JP6544448B1 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】コンタクトホールに起因する凹部を絶縁膜によって平坦化した場合でも、凹部内の絶縁膜の剥離を抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置の第１基板１０の一方面１０ｓ側には、第１電極７３ａ、第１絶縁膜１７、第２電極８ａ、第２絶縁膜１８、および画素電極９ａが形成されており、第２電極８ａは、第１絶縁膜１７を貫通する第１コンタクトホール１７ｄを介して電気的に接続されている。第２電極８ａおよび第２絶縁膜１８は第１基板１０と反対側の面が連続した平面を構成しており、画素電極９ａは、第２電極８ａに電気的に接続されている。第２絶縁膜１８では、第１コンタクトホール１７ｄに起因する凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、凹部１７ｆの外側に設けられた外側部分１８２とが繋がっているため、内側部分１８１が剥離しにくい。【選択図】図６

Description

本発明は、絶縁膜の基板と反対側に画素電極が設けられた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関するものである。

液晶装置や有機エレクトロルミネンセンス装置等の電気光学装置では、基板と画素電極との間に中継電極および層間絶縁膜が順に接続されているため、画素電極と中継電極とを電気的に接続するには、層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して中継電極と画素電極とを電気的に接続する必要がある。この場合、コンタクトホールに起因する凹部が画素電極の表面に発生する。かかる凹部は、例えば、液晶装置において液晶分子の配向を乱す原因となるため、好ましくない。

そこで、基板と画素電極との間に第１中継電極、第１絶縁膜、第２中継電極、および第２絶縁膜を順に形成し、第１絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して第１中継電極と第２中継電極とを電気的に接続するとともに、第２絶縁膜の表面を平坦化して第２中継電極を露出させる技術が提案されている（特許文献１参照）。かかる技術によれば、平面に画素電極を設けることができるので、コンタクトホールに起因する凹部が画素電極の表面に発生することを防止することができる。

特開平１１−１６０７３５号公報（図４等）

しかしながら、特許文献１に記載の構成では、平坦化工程を行った後、コンタクトホールに起因する凹部内に形成された第２絶縁膜が周囲の第２絶縁膜から独立した状構成となる。このため、平坦化工程の後、画素電極を形成する工程までの間に、凹部内に形成された第２絶縁膜が剥離するおそれがある。例えば、平坦化工程の後、画素電極を形成する前に、第１絶縁膜より下層側に形成された配線に到達するコンタクトホールを第１絶縁膜および第２絶縁膜を貫通する形成した際、レジストマスクを除去した後に、フッ化水素水等によって、コンタクトホール内に残る残滓等を除去するためのウエットエッチングを行った際、凹部内に形成された第２絶縁膜が剥離するおそれがある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、コンタクトホールに起因する凹部を絶縁膜によって平坦化した場合でも、凹部内の絶縁膜の剥離を抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板の一方面側に設けられた第１電極と、前記第１電極の前記基板と反対側の面に設けられた第１絶縁膜と、前記第１電極に平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極と、前記第２電極の前記基板と反対側の面と連続した平面を構成する面が設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられた画素電極と、を有し、前記第２電極の前記基板と反対側の面と前記第１絶縁膜の前記第２電極から露出している面とによって形成された面は、前記第１コンタクトホールの開口縁の一部である第１縁部と平面視で重なる位置から前記第１コンタクトホールの外側に向けて延在して前記画素電極に接する第１面と、前記第１面より前記基板側で、前記開口縁の前記第１縁部とは異なる第２縁部と平面視で重なり、前記第１コンタクトホールの内側から外側に向けて延在する第２面と、を有し、前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分と、前記凹部の外側で前記第２面に設けられた外側部分と、が繋がっていることを特徴とする。

本発明では、第１絶縁膜に形成した第１コンタクトホールを介して第１電極と第２電極とを電気的に接続するとともに、第２電極に対して基板と反対側に設けた第２絶縁膜の表面を平坦化して第２電極を露出させる。従って、第２絶縁膜によってコンタクトホールの凹部を埋めて平坦化することができ、第２絶縁膜と第２電極とが構成する平面に画素電極を設けることができる。それ故、画素電極の表面に第１コンタクトホールに起因する凹部が発生することを防止することができる。また、第２電極の基板と反対側の面と第１絶縁膜の第２電極から露出している面とによって形成された面では、第１コンタクトホールの開口縁の一部である第２縁部と平面視で重なる第２面が、第１コンタクトホールの開口縁の一部である第１縁部と平面視で重なる第１面より基板側に位置する。このため、第２絶縁膜では、第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分が、第２面と重なる外側部分と繋がっているので、第２絶縁膜の基板と反対側の面を平坦化した後、画素電極を形成するまでの間、内側部分が剥離することを抑制することができる。

本発明において、前記第２電極は、前記第１コンタクトホール内に位置する第１部分と、前記第１縁部および前記第２縁部のうち、前記第１縁部のみに重なって前記第１部分から前記第１コンタクトホールの外側まで延在する第２部分と、を有している態様を採用することができる。かかる態様によれば、第２電極の形成パターンによって、第２絶縁膜において、第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分が、第２面と重なる外側部分と繋がっている態様を実現することができる。

本発明において、前記第１コンタクトホールには、前記第１絶縁膜の前記基板側の部分を構成する第１穴と、前記第１穴よりサイズが大きく、前記第１穴に前記基板と反対側で連通する第２穴と、が設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１コンタクトホールのアスペクト比を小さくすることができるので、第１コンタクトホール内では、第２電極や第２絶縁膜にボイド等が発生することを抑制することができる。

本発明において、前記第１穴の前記基板と反対側の端部と、前記第２穴の前記基板側の端部との距離は、前記第１コンタクトホールの全周にわたって等しい態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１穴を形成するためのエッチングマスクの第１開口部の縁部を一様に除去するだけで、第２穴を形成するための第２開口部に第１開口部を加工することができる。

本発明において、前記基板の端子領域に、前記第１電極と同一層である第３電極と、前記第３電極と平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第２コンタクトホールを介して前記第３電極と電気的に接続された端子と、を有し、前記画素電極は、第１導電膜と、前記第１導電膜の前記基板と反対側の面に設けられた第２導電膜と、を有し、前記端子は、前記第２導電膜と同一層である導電膜によって構成されている態様を採用することができる。かかる態様によれば、第２絶縁膜の基板と反対側の面を平坦化した後、第２絶縁膜を第１導電膜によって覆った状態で第２コンタクトホールを形成する工程を行うことができる。従って、内側部分が剥離することをより効果的に抑制することができる。

本発明に係る電気光学装置の別態様は、基板と、前記基板の一方面側に設けられた第１電極と、前記第１電極の前記基板と反対側の面に設けられた第１絶縁膜と、前記第１電極に平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極と、前記第２電極の前記基板と反対側の面と連続した平面を構成する面が設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられた画素電極と、を有し、前記基板の端子領域に、前記第１電極と同一層である第３電極と、前記第３電極と平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第２コンタクトホールを介して前記第３電極と電気的に接続された端子と、を有し、前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分と、前記凹部の外側に設けられた外側部分と、が分離されており、前記画素電極は、第１導電膜と、前記第１導電膜の前記基板と反対側の面に設けられた第２導電膜と、を有し、前記端子は、前記第２導電膜と同一層である導電膜によって構成されていることを特徴とする。かかる態様によれば、第２絶縁膜の基板と反対側の面を平坦化した後、第２絶縁膜を第１導電膜によって覆った状態で第２コンタクトホールを形成する工程を行うことができる。従って、第２絶縁膜の内側部分と外側部分とが分離されている場合でも、内側部分が剥離することを抑制することができる。

