JP3290426B2 - 反射型ｌｃｄディスプレイ用ピクセル構造部及びアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム - Google Patents
反射型ｌｃｄディスプレイ用ピクセル構造部及びアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システムInfo
- Publication number
- JP3290426B2 JP3290426B2 JP23019199A JP23019199A JP3290426B2 JP 3290426 B2 JP3290426 B2 JP 3290426B2 JP 23019199 A JP23019199 A JP 23019199A JP 23019199 A JP23019199 A JP 23019199A JP 3290426 B2 JP3290426 B2 JP 3290426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- reflective
- pixel structure
- reflective material
- structures
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に反射アレイ
・ディスプレイ、特に光力の吸収を最小限にする一方
で、開口率を最大にする反射アレイ構造部に関する。
・ディスプレイ、特に光力の吸収を最小限にする一方
で、開口率を最大にする反射アレイ構造部に関する。
【０００２】
【従来の技術】透過型または反射型ディスプレイ・アレ
イでは、該アレイに要求される光量および光力吸収量を
最小限にするために可能な限り高い開口率を持つことが
望まれる。輝度および効率がよりいっそう高ければ、よ
り望ましい表示が得られる。
イでは、該アレイに要求される光量および光力吸収量を
最小限にするために可能な限り高い開口率を持つことが
望まれる。輝度および効率がよりいっそう高ければ、よ
り望ましい表示が得られる。
【０００３】図１は、反射型ＬＣＤディスプレイ・ライ
ト・バルブ用、例えば１０μmピッチの吸収ギャップ・
セル１０の物理的レイアウトを示すもので、図２はその
等価回路である。ここで、吸収ギャップ・セルとはギャ
ップに入射した光が吸収される構造を有するセルのこと
である。このギャップ及び吸収構造については以下に説
明される。図２に示すように、アクティブ・マトリック
ス・アレイＬＣＤディスプレイでは、各々のピクセル
「セル」はトランジスタ（薄膜トランジスタ）１５、キ
ャパシタンス２０、および他の構成要素（不図示）を有
し、さらに周知のＣＭＯＳ製造技術を用いて製造するこ
とができよう。
ト・バルブ用、例えば１０μmピッチの吸収ギャップ・
セル１０の物理的レイアウトを示すもので、図２はその
等価回路である。ここで、吸収ギャップ・セルとはギャ
ップに入射した光が吸収される構造を有するセルのこと
である。このギャップ及び吸収構造については以下に説
明される。図２に示すように、アクティブ・マトリック
ス・アレイＬＣＤディスプレイでは、各々のピクセル
「セル」はトランジスタ（薄膜トランジスタ）１５、キ
ャパシタンス２０、および他の構成要素（不図示）を有
し、さらに周知のＣＭＯＳ製造技術を用いて製造するこ
とができよう。
【０００４】より詳細には、図１および図２に示すよう
に、吸収ギャップ・セル１０は以下のような重要な機能
層を有する。すなわち、セルの光学特性を決定するトラ
ンジスタ２０列のゲートに対して制御信号を送り、キャ
パシタが「Ｃsub」である一本の電極を形成し、基板に
経由して戻る別の電極を有する導電「Ｐ１」層（ドープ
したポリシリコン）と、データ信号１５をアクティブ・
トランジスタ１５のソース・ターミナルへ運ぶための第
１の金属層「Ｍ１」と、液晶材料（不図示）の下に位置
し、かつ液晶ディスプレイ・キャパシタ素子ＣＬＣの一
つの電極を形成するとともに、ＩＴＯ等の透明コンダク
タからなる最上面アルミニウム・ミラー層「Ｍ２」とが
含まれる。また、吸収ギャップ・セルの一部として、Ｍ
１およびＭ２金属層とともにキャパシタンスＣＡＲを形
成する反射防止（ＡＲ）層がある。
に、吸収ギャップ・セル１０は以下のような重要な機能
層を有する。すなわち、セルの光学特性を決定するトラ
ンジスタ２０列のゲートに対して制御信号を送り、キャ
パシタが「Ｃsub」である一本の電極を形成し、基板に
経由して戻る別の電極を有する導電「Ｐ１」層（ドープ
したポリシリコン）と、データ信号１５をアクティブ・
トランジスタ１５のソース・ターミナルへ運ぶための第
１の金属層「Ｍ１」と、液晶材料（不図示）の下に位置
し、かつ液晶ディスプレイ・キャパシタ素子ＣＬＣの一
つの電極を形成するとともに、ＩＴＯ等の透明コンダク
タからなる最上面アルミニウム・ミラー層「Ｍ２」とが
含まれる。また、吸収ギャップ・セルの一部として、Ｍ
１およびＭ２金属層とともにキャパシタンスＣＡＲを形
成する反射防止（ＡＲ）層がある。
【０００５】図３（ａ）は、図１に示す吸収ギャップ・
セルのＸ１−Ｘ１'線に沿う断面図を表す。図（ｂ）
は、図１に示す吸収ギャップ・セルのＹ１−Ｙ１'線に
沿う断面図を表す。図３（ａ）および３（ｂ）に示すよ
うに、セルは、領域「ＲＸ」と示され、薄膜トランジス
タ２０のゲート領域およびドレイン／ソース領域を形成
する打ち込みシリコン（Ｓｉ）からなる領域（例えばＮ
＋領域）と、該トランジスタのゲートを形成し、かつ打
ち込みＳｉ（ＲＸ層）からなる他の電極とともにキャパ
シタンスＣsubの電極を形成するＰ１ポリ−Ｓｉ導電層
と、データ制御信号をアクティブ・トランジスタ層ＲＸ
のソース・ターミナルへ運び、かつキャパシタＣARのも
う一方の末端を提供する第１の金属層と、光エネルギー
吸収層「ＡＲ」である第２の金属層（例えば、窒化チタ
ン、アルミニウム、およびチタニウムの３層複合材料か
らなる層）と、液晶材料（不図示）の下に位置し、かつ
反射光学特性を液晶セルに与える最上層アルミニウム・
ミラー層とが含まれる。図１および図３（ａ）に示すよ
うに、コンタクト「ＣＡ」はＭ１層をＰ１コンタクトに
接続するために設けられている。
セルのＸ１−Ｘ１'線に沿う断面図を表す。図（ｂ）
は、図１に示す吸収ギャップ・セルのＹ１−Ｙ１'線に
沿う断面図を表す。図３（ａ）および３（ｂ）に示すよ
うに、セルは、領域「ＲＸ」と示され、薄膜トランジス
タ２０のゲート領域およびドレイン／ソース領域を形成
する打ち込みシリコン（Ｓｉ）からなる領域（例えばＮ
＋領域）と、該トランジスタのゲートを形成し、かつ打
ち込みＳｉ（ＲＸ層）からなる他の電極とともにキャパ
シタンスＣsubの電極を形成するＰ１ポリ−Ｓｉ導電層
と、データ制御信号をアクティブ・トランジスタ層ＲＸ
のソース・ターミナルへ運び、かつキャパシタＣARのも
う一方の末端を提供する第１の金属層と、光エネルギー
吸収層「ＡＲ」である第２の金属層（例えば、窒化チタ
ン、アルミニウム、およびチタニウムの３層複合材料か
らなる層）と、液晶材料（不図示）の下に位置し、かつ
反射光学特性を液晶セルに与える最上層アルミニウム・
ミラー層とが含まれる。図１および図３（ａ）に示すよ
うに、コンタクト「ＣＡ」はＭ１層をＰ１コンタクトに
接続するために設けられている。
【０００６】図３（ｂ）にさらに示すように、窒化チタ
ン、アルミニウム、チタンから構成される吸収層ＡＲが
セル全体にわたってＭ１およびＭ２の間に設けられてい
る。光吸収は、窒化チタン最上層によって与えられ、導
電性を与えるアルミニウム・コア層や、良好なコンタク
トおよび該アルミニウム・コア層と下に横たわるＳｉＯ
２との間に障壁を与えるチタン下層を持つ。このＡＲ層
は上部プレート電極電位（コンタクトは不図示）に保持
され、一般にＭ２ミラー面よりも深い位置に形成され
る。アルミニウム・ミラーＭ２は、ＡＲ吸収層の下にあ
るＭ１金属層と、ビアＶ１からなる手段を介して接して
いる。このビアＶ１はタングステン・プラグであっても
よく、例えばＭ１層とＭ２層とを接続する。図１および
図３（ａ）に示すように、ＡＲ層が電気的に隔離される
ようにビアＶ１のまわりからＡＲ層の領域バーＡＲを除
去する。
ン、アルミニウム、チタンから構成される吸収層ＡＲが
セル全体にわたってＭ１およびＭ２の間に設けられてい
る。光吸収は、窒化チタン最上層によって与えられ、導
電性を与えるアルミニウム・コア層や、良好なコンタク
トおよび該アルミニウム・コア層と下に横たわるＳｉＯ
２との間に障壁を与えるチタン下層を持つ。このＡＲ層
は上部プレート電極電位（コンタクトは不図示）に保持
され、一般にＭ２ミラー面よりも深い位置に形成され
る。アルミニウム・ミラーＭ２は、ＡＲ吸収層の下にあ
るＭ１金属層と、ビアＶ１からなる手段を介して接して
いる。このビアＶ１はタングステン・プラグであっても
よく、例えばＭ１層とＭ２層とを接続する。図１および
図３（ａ）に示すように、ＡＲ層が電気的に隔離される
ようにビアＶ１のまわりからＡＲ層の領域バーＡＲを除
去する。
【０００７】図１に示す吸収ギャップ・ピクセル・セル
（ｃ−Ｓｉ技術の）を有するアクティブ・マトリックス
・アレイにおいて、Ｍ２反射ミラー面領域は、該セルに
残された露出したギャップを持つピクセル面領域のフラ
クションをカバーする。露出したギャップとは、ギャッ
プが外部からの光にさらされる構成を有していることを
意味する。Ｍ２に形成されているギャップは、液晶層を
通過してきた外部からの光にさらされる。ギャップＧの
下に配置されたものは、ミラーＭ１およびＭ２の間にあ
り、かつ照射エネルギーを吸収するＡＲ層である。つま
り、ギャップＧに入射した光は吸収層によって吸収さ
れ、吸収ギャップ・セルを構成する。したがって、セル
に向けられた照射が十分に強度の高いものであるなら
ば、光出力が吸収されたり、アレイから熱を取り除くこ
とは設計上の問題かもしれない。なぜなら、ライト・バ
ルブ・アレイは一般に小型化のためにパッケージ化され
ており、ヒート・シンクの寸法を考慮することはパッケ
ージを大きくし、さらに／またはシステムの重量や騒音
を高めるような追加のファン冷却を必要とするかもしれ
ない。このことは、ガラス基板（不図示）を利用するｐ
−Ｓｉ技術によって製造された吸収ギャップ・セルに付
加的に適用される。これらの問題は、セルのピッチを減
少させることによって、又、セル領域あたり２つ以上の
異なる寸法のミラーが設けられることによって複雑化す
る。
（ｃ−Ｓｉ技術の）を有するアクティブ・マトリックス
・アレイにおいて、Ｍ２反射ミラー面領域は、該セルに
