】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９aを
制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号
が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに
電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給し
ても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に
対して、グループ毎に供給するようにしても良い。ま
た、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続さ
れており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的
に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦ
Ｔ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチ
ング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチ
を閉じることにより、データ線６ａから供給される画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込
む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液
晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電
極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、
印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能にす
る。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光の通過光量が低減され、ノーマリーブ
ラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
の通過光量が増大され、全体として電気光学装置からは
画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、
ＴＦＴ３０のドレインと定電位を供給する容量線３００
との間に形成されている。

【００４０】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａが設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々
沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００４１】また、半導体層１ａのうち図中右下がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用ＴＦＴ３０が設けられている。

【００４２】本実施形態では、上層遮光膜の一例たる内
蔵遮光膜４１と下層遮光膜の一例たる第１遮光膜１１ａ
とが夫々、図中太線で示したように、走査線３ａ及びデ
ータ線６ａに沿って格子状に形成されており、各画素の
開口領域を規定している。尚、各画素電極９ａの縁は、
図示されていないが、第１遮光膜１１ａ及び内臓遮光膜
４１の縁に僅かに重なるように平面配置されている。

【００４３】図２から図４に示すように、第１遮光膜１
１ａは、ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側（図３及
び図４中、下側）から覆う部分を含み、更に平面的に見
て走査線３ａ及びデータ線６ａに沿って格子状に形成さ
れている。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０
の裏面や投射光学系からの戻り光を遮光し、この光に基
づく光励起によりＴＦＴ３０のオフ時のリーク電流が原
因でＴＦＴ３０の特性が変化するのを有効に防止する。
このような第１遮光層１１ａは、例えば、ＣＶＤ又はス
パッタリングにより形成したＴｉ（チタン）、Ｃｒ（ク
ロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少
なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド
等からなる。またその膜厚は、例えば５０〜３００ｎｍ
程度である。特に、複板式のカラー表示用のプロジェク
タ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合
わせて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学
装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からな
る戻り光は強力であるので、このようにＴＦＴ３０の下
側に第１遮光膜１１ａを設けることは大変有効である。
他方、内臓遮光膜４１も、第１遮光膜１１ａと同様に、
膜厚５０〜３００ｎｍ程度の高融点金属を含む、金属単
体、合金、金属シリサイド等からなる。或いは、データ
線６ａと同様に、膜厚５０〜５００ｎｍ程度のＡｌ膜か
らなる。

【００４４】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
上で、データ線６ａは、コンタクトホールＡＣＮＴを介
して例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち
高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。

【００４５】他方、図４に示すように、画素電極９ａ
は、中間導電層の一例たるバリア層３４を中継すること
により、コンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴを介し
て半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的
に接続されている。バリア層３４は、図２に示すよう
に、画素電極９ａの角部に走査線3ａに沿って島状に形
成されている。このようにバリア層３４を用いることに
より、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１
ａとの間の層間距離が例えば１０００ｎｍ程度に長くて
も、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的
困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタク
トホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴで両者間を良好に接続で
き、画素開口率を高めることが可能となる。特にこのよ
うなバリア層３４を用いれば、コンタクトホール開孔時
におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。このよ
うなバリア層３４は、例えばＣＶＤにより形成した導電
性のポリシリコン膜からなる。或いは、ＣＶＤ又はスパ
ッタリングにより形成したＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含
む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。この
ような高融点金属から構成することにより、バリア層３
４を各画素の開口領域の一部を規定する遮光膜として機
能させることも可能となる。但し、このようなバリア層
３４は、高融点金属以外のＡｌ（アルミニウム）等の金
属膜から構成されてもよいし、更に、これらの膜（例え
ば、ポリシリコン膜と金属膜と）を複数含む多層膜から
構成されてもよい。いずれの場合にも、バリア層３４の
膜厚は、例えば５０〜４５０ｎｍ程度とされる。