本発明において、前記基板と反対側の面に前記第１電極が設けられた第３絶縁膜を有し、前記第３絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる位置に前記基板と反対側に突出した凸部を有している態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１コンタクトホールのアスペクト比を小さくすることができるので、第１コンタクトホール内では、第２電極や第２絶縁膜にボイド等が発生することを抑制することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様において、前記第１絶縁膜を形成した後、前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に第１開口部を備えたエッチングマスクを設けた状態で前記第１開口部から前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１穴を形成する第１エッチング工程と、前記第１開口部を拡大して前記第１開口部よりサイズの大きな第２開口部とするサイズ調整工程と、前記第２開口部から前記第１絶縁膜をエッチングして前記第２穴を形成する第２エッチング工程と、を有することを特徴とする。

この場合、前記サイズ調整工程では、前記エッチングマスクの縁部全体を一定量、除去することにより、前記第１開口部を拡大させて前記第２開口部を形成する態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の別態様において、前記第２絶縁膜の成膜工程、および前記第２絶縁膜に対する平坦化工程を行って、前記第２電極および前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面を連続した平面とした後、前記画素電極が設けられた表示領域に前記第１導電膜を形成する第１工程と、前記第２コンタクトホールを形成する第２工程と、前記表示領域および前記端子領域に前記第２導電膜を形成する第３工程と、前記第１導電膜および前記第２導電膜をパターニングして前記画素電極および前記端子を形成する第４工程と、を行うことを特徴とする。かかる態様によれば、第２絶縁膜の基板と反対側の面を平坦化した後、表示領域では、第２絶縁膜を第１導電膜によって覆った状態で第２コンタクトホールを形成する第２工程を行うことができる。従って、第２工程で内側部分が剥離することを抑制することができる。

本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明を適用した電気光学装置の平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。 図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 図１に示す電気光学装置に用いた第１基板のＦ−Ｆ′断面図。 図１に示す電気光学装置に用いた第１基板のＧ−Ｇ′断面図。 図５および図６に示す走査線、半導体層、およびゲート電極等の平面図。 図５および図６に示す第１容量線、ソース電極およびドレイン電極等の平面図。 図５および図６に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。 図５および図６に示すデータ線および中継電極等の平面図。 図５および図６に示す第２容量線、第３容量電極および第１電極等の平面図。 図５および図６に示す画素電極および第２電極の平面図。 図５および図６に示す第２走査線等の平面図。 図６に示す第１コンタクトホール等の平面構成を示す説明図。 図６に示す第１コンタクトホール等を形成する工程を示す工程断面図。 図６に示す第１基板に端子等を形成する工程を示す工程断面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置に用いた第１基板の説明図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置に用いた第１基板の説明図。 本発明の実施形態４に係る電気光学装置に用いた第１基板の説明図。 図１９に示す第１基板に端子等を形成する工程を示す工程断面図。 本発明の実施形態５に係る電気光学装置に用いた第１基板の説明図。 図２１に示す第１コンタクトホール等を形成する工程を示す工程断面図。 図２１に示す第１基板に端子等を形成する工程を示す工程断面図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板１０が位置する側と反対側（他方側基板が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板１０が位置する側を意味する。

（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１０は、基板本体として、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗを有している。第１基板１０の第２基板２０側の一方面１０ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿って、データ線駆動回路１０１と、複数の端子１０２が配列された端子領域１０ｅが形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続する画素トランジスター（図２には図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１９が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１９によって覆われている。

第２基板２０は、基板本体として、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有している。第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２９が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２９によって覆われている。第２基板２０の一方面２０ｓ側には、共通電極２１に対して第１基板１０と反対側に、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２６が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層２７ｂ（ブラックマトリクス）としても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第１配向膜１９および第２配向膜２９は、ＳｉＯ_ｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜（透光性導電膜）により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１０では、表示領域１０ａの内側には、第１方向Ｘに延在する複数の走査線３ａと、第２方向Ｙに延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して複数の画素１００ａが構成されている。複数の走査線３ａは、走査線駆動回路１０４に電気的に接続され、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１に接続されている。また、複数本のデータ線６ａには、第２方向Ｙにおいてデータ線駆動回路１０１と反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。

複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。本形態では、走査線駆動回路１０４は、表示領域１０ａに対してＸ方向の一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に走査線駆動回路１０４ｓ、１０４ｔとして構成されており、Ｘ方向の一方側Ｘ１の走査線駆動回路１０４ｓは、奇数番目の走査線３ａを駆動し、Ｘ方向の他方側Ｘ２の走査線駆動回路１０４ｔは、偶数番目の走査線３ａを駆動する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２０の共通電極２１と電気光学層８０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、基板本体１０ｗには、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位が供給されている。

図３では、１本の容量線５ｂが第１方向Ｘに延在するように示されているが、本形態において、容量線５ｂは、以下に説明するように、第１方向Ｘに延在する第１容量線５１ａと、第２方向Ｙに延在する第２容量線５２ａとによって構成されている。また、図３では、１つの保持容量５５が示されているが、本形態において、保持容量５５は、以下に説明するように、第１容量線５１ａとの間に形成された第１保持容量５５１と、第２容量線５２ａとの間に形成された第２保持容量５５２とによって構成されている。

（画素の具体的構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図５は、図１に示す電気光学装置１００に用いた第１基板１０のＦ−Ｆ′断面図であり、データ線６ａに沿って切断したときの断面図である。図６は、図１に示す電気光学装置１００に用いた第１基板１０のＧ−Ｇ′断面図であり、走査線３ａに沿って切断したときの断面図である。なお、図６では、画素電極９ａに対する第１コンタクトホール１７ｄを通る位置で切断した様子を示してある。なお、図４および後述する図７〜図１３では、各層を以下の線で表してある。また、図４および図７〜図１３では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
第２走査線３３ａ＝太い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
第１走査線３２ａ＝太さが中位の実線
ゲート電極３１ａ＝太い実線
第１容量線５１ａ、ソース電極５１ｓ、ドレイン電極５１ｄ＝太い一点鎖線
第１容量電極４１ａ＝細い実線
第２容量電極４３ａ＝細い二点鎖線
データ線６ａ、中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
第２容量線５２ａ＝細くて長い破線
第３容量電極７１ａ＝中位の太さの実線
第１電極７３ａ＝太い二点鎖線
第２電極８ａ＝極太の実線
画素電極９ａ＝太くて短い点線
コンタクトホール＝実線