残された露出したギャップを持つピクセル面領域のフラ
クションをカバーする。露出したギャップとは、ギャッ
プが外部からの光にさらされる構成を有していることを
意味する。Ｍ２に形成されているギャップは、液晶層を
通過してきた外部からの光にさらされる。ギャップＧの
下に配置されたものは、ミラーＭ１およびＭ２の間にあ
り、かつ照射エネルギーを吸収するＡＲ層である。つま
り、ギャップＧに入射した光は吸収層によって吸収さ
れ、吸収ギャップ・セルを構成する。したがって、セル
に向けられた照射が十分に強度の高いものであるなら
ば、光出力が吸収されたり、アレイから熱を取り除くこ
とは設計上の問題かもしれない。なぜなら、ライト・バ
ルブ・アレイは一般に小型化のためにパッケージ化され
ており、ヒート・シンクの寸法を考慮することはパッケ
ージを大きくし、さらに／またはシステムの重量や騒音
を高めるような追加のファン冷却を必要とするかもしれ
ない。このことは、ガラス基板（不図示）を利用するｐ
−Ｓｉ技術によって製造された吸収ギャップ・セルに付
加的に適用される。これらの問題は、セルのピッチを減
少させることによって、又、セル領域あたり２つ以上の
異なる寸法のミラーが設けられることによって複雑化す
る。
【０００８】したがって、必要とされる照射量を少なく
し、かつアレイの光力吸収量を減少させることでコスト
削減を達成することから、開口率を高めることが非常に
求められている。
し、かつアレイの光力吸収量を減少させることでコスト
削減を達成することから、開口率を高めることが非常に
求められている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸収裏面を
持つ上側層ミラーとともに反射前面ミラーからなる２つ
以上の層を具備する反射型ディスプレイ・アレイを目的
とする。
持つ上側層ミラーとともに反射前面ミラーからなる２つ
以上の層を具備する反射型ディスプレイ・アレイを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】各ピクセルに関連したミ
ラー面はピクセル出力電極に電気的に接続している。下
側のミラーは３次元で適当に配置されており、ほぼ１０
０％開口率を達成する。したがって、従来の吸収ギャッ
プはミラーに置き換えられる。
ラー面はピクセル出力電極に電気的に接続している。下
側のミラーは３次元で適当に配置されており、ほぼ１０
０％開口率を達成する。したがって、従来の吸収ギャッ
プはミラーに置き換えられる。
【００１１】したがって、本発明の原理によれば、反射
型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造は、制御信号にも
とづいてセル構造に向けられた光を反射するために反射
性材料からなる第１の層と、制御信号にもとづいてセル
構造に向けられた光を反射するための反射性材料からな
る第１の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の
層と、前記第１の層の下に設けられ第１の反射層および
第２の反射層での反射量を制御するために、セル構造内
で第１の反射層および第２の反射層に制御信号を送る手
段とを備え、さらに反射性材料からなる第１の反射層お
よび第２の反射層の備えることで、実質的に大きくなっ
た開口率を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られる。
型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造は、制御信号にも
とづいてセル構造に向けられた光を反射するために反射
性材料からなる第１の層と、制御信号にもとづいてセル
構造に向けられた光を反射するための反射性材料からな
る第１の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の
層と、前記第１の層の下に設けられ第１の反射層および
第２の反射層での反射量を制御するために、セル構造内
で第１の反射層および第２の反射層に制御信号を送る手
段とを備え、さらに反射性材料からなる第１の反射層お
よび第２の反射層の備えることで、実質的に大きくなっ
た開口率を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られる。
【００１２】好ましくは、この反射型アレイ・ディスプ
レイ用マルチ・ミラー構造の製造は、金属層の数が同じ
であることから、反射セル吸収ギャップ製造技術で使用
されるもの以外に任意の追加のマスクを求めるものでは
ない。ここで、本発明の一態様よれば、アレイ上に配置
されたピクセル構造部を有する反射型ＬＣＤディスプレ
イのピクセル構造部が与えられる。このアレイ構造部
は、制御信号にもとづいてピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、制
御信号にもとづいてピクセル構造に向けられた光を反射
するための反射性材料からなる第１の層の上に設けられ
た反射性材料からなる第２の層と、第１の層の下に設け
られ、前記第１の反射層および前記第２の反射層での反
射量を制御するために、前記ピクセル構造内で前記第１
の反射層および前記第２の反射層に制御信号を送る手段
とを備える。さらに、第２の層に形成された第１の第２
層構造部と、第２の層に形成された第１の第２層構造部
の行方向及び列方向に隣接する４つの隣接第２層構造部
と、第１の第２層構造部と４つの隣接第２層構造部のそ
れぞれとの間に形成された４つの第２層ギャップと、第
１層に形成され第１の第２層構造部の下に配置され、第
１の第２層構造部と共通の信号が与えられるように電気
的に接続された第１の第１層構造部と、第１層に形成さ
れ４つの隣接第２層構造部のそれぞれの下に配置され４
つの隣接第２層構造部のそれぞれと共通の信号が与えら
れるように電気的に接続された４つの隣接第１層構造部
と、第１の第１層構造部と前記４つの隣接第１層構造部
のそれぞれとの間に形成された４つの第１層ギャップ
と、を有する。又、４つの第２層ギャップのそれぞれの
少なくとも一部は反射性材料からなる第１の層と重なる
ように形成され、４つの第１層ギャップのそれぞれの少
なくとも一部は反射性材料からなる第２の層と重なるよ
うに形成される。
レイ用マルチ・ミラー構造の製造は、金属層の数が同じ
であることから、反射セル吸収ギャップ製造技術で使用
されるもの以外に任意の追加のマスクを求めるものでは
ない。ここで、本発明の一態様よれば、アレイ上に配置
されたピクセル構造部を有する反射型ＬＣＤディスプレ
イのピクセル構造部が与えられる。このアレイ構造部
は、制御信号にもとづいてピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、制
御信号にもとづいてピクセル構造に向けられた光を反射
するための反射性材料からなる第１の層の上に設けられ
た反射性材料からなる第２の層と、第１の層の下に設け
られ、前記第１の反射層および前記第２の反射層での反
射量を制御するために、前記ピクセル構造内で前記第１
の反射層および前記第２の反射層に制御信号を送る手段
とを備える。さらに、第２の層に形成された第１の第２
層構造部と、第２の層に形成された第１の第２層構造部
の行方向及び列方向に隣接する４つの隣接第２層構造部
と、第１の第２層構造部と４つの隣接第２層構造部のそ
れぞれとの間に形成された４つの第２層ギャップと、第
１層に形成され第１の第２層構造部の下に配置され、第
１の第２層構造部と共通の信号が与えられるように電気
的に接続された第１の第１層構造部と、第１層に形成さ
れ４つの隣接第２層構造部のそれぞれの下に配置され４
つの隣接第２層構造部のそれぞれと共通の信号が与えら
れるように電気的に接続された４つの隣接第１層構造部
と、第１の第１層構造部と前記４つの隣接第１層構造部
のそれぞれとの間に形成された４つの第１層ギャップ
と、を有する。又、４つの第２層ギャップのそれぞれの
少なくとも一部は反射性材料からなる第１の層と重なる
ように形成され、４つの第１層ギャップのそれぞれの少
なくとも一部は反射性材料からなる第２の層と重なるよ
うに形成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】図４は、結晶シリコン（ｃ−Ｓ
ｉ）ＣＭＯＳ技術等を用いる本発明にもとづく反射型Ｌ
ＣＤディスプレイ用反射ギャップ・ピクセル・セル（以
下、単に反射ギャップ・セルともいう）１００の積層を
示す。反射ギャップ・セルとは、ギャップに入射し光を
反射する構造を有するセル構造部をいう。ギャップ及び
反射構造については以下に詳しく説明される。図に示す
ように、反射ギャップ・セル１００のＰ１、ＲＸ、Ｍ１
層、Ｍ２層、およびＣＡコンタクトは、吸収セル（図
１）と同じである。しかし、本発明によれば、Ｍ１層と
Ｍ２層との間にあるＡＲ階層は、下に横たわるチタン障
壁階層とともに、アルミニウム反射性材料で作られてい
る。したがって、アクティブ・マトリックス・アレイの
反射ミラーＭ２間のギャップ内で露出されるものは反射
性材料のＡＲ階層である。従って、反射ミラーＭ２間の
ギャップに入射した光は、反射性材料のＡＲ階層で反射
され、反射ギャップ・セル構造を有する。
ｉ）ＣＭＯＳ技術等を用いる本発明にもとづく反射型Ｌ
ＣＤディスプレイ用反射ギャップ・ピクセル・セル（以
下、単に反射ギャップ・セルともいう）１００の積層を
示す。反射ギャップ・セルとは、ギャップに入射し光を
反射する構造を有するセル構造部をいう。ギャップ及び
反射構造については以下に詳しく説明される。図に示す
ように、反射ギャップ・セル１００のＰ１、ＲＸ、Ｍ１
層、Ｍ２層、およびＣＡコンタクトは、吸収セル（図
１）と同じである。しかし、本発明によれば、Ｍ１層と
Ｍ２層との間にあるＡＲ階層は、下に横たわるチタン障
壁階層とともに、アルミニウム反射性材料で作られてい
る。したがって、アクティブ・マトリックス・アレイの
反射ミラーＭ２間のギャップ内で露出されるものは反射
性材料のＡＲ階層である。従って、反射ミラーＭ２間の
ギャップに入射した光は、反射性材料のＡＲ階層で反射
され、反射ギャップ・セル構造を有する。
【００１４】図６（ａ）は図４のＸ２−Ｘ２'線に沿っ
た反射ギャップ・セル１００の断面図であり、また図６
（ｂ）は図４のＹ２−Ｙ２'線に沿った反射ギャップ・
セル１００の断面図である。図６（ａ）および図６
（ｂ）に示すように、セルＭ２金属（ミラー）層の下に
横たわるものは、吸収性材料（例えば約５０ｎｍのＴｉ
