JP2008129609A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板、絶縁基板上に一側方向に延長されている複数のゲート線121、ゲート線121と交差する複数のデータ線171、データ線171及びゲート線121と各々接続される複数の薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと各々電気的に接続され、角部分が湾曲した複数の四角形からなる複数の画素電極191を含み、画素電極191はその配列が行列をなして、隣接する画素行の画素電極191は互いに半画素づつずれて配置され、隣接した3つの画素電極191が複数の3画素隣接領域Tを形成して、薄膜トランジスタは3画素隣接領域Tに配置される。
【選択図】図1
Description
その中でも電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、広視野角を実現することが容易であることから注目されている。
しかし、切開パターンを形成すると切開パターン部分だけ開口率が減少し、小電極を形成すると、小電極を接続するための接続部分のために開口率が減少する。
ゲート線は、ゲート線から突出したゲート電極を含み、チャンネル領域は前記ゲート線と重なる第1チャンネル領域と前記ゲート電極と重なる第2チャンネル領域を含むように構成できる。
半導体は屈曲するように構成することができる。
画素電極は角部分が湾曲した複数個の四角形で構成することができる。
画素電極は、その配列が行列をなし、隣接する画素行の画素電極はそれぞれ交互に配置されて隣接した3つの画素電極が複数の3画素隣接領域を形成し、半導体は隣接する2つの3画素隣接領域にわたって形成することができる。
3画素隣接領域は2つの画素電極の角部分と1つの画素電極の辺で構成されることができる。
遮光部材は前記3画素隣接領域と対応するように構成できる。
切開部は前記小電極の中心と各々対応するように構成できる。
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“真上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。これに反し、ある部分が他の部分の“真上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
図1は本発明の1つの実施例による液晶表示装置の配置図であり、図2は図1の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板に対する配置図であり、図3は図1の液晶表示装置用共通電極表示板に対する配置図であり、図4は図1の液晶表示装置をIV-IV線に沿って切断した断面図である。
まず、図1、図2及び図4を参照して薄膜トランジスタ表示板100について説明する。
遮断膜111上には多結晶シリコンなどからなる複数の島状半導体151が形成される。
それぞれの半導体151は、導電性不純物を含有する不純物領域(extrinsic region)と導電性不純物をほぼ含有しない真性領域(intrinsic region)を含み、不純物領域には不純物濃度の高い高濃度領域(heavily doped region)と不純物濃度の低い低濃度領域(lightly doped region)がある。
この時、導電性不純物としてはホウ素(B)、ガリウム(Ga)などのP型不純物とリン(P)、砒素(As)などのN型不純物がある。低濃度ドーピング領域(152a、152b)は、薄膜トランジスタの漏洩電流やパンチスルー(punch through)現象が発生することを防止するものであり、不純物が入っていないオフセット領域に代替することができる。
ゲート絶縁膜140上には主に横方向に伸びた複数のゲート線121と複数の維持電極線131が形成される。
ゲート線121はゲート信号を伝達し、上に突出した複数のゲート電極124を含む。
ゲート線121の一側端部は、他の層または外部の駆動回路と接続するために面積を拡大して形成することができ、ゲート信号を生成するゲート駆動回路(図示せず)が基板110上に集積される場合、ゲート線121がゲート駆動回路に直接接続することができる。
ゲート線121及び維持電極線131は、アルミニウム(Al)やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀や銀合金などの銀系金属、銅(Cu)や銅合金などの銅系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)及びチタニウム(Ti)などで形成することができる。また、これらは物理的性質の異なる2つの導電膜(図示せず)を含む多重膜構造とすることも可能である。このうちの1つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成できる。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にITO(インジウム錫酸化物)及びIZO(インジウム亜鉛酸化物)との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで形成できる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム(合金)上部膜及びアルミニウム(合金)下部膜とモリブデン(合金)上部膜がある。しかし、ゲート線121及び維持電極線131はこの他にも多様な金属または導電体で形成することができる。
ゲート線121、維持電極線131及びゲート絶縁膜140上には層間絶縁膜160が形成される。層間絶縁膜160は平坦化特性が優れていて、感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、或いは無機物質である窒化シリコンなどで形成することができる。層間絶縁膜160及びゲート絶縁膜140には、ソース領域153及びドレイン領域155を各々露出する複数の接触孔(63、65)が形成される。
データ線171は縦方向に延長され、分離される複数の第1及び第2縦部(171a、171b)を含み、第1縦部171aと第2縦部171bを接続する接続部171cを含む。
データ線171とドレイン電極175はモリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金で形成することが好ましく、耐火性金属膜(図示せず)と低抵抗導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)上部膜の二重膜、モリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)中間膜とモリブデン(合金)上部膜の三重膜がある。しかし、データ線171及びドレイン電極175はその他にも多様な金属または導電体で形成することができる。