図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓには、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａ（第１容量線３２ａおよび第２容量線３３ａ）が延在している。走査線３ａは第１方向Ｘに延在し、データ線６ａ第２方向Ｙに延在している。データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されている。第１容量線５１ａは、走査線３ａに平面視で重なるように第１方向Ｘに延在し、第２容量線５２ａは、データ線６ａに平面視で重なるように第２方向Ｙに延在している。走査線３ａ、データ線６ａ、第１容量線５１ａ、および第２容量線５２ａは、遮光性を有している。従って、走査線３ａ、データ線６ａ、第１容量線５１ａ、および第２容量線５２ａが形成された領域は、光が通過しない遮光領域１０８ａであり、遮光領域１０８ａで囲まれた領域は、光が透過する開口領域１０８ｂ（透光領域）である。

図５および図６に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、第２走査線３３ａ、半導体層１ａ、ゲート絶縁層２、ゲート電極３１ａ、第１走査線３２ａ、第１容量線５１ａ、第１容量電極４１ａ、第１誘電体層４２ａ、第２容量電極４３ａ、データ線６ａ、第２容量線５２ａ、第３容量電極７１ａ、第２誘電体層７２ａ、第１電極７３ａ、第２電極８ａ、および画素電極９ａが順に積層されている。

第２走査線３３ａと半導体層１ａとの間には層間絶縁膜１１が形成され、ゲート電極３１ａと第１容量線５１ａとの間には層間絶縁膜１２が形成されている。第１容量線５１ａと第１容量電極４１ａとの間には層間絶縁膜１３が形成され、第２容量電極４３ａとデータ線６ａとの間には層間絶縁膜１４が形成されている。データ線６ａと第２容量線５２ａとの間には層間絶縁膜１５が形成され、第２容量線５２ａと第３容量電極７１ａとの間には層間絶縁膜１６（第３絶膜）が形成されている。第１電極７３ａと第２電極８ａとの間には第１絶縁膜１７（層間絶縁膜）が形成され、第１絶縁膜１７と画素電極９ａとの間には第２絶縁膜１８（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁膜１１〜１６、第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８はいずれも、透光性の絶縁膜である。

層間絶縁膜１１の画素電極９ａ側の面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理が行われており、平面になっている。層間絶縁膜１２は、層間絶縁膜１２１、１２２の積層膜からなる。層間絶縁膜１３は、層間絶縁膜１３１、１３２、１３３の積層膜からなる。層間絶縁膜１３１の画素電極９ａ側の面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理によって平面になっている。層間絶縁膜１４は、層間絶縁膜１４１、１４２の積層膜からなる。層間絶縁膜１５は、層間絶縁膜１５１、１５２の積層膜からなる。層間絶縁膜１５１の画素電極９ａ側の面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理によって平面になっている。

第１絶縁膜１７は、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜１７１と、ボロン含有シリケートガラス等からなる絶縁膜１７２との積層膜からなる。第１絶縁膜１７の画素電極９ａ側の面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理によって平面になっている。第２絶縁膜１８は、ボロン含有シリケートガラス等からなる。第２絶縁膜１８の画素電極９ａ側の面は、ＣＭＰ処理等の平坦化処理によって平面になっている。

（各層の詳細説明）
図５および図６を参照するとともに、以下の図７〜図１３を適宜、参照して、第１基板１０の詳細構成を説明する。図７は、図５および図６に示す走査線３ａ、半導体層１ａ、およびゲート電極３１ａ等の平面図である。図８は、図５および図６に示す第１容量線５１ａ、ソース電極５１ｓおよびドレイン電極５１ｄ等の平面図である。図９は、図５および図６に示す第１容量電極４１ａおよび第２容量電極４３ａ等の平面図である。図１０は、図５および図６に示すデータ線６ａおよび中継電極６ｂ等の平面図である。図１１は、図５および図６に示す第２容量線５２ａ、第３容量電極７１ａおよび第１電極７３ａ等の平面図である。図１２は、図５および図６に示す画素電極９ａおよび第２電極８ａの平面図である。図１３は、図５および図６に示す第２走査線３３ａ等の平面図である。なお、図７〜図１３には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体層１ａを示してある。

まず、図５、図６および図７に示すように、第１基板１０と半導体層１ａとの間には、第１方向Ｘに延在する遮光性の第２走査線３３ａが形成されており、半導体層１ａと第２走査線３３ａとの間には、層間絶縁膜１１が形成されている。第２走査線３３ａは、第１方向Ｘに延在する本線部分３３０ａと、本線部分３３０ａからデータ線６ａに沿って第２方向Ｙの両側に突出する突出部３３１ａ、３３２ａとを有している。

層間絶縁膜１１の画素電極９ａ側の面には、画素トランジスター３０の半導体層１ａが形成されており、半導体層１ａは、画素電極９ａ側からゲート絶縁層２で覆われている。半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されており、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。

ゲート絶縁層２の画素電極９ａ側の面には遮光性のゲート電極３１ａが形成されており、第１走査線３２ａは、半導体層１ａと層間絶縁膜１２との間で第１方向Ｘに延在し、ゲート電極３１ａに電気的に接続されている。第１走査線３２ａは遮光層からなる。第１走査線３２ａは、第１方向Ｘに延在する本線部分３２０ａと、本線部分３２０ａからデータ線６ａに沿って第２方向Ｙの両側に突出する突出部３２１ａ、３２２ａとを有している。ゲート電極３１ａは、層間絶縁膜１２のうち、下層側の層間絶縁膜１２１と半導体層１ａとの間に設けられ、第１走査線３２ａは、層間絶縁膜１２のうち、層間絶縁膜１２１と層間絶縁膜１２２との間に形成されている。

ゲート電極３１ａは、半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なっている。半導体層１ａは、ゲート電極３１ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｉを備え、チャネル領域１ｉの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｉの両側に低濃度領域１ｄ、１ｅを備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｉと反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｆ、１ｇを備えている。

層間絶縁膜１２１および層間絶縁膜１１には、層間絶縁膜１２１および層間絶縁膜１１を貫通して第１走査線３２ａと第２走査線３３ａとを電気的に接続するコンタクトホール１２ａ（第１コンタクトホール）が形成されている。層間絶縁膜１２１には、層間絶縁膜１２１を貫通して第１走査線３２ａとゲート電極３１ａとを電気的に接続するコンタクトホール１２ｂが形成されている。本形態において、コンタクトホール１２ａとコンタクトホール１２ｂとは平面視で繋がって一体のコンタクトホール１２ｃを構成している。

図５、図６および図８に示すように、層間絶縁膜１２の画素電極９ａ側の面には、ゲート電極３１ａに平面視で重なる遮光性の第１容量線５１ａが形成されており、第１容量線５１ａには共通電位が印加されている。第１容量線５１ａは、第１方向Ｘに延在して、第１走査線３２ａと平面視で重なっている。層間絶縁膜１２の画素電極９ａ側の面には、第１容量線５１ａに対して第２方向Ｙで離間する位置にソース電極５１ｓおよびドレイン電極５１ｄが形成されており、ソース電極５１ｓおよびドレイン電極５１ｄは、第１容量線５１ａと同一の導電層によって構成されている。ソース電極５１ｓおよびドレイン電極５１ｄは各々、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ｓ、１２ｄを介してソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃに電気的に接続している。