Ｎ（窒化チタン））からなる層１０１である。セルに対
して光を直接照射し、ギャップＧへの入射が完全に平行
して行われるものではなく、Ｍ２層等の平坦ではない表
面および側面からの二次的反射によるものと考えられる
ことから、上層のミラーの下面または裏面はシリコン基
板に光が達しないように吸収性を有するものである必要
がある。したがって、アクティブ・マトリックス・アレ
イのミラーＭ２間のギャップを介して伝搬し、各ピクセ
ルにおいてＡＲまたは任意の他の下層から反射する光を
吸収ＴｉＮ層１０１が吸収する。非平行反射は、例えば
光アレイ経路にあるＡＲ層または任意の他の層の表面粗
さによって生ずる可能性がある。ＡＲ層の直下にあるＳ
ｉＯ２層は通常の化学的バフ磨き（Chemech）法によっ
て平坦化することができよう。
た反射ギャップ・セル１００の断面図であり、また図６
（ｂ）は図４のＹ２−Ｙ２'線に沿った反射ギャップ・
セル１００の断面図である。図６（ａ）および図６
（ｂ）に示すように、セルＭ２金属（ミラー）層の下に
横たわるものは、吸収性材料（例えば約５０ｎｍのＴｉ
Ｎ（窒化チタン））からなる層１０１である。セルに対
して光を直接照射し、ギャップＧへの入射が完全に平行
して行われるものではなく、Ｍ２層等の平坦ではない表
面および側面からの二次的反射によるものと考えられる
ことから、上層のミラーの下面または裏面はシリコン基
板に光が達しないように吸収性を有するものである必要
がある。したがって、アクティブ・マトリックス・アレ
イのミラーＭ２間のギャップを介して伝搬し、各ピクセ
ルにおいてＡＲまたは任意の他の下層から反射する光を
吸収ＴｉＮ層１０１が吸収する。非平行反射は、例えば
光アレイ経路にあるＡＲ層または任意の他の層の表面粗
さによって生ずる可能性がある。ＡＲ層の直下にあるＳ
ｉＯ２層は通常の化学的バフ磨き（Chemech）法によっ
て平坦化することができよう。
【００１５】好ましい実施形態例では、ＡＲ階層での反
射ミラー材料の深さは、好ましくは、λ／（２＊ｎ）の
整数倍の深さである。ここで、λは波長であり、またｎ
はミラーを分けるＳｉ 3 Ｎ 4 等の誘電体の屈折率である。
反射ギャップ・セルはＣＭＯＳデバイス製造方法、例え
ば吸収ギャップ・セル（図１）を製造する際に使用され
る方法によって容易に達成され、いかなる余計なマスク
を必要とすることはない。特に、図６（ａ）に示すよう
に、Ｍ２層の下に横たわる窒化チタンをＭ２ギャップ領
域内でエッチングする。Ｍ２層はＭ２ギャップ内の窒化
チタンを除去するためのエッチング・マスクを提供する
ので、いかなる追加のフォトリソグラフィ用マスクまた
は工程を必要とするものではない。
射ミラー材料の深さは、好ましくは、λ／（２＊ｎ）の
整数倍の深さである。ここで、λは波長であり、またｎ
はミラーを分けるＳｉ 3 Ｎ 4 等の誘電体の屈折率である。
反射ギャップ・セルはＣＭＯＳデバイス製造方法、例え
ば吸収ギャップ・セル（図１）を製造する際に使用され
る方法によって容易に達成され、いかなる余計なマスク
を必要とすることはない。特に、図６（ａ）に示すよう
に、Ｍ２層の下に横たわる窒化チタンをＭ２ギャップ領
域内でエッチングする。Ｍ２層はＭ２ギャップ内の窒化
チタンを除去するためのエッチング・マスクを提供する
ので、いかなる追加のフォトリソグラフィ用マスクまた
は工程を必要とするものではない。
【００１６】図４の反射型ＬＣＤディスプレイ用反射ギ
ャップ・ピクセル・セル１００の製造では、ＡＲ層は露
出したギャップ、すなわち、Ｍ２間のギャップＧにさら
されたギャップを持たなければならない。なぜなら、同
一のパターンがｘおよびｙで実行され、隣接するピクセ
ルから電気的に隔離されていなければならない。電気的
隔離を達成するために、Ｌ形のカット１０１を反射性材
料階層のＡＲ階層に形成されて領域バーＡＲを形成す
る。この領域はアレイの各ピクセルを電気的に隔離す
る。ＡＲ階層での光反射を制御するための電気的コンタ
クトは、そのピクセルのＭ２ミラー層とＡＲ反射階層と
を接続する特別のビアＶ２によって提供される。図５
は、反射ギャップ・セルの等価回路を説明するものであ
る。反射ＡＲ層の存在、またビアＶ２による反射ＡＲ層
とＭ２層とのコンタクトによって、Ｍ２層とＡＲ層との
間には何ら追加のキャパシタンスは存在しない。また、
Ｍ１層とＭ２層とを接続するタングステン・プラグＶ１
は、Ｍ１とＡＲとの間のキャパシタンスを実質上取り除
くことで、図５における従来のキャパシタンスＣＡＲが
除去される。
ャップ・ピクセル・セル１００の製造では、ＡＲ層は露
出したギャップ、すなわち、Ｍ２間のギャップＧにさら
されたギャップを持たなければならない。なぜなら、同
一のパターンがｘおよびｙで実行され、隣接するピクセ
ルから電気的に隔離されていなければならない。電気的
隔離を達成するために、Ｌ形のカット１０１を反射性材
料階層のＡＲ階層に形成されて領域バーＡＲを形成す
る。この領域はアレイの各ピクセルを電気的に隔離す
る。ＡＲ階層での光反射を制御するための電気的コンタ
クトは、そのピクセルのＭ２ミラー層とＡＲ反射階層と
を接続する特別のビアＶ２によって提供される。図５
は、反射ギャップ・セルの等価回路を説明するものであ
る。反射ＡＲ層の存在、またビアＶ２による反射ＡＲ層
とＭ２層とのコンタクトによって、Ｍ２層とＡＲ層との
間には何ら追加のキャパシタンスは存在しない。また、
Ｍ１層とＭ２層とを接続するタングステン・プラグＶ１
は、Ｍ１とＡＲとの間のキャパシタンスを実質上取り除
くことで、図５における従来のキャパシタンスＣＡＲが
除去される。
【００１７】図７は、４つのＬ形ＡＲ層カット２０１ａ
〜２０１ｄ（層バーＡＲとして示す）によって各々が互
いに電気的に隔離された図４の反射ピクセル・セルを有
する２ｘ２反射ギャップ・セルを示す。図７では、１つ
の反射ギャップ・ピクセル１００'が示されている。ピ
クセル１００'に関して、取り囲むように示されたＡＲ
カット２０１ａの領域３０１は、隣接する縦列のピクセ
ルのミラーＭ２間のギャップＧにさらされる。同様に、
取り囲むように示されたＡＲカット２０１ｄの領域３０
２は、隣接する横列のピクセルのミラーＭ２間のギャッ
プＧにさらされる。ピクセル・セル１００'内の他の領
域のすべてが露出ＡＲ反射層を持つ。したがって、領域
３０１、３０２は、光がセルを透過するのを許容する反
射ギャップＬＣＤピクセル・セル内の唯一の領域であ
る。しかし、図中のＡＲカットの領域（ＡＲ層カット）
３０１、３０２が存在することによる開口率のいかなる
減少も実質的には取るに足りないことを理解しておくべ
きである。図７は、Ｍ２層構造部２１１を開示してい
る。Ｍ２層構造部２１１はＡＲ層構造部２１２とビアＶ
２によって電気的接続される。これらは１００'のよう
に、一つのピクセルに対応している。Ｍ２層構造部２１
１は、側辺側において隣接するＭ２層構造部である、Ｍ
２層構造部２１３及びＭ２層構造部２１５を有してい
る。Ｍ２層構造部２１３はＡＲ層構造部２１４と電気的
に接続され、Ｍ２層構造部２１５はＡＲ層構造部２１６
と電気的に接続されている。Ｍ２層構造部２１１とＭ２
層構造部２１３、及び、Ｍ２層構造部２１１とＭ２層構
造部２１５との間には、それぞれ、ギャップＧが形成さ
れている。一方、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２
１４、及び、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２１６
との間には、ＡＲカットが形成されている。Ｍ２層構造
部２１１は４つの側辺側において、それぞれＭ２ギャッ
プを有しており、ＡＲ層構造部２１２の４つの側辺側に
おいて、それぞれＡＲカットを有している。Ｍ２層構造
部２１１とＭ２層構造部２１３との間のギャップ２２１
は、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２１４との間の
ＡＲカット２２２とは、重なっていない。ギャップ２２
３とＡＲカット２２４、ギャップ２２５とＡＲカット２
２６、ギャップ２２７とＡＲカット２２８、のそれぞれ
についても同様である。
〜２０１ｄ（層バーＡＲとして示す）によって各々が互
いに電気的に隔離された図４の反射ピクセル・セルを有
する２ｘ２反射ギャップ・セルを示す。図７では、１つ
の反射ギャップ・ピクセル１００'が示されている。ピ
クセル１００'に関して、取り囲むように示されたＡＲ
カット２０１ａの領域３０１は、隣接する縦列のピクセ
ルのミラーＭ２間のギャップＧにさらされる。同様に、
取り囲むように示されたＡＲカット２０１ｄの領域３０
２は、隣接する横列のピクセルのミラーＭ２間のギャッ
プＧにさらされる。ピクセル・セル１００'内の他の領
域のすべてが露出ＡＲ反射層を持つ。したがって、領域
３０１、３０２は、光がセルを透過するのを許容する反
射ギャップＬＣＤピクセル・セル内の唯一の領域であ
る。しかし、図中のＡＲカットの領域（ＡＲ層カット）
３０１、３０２が存在することによる開口率のいかなる
減少も実質的には取るに足りないことを理解しておくべ
きである。図７は、Ｍ２層構造部２１１を開示してい
る。Ｍ２層構造部２１１はＡＲ層構造部２１２とビアＶ
２によって電気的接続される。これらは１００'のよう
に、一つのピクセルに対応している。Ｍ２層構造部２１
１は、側辺側において隣接するＭ２層構造部である、Ｍ
２層構造部２１３及びＭ２層構造部２１５を有してい
る。Ｍ２層構造部２１３はＡＲ層構造部２１４と電気的
に接続され、Ｍ２層構造部２１５はＡＲ層構造部２１６
と電気的に接続されている。Ｍ２層構造部２１１とＭ２
層構造部２１３、及び、Ｍ２層構造部２１１とＭ２層構
造部２１５との間には、それぞれ、ギャップＧが形成さ
れている。一方、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２
１４、及び、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２１６
との間には、ＡＲカットが形成されている。Ｍ２層構造
部２１１は４つの側辺側において、それぞれＭ２ギャッ
プを有しており、ＡＲ層構造部２１２の４つの側辺側に
おいて、それぞれＡＲカットを有している。Ｍ２層構造
部２１１とＭ２層構造部２１３との間のギャップ２２１
は、ＡＲ層構造部２１２とＡＲ層構造部２１４との間の
ＡＲカット２２２とは、重なっていない。ギャップ２２
３とＡＲカット２２４、ギャップ２２５とＡＲカット２
２６、ギャップ２２７とＡＲカット２２８、のそれぞれ
についても同様である。