データ線171、ドレイン電極175及び層間絶縁膜160上には、平坦化特性に優れた有機物などで構成される保護膜180が形成される。保護膜180は感光性を有する物質で写真工程のみで形成することができる。保護膜180はプラズマ化学気相蒸着(PECVD)で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの誘電定数4.0以下の低誘電率絶縁物質または窒化シリコンなどの無機物で形成することができ、無機物からなる下部膜と有機物からなる上部膜を含むように構成することもできる。
保護膜180上には、IZO(インジウム亜鉛酸化物)またはITO(インジウム錫酸化物)などのように透明な導電物質またはアルミニウムや銀などの不透明な反射性導電物質からなる複数の画素電極191が形成される。
各画素電極191は第1小電極9a及び第2小電極9bを含み、第1小電極9aと第2小電極9bは角部分が丸く湾曲した四角形であり、第1小電極9aと第2小電極9bは接続部材85によって互いに接続される。
突出部は接触孔185を通じてドレイン電極175と物理的・電気的に接続され、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受けて画素電極191に伝達する。
データ電圧が印加された画素電極191は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板200の共通電極270と共に電場を生成することで、2つの電極(191、270)の間の液晶層3の液晶分子の方向を決める。このように決められた液晶分子の方向によって液晶層3を通過する光の偏光が変わる。画素電極191と共通電極270はキャパシタ(以下、“液晶キャパシタ”と言う)を構成して薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
次に、図1、図3及び図4を参照して共通電極表示板200について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで構成された絶縁基板210上に遮光部材220が形成される。遮光部材220はブラックマトリックスとも呼ばれ、画素電極191の間の光漏れを防止する。遮光部材220は画素電極191と対向し、画素電極191とほぼ同一の形状でなる複数の開口部225を有する。遮光部材220は3画素隣接領域Tと対応する部分では幅が拡張されて3画素隣接領域Tを幅広く覆う。
色フィルター230は、横方向に赤色R、緑色G及び青色Bが交互に繰り返され、3画素隣接領域を構成する3つの画素電極191と対応する色フィルター230は各々赤色R、緑色G及び青色Bを表示する。
蓋膜250上には共通電極270が形成される。共通電極270はITO、IZOなどの透明な導電体などで形成される。共通電極270には複数の切開部27が形成される。それぞれの切開部27は円形または角部分が湾曲した四角形であってもよく、小電極(9a、9b)の中心部分と対応するように形成される。
本実施例による液晶表示装置は、液晶層3の遅延を補償するための位相遅延膜(図示せず)をさらに含むことができる。液晶表示装置はまた偏光子(12、22)、位相遅延膜、表示板(100、200)及び液晶層3に光を供給する照明部(図示せず)を含むように構成できる。
共通電極270に共通電圧を印加し、画素電極191にデータ電圧を印加すると、表示板(100、200)の表面に対してほぼ垂直の電場が生成される。液晶分子(図示せず)は電場に応答してその長軸が電場方向に垂直になるようにその方向を変えようとする。
次に、図5及び図6を参照して本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板について説明する。
図5は本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図6は図5のVI-VI線に沿って切断した断面図である。
ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延長されている。ゲート線121は他の層または外部駆動回路との接続のために端部を拡張して形成することができる。ゲート信号を生成するゲート駆動回路(図示せず)は、基板110上に付着される可撓性印刷回路膜(図示せず)上に装着することができ、基板110上に直接装着することもでき、基板110に集積することもできる。ゲート駆動回路を基板110上に集積する場合、ゲート線121を延長してこれと直接接続することができる。
ゲート線121及び維持電極線131は図1及び図2に示した実施例と同一物質で形成することができる。
ゲート線121及び維持電極線131の側面は、基板110面に対して傾斜しており、その傾斜角は約30゜〜約80゜であることが好ましい。
ゲート絶縁膜140上には水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンは略してa-Siとも言う)で構成された複数の島状半導体154が形成される。島状半導体154はゲート線121の一部と重なり、半導体154と重なるゲート線121は薄膜トランジスタのゲート電極124となる。半導体154上には島状抵抗性接触部材(163、165)が形成される。抵抗性接触部材(163、165)はリンなどのn型不純物が高濃度でドーピングされるn+水素化非晶質シリコンなどの物質で形成することができ、またシリサイドで形成することができる。島状抵抗性接触部材(163、165)は対をなして半導体154上に配置される。
抵抗性接触部材(163、165)及びゲート絶縁膜140上には複数のデータ線171と複数のドレイン電極175が形成される。データ線171はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延長されてゲート線121及び維持電極線131と交差する。
データ線171の端部は、他の層または外部駆動回路との接続のために幅を拡張して形成することもできる。データ信号を生成するデータ駆動回路(図示せず)は基板110上に付着される可撓性印刷回路膜(図示せず)上に装着することができ、基板110上に直接装着することもでき、また基板110に集積することもできる。データ駆動回路を基板110上に集積する場合、データ線171を延長してこれと直接接続することができる。