【００４６】図２から図４に示すように、走査線３ａと
同一膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）からなる第
１容量電極１３-1と、バリア層３４と同一膜からなる第
２容量電極３３-1とが誘電体膜４２を介して対向配置さ
れることにより、平面的に見てデータ線６ａに重なる領
域に、蓄積容量７０（図１参照）の一例たる蓄積容量７
０-1が構築されている。すなわち、第１容量電極１３-1
は平面的に見て、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部
位に隣接した部位からデータ線６ａに沿って延び、その
一部がバリア層３４の領域に延びる突出部を有する島状
の電極で形成されている。そして、第２容量電極３３-1
は第１容量電極１３-1に重なるように、走査線３ａとデ
ータ線６ａとの交差部位に隣接した部位から第１容量電
極１３-1を越えて半導体層１ａに隣接する部位までデー
タ線６ａに沿って延び、その一部がバリア層３４の領域
に延びる突出部を有する島状の電極で形成されている。

【００４７】第１容量電極１３-1は、誘電体膜４２が除
去されたコンタクトホールＢＣＮＴの隣接領域でバリア
層３４と面接触しており、バリア層３４を中継して画素
電極９ａと接続されて（同時にコンタクトホールＢＣＮ
Ｔで高濃度ドレイン領域１ｅと接続されて）、画素電極
電位とされる。

【００４８】第２容量電極３３-1は、コンタクトホール
ＳＣＮＴを介して導電性の第１遮光膜１１ａに接続され
ている。格子状の第１遮光膜１１ａは、画素電極９ａが
配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電
位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。即ち、
第２容量電極３３-1は、第１遮光膜１１ａに接続されて
固定電位とされる。このように本実施形態では、第１遮
光膜１１ａが、図１に示した容量線３００として機能す
る。そして、画像表示領域から周辺領域に延設される第
１遮光膜１１ａが接続される定電位源としては、ＴＦＴ
３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給する
ための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ
線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線
駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定
電位源でも良いし、対向基板２０側に供給される定電位
でも構わない。

【００４９】蓄積容量７０-1の誘電体膜４２は、例えば
膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＢＨＴＯ膜やＨＴ
Ｏ膜から構成される。蓄積容量７０-1を増大させる観点
からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、
誘電体膜４２は薄い程良い。

【００５０】図３に示すように、電気光学装置は、透明
なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明
な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０
は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からな
り、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板から
なる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設け
られており、その上側には、ラビング処理等の所定の配
向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電
極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポ
リイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００５１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００５２】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【００５３】対向基板２０には、更に図３及び図４に示
すように、格子状或いはストライプ状の第２遮光膜２３
を設けるようにしてもよい。このような構成を採ること
で、対向基板２０側からの入射光に対する遮光をより確
実に行える。しかも、第２遮光膜２３は、入射光が照射
される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学
装置の温度上昇を防ぐ働きをする。

【００５４】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

【００５５】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、第１遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を絶縁すると共
に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることによ
り、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れ
や、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の特性の劣化を防止する機能を有する。

【００５６】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの
低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半
導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイ
ン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅに
は、図４に示すように複数の画素電極９ａのうちの対応
する一つが、コンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴを
介してバリア層３４により中継接続されている。

【００５７】図３及び図４に示すように、走査線３ａの
上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホー
ルＡＣＮＴ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタ
クトホールＩＣＮＴが各々形成された第１層間絶縁膜４
が形成されている。データ線６ａ上には、バリア層３４
へ通じるコンタクトホールＩＣＮＴが形成された第２層
間絶縁膜７が形成されている。第２層間絶縁膜７上に
は、内臓遮光膜４１が形成されており、この上には更
に、バリア層３４へのコンタクトホールＩＣＮＴが形成
された第３層間絶縁膜８が形成されている。前述の画素
電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜８の
上面に設けられている。