【００１８】図８は、図７のｚ１−ｚ１'線に沿った図
４の２ｘ２吸収ギャップ・セル１００の断面図である。
図８に示すように、ＡＲ層が不連続となった小さな領域
３０１、すなわちＡＲカットが存在するので、照射光Ｌ
１はＡＲ階層を越えたＭ２ギャップＧにそれ自身の進路
を見つけることができよう。Ｍ１層のみが下に横たわる
ｃ−Ｓｉ回路を保護するために残されている。図８に示
すように、Ｍ１はＡＲカット３０１の真下にあたる部分
が平坦化されているが、Ｌ２で示すような光線の方向を
変えてさらにｃ−Ｓｉ回路に入るようにＭ１層の一部を
斜めにしてもよい。しかし、実際の設計では、光源およ
び結果として生ずる光線は、ライト・バルブに対してほ
ぼ垂直に、すなわちライト・バルブに対する垂線に平行
もしくは角度１°未満である。したがって、光線Ｌ２は
光の損失（反射して戻らない光）のみを表し、実質上ラ
イト・バルブ設計がゼロに近づくであろう。
４の２ｘ２吸収ギャップ・セル１００の断面図である。
図８に示すように、ＡＲ層が不連続となった小さな領域
３０１、すなわちＡＲカットが存在するので、照射光Ｌ
１はＡＲ階層を越えたＭ２ギャップＧにそれ自身の進路
を見つけることができよう。Ｍ１層のみが下に横たわる
ｃ−Ｓｉ回路を保護するために残されている。図８に示
すように、Ｍ１はＡＲカット３０１の真下にあたる部分
が平坦化されているが、Ｌ２で示すような光線の方向を
変えてさらにｃ−Ｓｉ回路に入るようにＭ１層の一部を
斜めにしてもよい。しかし、実際の設計では、光源およ
び結果として生ずる光線は、ライト・バルブに対してほ
ぼ垂直に、すなわちライト・バルブに対する垂線に平行
もしくは角度１°未満である。したがって、光線Ｌ２は
光の損失（反射して戻らない光）のみを表し、実質上ラ
イト・バルブ設計がゼロに近づくであろう。
【００１９】Ｍ２ミラーが部分的に重なり合う量は、ミ
ラー表面間の間隔と反射に対する吸収量とに依存する。
もし隣接するピクセルのミラーＭ２間の間隔がλ／ｎ
で、λは波長でｎは誘電体（例えば、Ｓｉ 3 Ｎ 4 ）の屈折
率とし、ミラーを例えば約０．５５μｍ／１．９＝０．
２９μｍ離し、ミラーの裏面で３０％反射するとし、さ
らに０．１５Ｎ．Ａ．照射光学素子を想定するならば、
ミラーの部分的重なり合いが０．５μｍの場合に１０ ４
を上回るオーダーで最大角光線の偏角が減少されるであ
ろう。
ラー表面間の間隔と反射に対する吸収量とに依存する。
もし隣接するピクセルのミラーＭ２間の間隔がλ／ｎ
で、λは波長でｎは誘電体（例えば、Ｓｉ 3 Ｎ 4 ）の屈折
率とし、ミラーを例えば約０．５５μｍ／１．９＝０．
２９μｍ離し、ミラーの裏面で３０％反射するとし、さ
らに０．１５Ｎ．Ａ．照射光学素子を想定するならば、
ミラーの部分的重なり合いが０．５μｍの場合に１０ ４
を上回るオーダーで最大角光線の偏角が減少されるであ
ろう。
【００２０】ここに記載したような本発明の原理を、セ
ル領域あたり２つ以上の異なる寸法のミラーが設けられ
る場合に容易に適用できることを理解すべきである。
ル領域あたり２つ以上の異なる寸法のミラーが設けられ
る場合に容易に適用できることを理解すべきである。
【００２１】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）反射型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造であっ
て、制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、
前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、
前記第１の反射層および前記第２の反射層での反射量を
制御するために、前記ピクセル構造内で前記第１の反射
層および前記第２の反射層に制御信号を送る手段とを備
え、さらに前記反射性材料からなる前記第１の反射層お
よび前記第２の反射層を備えることで、実質的に大きく
なった口径比を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られ
ることを特徴とする反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセ
ル構造。 （２）前記反射性材料からなる前記第２の反射層は、ピ
クセル表面積よりも領域が狭い反射表面積を限定し、か
つそのギャップを露出し、前記反射性材料からなる前記
第１の反射層は、前記露出されたギャップ内に実質的に
形成された面を有することを特徴とする上記（１）に記
載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （３）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記反
射性材料からなる前記第１の層と部分的に重なり合うよ
うに配置していることを特徴とする上記（１）に記載の
反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （４）さらに、前記第１の層から反射した光の望ましく
ない反射を吸収するために、前記第２の層の直下に配置
された吸収性材料からなる第３の層を有することを特徴
とする上記（３）に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用
ピクセル構造。 （５）ピクセル構造の２次元境界を定める手段をさらに
有し、該手段は前記ピクセル構造内に位置した非反射性
材料を含み、前記ピクセル構造の前記反射性材料からな
る前記第１の反射領域および前記第２の反射領域よりも
実質的に狭い面積を定めることを特徴とする上記（４）
に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （６）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記第
１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記第
２の層を反射した光と位相が等しくなるように、前記第
２の層の下側に配置されることを特徴とする上記（３）
に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （７）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記第
１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記第
２の層を反射した光と位相が異なるように、前記第２の
層の下側に配置されることを特徴とする上記（３）に記
載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （８）前記ピクセル構造の前記第１の層および前記第２
の層に対して制御信号を提供するための前記手段は、半
導体トランジスタおよびコンデンサを有することを特徴
とする上記（１）に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用
セル構造。 （９）複数の独立して制御可能な反射型ギャップ・セル
構造を有する反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・
アレイ・スクリーン表示システムであって、前記反射型
ギャップ・セル構造の各々は、制御信号にもとづいて前
記セル構造に向けられた光を反射するために反射性材料
からなる第１の層と、前記制御信号にもとづいて前記セ
ル構造に向けられた光を反射するための前記反射性材料
からなる前記第１の層の上に設けられた反射性材料から
なる第２の層と、前記第１の反射層および前記第２の反
射層での反射量を制御するために、前記ピクセル構造内
で前記第１の反射層および前記第２の反射層に制御信号
を送る手段とを備え、さらに前記反射性材料からなる前
記第１の反射層および前記第２の反射層の備えること
で、実質的に大きくなった口径比を持つ反射型ＬＣＤデ
ィスプレイが得られることを特徴とする反射型ＬＣＤア
クティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示シス
テム。 （１０）前記反射性材料からなる前記第２の反射層は、
ピクセル表面積よりも領域が狭い反射表面積を限定し、
かつそのギャップを露出し、前記反射性材料からなる前
記第１の反射層は、前記露出されたギャップ内に実質形
成された面を有することを特徴とする上記（９）に記載
の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・ス
クリーン表示システム。 （１１）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記
反射性材料からなる前記第１の層と部分的に重なり合う
ように配置していることを特徴とする上記（１０）に記
載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・
スクリーン表示システム。 （１２）さらに、前記第１の層から反射した光の望まし
くない反射を吸収するために、前記第２の層の直下に配
置された吸収性材料からなる第３の層を有することを特
徴とする上記（１１）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ
・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム。 （１３）セル構造の２次元境界を定める手段をさらに有
し、該手段は前記ピクセル構造内に一した非反射性材料
を含み、前記セル構造の前記反射性材料からなる前記第
１の反射領域および前記第２の反射領域よりも実質的に
狭い面積を定めることを特徴とする上記（１２）に記載
の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・ス
クリーン表示システム。 （１４）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記
第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記
第２の層を反射した光と位相が等しくなるように、前記
第２の層の下側に配置されることを特徴とする上記（１
１）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・
