KR100885022B1 - 접촉부를 지닌 반도체 소자 및 그 제조 방법과 표시장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (52)
- 기판의 상부에 제1 도전체를 형성하는 단계,상기 제1 도전체를 덮는 제1 절연막을 형성하는 단계,상기 제1 도전체 상부의 상기 제1절연막 부분을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 제2 절연막을 상기 제1 절연막 위에 형성하는 단계,감광막 패턴 또는 상기 제2 절연막을 식각 마스크로 삼아 상기 제1 절연막을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍과 함께 상기 제1 도전체를 드러내는 제2 접촉 구멍을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 및 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 도전체와 연결되는 제2 도전체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 절연막은 유기 물질로 형성하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에서,상기 제2 절연막 형성 단계는상기 제2 절연막을 스핀 코팅하는 단계, 그리고상기 제2 절연막을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는반도체 소자의 제조 방법.
- 제3항에서,상기 제2 절연막은 감광성 물질로 이루어지며,상기 제1 접촉 구멍 형성 단계는,상기 제2 절연막을 광마스크를 통하여 노광하는 단계, 그리고상기 제2 절연막을 현상하는 단계를 포함하는반도체 소자의 제조 방법.
- 제4항에서,상기 광마스크는 투명 영역, 차광 영역 및 반투명 영역을 포함하며, 상기 제1 접촉 구멍의 측벽은 계단 모양인 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 감광막 패턴은 상기 제1 접촉 구멍보다 작은 개구부를 가지는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제1 절연막은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제2 접촉 구멍 형성 후, 상기 제1 접촉 구멍을 확장하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 제1 접촉 구멍의 확장은 애싱으로 이루어지는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제2 접촉 구멍 형성 후, 상기 제2 접촉 구멍을 축소하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제10항에서,상기 제2 접촉 구멍의 축소는 상기 제2 절연막의 리플로우를 통하여 이루어지는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제2 도전체는 반사성 물질로 이루어진 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항, 제3항, 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 폭이 높이에 따라 다른 반도체 소자의 제조 방법.
- 제13항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 측벽이 계단 모양인 반도체 소자의 제조 방법.
- 제14항에서,상기 제1 접촉 구멍은 상기 제1 절연막의 상부면을 드러내는 반도체 소자의 제조 방법.
- 기판,상기 기판 상부에 형성되어 있는 제1 도전체,상기 제1 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 제1 도전체의 적어도 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막,상기 제1 절연막 상부에 유기 절연 물질로 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍과 함께 상기 제1 도전체를 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지는 제2 절연막,상기 제2 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 도전체와 연결되어 있는 제2 도전체를 포함하며,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 폭이 높이에 따라 다른반도체 소자.
- 제16항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 폭이 위쪽 보다 아래 쪽이 작은 반도체 소자.
- 제17항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 측벽이 계단 모양인 반도체 소자.
- 제18항에서,상기 제2 접촉 구멍이 상기 제1 접촉 구멍보다 큰 반도체 소자.
- 제18항에서,상기 제2 접촉 구멍이 상기 제1 절연막의 상면을 적어도 일부분 드러내는 반 도체 소자.
- 제20항에서,상기 제2 접촉 구멍을 통하여 드러난 상기 제1 절연막의 폭은 0.1 ㎛ 이상인 반도체 소자.
- 삭제
- 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍의 측벽은 경사지고, 상기 제1 접촉 구멍의 측벽의 경사각과 상기 제2 접촉 구멍의 측벽의 경사각은 서로 다른 반도체 소자.
- 제23항에서,상기 제1 접촉 구멍의 측벽의 경사각은 상기 제2 접촉 구멍의 측벽의 경사각보다 작은 반도체 소자.
- 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,게이트 절연막을 적층하는 단계,반도체층을 형성하는 단계,상기 게이트선과 교차하는 데이터선과 상기 데이터선과 분리된 드레인 전극을 형성하는 단계,제1 절연막을 적층하는 단계,상기 제1 절연막 상부에 상기 드레인 전극 상부의 상기 제1 절연막을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 제2 절연막을 형성하는 단계,감광막 패턴 또는 상기 제2 절연막을 식각 마스크로 삼아 상기 제1 절연막을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 및 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 절연막은 유기 물질로 이루어지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 삭제
- 제25항에서,상기 제2 절연막 형성 단계는상기 제2 절연막을 스핀 코팅하는 단계, 그리고상기 제2 절연막을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제27항에서,상기 제2 절연막은 감광성 물질로 이루어지며,상기 제1 접촉 구멍 형성 단계는,상기 제2 절연막을 광마스크를 통하여 노광하는 단계, 그리고상기 제2 절연막을 현상하는 단계를 포함하는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제28항에서,상기 광마스크는 투명 영역, 차광 영역 및 반투명 영역을 포함하며, 상기 제1 접촉 구멍의 측벽은 계단 모양인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항에서,상기 감광막 패턴은 상기 제1 접촉 구멍보다 작은 개구부를 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항, 제27항 내지 제30항 중 어느 한 항에서,상기 제1 절연막은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항, 제27항 내지 제30항 중 어느 한 항에서,상기 제2 접촉 구멍 형성 후, 상기 제1 접촉 구멍을 확장하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제32항에서,상기 제1 접촉 구멍의 확장은 애싱으로 이루어지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항, 제27항 내지 제30항 중 어느 한 항에서,상기 제2 접촉 구멍 형성 후, 상기 제2 접촉 구멍을 축소하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제34항에서,상기 제2 접촉 구멍의 축소는 상기 제2 절연막의 리플로우를 통하여 이루어지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항에서,상기 화소 전극은 투명 전극과 반사 전극 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항에서,상기 화소 전극은 반사 전극을 포함하며, 상기 제2 절연막의 표면은 요철 패턴을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제25항에서,상기 데이터선, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체층은 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴을 이용한 하나의 사진 공정으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 반도체층,적어도 일부분 상기 반도체층 상부에 형성되어 있는 데이터선,적어도 일부분 상기 반도체층 상부에 형성되어 있으며 상기 데이터선과 떨어져 있는 드레인 전극,상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 제1 절연막,상기 제1 절연막 상부에 유기 물질로 형성되어 있으며 상기 제1 접촉 구멍과 함께 상기 드레인 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지는 제2 절연막, 그리고상기 제2 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 폭이 높이에 따라 다른액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제39항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 폭이 위쪽 보다 아래 쪽이 작은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제40항에서,상기 제1 및 제2 접촉 구멍으로 이루어지는 구멍의 측벽이 계단 모양인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제41항에서,상기 제2 접촉 구멍이 상기 제1 접촉 구멍보다 큰 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제41항에서,상기 제2 접촉 구멍이 상기 제1 절연막의 상면을 적어도 일부분 드러내는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제43항에서,상기 제2 접촉 구멍을 통하여 드러난 상기 제1 절연막의 폭은 0.1 ㎛ 이상인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 삭제
- 제39항 내지 제44항 중 어느 한 항에서,상기 제1 접촉 구멍의 측벽의 경사각과 상기 제2 접촉 구멍의 측벽의 경사각은 서로 다른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제46항에서,상기 제1 접촉 구멍의 측벽의 경사각은 상기 제2 접촉 구멍의 측벽의 경사각보다 작은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제39항에서,상기 화소 전극은 투명 전극 및 반사 전극 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제39항에서,상기 화소 전극은 반사 전극을 포함하며, 상기 제2 절연막의 표면은 요철 패턴을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제39항에서,상기 화소 전극은 투명 전극과 반사 전극을 함께 포함하며 상기 반사 전극은 개구부를 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제39항에서,상기 제1 절연막 또는 상기 게이트 절연막은 상기 게이트선의 일부 또는 상기 데이터선의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍을 가지며,상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 있으며 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트선 또는 상기 데이터선과 전기적으로 연결되어 있는 접촉 보조 부재를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제2 도전체는 투명한 물질로 이루어진 반도체 소자의 제조 방법.
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