【００５８】以上説明したように本実施形態によれば、
ＴＦＴアレイ基板１０上で第１容量電極１３-1及び第２
容量電極３３-1をデータ線６ａに立体的に重ねて形成す
ることにより、前述した背景技術の如く容量線或いは容
量電極を走査線に横並びに配線する必要が無いので各画
素の非開口領域を広げないで済み、大きな蓄積容量が得
られる。しかも、第１容量電極１３-1は、走査線３ａと
同一膜からなり、第２容量電極３３-1は、バリア層３４
と同一膜からなるので、このような蓄積容量７０-1をデ
ータ線６ａに重なる領域に構築するために専用の導電膜
を追加形成する必要はなく、装置構成及び製造工程を簡
略化する上でも大変有利である。特に、走査線３ａの形
成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第１
容量電極１３-1を形成でき、バリア層３４の形成時にお
けるパターンニングに変更を加えるだけで第２容量電極
３３-1を形成できる。これらに加えて、各画素の開口領
域を規定する第１遮光膜１１ａを、第２容量電極３３-1
を固定電位に落とすための容量線３００（図１参照）と
しても用いるので、走査線３ａと横並びに容量線を配線
する必要もない。更に、データ線６ａ、走査線３ａ、Ｔ
ＦＴ３０等を上下から覆う格子状の内蔵遮光膜４１及び
第１遮光膜１１ａにより、プロジェクタ用途のように強
力な入射光を扱う場合でも、斜めの入射光、戻り光、内
面反射光、多重反射光等の表示に悪影響を及ぼす光に対
して十分な遮光を行える。

【００５９】以上説明した実施形態では、多数の導電層
を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿
った領域に段差が生じるが、ＴＦＴアレイ基板１０、下
地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜７に
溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋
め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層
間絶縁膜８や第２層間絶縁膜７の上面の段差をＣＭＰ
（Chemical MechanicalPolishing）処理等で研磨するこ
とにより、或いは有機ＳＯＧを用いて平らに形成するこ
とにより、当該平坦化処理を行ってもよい。

【００６０】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減
することができる。

【００６１】尚、第１実施形態及び以下に説明する各実
施形態の電気光学装置において導電膜間を絶縁する各層
間絶縁膜は、例えば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シ
リケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレー
ト）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケー
ト・ガラス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）な
どのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコ
ン膜等から構成すればよい。また、各層間絶縁膜の膜厚
は、１００〜１０００ｎｍ程度である。

【００６２】本実施形態では特に、画素電極電位とされ
る第１容量電極１３-1とデータ線６ａとの間に、固定電
位とされる第２容量電極３３-1が配置されているので、
データ線６ａと第１容量電極１３-1との間の容量カップ
リングにより、両者の電位変動が相互に悪影響を及ぼす
ことを未然防止できる。逆に、このような容量カップリ
ングによる悪影響を低減するために両者間の第１層間絶
縁膜４を厚くしないで済む。

【００６３】また本実施形態では、前述のように容量線
３００としての機能を有する第１遮光膜１１ａ及び内蔵
遮光膜４１は、共に格子状に形成されているが、第１遮
光膜１１ａは容量線３００としての機能を果たす限りに
おいてストライプ状に形成されていてもよい。更に、両
方の遮光膜が重なることで格子状の非開口領域となるよ
うに構成されてもよい。加えて本実施形態では、第１遮
光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１を抽出して示す図５のよ
うに、第１遮光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１が共に格子
状に形成されており且つ第１遮光膜１１ａが平面的に見
て内蔵遮光膜４１の形成領域からはみ出さないように
（即ち、一回り小さく）構成するのが好ましい。この際
更に、両者間にある不図示の走査線、データ線及びＴＦ
Ｔ等は、平面的に見て第１遮光膜１１ａの形成領域から
はみ出さないように構成されるのが好ましい。このよう
に構成すれば、対向基板２０側からの入射光が内蔵遮光
膜４１の形成領域からはみ出した第１遮光膜１１ａ（更
に、走査線、データ線等）で反射することで、当該電気
光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生
することを効果的に未然防止できる。尚、このように内
蔵遮光膜４１を第１遮光膜１１ａよりも一回り大きく形
成すると、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光が第１
遮光膜１１ａの形成領域からはみ出した内蔵遮光膜４１
部分で反射することで、当該電気光学装置の内部におけ
る内面反射光や多重反射光は若干発生する。しかしなが
ら、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いため
に、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射
光のそれに比べて軽微である。従って本実施形態の構成
は有利である。