アレイ・スクリーン表示システム。 （１５）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記
第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記
第２の層を反射した光と位相が異なるように、前記第２
の層の下側に配置されることを特徴とする上記（１１）
に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレ
イ・スクリーン表示システム。 （１６）前記第１の層および前記第２の層は反射ミラー
面を有し、前記反射性材料からなる前記第２の層は、隣
接するピクセル・セル構造間のギャップを定め、該ギャ
ップは前記反射性材料からなる前記第１の層によって実
質的に充たされていることを特徴とする上記（９）に記
載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・
スクリーン表示システム。 （１７）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記
第１の層と部分的に重なり合う関係となるように配置さ
れていることを特徴とする上記（１６）に記載の反射型
ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン
表示システム。 （１８）前記ピクセル構造の前記第１の層および前記第
２の層に対して制御信号を提供するための前記手段は、
半導体トランジスタおよびコンデンサを有することを特
徴とする上記（９）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・
マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム。
の事項を開示する。 （１）反射型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造であっ
て、制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、
前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、
前記第１の反射層および前記第２の反射層での反射量を
制御するために、前記ピクセル構造内で前記第１の反射
層および前記第２の反射層に制御信号を送る手段とを備
え、さらに前記反射性材料からなる前記第１の反射層お
よび前記第２の反射層を備えることで、実質的に大きく
なった口径比を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られ
ることを特徴とする反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセ
ル構造。 （２）前記反射性材料からなる前記第２の反射層は、ピ
クセル表面積よりも領域が狭い反射表面積を限定し、か
つそのギャップを露出し、前記反射性材料からなる前記
第１の反射層は、前記露出されたギャップ内に実質的に
形成された面を有することを特徴とする上記（１）に記
載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （３）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記反
射性材料からなる前記第１の層と部分的に重なり合うよ
うに配置していることを特徴とする上記（１）に記載の
反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （４）さらに、前記第１の層から反射した光の望ましく
ない反射を吸収するために、前記第２の層の直下に配置
された吸収性材料からなる第３の層を有することを特徴
とする上記（３）に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用
ピクセル構造。 （５）ピクセル構造の２次元境界を定める手段をさらに
有し、該手段は前記ピクセル構造内に位置した非反射性
材料を含み、前記ピクセル構造の前記反射性材料からな
る前記第１の反射領域および前記第２の反射領域よりも
実質的に狭い面積を定めることを特徴とする上記（４）
に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （６）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記第
１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記第
２の層を反射した光と位相が等しくなるように、前記第
２の層の下側に配置されることを特徴とする上記（３）
に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （７）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記第
１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記第
２の層を反射した光と位相が異なるように、前記第２の
層の下側に配置されることを特徴とする上記（３）に記
載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造。 （８）前記ピクセル構造の前記第１の層および前記第２
の層に対して制御信号を提供するための前記手段は、半
導体トランジスタおよびコンデンサを有することを特徴
とする上記（１）に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用
セル構造。 （９）複数の独立して制御可能な反射型ギャップ・セル
構造を有する反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・
アレイ・スクリーン表示システムであって、前記反射型
ギャップ・セル構造の各々は、制御信号にもとづいて前
記セル構造に向けられた光を反射するために反射性材料
からなる第１の層と、前記制御信号にもとづいて前記セ
ル構造に向けられた光を反射するための前記反射性材料
からなる前記第１の層の上に設けられた反射性材料から
なる第２の層と、前記第１の反射層および前記第２の反
射層での反射量を制御するために、前記ピクセル構造内
で前記第１の反射層および前記第２の反射層に制御信号
を送る手段とを備え、さらに前記反射性材料からなる前
記第１の反射層および前記第２の反射層の備えること
で、実質的に大きくなった口径比を持つ反射型ＬＣＤデ
ィスプレイが得られることを特徴とする反射型ＬＣＤア
クティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示シス
テム。 （１０）前記反射性材料からなる前記第２の反射層は、
ピクセル表面積よりも領域が狭い反射表面積を限定し、
かつそのギャップを露出し、前記反射性材料からなる前
記第１の反射層は、前記露出されたギャップ内に実質形
成された面を有することを特徴とする上記（９）に記載
の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・ス
クリーン表示システム。 （１１）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記
反射性材料からなる前記第１の層と部分的に重なり合う
ように配置していることを特徴とする上記（１０）に記
載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・
スクリーン表示システム。 （１２）さらに、前記第１の層から反射した光の望まし
くない反射を吸収するために、前記第２の層の直下に配
置された吸収性材料からなる第３の層を有することを特
徴とする上記（１１）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ
・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム。 （１３）セル構造の２次元境界を定める手段をさらに有
し、該手段は前記ピクセル構造内に一した非反射性材料
を含み、前記セル構造の前記反射性材料からなる前記第
１の反射領域および前記第２の反射領域よりも実質的に
狭い面積を定めることを特徴とする上記（１２）に記載
の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・ス
クリーン表示システム。 （１４）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記
第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記
第２の層を反射した光と位相が等しくなるように、前記
第２の層の下側に配置されることを特徴とする上記（１
１）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・
アレイ・スクリーン表示システム。 （１５）前記反射性材料からなる前記第１の層は、前記
第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる前記
第２の層を反射した光と位相が異なるように、前記第２
の層の下側に配置されることを特徴とする上記（１１）
に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレ
イ・スクリーン表示システム。 （１６）前記第１の層および前記第２の層は反射ミラー
面を有し、前記反射性材料からなる前記第２の層は、隣
接するピクセル・セル構造間のギャップを定め、該ギャ
ップは前記反射性材料からなる前記第１の層によって実
質的に充たされていることを特徴とする上記（９）に記
載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・
スクリーン表示システム。 （１７）前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記
第１の層と部分的に重なり合う関係となるように配置さ
れていることを特徴とする上記（１６）に記載の反射型
ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン
表示システム。 （１８）前記ピクセル構造の前記第１の層および前記第