図５、図６および図９に示すように、層間絶縁膜１３の画素電極９ａ側の面には、第１容量線５１ａと平面視で重なる第１凹部４４ａが形成されている。第１凹部４４ａと重なる領域には、第１凹部４４ａの底部から層間絶縁膜１３の画素電極９ａ側の面まで延在する遮光性の第１容量電極４１ａと、第１容量電極４１ａに画素電極９ａ側から重なる遮光性の第２容量電極４３ａとが形成されている。第２容量電極４３ａは、ドレイン電極５１ｄおよび画素電極９ａに電気的に接続されている。

第１容量電極４１ａは、第１凹部４４ａの底部で第１容量線５１ａに電気的に接続されている。より具体的には、第１凹部４４ａの底部には、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ａが形成されており、第１容量電極４１ａは、コンタクトホール１３ａを介して第１容量線５１ａに電気的に接続されている。第１容量電極４１ａと第２容量電極４３ａとの間には第１誘電体層４２ａが形成されており、第１容量電極４１ａ、第１誘電体層４２ａ、および第２容量電極４３ａによって、保持容量５５の第１保持容量５５１が構成されている。

層間絶縁膜１３の画素電極９ａ側の面において、第１容量電極４１ａに対して第２方向Ｙで離間する位置には、ソース電極５１ｓに平面視で重なる中継電極４１ｓが形成されている。中継電極４１ｓは、第１容量電極４１ａと同一の導電層によって構成されている。中継電極４１ｓは、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ｓを介してソース電極５１ｓに電気的に接続している。第２容量電極４３ａは、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ｄを介してドレイン電極５１ｄに電気的に接続している。

図５、図６および図１０に示すように、層間絶縁膜１４の画素電極９ａ側の面には、遮光性のデータ線６ａが第２方向Ｙに延在するように形成されており、データ線６ａは、層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール１４ｓを介して中継電極４１ｓに電気的に接続している。従って、データ線６ａは、中継電極４１ｓ、およびソース電極５１ｓを介してソース領域１ｂに電気的に接続されている。

データ線６ａに対して第１方向Ｘの他方側Ｘ２で離間する位置には、第２容量電極４３ａに平面視で重なる中継電極６ｂが形成されている。中継電極６ｂは、層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール１４ｄを介して第２容量電極４３ａに電気的に接続している。中継電極６ｂは、データ線６ａと同一の導電層によって構成されている。

図５、図６および図１１に示すように、層間絶縁膜１５の画素電極９ａ側の面には、データ線６ａに平面視で重なるように第２方向Ｙに延在する遮光性の第２容量線５２ａが形成されている。第２容量線５２ａには共通電位が印加されている。層間絶縁膜１６には、第２容量線５２ａと平面視で重なる貫通穴からなる第２凹部７４ａが形成されている。第２凹部７４ａと重なる領域には、第２凹部７４ａの底部から層間絶縁膜１６の画素電極９ａ側の面まで延在する遮光性の第３容量電極７１ａと、第３容量電極７１ａに画素電極９ａ側から重なる遮光性の第１電極７３ａとが形成されている。第２容量線５２ａは、データ線６ａに沿って第２方向Ｙに向けて延在する本体部分５２０ａと、本体部分５２０ａから第１方向Ｘの一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に突出した突出部５２１ａ、５２２ａとを有している。第３容量電極７１ａおよび第１電極７３ａは各々、データ線６ａに沿って第２方向Ｙの一方側Ｙ１に向けて延在する本体部分７１０ａ、７３０ａと、本体部分７１０ａ、７３０ａから第１方向Ｘの一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に突出した突出部７１１ａ、７１２ａ、７３１ａ、７３２ａとを有している。第２凹部７４ａは、第２方向Ｙの一方側Ｙ１に向けて延在している。第１電極７３ａは、層間絶縁膜１５、１６を貫通するコンタクトホール１６ｄを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。

層間絶縁膜１４は、コンタクトホール１６ｄと平面視で重なる領域に画素電極９ａの側に突出した凸部１４３が形成されている。従って、層間絶縁膜１６のコンタクトホール１６ｄが形成されている部分の膜厚が周辺より薄い。従って、コンタクトホール１６ｄのアスペクト比を低減できるので、第１電極７３ａを中継電極６ｂに適正に電気的に接続することができる。かかる態様は、例えば、層間絶縁膜１５を形成した後、コンタクトホール１６ｄが形成されている部分以外の層間絶縁膜１５をエッチング等により薄くすることによって実現することができる。

第３容量電極７１ａは、第２凹部７４ａの底部で第２容量線５２ａに電気的に接続されている。第３容量電極７１ａと第１電極７３ａとの間には第２誘電体層７２ａが形成されており、第３容量電極７１ａ、第２誘電体層７２ａ、および第１電極７３ａによって、保持容量５５の第２保持容量５５２が構成されている。

図５、図６および図１２に示すように、第２絶縁膜１８の第１基板１０と反対側の面には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、後述するように、第１電極７３ａに平面視で重なる位置で第１絶縁膜１７を貫通する第１コンタクトホール１７ｄ、および第２電極８ａを利用して第１電極７３ａに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、第２電極８ａ、第１電極７３ａ、中継電極６ｂ、第２容量電極４３ａ、およびドレイン電極５１ｄを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。

第１基板１０と反対側の面に第１電極７３ａが設けられた層間絶縁膜１６（第３絶縁膜）には、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる位置に第１基板１０と反対側に突出した凸部１６０が形成されている。従って、第１コンタクトホール１７ｄの深さを浅くすることができる。かかる凸部１６０は、例えば、層間絶縁膜１６を形成した後、第１コンタクトホール１７ｄが形成されている部分以外の層間絶縁膜１６をエッチング等により薄くすることによって実現することができる。

図５、図６および図１３に示すように、第２走査線３３ａと第１基板１０との間には、半導体層１ａと平面視で重なる遮光層３３ｅが形成されている。本形態において、遮光層３３ｅは、半導体層１ａと平面視で重なるように第２方向Ｙに延在している。それ故、半導体層１ａに対する第２走査線３３ａの遮光性が高い。

（画素電極９ａの接続構造）
図１４は、図６に示す第１コンタクトホール１７ｄ等の平面構成を示す説明図であり、第１コンタクトホール１７ｄ内における段部の位置等を示す説明図（ａ）と、面１７０に形成される凹部１７０ｆの説明図（ｂ）とを示してある。図６、図１１および図１２に示すように、本形態では、第１コンタクトホール１７ｄを利用して、第１電極７３ａと画素電極９ａとを電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面に第２電極８ａが形成されており、第２電極８ａは、第１コンタクトホール１７ｄを介して第１電極７３ａに電気的に接続されている。本形態において、第２電極８ａは、厚さが３００ｎｍ程度の薄い導電膜からなり、本形態において、第２電極８ａは窒化チタン膜からなる。

また、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面には第２絶縁膜１８が形成されており、第２絶縁膜１８は平坦化膜である。従って、第２絶縁膜１８の第１基板１０と反対側の面は、第２電極８ａの第１基板１０と反対側の面と連続した平面を構成しており、かかる平面に画素電極９ａが設けられている。それ故、画素電極９ａは、第２絶縁膜１８と第２電極８ａとが形成する平面において、第２電極８ａの第２絶縁膜１８から露出している部分に電気的に接続されている。かかる構成によれば、画素電極９ａの第１基板１０と反対側の面には第１コンタクトホール１７ｄに起因する凹部が発生しない。よって、第１配向膜１９を適正に形成することができるので、電気光学層８０に用いた液晶分子を適正に配向させることができる。