【００６４】尚、本実施形態では、第１遮光膜１１ａを
容量線３００として利用し、内蔵遮光膜４１を容量線３
００として利用しないので、内蔵遮光膜４１は導電性で
ある必要はない。

【００６５】（第２実施形態）次に、図６を参照して本
発明の電気光学装置の第２実施形態について説明する。
ここに、図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成
されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。また、
図６において、図２から図５（第１実施形態）と同様の
構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略
する。

【００６６】図６に示すように、第２実施形態では、第
１実施形態と比べて、平面的に見て図１に示した蓄積容
量７０の他の一例たる蓄積容量７０-2が、データ線６ａ
に重なる領域のみならず走査線３ａに沿った領域にも形
成されている点が異なる。より具体的には、第２実施形
態では、第１容量電極１３-2は、データ線６ａに重なる
部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなり
（即ち、図６中で略Ｔ字状に形成されており）、第２容
量電極３３-2は、データ線６ａに重なる部分に加えて走
査線３ａに沿って伸びる部分からなる（即ち、図６中で
略Ｌ字状に形成されている）。そして、内蔵遮光膜４
１’は、このような蓄積容量７０-2を隠すように、走査
線３ａに沿って伸びる部分が幅広に形成され且つコンタ
クトホールＩＣＮＴを形成可能なようにコンタクトホー
ルＩＣＮＴに対応する個所が括れて形成されている。更
に、この内蔵遮光膜４１’の括れ部分における遮光性能
の低下を補うべく、コンタクトホールＩＣＮＴの周囲に
は、走査線３ａ或いは第１用容量電極１３-2と同一膜か
らなる島状の導電層３ｂが形成されている。また、バリ
ア層３４は走査線３ａに沿って配置されている。その他
の構成については、第１実施形態の場合と同様である。

【００６７】従って、第２実施形態によれば、ＴＦＴア
レイ基板１０上で第１容量電極１３-2及び第２容量電極
３３-2をデータ線６ａに立体的に重ねて形成することに
加えて、走査線３ａに沿った領域にも形成することによ
り、より大きな蓄積容量が得られる。

【００６８】（第３実施形態）次に、図７から図９を参
照して本発明の電気光学装置の第３実施形態について説
明する。ここに、図７は、データ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
り、図８は、図７のＡ−Ａ’断面図であり、図９は、図
７のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図８及び図９において
は夫々、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。また、図７から図９において、図２から図５（第１
実施形態）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付
し、その説明は省略する。

【００６９】図７から図９に示すように、第３実施形態
では、第１実施形態と比べて、ＴＦＴ３０の下側にある
第１遮光膜１１ａに代えて、ＴＦＴ３０の上側にある導
電性の内蔵遮光膜４３を容量線３００（図１参照）とし
て用いている。更に、内蔵遮光膜４３は、第１実施形態
における内蔵遮光膜４１のようにデータ線６ａの上側で
はなく、データ線６ａの下側に積層されており、コンタ
クトホールＡＣＮＴを開孔するためにコンタクトホール
ＡＣＮＴに対応する個所で分断されている。即ち、内蔵
遮光膜４３は、格子状ではなく、走査線３ａに沿って伸
びる本線部とこの本線部からデータ線６ａに沿って（図
７中上側に）突出した突出部とを含むストライプ状に形
成されている。更に、第２容量電極３３-3と容量線３０
０としての内蔵遮光膜４３との間には、第１容量電極１
３-3が介在しないため、平面的に見て第２容量電極３３
-3と内蔵遮光膜４３（容量線３００）とを接続するコン
タクトホールＢＭＣＮＴを開孔する個所にも、蓄積容量
７０-3が形成されている。即ち、第２容量電極３３-1と
第１遮光膜１１ａ（容量線３００）とを接続するコンタ
クトホールＳＣＮＴを開孔する個所に蓄積容量を形成で
きない第１実施形態の場合と比べて、蓄積容量の面積が
増大している。その他の構成については、第１実施形態
の場合と同様である。