２の層に対して制御信号を提供するための前記手段は、
半導体トランジスタおよびコンデンサを有することを特
徴とする上記（９）に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・
マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム。
【図１】反射型ＬＣＤディスプレイ用に存在する吸収ギ
ャップ・セルの物理的レイアウトを示す図である。
ャップ・セルの物理的レイアウトを示す図である。
【図２】図１の吸収ギャップ・セルの等価回路を示す図
である。
である。
【図３】図１の吸収ギャップ・セルを説明するためのも
ので、（ａ）は図１のＸ１−Ｘ１'線に沿った断面図、
（ｂ）は図１のＹ１−Ｙ１'線に沿った断面図である。
ので、（ａ）は図１のＸ１−Ｘ１'線に沿った断面図、
（ｂ）は図１のＹ１−Ｙ１'線に沿った断面図である。
【図４】本発明の反射ギャップ・ピクセル・セル１００
の物理的レイアウトを示す図である。
の物理的レイアウトを示す図である。
【図５】図４の反射ギャップ・セルの等価回路を示す図
である。
である。
【図６】図４の反射ギャップ・セル１００を説明するた
めのもので、（ａ）は図４のＸ２−Ｘ２'線に沿った断
面図、（ｂ）は図４のＹ２−Ｙ２'線に沿った断面図で
ある。
めのもので、（ａ）は図４のＸ２−Ｘ２'線に沿った断
面図、（ｂ）は図４のＹ２−Ｙ２'線に沿った断面図で
ある。
【図７】図４の反射ＬＣＤセルを４つ有する２ｘ２マト
リックス・アレイ２００を示す図である。
リックス・アレイ２００を示す図である。
【図８】図７のＺ１−Ｚ１'線に沿った反射ギャップ・
セル・アクティブ・マトリックス・アレイ２００の断面
図である。
セル・アクティブ・マトリックス・アレイ２００の断面
図である。
１００ 反射型ＬＣＤディスプレイ用反
射ギャップ・ピクセル・セル（反射ギャップ・セル） １０１ 吸収ＴｉＮ層（Ｌ型のカット、
吸収ギャップ・セル） ２０１ａ〜２０１ｄ Ｌ形ＡＲ層カット ３０１、３０２ 領域
射ギャップ・ピクセル・セル（反射ギャップ・セル） １０１ 吸収ＴｉＮ層（Ｌ型のカット、
吸収ギャップ・セル） ２０１ａ〜２０１ｄ Ｌ形ＡＲ層カット ３０１、３０２ 領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケイ−スィング・ヤン アメリカ合衆国10536 ニューヨーク州、 カトナ、 コブリング・ロック・ドラ イブ 12 (72)発明者 ジャームス・ロウレンス・サンフォード アメリカ合衆国10514 ニューヨーク州、 チャパックァ、 ファイヴ・マウンテ イン・ピーク・ロード (56)参考文献 特開 平２−245741（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−64110（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−82995（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−104658（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1335 520
Claims (15)
- 【請求項１】アレイ上に配置されたピクセル構造部を有
する反射型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造部であっ
て、 制御信号にもとづいて前記ピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、 前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、 前記第１の層の下に設けられ、前記第１の反射層および
前記第２の反射層での反射量を制御するために、前記ピ
クセル構造内で前記第１の反射層および前記第２の反射
層に制御信号を送る手段とを備え、さらに、 前記第２の層に形成された、第１の第２層構造部と、 前記第２の層に形成された、前記第１の第２層構造部の
行方向及び列方向に隣接する４つの隣接第２層構造部
と、 前記第１の第２層構造部と前記４つの隣接第２層構造部
のそれぞれと、の間に形成された４つの第２層ギャップ
と、 前記第１層に形成され、前記第１の第２層構造部の下に
配置され、前記第１の第２層構造部と共通の信号が与え
られるように電気的に接続された、第１の第１層構造部
と、 前記第１層に形成され、前記４つの隣接第２層構造部の
それぞれの下に配置され、前記４つの隣接第２層構造部
のそれぞれと、共通の信号が与えられるように電気的に
接続された、４つの隣接第１層構造部と、 前記第１の第１層構造部と前記４つの隣接第１層構造部
のそれぞれと、の間に形成された４つの第１層ギャップ
と、を有し、 前記４つの第２層ギャップのそれぞれの少なくとも一部
は、前記反射性材料からなる第１の層と重なるように形
成され、 前記４つの第１層ギャップのそれぞれの少なくとも一部
は、前記反射性材料からなる第２の層と重なるように形
成された、 反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造部。 - 【請求項２】前記第１層構造部及び第２の層構造部のそ
れぞれは、実質的に四角形状に形成されている、請求項
１に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造
部。 - 【請求項３】さらに、前記第１の層から反射した光の望
ましくない反射を吸収するために、前記第２の層の直下
に配置された吸収性材料からなる第３の層を有すること
を特徴とする請求項１に記載の反射型ＬＣＤディスプレ
イ用ピクセル構造部。 - 【請求項４】反射型ＬＣＤディスプレイのピクセル構造
部であって、 制御信号にもとづいて前記ピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、 前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、 前記第１の層の下に設けられ、前記第１の反射層および
前記第２の反射層での反射量を制御するために、前記ピ
クセル構造内で前記第１の反射層および前記第２の反射
層に制御信号を送る手段とを備え、さらに前記第１の層
から反射した光の望ましくない反射を吸収するために、
前記第２の層の直下に配置された吸収性材料からなる第
３の層を有し、 前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記反射性材
料からなる前記第１の層と部分的に重なり合うように配
置し、 前記反射性材料からなる前記第１の反射層および前記第
２の反射層を備えることで、実質的に大きくなった開口
率を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られることを特
徴とする反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構造部。 - 【請求項５】前記反射性材料からなる前記第１の反射層
は、前記第２層ギャップ内に実質的に形成された面を有
する、請求項１及び４に記載の、反射型ＬＣＤディスプ
レイ用ピクセル構造部。 - 【請求項６】前記反射性材料からなる前記第１の層は、
前記第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる
前記第２の層を反射した光と位相が等しくなるように、
前記第２の層の下側に配置されることを特徴とする請求
項１及び４に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセ
ル構造部。 - 【請求項７】前記反射性材料からなる前記第１の層は、
前記第１の層から反射した光が前記反射性材料からなる
前記第２の層を反射した光と位相が異なるように、前記
第２の層の下側に配置されることを特徴とする請求項１
及び４に記載の反射型ＬＣＤディスプレイ用ピクセル構
造部。 - 【請求項８】前記ピクセル構造の前記第１の層および前
記第２の層に対して制御信号を提供するための前記手段
は、半導体トランジスタおよびコンデンサを有すること
を特徴とする請求項１及び４に記載の反射型ＬＣＤディ
スプレイ用セル構造部。 - 【請求項９】複数の独立して制御可能な反射型ギャップ
・セル構造を有する反射型ＬＣＤアクティブ・マトリッ
クス・アレイ・スクリーン表示システムであって、前記
反射型ギャップ・セル構造は、 制御信号にもとづいて前記ピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、 前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、 前記第１の層の下に設けられ、前記第１の反射層および
前記第２の反射層での反射量を制御するために、前記ピ
クセル構造内で前記第１の反射層および前記第２の反射
層に制御信号を送る手段とを備え、さらに、 前記第２の層に形成された、第１の第２層構造部と、 前記第２の層に形成された、前記第１の第２層構造部の
行方向及び列方向に隣接する４つの隣接第２層構造部
と、 前記第１の第２層構造部と前記４つの隣接第２層構造部
のそれぞれと、の間に形成された４つの第２層ギャップ
と、 前記第１層に形成され、前記第１の第２層構造部の下に
配置され、前記第１の第２層構造部と共通の信号が与え
られるように電気的に接続された、第１の第１層構造部
と、 前記第１層に形成され、前記４つの隣接第２層構造部の
それぞれの下に配置され、前記４つの隣接第２層構造部
のそれぞれと、共通の信号が与えられるように電気的に
接続された、４つの隣接第１層構造部と、 前記第１の第１層構造部と前記４つの隣接第１層構造部
のそれぞれと、の間に形成された４つの第１層ギャップ
と、を有し、 前記４つの第２層ギャップのそれぞれの少なくとも一部
は、前記反射性材料からなる第１の層と重なるように形
成され、 前記４つの第１層ギャップのそれぞれの少なくとも一部
は、前記反射性材料からなる第２の層と重なるように形
成された、 反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・スク
リーン表示システム。 - 【請求項１０】前記第１層構造部及び第２の層構造部の
それぞれは、実質的に四角形状に形成されている、請求
項９に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・