本形態では、第２電極８ａの第１基板１０と反対側の面と第１絶縁膜１７の第２電極８ａから露出している面とによって形成された面１７０は、第１基板１０からの距離（高さ）が異なる第１面１７６と第２面１７７とを有している。第１面１７６は、第１コンタクトホール１７ｄの開口縁１７ｄ０の一部である第１縁部１７ｄ１と平面視で重なる位置から第１コンタクトホール１７ｄの外側に向けて延在し、画素電極９ａと接している。第２面１７７は、開口縁１７ｄ０の第１縁部１７ｄ１とは異なる第２縁部１７ｄ２と平面視で重なる領域を通って第１コンタクトホール１７ｄの内側から外側に向けて延在しており、第２面１７７は、第１面１７６より第１基板１０側に位置する。従って、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、凹部１７ｆの外側で第２面１７７に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。

本形態では、図６および図１４（ａ）に示すように、第２電極８ａが第１コンタクトホール１７ｄ内に位置する第１部分８ａ１と、第１縁部１７ｄ１および第２縁部１７ｄ２のうち、第１縁部１７ｄ１のみに重なって第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側まで延在して第１面１７６を構成する第２部分８ａ２とを備えている。このため、第２電極８ａは、第２縁部１７ｄ２から重なって第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側まで延在する部分を有してしない。従って、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面のうち、第２電極８ａから露出する部分と、第１部分８ａ１の第１基板１０と反対側の面とによって第２面１７７が構成されている。それ故、第２面１７７は、第２電極８ａの厚さに相当する分、第１面１７６より第１基板１０側に位置する。よって、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、第２面１７７面に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。すなわち、第２電極８ａの第１基板１０と反対側の面と第１絶縁膜１７の第２電極８ａから露出している面とによって形成された面１７０には、図１４（ｂ）に示すように、第１コンタクトホール１７ｄに起因する凹部１７ｆが発生するが、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、凹部１７ｆの外側で第２面１７７に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。本形態において、第１部分８ａ１は、第１穴１７ｄ６および第２穴１７ｄ７の双方に設けられている。

本形態においては、図６および図１４（ａ）に示すように、第１コンタクトホール１７ｄには、第１絶縁膜１７の第１基板１０側の部分を構成する第１穴１７ｄ６と、第１穴１７ｄ６に第１基板１０と反対側で連通する第２穴１７ｄ７とが設けられており、第２穴１７ｄ７は、第１穴１７ｄ６よりサイズが大きい。従って、第１コンタクトホール１７ｄのアスペクト比を小さくした構成と同様な効果が得られるため、第２電極８ａを第１コンタクトホール１７ｄの内側に適正に形成することができるとともに、第１コンタクトホール１７ｄの内側で第２絶縁膜１８にボイド等が発生することを抑制することができる。また、層間絶縁膜１６（第３絶縁膜）には、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる位置に第１基板１０と反対側に突出した凸部１６０が形成されているため、第１コンタクトホール１７ｄの深さを浅くすることができる。かかる構成によっても、第１コンタクトホール１７ｄのアスペクト比を小さくすることができるため、第２電極８ａを第１コンタクトホール１７ｄの内側に適正に形成することができるとともに、第１コンタクトホール１７ｄの内側で第２絶縁膜１８にボイド等が発生することを抑制することができる。

このように構成した接続構造では、第２絶縁膜１８において、凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、凹部１７ｆの外側に設けられた外側部分１８２とが繋がっているため、第２絶縁膜１８の面積が広い。従って、第２絶縁膜１８は、第１基板１０側（下地側）との接合強度が強く、剥がれにくい。それ故、図１６を参照して後述するように、第２絶縁膜１８の表面を平坦化した後、画素電極９ａを形成するまでの間に、凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１が剥離することを抑制することができる。

特に、外側部分１８２は、第１絶縁膜１７と接している。しかも、第１絶縁膜１７において外側部分１８２と接する絶縁膜１７２は、第２絶縁膜１８と同じホウ素含有シリケートガラスである。従って、第２絶縁膜１８は、第１基板１０側（下地側）との接合強度が強く、剥がれにくい。

（製造方法）
図１５は、図６に示す第１コンタクトホール１７ｄ等を形成する工程を示す工程断面図である。図１６は、図６に示す第１基板１０に端子１０２等を形成する工程を示す工程断面図である。図１５には表示領域１０ａを示し、図１６には表示領域１０ａおよび端子領域１０ｅを示してある。本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、第１基板１０において、第１電極７３ａと画素電極９ａとを電気的に接続する際は、図１６および図１７に示す工程を行う。

まず、図１６に示す工程ＳＴ１１では、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜１７１を成膜した後、絶縁膜１７１の表面をＣＭＰ処理等によって平坦化する。次に、ボロン含有シリケートガラスからなる絶縁膜１７２を成膜し、第１絶縁膜１７を形成する。

次に、工程ＳＴ１２（第１エッチング工程）では、第１絶縁膜１７の表面に第１開口部Ｍ１０備えた第１エッチングマスクＭ１を設けた状態で、第１開口部Ｍ１０から第１絶縁膜１７にエッチングを行う。その際、第１絶縁膜１７の厚さ方向の途中位置までエッチングを行う。工程ＳＴ１２では、フッ素を含有するエッチングガスを用いたドライエッチングを行う。

次に、工程ＳＴ１３（第２エッチング工程）では、第１絶縁膜１７の表面に、第１開口部Ｍ１０よりサイズの大きな第２開口部Ｍ２０を備えた第２エッチングマスクＭ２を設けた状態で、第２開口部Ｍ２０から第１絶縁膜１７にエッチングを行い、第１絶縁膜１７を貫通する第１コンタクトホール１７ｄを形成する。従って、第１コンタクトホール１７ｄは、第１絶縁膜１７の第１基板１０側の部分を構成する第１穴１７ｄ６と、第１穴１７ｄ６に第１基板１０と反対側で連通する第２穴１７ｄ７とを備えている。工程ＳＴ１３でも、工程ＳＹ１２と同様、フッ素を含有するエッチングガスを用いたドライエッチングを行う。

かかる工程を行う際、工程ＳＴ１２を終了した後、第１エッチングマスクＭ１を除去し、再度、第２エッチングマスクＭ２を形成する方法を採用することができる。また、第１エッチングマスクＭ１がレジストマスクである場合、工程ＳＴ１２を終了した後、レーザー光等の照射により、第１開口部Ｍ１０のサイズを第２開口部Ｍ２０のサイズまで大きくするサイズ調整工程を行ってもよい。かかる方法によれば、工程ＳＴ１３を行う際、サイズ調整工程を行った後の第１エッチングマスクＭ１を第２エッチングマスクＭ２として用いることができる。