【００７０】このように第３実施形態によれば、ＴＦＴ
アレイ基板１０上で第１容量電極１３-3及び第２容量電
極３３-3をデータ線６ａに立体的に重ねて形成すること
により、大きな蓄積容量が得られる。

【００７１】また第３実施形態において、データ線６ａ
の下側に代えてデータ線６ａの上側に、容量線３００と
しての内蔵遮光膜４３を配置することも可能である。こ
の場合には、コンタクトホールＡＣＮＴを避けて内蔵遮
光膜４３を分断させる必要はなく格子状の内蔵遮光膜に
より遮光性能を向上できる。他方、コンタクトホールＢ
ＭＣＮＴについては、データ線６ａの形成領域から外し
て開孔すればよい。

【００７２】尚、本実施形態では、内蔵遮光膜４３を容
量線３００として利用し、第１遮光膜１１ａを容量線３
００として利用しないので、第１遮光膜１１ａは導電性
である必要はない。

【００７３】（第４実施形態）次に、図１０を参照して
本発明の電気光学装置の第４実施形態について説明す
る。ここに、図１０は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
また、図１０において、図２から図５（第１実施形態）
或いは図７から図９（第３実施形態）と同様の構成要素
には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【００７４】図１０に示すように、第４実施形態では、
第３実施形態と比べて、平面的に見て図１に示した蓄積
容量７０の他の一例たる蓄積容量７０-4が、データ線６
ａに重なる領域のみならず走査線３ａに沿った領域にも
形成されている点が異なる。より具体的には、第４実施
形態では、第１容量電極１３-4は、データ線６ａに重な
る部分に加えて走査線３ａに沿って伸びる部分からなり
（即ち、図１０中で略Ｔ字状に形成されており）、第２
容量電極３３-4は、データ線６ａに重なる部分に加えて
走査線３ａに沿って伸びる部分からなる（即ち、図１０
中で略Ｌ字状に形成されている）。そして、内蔵遮光膜
４３’は、このような蓄積容量７０-4を隠すように、走
査線３ａに沿って伸びる部分が幅広に形成され且つコン
タクトホールＩＣＮＴを形成可能なようにコンタクトホ
ールＩＣＮＴに対応する個所が括れて形成されている。
更に、この内蔵遮光膜４３’の括れ部分における遮光性
能の低下を補うべく、コンタクトホールＩＣＮＴの周囲
には、走査線３ａ或いは第１用容量電極１３-4と同一膜
からなる島状の導電層３ｂが形成されている。その他の
構成については、第３実施形態の場合と同様である。

【００７５】従って、第４実施形態によれば、ＴＦＴア
レイ基板１０上で第１容量電極１３-4及び第２容量電極
３３-４をデータ線６ａに立体的に重ねて形成すること
に加えて、走査線３ａに沿った領域にも形成することに
より、より大きな蓄積容量が得られる。

【００７６】ここで、以上説明した第１から第４実施形
態における第１容量電極１３（１３-1〜１３-4）と高濃
度ドレイン領域１ｅとの電気的接続について、図１１を
参照して説明を加える。ここに、図１１（ａ）は、図４
或いは図９に示したＢ−Ｂ’断面のうち、この電気的接
続に係る部分を拡大して示す断面図である。