1つのゲート電極124、1つのソース電極173及び1つのドレイン電極175は半導体154と共に1つの薄膜トランジスタ(TFT)を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極173とドレイン電極175の間の半導体154に形成される。
データ線171及びドレイン電極175もまたその側面が基板110面に対して30゜〜80゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
抵抗性接触部材(163、165)はその下の半導体154とその上のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。
データ線171、ドレイン電極175及び露出された半導体154部分の上には保護膜180が形成される。
保護膜180は、無機絶縁物または有機絶縁物などで形成され、その表面は平坦に構成することができる。無機絶縁物の例としては窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有する物質で構成することができ、その誘電定数は約4.0以下であることが好ましい。しかし、保護膜180は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出された半導体154部分を損傷しないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造とすることができる。
保護膜180上にはIZOまたはITOからなる複数の画素電極191が形成される。
各画素電極191は第1小電極9a及び第2小電極9bを含み、第1小電極9a及び第2小電極9bは角部分が湾曲した四角形である。第1小電極9aと第2小電極9bは接続部材85によって互いに接続される。
接続部材85は、第1小電極9aと第2小電極9bを接続する縦部と他の層と接続するための突出部を含む。
9a、9b 小電極
11、21 配向膜
12、22 偏光板
31 液晶分子
27 切開部
85 接続部材
100 薄膜トランジスタ表示板
110、210 絶縁基板
121、129 ゲート線
124 ゲート電極
131 維持電極線
133 維持電極
140 ゲート絶縁膜
151、154 半導体
152 低濃度ドーピング領域
153 ソース領域
154a、154b チャンネル領域
155 ドレイン領域
159 ソース/ドレイン領域
160 層間絶縁膜
163、165 抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
180 保護膜
185 接触孔
191 画素電極
200 共通電極表示板
210 絶縁基板
220 遮光部材
230 色フィルター
250 蓋膜
270 共通電極
Claims (13)
- 絶縁基板、
前記絶縁基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を含む半導体と、
前記半導体上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記チャンネル領域と重なるゲート線と、
前記ゲート線上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記ソース領域と電気的に接続されるソース電極を有する複数のデータ線と、
前記ドレイン領域と電気的に接続されるドレイン電極と、
前記データ線及びドレイン電極上に形成される保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極と、
を含み、前記データ線は前記ドレイン領域と重なることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ソース電極は前記ソース領域と重なることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲート線はゲート線から突出したゲート電極を含み、
前記チャンネル領域は前記ゲート線と重なる第1チャンネル領域と、前記ゲート電極と重なる第2チャンネル領域を含むことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記半導体は屈曲することを特徴とする、請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体は多結晶シリコンからなることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は角部分が湾曲した複数の四角形からなることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極はその配列が行列をなし、隣接する画素行の画素電極は互いに交差して配置されて隣接した3つの画素電極が複数の3画素隣接領域を形成し、
前記半導体は隣接する2つの3画素隣接領域にわたって形成されることを特徴とする、請求項6に記載の液晶表示装置。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記層間絶縁膜に形成される第1及び第2接触孔を通じて前記ソース領域及び前記ドレイン領域と各々接続され、
前記第1及び第2接触孔は前記3画素隣接領域に配置されることを特徴とする、請求項7に記載の液晶表示装置。 - 前記3画素隣接領域は2つの画素電極の角部分と1つの画素電極の辺で構成されることを特徴とする、請求項7に記載の液晶表示装置。
- 前記基板と対向する対向基板と、
前記対向基板上に形成される遮光部材と、
前記遮光部材によって定義される領域に形成される色フィルターと、
前記色フィルター上に形成され、複数の切開部を有する共通電極と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の液晶表示装置。 - 前記遮光部材は前記3画素隣接領域と対応することを特徴とする、請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記切開部は前記小電極の中心と各々対応することを特徴とする、請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記3画素隣接領域を構成する3つの画素電極と対応する色フィルターは各々赤色、緑色及び青色を表示することを特徴とする、請求項10に記載の液晶表示装置。
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