また、第１エッチングマスクＭ１がレジストマスクである場合、工程ＳＴ１２を終了した後、サイズ調整工程において、第１エッチングマスクＭ１に酸素プラズマを照射するアッシング工程を行い、レジストマスクを薄くしてもよい。かかる方法によれば、第１開口部Ｍ１０を第２開口部Ｍ２０のサイズまで大きくすることができる。従って、エッチングガスの種類を切り換えて、工程ＳＴ１２、アッシング工程、および工程ＳＴ１３を行うことによって、工程ＳＴ１３を行う際、サイズ調整工程を行った後のレジストマスクを第２エッチングマスクＭ２として用いることができる。この場合、サイズ調整工程においてレジストマスクの縁部全体が一定量、除去される。従って、第１開口部Ｍ１０は、全周にわたって同一のサイズ分、大きな第２開口部Ｍ２０となる。それ故、第１穴１７ｄ６の第１基板１０と反対側の端部１７ｄ６０と、第２穴１７ｄ７の第１基板１０側の端部１７ｄ７０との距離ｄは、第１コンタクトホール１７ｄの全周にわたって等しくなる。

次に、工程ＳＴ１４では、第１絶縁膜１７の表面側に導電膜を形成した後、パターニングし、第２電極８ａを形成する。本形態では、図１３を参照して説明したように、第２電極８ａは、第１コンタクトホール１７ｄ内に位置する第１部分８ａ１と、第１縁部１７ｄ１および第２縁部１７ｄ２のうち、第１縁部１７ｄ１のみに重なって第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側まで延在して第１面１７６を構成する第２部分８ａ２とを備えている。従って、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面のうち、第２電極８ａから露出する部分と、第１部分８ａ１の第１基板１０と反対側の面とによって第２面１７７が構成され、第２面１７７は、第２電極８ａの厚さに相当する分、第２電極８ａの第１コンタクトホール１７ｄの外側に位置する部分の表面（第１面１７６）より第１基板１０側に位置することになる。

次に、工程ＳＴ１５では、第２電極８ａおよび第１絶縁膜１７を覆うように、厚さが８００ｎｍ程度の第２絶縁膜１８を成膜した後（成膜工程）、工程ＳＴ１６では、第２絶縁膜１８の表面にＣＭＰ処理を行い、第２電極８ａを露出させる（平坦化工程）。この状態で、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、第２面１７７面に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。かかる工程の際、第１コンタクトホール１７ｄが浅く、かつ、第２電極８ａの膜厚が比較的薄いので、工程ＳＴ１５で成膜する第２絶縁膜１８の厚さが比較的薄くてよい。従って、第２絶縁膜１８の表面に対するＣＭＰ処理を短時間に完了することができる。

図１６に示すように、図１５に示す工程ＳＴ１６を終了した段階で、図１に示す端子１０２が配列される端子領域１０ｅでは、第１電極７３ａと同一層の第３電極７３ｅ、第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８が順に積層された状態にある。この状態から画素電極９ａおよび端子１０２を形成するには、工程ＳＴ１７、工程ＳＴ１８、および工程ＳＴ１９を行う。

工程ＳＴ１７では、第２絶縁膜１８の表面に第３開口部Ｍ３０を備えたレジストマスクからなるエッチングマスクＭ３を設けた状態で第３開口部Ｍ３０からエッチングを行い、第３電極７３ｅと平面視で重なる位置に第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８を貫通する第２コンタクトホール１８ｅを形成する。

次に、工程ＳＴ１８では、エッチングマスクＭ３を除去した後、第１基板１０をフッ化水素水と接触させて第２コンタクトホール１８ｅ内の残滓等を除去する。かかる工程ＳＴ１８を行った場合でも、第２絶縁膜１８では、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１が外側部分１８２とが繋がっているため、内側部分１８１の剥離を抑制することができる。

次に、工程ＳＴ１９では、第２絶縁膜１８の表面にＩＴＯ膜等の導電膜を成膜した後、導電膜をパターニングし、画素電極９ａおよび端子１０２を形成する。しかる後には、図２を参照して説明した第１配向膜１９を形成する。

［実施形態２］
図１７は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００に用いた第１基板１０の説明図であり、図４のＧ−Ｇ′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。実施形態１では、第２電極８ａの第１部分８ａ１が第１穴１７ｄ６および第２穴１７ｄ７の双方に設けられていた。本形態では、図１７に示すように、第１部分８ａ１は、第１コンタクトホール１７ｄの第１縁部１７ｄ１側では、第１穴１７ｄ６および第２穴１７ｄ７の双方に設けられているが、第２縁部１７ｄ２側では、第１穴１７ｄ６のみに設けられ、第２穴１７ｄ７に設けられていない。その他の構成は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。

かかる形態でも、実施形態１と同様、第２絶縁膜１８では、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１が、第２面１７７に設けられた外側部分１８２と繋がっているため、内側部分１８１が剥離しにくい等、実施形態１と同様な効果を奏する。

［実施形態３］
図１８は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００に用いた第１基板１０の説明図であり、図４のＧ−Ｇ′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。実施形態１では、第１コンタクトホール１７ｄが第１穴１７ｄ６と、第１穴１７ｄ６よりわずかに大きな第２穴１７ｄ７とを備えていた。これに対して、本形態では、図１８に示すように、第２穴１７ｄ７に相当する部分が第１穴１７ｄ６と平面視で重なる領域に加えて、第１コンタクトホール１７ｄに対する一方側で広い範囲にわたって形成されている。

このため、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面は、第１コンタクトホール１７ｄの両側で第１基板１０からの距離（高さ）が異なっており、第１コンタクトホール１７ｄの開口縁の一部である第１縁部１７ｄ１から延在する第１段面１７ａと、第１段面１７ａより第１基板１０側で開口縁の他の一部である第２縁部１７ｄ２から延在する第２段面１７ｂとが存在する。

第２電極８ａは、第１コンタクトホール１７ｄ内に位置する第１部分８ａ１と、第１縁部１７ｄ１に重なって第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側の第１段面１７ａで延在する第２部分８ａ２とを備えている。さらに、第２電極８ａは、第２縁部１７ｄ２に重なって第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側の第２段面１７ｂで延在する第３部分８ａ３を備えている。ここで、第３部分８ａ３の第１基板１０と反対側の面は、第２部分８ａ２の第１基板１０と反対側の面より第１基板１０側に位置する。従って、第２電極８ａの第１基板１０と反対側の面と第１絶縁膜１７の第２電極８ａから露出している面とによって形成された面１７０は、第１基板１０からの距離（高さ）が異なる第１面１７６と第２面１７７とを有しており、第２面１７７は、第１面１７６より第１基板１０側に位置する。その他の構成は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。

このように構成した場合も、実施形態１と同様、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、第２面１７７に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。それ故、内側部分１８１が剥離しにくい等、実施形態１と同様な効果を奏する。

［実施形態４］
図１９は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１００に用いた第１基板１０の説明図であり、図４のＧ−Ｇ′断面図に相当する。図２０は、図１９に示す第１基板１０に端子１０２等を形成する工程を示す工程断面図である。図２０には表示領域１０ａおよび端子領域１０ｅを示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

実施形態１では、画素電極９ａが１層の導電膜によって構成されていた。これに対して、本形態では、図１９に示すように、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜等からなる第１導電膜９１ａと、第１導電膜９１ａに第１基板１０と反対側の面に設けられたＩＴＯ膜等からなる第２導電膜９２ａとを備えている。その他の構成は、実施形態１と同様である。