アレイ・スクリーン表示システム。 - 【請求項１１】さらに、前記第１の層から反射した光の
望ましくない反射を吸収するために、前記第２の層の直
下に配置された吸収性材料からなる第３の層を有するこ
とを特徴とする請求項９に記載の反射型ＬＣＤアクティ
ブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム。 - 【請求項１２】複数の独立して制御可能な反射型ギャッ
プ・セル構造を有する反射型ＬＣＤアクティブ・マトリ
ックス・アレイ・スクリーン表示システムであって、前
記反射型ギャップ・セル構造の各々は、 制御信号にもとづいて前記ピクセル構造部に向けられた
光を反射するために反射性材料からなる第１の層と、 前記制御信号にもとづいて前記ピクセル構造に向けられ
た光を反射するための前記反射性材料からなる前記第１
の層の上に設けられた反射性材料からなる第２の層と、 前記第１の層の下に設けられ、前記第１の反射層および
前記第２の反射層での反射量を制御するために、前記ピ
クセル構造内で前記第１の反射層および前記第２の反射
層に制御信号を送る手段とを備え、さらに、 前記第１の層から反射した光の望ましくない反射を吸収
するために、前記第２の層の直下に配置された吸収性材
料からなる第３の層を有し、 前記反射性材料からなる前記第２の層は、前記反射性材
料からなる前記第１の層と部分的に重なり合うように配
置し、 前記反射性材料からなる前記第１の反射層および前記第
２の反射層を備えることで、実質的に大きくなった開口
率を持つ反射型ＬＣＤディスプレイが得られることを特
徴とする、 反射型ＬＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・スク
リーン表示システム。 - 【請求項１３】前記反射性材料からなる前記第１の反射
層は、前記第２層ギャップ内に実質形成された面を有す
ることを特徴とする請求項９及び１２に記載の反射型Ｌ
ＣＤアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表
示システム。 - 【請求項１４】前記反射性材料からなる前記第１の層
は、前記第１の層から反射した光が前記反射性材料から
なる前記第２の層を反射した光と位相が等しくなるよう
に、前記第２の層の下側に配置されることを特徴とする
請求項９及び１２に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マ
トリックス・アレイ・スクリーン表示システム。 - 【請求項１５】前記反射性材料からなる前記第１の層
は、前記第１の層から反射した光が前記反射性材料から
なる前記第２の層を反射した光と位相が異なるように、
前記第２の層の下側に配置されることを特徴とする請求
項９及び１２に記載の反射型ＬＣＤアクティブ・マトリ
ックス・アレイ・スクリーン表示システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/146713 | 1998-09-03 | ||
| US09/146,713 US6181398B1 (en) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Multiple pixel driven mirror electrodes for improved aperture ratio of reflective displays |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000089254A JP2000089254A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3290426B2 true JP3290426B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=22518653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23019199A Expired - Fee Related JP3290426B2 (ja) | 1998-09-03 | 1999-08-17 | 反射型ｌｃｄディスプレイ用ピクセル構造部及びアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6181398B1 (ja) |
| JP (1) | JP3290426B2 (ja) |
| KR (1) | KR100347741B1 (ja) |
| CN (1) | CN1146052C (ja) |
| MY (1) | MY118383A (ja) |
| TW (1) | TWI241447B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100336886B1 (ko) * | 1998-08-24 | 2003-06-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율을갖는반사형액정표시장치및그제조방법 |
| US6233033B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-05-15 | National Semiconductor Corp. | Pixel array for LC silicon light valve featuring pixels with overlapping edges |
| US6734924B2 (en) | 2000-09-08 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6762738B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-07-13 | Brillian Corporation | Pixel circuit with shared active regions |
| US6797983B2 (en) * | 2002-01-30 | 2004-09-28 | United Microelectronics Corp. | Method of fabrication LCOS structure |
| JP4506133B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP4095518B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2004165241A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7388633B2 (en) * | 2002-12-13 | 2008-06-17 | Victor Company Of Japan, Limited | Reflective liquid crystal display |
| US20070242195A1 (en) * | 2006-04-17 | 2007-10-18 | Da-Shuang Kuan | Reflective liquid crystal on silicon panel |
| CN100483235C (zh) * | 2006-12-04 | 2009-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅基液晶显示器单元及其形成方法 |
| JP2009216855A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Seiko Epson Corp | 反射型電気光学装置および投射型表示装置 |
| WO2011136776A1 (en) | 2010-04-29 | 2011-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulation layer |
| TWI612689B (zh) | 2013-04-15 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
| WO2014209352A1 (en) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Thomson Licensing | Highlighting an object displayed by a pico projector |
| US9123266B2 (en) * | 2013-11-19 | 2015-09-01 | Google Inc. | Seamless tileable display with peripheral magnification |
| TWI553381B (zh) * | 2015-02-09 | 2016-10-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4231640A (en) | 1977-07-07 | 1980-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix type liquid crystal display panel |
| DE2844572C2 (de) | 1977-10-14 | 1983-10-20 | Sharp K.K., Osaka | Mehrlagige Flüssigkristallanzeige in Matrixanordnung |
| JPS5685780A (en) | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Casio Computer Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS6410217A (en) | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Tokyo Electric Co Ltd | Reflection type liquid crystal panel |
| JPS6410218A (en) | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Tokyo Electric Co Ltd | Reflection type liquid crystal panel |