【００７７】図１１(a)に示すように、第１容量電極１
３（１３-1〜１３-4）は、バリア層３４を介して高濃度
ドレイン領域１ｅに電気的に接続されて、画素電極電位
とされる。このような接続は、“バリア層３４の膜厚＞
絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）の膜厚”とすることで、コ
ンタクトホールＢＣＯＮＴを形成する際に、比較的簡単
に得られる。

【００７８】但し、図１１(b)に示すように、第１容量
電極１３を形成する前に絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）に
コンタクトホールＢＣＮＴ’を開孔することで、第１容
量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを直接接続して
もよい。このような接続のためには、コンタクトホール
ＢＣＮＴ’の底にポリシリコン膜等からなる高濃度ドレ
イン領域１ｅが露出した際における、当該高濃度ドレイ
ン領域１ｅの表面酸化が障害となり得るが、このような
酸化膜は、フッ酸でライトエッチングすれば比較的簡単
に除去できる。但し、絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）に対
して、フッ酸でライトエッチングすると、ピンホール等
の欠陥が発生する可能性があるので、図１１(a)に示し
たように第１容量電極１３を、バリア層３４を介して高
濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続した方が、装置信
頼性を高める上で有利である。

【００７９】或いは、図１１(ｃ)に示すように、第１容
量電極１３を形成する前に絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）
にコンタクトホールＢＣＮＴ’を開孔することで、第１
容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを直接接続す
ると共に、バリア層３４を中継することなく第１容量電
極１３を画素電極９ａに直接接続してもよい。即ち、図
１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示した例では、第１容量
電極１３は、バリア層３４に接続され且つ図中右方に延
設されたバリア層３４がコンタクトホールＩＣＮＴによ
り画素電極９ａに接続されるが（図４及び図９参照）、
図１１（ｃ）に示した例では、第１容量電極１３そのも
のが図中右方に延設され、当該延設された第１容量電極
１３上に形成されたコンタクトホールＩＣＮＴにより、
第１容量電極１３が画素電極９ａに接続される。この場
合、バリア層３４は、例えば図６に示した略Ｌ字状の第
２容量電極３３-2のコーナー領域から延設して設ければ
よく、図１１（ｃ）中の誘電体膜４２を、第１容量電極
１３とバリア層３４との間に介在する誘電体膜として利
用することで、この領域にも蓄積容量を形成できる。

【００８０】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図１２及び図１３を参照して説明する。尚、図１２
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１３は、図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

【００８１】図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ
或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周辺を
規定する額縁としての第３遮光膜５３が設けられてい
る。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画
像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線
６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接
続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設
けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミング
で供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動
回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けら
れている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題
にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけ
でも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回
路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列
してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に
は、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動
回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくと
も１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が
設けられている。そして、図１３に示すように、図１２
に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２
０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固
着されている。

【００８２】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【００８３】以上図１から図１３を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。

【００８４】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電
極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタを
その保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。
このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型
のカラー電気光学装置について、各実施形態における電
気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画
素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向
する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィル
タ層を形成することも可能である。このようにすれば、
入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装
置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層も
の屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉
を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィル
タを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き
対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実
現できる。

【００８５】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本
発明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ’断面図である。

【図５】第１実施形態における遮光膜を抽出して示すＴ
ＦＴアレイ基板の画素の平面図である。

【図６】第２実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図７】第３実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図８】図７のＡ−Ａ’断面図である。

【図９】図８のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１０】第４実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１１】第１容量電極と高濃度ドレイン領域との電気
的接続の一例を示す断面図（図１１(a)）及び他の例を
示す断面図（図１１(b)、図１１（c））である。

【図１２】各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴア
レイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図である。

【図１３】図１２のＨ−Ｈ’断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁薄膜（ゲート絶縁膜） ３ａ…走査線 ４…第１層間絶縁膜 ６ａ…データ線 ７…第２層間絶縁膜 ８…第３層間絶縁膜 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…第１遮光膜 １２…下地絶縁膜 １３（１３-1〜１３-4）…第１容量電極 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…第２遮光膜 ３０…ＴＦＴ ３３（３３-1〜３３-4）…第２容量電極 ３４…バリア層 ４１、４１’、４３、４３’…内蔵遮光膜 ５０…液晶層 ７０（７０-1〜７０-4）…蓄積容量 ３００…容量線 ＳＣＮＴ、ＢＣＮＴ、ＩＣＮＴ、ＡＣＮＴ、ＢＭＣＮＴ
…コンタクトホール

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA29 JA24 JA37 JA46 JB22 JB31 JB51 JB69 KA04 MA05 MA07 NA07 NA25 PA07 PA08 PA10 PA11 RA05 5C094 AA06 AA09 AA10 AA25 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EA07 EA10 EB02 ED15 FA01 FA02 FB12 FB14 FB15

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、相交差する走査線及びデータ
   線と、該走査線及びデータ線に接続された薄膜トランジ
   スタと、該薄膜トランジスタに中間導電層を中継して接
   続された画素電極と、平面的に見て前記データ線に重な
   る領域に配置された蓄積容量と、各画素の開口領域を少
   なくとも部分的に規定する導電性の遮光膜とを備えてお
   り、 前記蓄積容量は、前記走査線と同一膜からなると共に前
   記画素電極に接続されて画素電極電位とされる第１容量
   電極と、該第１容量電極に誘電体膜を介して対向配置さ
   れ且つ前記中間導電層と同一膜からなると共に前記遮光
   膜に接続されて固定電位とされる第２容量電極とを備え
   たことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第１容量電極と前記データ線との間
   に、前記第２容量電極が配置されていること特徴とする
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜ト
   ランジスタの下層側に配置され且つ前記薄膜トランジス
   タの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う
   導電性の下層遮光膜からなり、 該下層遮光膜と前記第２容量電極とは、平面的に見て前
   記第１容量電極の形成されていない領域に開孔されたコ
   ンタクトホールを介して接続されていることを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記薄膜トランジスタの上層側に前記各
   画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する上層遮光
   膜を更に備えたこと特徴とする請求項３に記載の電気光
   学装置。
5. 【請求項５】 前記上層遮光膜は、前記基板上で前記デ
   ータ線よりも上層側に積層され且つ平面的に見て格子状
   に形成されていること特徴とする請求項４に記載の電気
   光学装置。
6. 【請求項６】 前記遮光膜は、前記基板上で前記薄膜ト
   ランジスタの上層側に配置された導電性の上層遮光膜か
   らなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光
   学装置。
7. 【請求項７】 前記上層遮光膜は、前記基板上で前記デ
   ータ線よりも下層側に積層され且つ平面的に見て前記走
   査線に沿った本線部と該本線部から前記データ線に沿っ
   て突出した突出部とを含むストライプ状に形成されてお
   り、 前記データ線と前記薄膜トランジスタとは、平面的に見
   て前記ストライプ状の上層遮光膜が形成されていない領
   域に開孔されたコンタクトホールを介して接続されてい
   ること特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記上層遮光膜は、前記基板上で前記デ
   ータ線よりも上層側に積層され且つ平面的に見て格子状
   に形成されており、 前記上層遮光膜と前記第２容量電極とは、平面的に見て
   前記データ線が形成されていない領域に開孔されたコン
   タクトホールを介して接続されていること特徴とする請
   求項６に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記薄膜トランジスタの下層側に前記薄
   膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側
   から見て覆う下層遮光膜を更に備えたことを特徴とする
   請求項６から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記下層遮光膜、前記走査線、前記デ
    ータ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平面
    的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないこ
    とを特徴とする請求項５又は９に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記蓄積容量は、平面的に見て前記デ
    ータ線に重なる領域に加えて、前記走査線に沿った領域
    にも部分的に配置されていることを特徴とする請求項１
    から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記遮光膜は、画像表示領域内から該
    画像表示領域外に延設されており、該画像表示領域外で
    固定電位に落とされていることを特徴とする請求項１か
    ら１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。