かかる電気光学装置１００の製造工程では、図１５に示す工程ＳＴ１１〜工程ＳＴ１６までを実施した後、図２０に示す工程ＳＴ２１から工程ＳＴ２４を行い、端子領域１０ｅに端子１０２を形成する。より具体的には、本実施形態でも、図２０に示すように、図１５に示す工程ＳＴ１６を終了した段階で、端子領域１０ｅでは、第１電極７３ａと同一層の第３電極７３ｅ、第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８が順に積層された状態にある。

工程ＳＴ２１（第１工程）では、第２絶縁膜１８の表面にＩＴＯ膜等からなる第１導電膜９１を形成した後、端子領域１０ｅから第１導電膜９１を除去する。

次に、工程ＳＴ２２（第２工程）では、第２絶縁膜１８の表面に、第３開口部Ｍ３０を備えたレジストマスクからなるエッチングマスクＭ３を設けた状態で第３開口部Ｍ３０からエッチングを行い、第３電極７３ｅと平面視で重なる位置に第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８を貫通する第２コンタクトホール１８ｅを形成する。次に、工程ＳＴ２２では、エッチングマスクＭ３を除去した後、第１基板１０をフッ化水素水と接触させて第２コンタクトホール１８ｅ内の残滓等を除去する。

次に、工程ＳＴ２３では、第２絶縁膜１８の表面にＩＴＯ膜等からなる第２導電膜を成膜した後（第３工程）、第１導電膜９１および第２導電膜をパターニングし、画素電極９ａおよび端子１０２を形成する（第４工程）。従って、画素電極９ａは、第１導電膜９１ａと第２導電膜９２ａとを備えているのに対して、端子１０２は、第２導電膜９２ａと同一層の導電膜９２ｅによって構成される。

かかる形態でも、実施形態１と同様、第２絶縁膜１８では、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８１と、第２面１７７に設けられた外側部分１８２とが繋がっている。それ故、第２絶縁膜１８に対する平坦化処理を実施した後でも、内側部分１８１が剥離しにくい等、実施形態１と同様な効果を奏する。また、工程ＳＴ２２では、第２絶縁膜１８等を覆うように第１導電膜９１が形成されているため、内側部分１８１の剥離を確実に抑制することができる。

［実施形態５］
図２１は、本発明の実施形態５に係る電気光学装置１００に用いた第１基板１０の説明図であり、図４のＧ−Ｇ′断面図に相当する。図２２は、図２１に示す第１コンタクトホール１７ｄ等を形成する工程を示す工程断面図である。図２３は、図２１に示す第１基板１０に端子１０２等を形成する工程を示す工程断面図である。図２２には表示領域１０ａを示し、図２３には表示領域１０ａおよび端子領域１０ｅを示してある。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図２１に示すように、本形態では、第１コンタクトホール１７ｄを利用して、第１電極７３ａと画素電極９ａとを電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面に第２電極８ａが形成されており、第２電極８ａは、第１コンタクトホール１７ｄを介して第１電極７３ａに電気的に接続されている。第１絶縁膜１７の第１基板１０と反対側の面には第２絶縁膜１８が形成されており、第２絶縁膜１８は平坦化膜である。従って、第２絶縁膜１８の第１基板１０と反対側の面と、第２電極８ａの第１基板１０と反対側の面とは連続した平面を構成し、かかる平面に画素電極９ａが設けられている。

それ故、画素電極９ａは、第２絶縁膜１８と第２電極８ａとが形成する平面において、第２電極８ａの第２絶縁膜１８から露出している部分に電気的に接続されている。かかる構成によれば、画素電極９ａの第１基板１０と反対側の面には第１コンタクトホール１７ｄに起因する凹部が発生しない。よって、第１配向膜１９を適正に形成することができるので、電気光学層８０に用いた液晶分子を適正に配向させることができる。

本形態において、第２電極８ａは、第１コンタクトホール１７ｄ内に位置する第１部分８ａ１と、第１部分８ａ１から第１コンタクトホール１７ｄの外側まで延在した第２部分８ａ５とを備えており、第２部分８ａ５は、第１コンタクトホール１７ｄを全周にわたって囲むように形成されている。このため、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８６と、第１コンタクトホール１７ｄの外側に形成された外側部分１８７とが第２電極８ａの第２部分８ａ５によって分離されている。

ここで、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜等からなる第１導電膜９１ａと、第１導電膜９１ａに第１基板１０と反対側の面に設けられたＩＴＯ膜等からなる第２導電膜９２ａとを備えている。その他の構成は、実施形態１と同様である。

かかる電気光学装置１００の製造工程では、第１基板１０において、第１電極７３ａと画素電極９ａとを電気的に接続する際は、図２２および図２３に示す工程を行う。まず、図２２に示す工程ＳＴ３１では、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜１７１を成膜した後、絶縁膜１７１の表面をＣＭＰ処理等によって平坦化する。次に、ボロン含有シリケートガラスからなる絶縁膜１７２を成膜し、第１絶縁膜１７を形成する。

次に、工程ＳＴ３２（第１エッチング工程）では、第１絶縁膜１７の表面に開口部Ｍ４０を備えたエッチングマスクＭ４を設けた状態で、開口部Ｍ４０から第１絶縁膜１７にエッチングを行い、第１絶縁膜１７を貫通する第１コンタクトホール１７ｄを形成する。次に、工程ＳＴ３３では、第１絶縁膜１７の表面側に導電膜を形成した後、パターニングし、第２電極８ａを形成する。

次に、工程ＳＴ３４では、第２電極８ａおよび第１絶縁膜１７を覆うように第２絶縁膜１８を成膜した後、工程ＳＴ３５では、第２絶縁膜１８の表面にＣＭＰ処理を行い、第２電極８ａを露出させる。その結果、第２絶縁膜１８は、第１コンタクトホール１７ｄと平面視で重なる凹部１７ｆ内に位置する内側部分１８６と、第１コンタクトホール１７ｄの外側に形成された外側部分１８７とは分離された状態となる。

図２３に示すように、図２２に示す工程ＳＴ３５を終了した段階で、端子領域１０ｅでは、第１電極７３ａと同一層の第３電極７３ｅ、第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８が順に積層された状態にある。この状態から画素電極９ａおよび端子１０２を形成するには、工程ＳＴ３６、工程ＳＴ３７、工程ＳＴ３８および工程ＳＴ３９を行う。

工程ＳＴ３６（第１工程）では、第２絶縁膜１８の表面にＩＴＯ膜等からなる第１導電膜９１を形成した後、端子領域１０ｅから第１導電膜９１を除去する。

次に、工程ＳＴ３７（第２工程）では、第２絶縁膜１８の表面に、第３開口部Ｍ３０を備えたレジストマスクからなるエッチングマスクＭ３を設けた状態で第３開口部Ｍ３０からエッチングを行い、第３電極７３ｅと平面視で重なる位置に第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８を貫通する第２コンタクトホール１８ｅを形成する。次に、工程ＳＴ３８では、エッチングマスクＭ３を除去した後、第１基板１０をフッ化水素水と接触させて第２コンタクトホール１８ｅ内の残滓等を除去する。

次に、工程ＳＴ３９では、第２絶縁膜１８の表面にＩＴＯ膜等からなる第２導電膜を成膜した後（第３工程）、第１導電膜９１および第２導電膜をパターニングし、画素電極９ａおよび端子１０２を形成する（第４工程）。従って、画素電極９ａは、第１導電膜９１ａと第２導電膜９２ａとを備えているのに対して、端子１０２は、第２導電膜９２ａと同一層の導電膜９２ｅによって構成される。

かかる形態でも、実施形態４と同様、工程ＳＴ３８では、第２絶縁膜１８等を覆うように第１導電膜９１が形成されているため、内側部分１８１の剥離を確実に抑制することができる。

［他の実施形態］
上記実施形態１〜４では、第１コンタクトホール１７ｄが第１穴１７ｄ６と第２穴１７ｄ７とによって構成されていたが、実施形態５のように、第１コンタクトホール１７ｄが１つの穴によって構成されていてもよい。上記実施形態５では、第１コンタクトホール１７ｄが１つの穴によって構成されていたが、実施形態１〜４のように、第１コンタクトホール１７ｄが第１穴１７ｄ６と第２穴１７ｄ７とによって構成されていてもよい。

上記実施形態１〜５では、第２基板２０側から光源光が入射する場合を例示したが、第１基板１０側から光源光が入射する場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施形態１〜５では、電気光学装置１００が透過型の液晶装置であったが、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。

上記実施形態１〜５では、電気光学装置１００が液晶装置であったが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置等である場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図２４は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図２４では、位相差板や偏光板等の図示を省略してある。図２４に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１ａ…半導体層、８ａ…第２電極、８ａ１…第１部分、８ａ２、８ａ５…第２部分、８ａ３…第３部分、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ｂ…周辺領域、１０ｃ…ダミー画素領域、１０ｅ…端子領域、１７…第１絶縁膜、１７ｄ…第１コンタクトホール、１７ｄ０…開口縁、１７ｄ１…第１縁部、１７ｄ２…第２縁部、１７ｆ…凹部、１７ｄ６…第１穴、１７ｄ７…第２穴、１７ｄ６０、１７ｄ７０…端部、１８…第２絶縁膜、１８ｅ…第２コンタクトホール、２０…第２基板、２１…共通電極、３０…画素トランジスター、７３ａ…第１電極、７３ｅ…第３電極、８０…電気光学層、９１ａ…第１導電膜、９２ａ…第２導電膜、９２ｅ…導電膜、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１６０…凸部、１７１、１７２…絶縁膜、１７６…第１面、１７７…第２面、１８１、１８６…内側部分、１８２、１８７…外側部分、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）、Ｍ１…第１エッチングマスク、Ｍ１０…第１開口部、Ｍ２…第２エッチングマスク、Ｍ２０…第２開口部。

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板の一方面側に設けられた第１電極と、
   前記第１電極の前記基板と反対側の面に設けられた第１絶縁膜と、
   前記第１電極に平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、
   前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極と、
   前記第２電極の前記基板と反対側の面と連続した平面を構成する面が設けられた第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられた画素電極と、
   を有し、
   前記第２電極の前記基板と反対側の面と前記第１絶縁膜の前記第２電極から露出している面とによって形成された面は、前記第１コンタクトホールの開口縁の一部である第１縁部と平面視で重なる位置から前記第１コンタクトホールの外側に向けて延在して前記画素電極に接する第１面と、前記第１面より前記基板側で、前記開口縁の前記第１縁部とは異なる第２縁部と平面視で重なり、前記第１コンタクトホールの内側から外側に向けて延在する第２面と、を有し、
   前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分と、前記凹部の外側で前記第２面に設けられた外側部分と、が繋がっていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記第２電極は、前記第１コンタクトホール内に位置する第１部分と、前記第１縁部および前記第２縁部のうち、前記第１縁部のみに重なって前記第１部分から前記第１コンタクトホールの外側まで延在する第２部分と、を有していることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記第１コンタクトホールには、前記第１絶縁膜の前記基板側の部分を構成する第１穴と、前記第１穴よりサイズが大きく、前記第１穴に前記基板と反対側で連通する第２穴と、が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記第１穴の前記基板と反対側の端部と、前記第２穴の前記基板側の端部との距離は、前記第１コンタクトホールの全周にわたって等しいことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記基板の端子領域に、
   前記第１電極と同一層である第３電極と、
   前記第３電極と平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、
   前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第２コンタクトホールを介して前記第３電極と電気的に接続された端子と、
   を有し、
   前記画素電極は、第１導電膜と、前記第１導電膜の前記基板と反対側の面に設けられた第２導電膜と、を有し、
   前記端子は、前記第２導電膜と同一層である導電膜によって構成されていることを特徴とする請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置。
6. 基板と、
   前記基板の一方面側に設けられた第１電極と、
   前記第１電極の前記基板と反対側の面に設けられた第１絶縁膜と、
   前記第１電極に平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、
   前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に電気的に接続された第２電極と、
   前記第２電極の前記基板と反対側の面と連続した平面を構成する面が設けられた第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられた画素電極と、
   を有し、
   前記基板の端子領域に、
   前記第１電極と同一層である第３電極と、
   前記第３電極と平面視で重なる位置で前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、
   前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面に設けられ、前記第２コンタクトホールを介して前記第３電極と電気的に接続された端子と、
   を有し、
   前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる凹部内に位置する内側部分と、前記凹部の外側に設けられた外側部分と、が分離されており、
   前記画素電極は、第１導電膜と、前記第１導電膜の前記基板と反対側の面に設けられた第２導電膜と、を有し、
   前記端子は、前記第２導電膜と同一層である導電膜によって構成されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記基板と反対側の面に前記第１電極が設けられた第３絶縁膜を有し、
   前記第３絶縁膜は、前記第１コンタクトホールと平面視で重なる位置に前記基板と反対側に突出した凸部を有していることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項３または４に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１電極および前記第１絶縁膜を形成した後、
   前記第１絶縁膜の前記基板と反対側の面に第１開口部を備えたエッチングマスクを設けた状態で前記第１開口部から前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１穴を形成する第１エッチング工程と、
   前記第１開口部を拡大して前記第１開口部よりサイズの大きな第２開口部とするサイズ調整工程と、
   前記第２開口部から前記第１絶縁膜をエッチングして前記第２穴を形成する第２エッチング工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記サイズ調整工程では、前記エッチングマスクの縁部全体を一定量、除去することにより、前記第１開口部を拡大させて前記第２開口部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項５または６に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第２絶縁膜の成膜工程、および前記第２絶縁膜に対する平坦化工程を行って、前記第２電極および前記第２絶縁膜の前記基板と反対側の面を連続した平面とした後、
    前記画素電極が設けられた表示領域に第１導電膜を形成する第１工程と、
    前記第２コンタクトホールを形成する第２工程と、
    前記表示領域および前記端子領域に前記第２導電膜を形成する第３工程と、
    前記第１導電膜および前記第２導電膜をパターニングして前記画素電極および前記端子を形成する第４工程と、
    を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。