| JPH03282518A (ja) | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Nec Corp | 投射型液晶表示装置 |
| US5245450A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
| JP3108223B2 (ja) | 1992-09-11 | 2000-11-13 | 三洋電機株式会社 | 小型ディスプレイ装置 |
| US5461501A (en) * | 1992-10-08 | 1995-10-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal substrate having 3 metal layers with slits offset to block light from reaching the substrate |
| US5365355A (en) * | 1993-03-10 | 1994-11-15 | Wah-Iii Technology Corporation | Light blocking, pixel enhancement and photocurrent reduction in active matrix liquid crystal displays |
| JPH0764110A (ja) | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | アクティブマトリックス基板 |
| JP3097945B2 (ja) * | 1994-10-03 | 2000-10-10 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
| JP3349332B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2002-11-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 反射式空間光変調素子配列及びその形成方法 |
| US5978056A (en) * | 1995-10-15 | 1999-11-02 | Victor Company Of Japan, Ltd | Reflection-type display apparatus having antireflection films |
| JPH1082995A (ja) | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH10104658A (ja) | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Matsushita Electron Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-09-03 US US09/146,713 patent/US6181398B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-11 MY MYPI99003426A patent/MY118383A/en unknown
- 1999-08-14 KR KR1019990033480A patent/KR100347741B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-08-17 JP JP23019199A patent/JP3290426B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-19 CN CNB991179587A patent/CN1146052C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-30 TW TW088114837A patent/TWI241447B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI241447B (en) | 2005-10-11 |
| JP2000089254A (ja) | 2000-03-31 |
| MY118383A (en) | 2004-10-30 |
| US6181398B1 (en) | 2001-01-30 |
| KR100347741B1 (ko) | 2002-08-09 |
| CN1146052C (zh) | 2004-04-14 |
| CN1250952A (zh) | 2000-04-19 |
| KR20000022719A (ko) | 2000-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3290426B2 (ja) | 反射型ｌｃｄディスプレイ用ピクセル構造部及びアクティブ・マトリックス・アレイ・スクリーン表示システム | |
| JP4707263B2 (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 | |
| TW514757B (en) | Electro-optical device and production method thereof and electronic equipment | |
| US6577371B2 (en) | Electro-optical device substrate, electro-optical device and electronic device having dummy layers, and projection display device incorporating the same | |
| EP0582850B1 (en) | Digital micromirror | |
| US7468766B1 (en) | Reflective spatial light modulator array including a light blocking layer | |
| JP2864464B2 (ja) | 反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 | |
| JP3880356B2 (ja) | 表示装置 | |
| US20040004221A1 (en) | Electro-optical device | |
| JPH0980476A (ja) | アクティブマトリックス基板とその製造方法 | |
| JP4654675B2 (ja) | 液晶パネル | |
| US20070138470A1 (en) | Photosensitive integrated circuit equipped with a reflective layer and corresponding method of production | |
| KR100375518B1 (ko) | 액정디스플레이 | |
| JP3149793B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US6630972B1 (en) | Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film | |
| JP2000508836A (ja) | 感光性画素のアレイ | |
| JP2001133811A (ja) | 導電層構造を処理するための方法およびそのような導電層構造を含む装置 | |
| JP3085115B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4645022B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| CN114335394A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| KR100885022B1 (ko) | 접촉부를 지닌 반도체 소자 및 그 제조 방법과 표시장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| JP2005092122A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| JP2005227403A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2000330133A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3358613B2 (ja) | 液晶ライトバルブ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090322 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100322 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110322 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110322 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120322 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130322 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130322 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130322 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130322 Year of fee payment: 11 |
|
| S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130322 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140322 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |