TW578240B - Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same - Google Patents

Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TW578240B
TW578240B TW091109515A TW91109515A TW578240B TW 578240 B TW578240 B TW 578240B TW 091109515 A TW091109515 A TW 091109515A TW 91109515 A TW91109515 A TW 91109515A TW 578240 B TW578240 B TW 578240B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating layer
gate
electrode
patent application
layer
Prior art date
Application number
TW091109515A
Other languages
English (en)
Inventor
Chun-Gi You
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW578240B publication Critical patent/TW578240B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

578240 A7 ____________ B7 五、發明説明（） 發明領域： (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) 本發明係關於一半導體元件的接觸結構，其製造方 法，一用於包含接觸結構之顯示器裝，置上的薄膜電晶體 陣列面板，及其製造方法。 發明背景： 大體上，一半導體元件具有多層設置在中間層 (interlayer)絕緣層之間的線層。中間層絕緣層是由具有低介 電係數的物質所製成是所想要的，用以將流經不同線之 間的訊號的干擾減至最小，且傳送相同訊號之不同線層 經由設在中間層上的接觸孔而彼此電氣地相連接。 線· 中間層絕緣層包括一具有低介電係數之有機絕緣 層，其通常是用旋施塗佈技術來形成。當在該有機層底 下的結構具有一陡峭的高度差時，該有機層具有一級階 式高度，這會造成有機物質於旋施塗佈期間被局部化於 一特定的區域上。對於一液晶顯示器（“LCD”）而言，特別 是對於藉由反射外部光線來顯示影像的一反射式LCD及 對於可子在反射模式及透射模式兩種模式下操作的透射-反射式（transflective)LCD而言，這將會減損顯示器的性能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L., 在目前，LCD是一種被廣泛使用的平板顯示器。包 括了兩塊面板之LCD(在兩面板之間設置有電極與液晶層） 藉由施加電壓於電極上來重新對齊在液晶層中的液晶分 來控制通過該液晶層的光線的透射性。在這些LCD中， 最常使用的一種提供至少一電極於每一面板上且包括薄 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 578240
五、發明説明（） 膜電晶體（“TFT”）來開關施加於電極上的電壓。 通4 ’ 一具有TFT的面板除了 TFT之外還包括訊號 導電其具有用來傳送掃描訊號的閘極接線，用來傳送訊 號的資料接線，用來將掃描訊號從外部的裝置傳送到閘 極接線的閘極墊，及用來將影像訊號從外部的裝置傳送 至資料接線的資料墊。該’ TFT陣列面板進—步包括像素 電極其電氣地連接至TFT且位在由閘極接線與資料接線 交點所界定的各別像素區域内。 一反射式LCD或一透射-反射式LcD的一像素電極 包括導電性反射薄膜，其最好是具有壓花用以提高反射 效率來提高顯示器的性能。反射薄膜的壓花係藉由在該 反射薄膜底下提供一具有不平坦性之有機絕緣層來形 成。 然而，導因於底下結構的陡峭高度差之有機絕緣層 的級階式高度會造成該有機絕緣層的不平坦性的不良輪 廓，因而造成該反射層的不均勻壓花而產生污 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明目的及概述： 本發明的目的之一為提供一種半導體元件的接觸結 構用以改善一有機絕緣層的輪廓，其製造方法，一 一接觸結構之TFT陣列面板，及其製造方法。 本發明的另一項目的為簡化一 TFT陣列面板的製造 方法。 為了要解決問題，本發明形成一露出一絕緣層之有 第6頁
578240 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 機絕緣層圖案’然後在該絕緣層之外露部分形成一接觸 孔，該孔可露出一導線。因為絕緣層的接觸孔的關係， 所以在形成該有機絕緣層時沒有高度差。 詳言之，依據本發明之一半導體元件的接觸結構的 製造方法形成一第一導電於一基材上，然後形成一第— 絕緣層覆蓋在該第一導線上。接下來，一有機絕緣物質 被沉積在該第一絕緣層上並形成圖案用以形成一第二絶 緣層其具有一第一接觸孔’該接觸孔將將該第一絕緣層 上與該第一導線相對的部分。接下來，經由該第一接觸 孔而露出來之該第一絕緣層的外露部分藉由使用一光随 圖案之光蚀刻來加以形成圖案用以形成一將該第一導線 露出來的第二接觸孔，然後形成一第二導線其經由該第 二接觸孔連接至該第一導線^ 第一絕緣層最好是包括氮化矽或氧化矽及第二導線 包括反射式導電物質❶該第一接觸孔最好是將該第二接 觸孔的一邊界露出來。 在此時，該第二絕緣層具有一不平坦的圖案於其表 面上是較佳的。 以上所述之製造一半導體元件的方法可被應用至一 用於液晶顯示器的薄膜電晶體陣列面板的製造方法上。 詳吕之’在依據本發明的一用於LCD的TFT陣列面 板的製造方法中，一閘極導線其包括一閘極接線及一連 接至該閘極接線的閘極電極其被形成在一絕緣的基材 上。然後一閘極絕緣層被沉積。接下來，一半導體層及 第7頁 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ι〇χ297公楚------ f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) % .訂- 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240
五、發明説明（ "料導線被形成。該資料導線包括一與該閘極接線交 會的資料接線用以界定一像素區域，一來源電極其連接 至該資料接線並靠近該閘極電極，及，一位在與該源極電 極相對處I汲極電極相對於該值極電極被形成。一第一 絕緣層被沉積’一有機絕緣物質被旋轉塗佈於該第一絕 緣層上。該有機絕緣物質被形成圖案用以形成一第二絕 緣層其具有一第一接觸孔其將該第一緣層之與該汲極電 極相對的部分曝露出來。然後，該第一絕緣層之被外露 的部分是藉由一具有光阻圖案之光蝕刻來加以形成圖 案’用以形成一第二接觸孔其將該汲極電極以及第一接 觸孔曝露出來。一經由該第一及第二接觸孔而連接至該 汲極電極的像素電極被形成。 該像素電極可包括一透明的導電電極或反射式的導 電薄膜。當該像素電極具有該反射式薄膜時，該第二絕 緣層在起表面上具有一不平坦的圖案是所想要的。當該 像素電極包括透明電極及反射式薄膜兩者時，最好是該 反射式薄膜具有一孔洞於該像素區内。 資料導線與該半導體元件可藉由一使用一光阻圖案 之光蝕刻來同時加以形成，其中該光阻圖案的厚度因所 在位置而有所不同。 該閘極導線可進一步包括一閘極墊其連接至閘極接 線的一端，該第一絕緣層或閘極絕緣層可具有一第二接 觸孔其將該閘極墊或資料墊曝露出來。該薄膜電晶體陣 列面板可進一步包括一輔助塾其可透過由與像素電極相 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 一 -— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
578240 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 同的層所製成的第二接觸孔而電氣地連接至該閘極墊或 資料墊。 登明詳、明： 現在’依據本發明的實施例之一半導體元件，其製 造方法’包括接觸結構的TFT陣列面板及其製造方法將 參照隨附的圖式加以說明，這可讓熟悉此技藝者易於實 施本發明。 作為開始，一依據本發明的一實施例之半導體元件 的接觸結構的製造方法將被說明。 大體上，一半導體元件具有多層導線其被設置在中 間層絕緣層之間。中間層絕緣層最好是由具有低介電係 數的物質所製成，用以將流經不同線之間的訊號的干擾 減至最小，且傳送相同訊號之不同線層經由設在中間層 上的接觸孔而彼此電氣地相連接。 一中間層絕緣體最好是包括一絕緣層其最好是由氮 化系或氧化矽製成及一有機層其是由具有低介電係數之 由機絕緣物質所製成。該絕緣層最好是利用化學氣相沉 積（CVD)來形成，而有機層則最好是利用旋轉塗佈來形 成。依據本發明的一實施例，絕緣層在其上形成了該由 機層之後被形成圖案，用以改善該有機層之級階式高度， 該級階式高度係導因於預先被提供在該絕緣層上用來在 該絕緣層形成圖案以形成接觸孔之後塗佈該有機層時， 將底下的導線曝露出的接觸孔的深度，其造成有機物質。 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ' ^" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} %· -訂· 線· 578240 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） A7 B7
在旋轉塗佈期監在一特應的區域局部化。 第1A至1C圖為一半導體元件的接觸結構的剖面 圖’其依序地顯示出依據本發明的一，實施例之製造方法 的步驟。 在依據本發明的一實施例之半導體元件的接觸結構 的製造方法中，首先，一由氮化矽或氧化矽所形成之第 一絕緣3 1 0層被沉積於一基材1 〇〇上，如第1 a圖所示的 該基材上設有一第一導線200。一由具有低介電係數之 之有機絕緣物質形成之第二絕緣層320被塗佈於該第一 絕緣層3 1 0上用以形成一中間層絕緣體3〇〇。之後，該 第二絕緣層320藉由一使用罩幕之微影成像而被形成圖 案用以形成一第一接觸孔330其將絕緣層3 1〇在第一導 線200上的一部分曝露出來。 接下來，如第1B圖所示的，該第一絕緣層31〇之外 露的部分被形成圖案用以藉由使用一光阻圖案的光蚀刻 來形成一第二接觸孔340，其中該光阻圖案具有一位在 第一接觸孔33内部的孔動。 最後，如第3C圖所示的，在光阻圖案被去除之後， 一導電物質被沉積於該第二絕緣層32〇上，且藉由使用 一罩幕之光蝕刻而被形成圖案，用以形成一第二導線5 〇〇 其經由該第一及第二接觸孔330及340而電氣地連接至 第一導線200。 依據本發明的此實施例所得到的半導體元件的接觸 結構包括一側壁其具有一不帶有下切部（yj^ercut)的階梯結 第順 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) % -訂- 線· 578240
五、發明説明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構因為該第一接觸孔330將第一絕緣層310的上表面露 出來。 依據本發明的此實施例之半導體、元件的接觸結構的 製造方法可在對該第一絕緣層310形成圖案之前，去除 掉有機物質在旋轉塗佈該有機絕緣物質製成的第二絕緣 層3 20期間，因為高度差的關係在一特定區域上之局部 化的分布。 同時’依據本發明的此實施例之半導體元件的接觸 結構的製造方法可應用到一 LCD的TFT陣列面板上及其 製造方法。 首先，一依據本發明的一第一實施例之透射—反射式 LCD將參照第2及3圖來加以說明。 第2圖為依據本發明的一第一實施例之透射-反射式 LCD的TFT陣列面板的佈局圖，第3圖為沿著第2圖的 ΠΙ-ΙΙΓ線所取的tft陣列面板的剖面圖。 閘極導線被形成在一絕緣基材1 〇上。該閘極導線 不是由具有低阻值之銀，銀合金，鋁及鋁合金所製成之 單一層’就是包括該單一層在内之複數層。該閘極導線 包括多條值極接線22其大致延伸於橫的方向上，多個閘 桎塾2 4其連接至閘極接線2 2的一端用以接受來自於外 部元件的閘極訊號及將該閘極訊號送至閘極接線22，及 多個TFT的閘極電極26其連接至閘極接線22。鬧極導 線可與（將於稍後被形成之）像素電極及重疊，用 以形成貯存電容器’或可包括多個被施加一來自於/外 第11頁
6靖先¾¾背面之注意事項再續寫本頁} % -訂· 線· 五、發明説明（） 部來源的預定電壓，如一共同電極電壓（其被施加於 面板的共同電極且在下文中被稱為，，共同電壓，，）的貯存上 極，使得貯存電極與（將於稍後被形成之）像素電極8^2 86重疊，用以形成貯存電容器來改善像素之電荷貯存^ 量0 由氮化矽形成之形 閘極導線22，24及26被覆蓋一 成在基材上的閘極絕緣層3 0。 一由非晶碎製成之半導體圖案4〇被形成在閘極絕緣 層30上與閘極墊24相對，且一由珍化物或由大量摻雜 了 η形雜質η+氫化的非晶♦所製成之歐姆接觸層圖案^ 及56被形成在該半導體圖案4〇上。 一資料導線被形成在歐姆接觸層圖案55及56及閘 極絕緣層30上。資料導線包括一由具有低介電係數之導 電物質（如，鋁或銀）所製成之導電層。閘極導線包括多 條延伸於縱方向上之資料接線62且與閘極接線22交會 用以界定像素區，多個源極電極65連接至資料接線62 並延伸至歐姆接觸層圖案55及56的一部分，多個資料 墊68連接至資料接線62的端部用以接受來自於外部元 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 件的影像訊號’及多個汲極電極6 6其與源極電極6 5分 開來且位在歐姆接觸層圖案55及56的其它部分上，且 相對於閘極電極2 6而言是與源極電極5 3相對。 一由氮化矽製成的第一絕緣層7〇被形成於資料導線 62 ’ 65，66及68及半導體圖案40之沒有被資料導線62， 65，66及68蓋住的一部分上，及一第二絕緣層9〇被形 第12頁
D/S240 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 成在孩第一絕緣層7〇上。該第二絕緣層90最好是由一 具有良好的平坦性特徵之有機物質製成。該第二絕緣層 90的上表面具有一均勻的圖案用以讓，一反射薄膜Μ的 反射效率最大化，這將於下文中詳細說明。在具有閘極 塾24及資料墊68的電區域處，第二絕緣層9〇被去除掉， 而第一絕緣層70則仍被保留。此結構去除掉在墊區域處 的有機絕緣物質，因而利於應用至玻璃上晶片（“COG”）式 的LCD上，其中有多個用來將掃描訊號及影像訊號分別 送至閘極墊24及資料墊68之閘極驅動積體電路（“IC”）及 資料驅動1C被直接安裝在該TFT陣列面板上。 多個分別曝露出沒極電極6 6及資料塾6 8的接觸孔 76及78被提供於第一絕緣層7〇處，且多個曝露出閘極 墊24的接觸孔74被提供在閘極絕緣層3〇及第一絕緣層 90處。第一絕緣層9〇具有多個曝露出汲極電極66，第 一絕緣層70上露出汲極電極66的接觸孔76的邊界，及 第一絕緣層70的平坦表面，的接觸孔96。 多個透明的電極82被形成於第二絕緣層9〇上。該 等透明的電極8 2大致位在一像素區域内，且經由接觸孔 76及96而電氣地連接至汲極電極66。 一具有一孔洞85的反射薄膜86被形成在每一透明 的電極8 2上。在像素區p中，一由孔洞8 5所界定的區 域T被成為一透射區，而其餘的區域R則被稱為一反射 區。 透明的電極82最好是由透明的導電物質製成，如銦 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁} J. ¾ -訂· 線· 578240 Α7 —_______ Β7 五、發明説明（） 錫氧化物（“ITO”）或銦鋅氧化物（“IZ0，，），而反射薄膜86 最好是由鋁，鋁合金，銀，銀合金製成。每一反射薄膜 86最好是包括一接觸辅助層其被提供·在一具有透明電極 82的接觸表面上用以確保在該反射薄膜％與透明電極82 之間的良好接觸特性，及該接觸輔助層最好是由鉬，鉬 合金，鉻，鈦或妲製成。 又’多個閘極墊84及多個輔助資料墊88最好是被 形成在第一絕緣層7〇上。輔助閘極墊84及辅助資料墊 88分別經由接觸孔74及78而連接至閘極墊24及資料 塾68。雖然輔助閘極墊84及輔助資料墊88並非是必要 的，但最好是有，用以保護閘極墊24及資料墊68。輔 力閘桎塾84及辅助資料塾最好是由與透明電極82或 與反射薄膜8 6相同的層製成的。 一種依據本發明的第一實施例之製造一用於一透射_ 反射式LCD之TFT陣列面板的方法將參照第4A至9B 圖以及第2至3圖加以說明。 如第4A及4B圖所示，一具有低阻值之導電物質被 沉積於-玻璃基材10±，且藉由使用一罩幕之光蚀刻來 形成圖案用以形成一延伸於大致橫向的方向上之閘極導 線’其包括多條閘極接、線22，多條閘極電極％，及多個 閘極塾24。 接下來’如第5A及5B圖所示的’在依序沉積包括 由氣切製成的值極絕緣層3。，㈣晶成的半導體 層’及-經過摻雜的非晶梦層在内的三層之後…過 第14頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂- 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 五、發明説明（ 摻雜的非晶發層及半導體層藉由使 圖案用以形成—半導體圖案4 罩幕來對其形成 ®銮50认、、 、，至過接雜的非晶矽層 圖案5〇於則極絕緣層3G上與閘Μ”相對。碎層 接下來，如第6A及6B圖所 a f恭麻 听的’一用於資料m飧 的導電層藉由使用一罩幕之微 導、、袁 &圖蚩w w 象術來加以沉積及形 成圖案用以形成一資料導線，其 >合少洛1 丹匕括多條與閘極接線22 父曰：貪料…5,多個連接至資料接線Μ且延伸於 閘極電極26上的源極電極65，多 ； „ ^ ^ ^ 多個連接至資料接線62 的秭部又資料墊68 ,及多個 认… 1U興源極電極65 >開且相對 於閉極電極26而言與源極電極65相對之沒極電極“。 (後，該經過摻雜之非晶q案5Q上沒有被資料線 62 ’ 65,6…8所覆蓋的部分被蚀刻使得該經過接雜 之非晶梦圖案50被分成兩個相對於閑極電極％而言彼 此相對部分55及56,用以露出半導體圖案4〇上介於兩 經過摻雜之非晶矽圖案部分55及56之間的部分。氧電 漿處理最好被實施用以將半導體圖案4〇之外露部分加以 穩定。 如第7A及7B圖所示的，氮化矽利用CVD來加以 沉積用以形成第一絕緣層70,及一具有良好的平坦性之 光感有機物質被塗佈在該第一絕緣層7 〇上用以在將第一 絕緣層70形成圖案之前形成一第二絕緣層9〇 ^依據本 發明的此一實施例，在第一絕緣層7〇形成圖案之前之該 第二絕緣層90的旋轉塗佈可防止有機物質在一特定的區 域上之局邵化的分佈，因為導因於旋轉塗佈期間之第一 第15頁 ---·...........%- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 絕緣層70的高度差已不存在。 之後，第二絕緣層9〇益丄 办I甘 藉由使用一罩幕之微影成像術 來將其形成圖案用以形成心成像術 a 成多個接觸孔，96，其將第一組絡 層7〇上與汲極電極66柏料 將弟絕緣 相對的部分曝露出來，及同時形 成一不平坦的圖案於兮 ^ ^ 於為·弟二絕緣層90的表面上。又，筮 一絕緣層9 0在塾區域虛姑 邻八祐土“供閘極墊24及資料墊68的 刀被去除掉用以露出第-絕緣層70。 接下來’如第8…B圖所示的，第_ 7〇 及閘極絕緣層30藉由使用1 ^ 層 由使用-光阻圖案⑽之光#刻來形 =案用以形成多個接觸孔74,76,78，它們分別將閉 極電極24,沒極電極66及資料塾“曝露出來。將沒極 電極66露出來之第-絕緣層7Q上的接觸孔㈣置入第 二絕緣層90上的接觸孔96内使得第―絕緣層7()的邊界 及平t表面被露出來，因此接觸結構具有級階形狀而沒 有下切邵。最好是’第一絕緣層70在該接觸結構處的外 露表面的寬度為0.1微米或更大些。 之後，如第9A及9B圖所示的，IT〇或IZ〇被沉積 且使用一罩幕來將其形成圖案用以形成多個透明電極82 其經由接觸孔76及96而連接至汲極電極66，多個輔助 閘極塾8 4其經由接觸孔7 4而連接至閘極塾2 4，及多個 輔助資料墊88其經由接觸孔78而連接至資料墊68。 最後，如第2及3圖所示的，一包括具有反射能力 之銀及鋁在内的反射性導電物質被沉積且藉由使用一罩 幕之光蝕刻來形成圖案用以形成多個反射薄膜86於該反 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 ---一—_____Β7_—_ 五、發明說明（） 射性透明電極82上。在此時，每一反射薄膜86最好都 包括一接觸輔助層其是由具有良好的接觸特性的物質加 上其它的物質所製成的，用以改善與透明電極82之間的 接觸特性。 依據本發明的第一實施例，在第一絕緣層70形成圖 案之前之該第二絕緣層90的旋轉塗佈可防止有機物質在 一特定區域上的局部化分佈，因為導因於旋轉塗佈期間 之第一絕緣層70的高度差已不存在，因此可獲得一均勻 之不平坦的圖案於第二絕緣層90上。其結果為，在第二 絕緣層90的不平坦的圖案之後之反射薄膜86的壓花被 均勻地建立，這可防止在用來顯示影像的螢幕上產生污 點0 依據本發明的此實施例之製造一 TFT陣列面板的方 法可完全防止有機絕緣物質留在墊區域上，因為第一絕 緣層70是在形成第二絕緣層90期間有機絕緣物質從墊 區域上被去除掉之後才被形成圖案。因此，用此方法製 造之TFT陣列面板可被有利地應用至一 COG式的LCD 上，其中分別將掃描訊好及影像訊號傳送至閘極墊24及 資料墊68的多個閘極驅動1C及多個資料驅動1C被直接 安裝到該TFT陣列面板上。 在此同時，依據本發明的第一實施例的製造方法可 被用作為一反射式LCD的TFT陣列面板的製造方法。 依據本發明的第二實施例之一反射式LCD的TFT陣 列面板將參照第1 0及11圖來加以詳細說明。 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 如第10及11圖所示的，該結構幾乎與第一實施例 的結構相同。 惟，其與第一實施例不同處在於’，多個反射薄膜86 直接位在第二絕緣層90上且經由多個接觸孔76及96與 多個汲極電極66直接電氣接觸《此外，反射薄膜86佔 據了整個像素區域。 依據本發明的第二實施例之一反射式LCD的TFT陣 列面板的製造方法幾乎與第一實施例的製造方法相同， 直到在第一絕緣層70上形成多個接觸孔74，76及78為 止。 惟，在第二實施例中，多個反射薄膜86是在形成接 觸孔74，76及78之後藉由沉積一反射性導電物質且將 其形成圖案而被形成的，其中該等導電孔將在第一絕源 層70上的多個汲極電極66，多個閘極塾24，及多個資 料墊68曝露出來。 依據本發明的第一實施例的製造方法亦可被應用至 一透射式LCD的TFT陣列面板的製造方法上。 依據本發明的第三實施例之一透射式LCD的TFT陣 列面板將參照第1 2及1 3圖來加以詳細說明。 如第12及13圖所示的，該結構幾乎與第一實施例 的結構相同。 惟，其與第一實施例不同處在於，閘極導線22，以 及26的每一閘極接線22的多個部分比其它的部分來得 寬些用以與對應的透明像素電極82重疊而獲得足夠的男宁 第18頁
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} %· -訂· 線_ 578240 Α7 —____ Β7 五、發明説明（） 存容量。 又，資料導線62，65，及68包括作為貯存電容器 用的一導體圖案64其與閘極接線22，重疊，及由透明的 導電物質製成的像素電極82被直接提供在第二絕緣層90 上。像素電極大致位在像素區域内且經由接觸孔76及79 電氧地連接至多個汲極電極6 6。像素電極8 2經由位在 第一絕緣層70及第二絕緣層90上的接觸孔72及92而 電氣地連接至導體圖案64，且在第一絕緣層7〇及一閘 極絕緣層3 0上將閘極墊24露出來的接觸孔74比閘極墊 24來得寬些。 依據本發明的第三實施例之一透射式L c d的T F T陣 列面板的製造方法幾乎與第一實施例的製造方法相同， 直到在第一絕緣層70上形成多個接觸孔74，76及78為 止。 依據本發明的第三實施例之TFT陣劣面板的製造方 法並不形成一不平坦的圖案於第二絕緣層9〇的表面上， 而是提供一半導體層40其沿著資料導線62，65 , 66及 6 8延伸於縱向上。 在第三實施例中，一透明的導電物質被沉積且形成 圖案用以形成一透明的像素電極86，這是在形成露出一 導體圖案64的接觸孔72, 74, 76及78,多個波極電極 66,多個閘極墊24,及多個資料墊68於第一絕緣層几 上之後後立即實施的。 上述依據本發明的實施例的製造方法可被應用至一 .第19頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
578240 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —-----------、發明說明（） 用在一透射式LCD上的TFT陣列面板的製造方法中，藉 由使用一光阻圖案的光蝕刻來形成一半導體層及一資料 導線’並藉以簡化製程。此方法將參照附圖作進一步的 說明。 首先’將參照第i 4至i 6圖來說明依據本發明的一 實施例之使用四個罩幕製造的一用於LCD上的TFT陣列 面板的單元像素的結構。 第14圖為依據本發明的第四實施例之用於LCD上 的一 TFT陣列面板的佈局圖，及第15與16圖為分別沿 著第14圖的線χν-χν，及χνΐ-χνι，所取之該TFT陣列 面板的剖面圖。 如在弟二實施例中所.示的，一閘極導線被形成在一 絕緣基材1 〇上。該閘極導線最好是由低阻值的物質製 成’如銀’銀合金，鋁及鋁合金。閘極導線包括多條閘 極接線22，多個閘極墊24，及多個閘極電極26。該閘 極導線更包括多個貯存電極28形成在該基材上，其大致 與閘極接線22平行且被施加一預定的電壓，如來自於一 外部來源的共同電壓，該電壓亦被施加至一上面板的共 同電極上。貯存電極28與一連接至像素電極82的一貯 存電容器導體重疊（至將於下文中再作說明）用以形成貯 存電容器用來改善像素之電荷貯存容量。貯存電容器28 可被省略掉，如果該貯存電容因為閘極接線22與像素電 極8 2的重疊的關係而足夠的話。 一最好是由氮化矽製成的閘極絕緣層30被形成在閘 第20頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 578240 A7 B7 五、發明説明（） 極導線22 ’ 23，26及28上，同時覆蓋住閘極導線22， 23 ， 26 及 28 〇 t請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 一最好是由氫化的非晶矽製成的半導體圖案42及48 被形成在該閘極絕緣層3 〇上，且一歐姆接觸圖案或一最 好是由被大量摻雜了 η型雜質，如磷，的非晶矽製成的 中間層圖案55，56，及58被形成在半導體層42及48 上。 線· 一由具有低阻值之鋁基導電物質所製成的資料導線 被形成在歐姆接觸圖案55，56及58上。該資料導電包 括多個資料部.分62，65及68 ,多個TFT的汲極電極66 其大致延伸於縱方向上，及一貯存電容器導體圖案64。 每一資料部分都包括一資料接線62其大致延伸於縱方向 上，一資料墊68其連接至資料接線62的一端用以接收 來自於外部裝置的影像訊號，及多俩源極電極6 5從該 資料接線62分支出來。每一汲極電極66都是從資料部 分62，65及68分開來且相對於對應的閘極電極％或相 關的TFT通道部分而言係被設置在與對應的源極 電極53相對處。因為沒有貯存電極28 ,所以貯存電容 器導體圖案64被提供。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 歐姆接觸圖案55, 56及58扮演降低在其下的半導 體圖案42及48與在其上的資料接線62，64，65，66及 68 <間的接觸電阻的角色。歐姆接觸圖案”，及μ 具有與資料接線62, 64, 65, 6…8大致相同的形狀。 詳言之，資料中間層圖案55具有與資料部分Μ，Μ及 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ΐ〇Χ297公釐)一 578240 A7 B7 五、發明説明（） 大致相同的形狀 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6具有與沒極 電極66大致相同的形狀，及一貯存電交取 合器中間層圖案58 具有與貯存電容器導體圖案68大致相、间# 」 9 Ν的形狀。 半導體圖案42及48具有與資料接 伐、、泉 62，64，65， 66及68及與歐姆接觸圖案55，56及 Μ相同的形狀， 除了 TFT的通道區C之外。詳言之，_ 野存電容器半導 體圖案48具有與貯存電容器圖案64万私 ~存電容器歐姆 接觸層圖案58大致相同的形狀，而一 Γ半導體圖案42 則與資料導線及歐姆接觸層圖案其餘 #日▽部分的形狀稍有 不同。在每一 TFT的通道區C上，雖炊资 …、貧枓邵分62，65 及68，特別是源極電極65與汲極電極6 炫^分開來，且資 料中間層圖案55亦與汲極歐姆接觸層圖案56分開來， 但TFT半導體圖案42並沒有與TFT的通道斷掉刀。开 如第三實施例所示的，一包括了最好是由氮化矽製 成的第一絕緣層70及最好是由具有低介電係數之有機絕 緣物質製成的第二絕緣層9 0的中間層絕緣體被提供於資 料導線62，65，66及68上。該第一絕緣層7〇具有多個 分別將汲極電極66，資料墊68，及貯存電容器導體圖案 64露出來的接觸孔76，78及72，及多個將閘極塾24以 及閘極絕緣層3 0露出來的接觸孔7 4。與第三實施例相 同的，第二絕緣層90從墊區域被去除掉用以將第一絕緣 層70露出來，及接觸孔92與94將第一絕緣層70的邊 界露出來，第一絕緣層為下絕緣層，使得接觸孔72，92 ; 及76，96的侧壁具有階梯形狀。 第2頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂· 線· 578240
五、發明説明（) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多個用來接收來自於TFT的影像訊號且與一上面板 上的电極一起產生電場之像素電極82被形成在低介電係 數的絕緣層90上。像素電極82是由透明的導電物質， i 或ITO ’製成且經由接觸孔％及96電氣地連接 至汲極電極66用以機收影像訊號。又，像素電極82與 相鄰的閘極接線22及相鄰的資料接線62重疊用以提高 孔徑比。然而，重疊可被省略。像素電極82經由接觸孔 72及92而連接至貯存電容器導體圖案64用以傳送影像 訊號。 多個辅助閘極墊84及多個輔助資料墊88被形成在 第一絕緣層70上。輔助閘極墊84及輔助資料墊88係分 別位在閘極塾24與資料墊68上，且分別經由接觸孔74 及78與其相連接。雖然輔助閘極墊84及輔助資料墊88 並非式必要的，但最好是有，用以保護墊24及68及用 以補足介於墊24及68與外部電子裝置之間的黏附性。 在依據本發明的第四實施例之TFT陣列面板中，接 觸孔72，92 ;及76 , 96由於第一絕緣層70之外露的表 面而具有階梯狀的側壁，且第一絕緣層70在墊區域内的 表面被外露而沒有產生下切部分。這可防止像素電極82， 輔助閘極墊84及輔助資料墊88之間的連接斷掉。輔助 閘極墊84及輔助資料墊88至少部分位在第一絕緣層70 上。 在此實施例中，透明的ITO或IZO被舉例作為像素 電極82的物質《然而，對於一反射式的LCD而言，其 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇><297公釐)
578240 A7 五、發明説明（） 最好是使用一不透明的導電物質。
現在，一種具有如第14_16圖所示的結構之LCD的 TFT陣列面板的製造方法將參照帛"_16圖"AW 圖來加以說明。 首先，如第17A-17C圖时-从 圖所不的，一包括了多條閘極 接線22，多個閘及墊24，多 夕個閘極電;極26，及多個貯 存電極28的閘極導線係藉由 m χ 平水1τ褙田，儿積一用作為閘極導線的導 電物質且藉由使用一第一罩葚 旱幕的先蝕刻將其形成圖案而 被形成於一基材10上。該蘭；^迸締 邊閣極導線具有一單一層的結構 其包括一研具有低阻值的物暂，l & Λ Α m叼物貰，如鋁，鋁合金，銀或銀 合金，所製成之單一層。成去 ％进 m 4宥，該導電層具有一多層結 構其包括該單-層以及-由具有良好的接觸特性之導電 物質加上其它物質，如絡.，欽，及輕，製成的層。 接下來，如第1 8A及1 8B圖所示的，一閘極絕緣層 30，一半導體層40，及一中間層5()劣用CVD而依序地 被沉積’使得層30,40及50分別具有15〇〇_5〇〇〇人，5〇〇-2〇〇 A及300-600 A的厚度。一用作為具有低阻值之資料導 線的導電層60係利用濺鍍來沉積的使得層6〇具有ι 500- 3 000 A的厚度，一具有1-2微米厚度的後續的光阻膜11〇 被塗佈在該導電層60上。 接下來，光阻薄膜110經由一第二罩幕而被曝露於 光線下，且被顯影用以形成一光阻圖案11 4及11 2，如 第19A-19C圖所示。光阻圖案1 14及112位在源極電極 65與汲極電極66之間的第一部分114被建立，其厚度 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 B7 五、發明説明（ 小於在資料導線62 , 64，以，66及68所在之資料區A 處之第二部分112的厚度。光阻薄膜在區域B上的部分 被去除掉。在通道區C上的第一部分114對在資料a區 上的第二部分11 2的厚度比可隨著在蝕刻步驟中之蝕刻 條件來加以調整。最好是，第一部分114的厚度等於或 小於第二部分112的一半，特別是等於或小於4〇〇〇入。 該光阻薄膜之與位置相關的厚度可利用數種技術來 獲得。為了要調整在區域C的曝光量，具有一細縫圖案， 一光柵圖案之半透明區，或半透明薄膜被提供於一罩幕 上。 當使用細縫圖案時，介於細縫之間的部分的寬度或 細縫的寬度比用來實施微影成像之曝光機的解析度要來 得小。在使用半透明薄膜的例子中，具有不同透射性或 具有不同厚度的薄膜可被用來調整罩幕的透射性。 當該光阻薄膜經由該罩幕而被照射時，直接被曝露 在該光線下的部分的聚合物幾乎被完全分解，且那些面 向細縫圖案或半透明薄膜的部分則因為曝光量較小而沒 有被完全分解。被擋光的薄膜所擋住的聚合物物分則幾 乎沒有被分解。光阻薄膜的顯影讓沒有被分解之具有聚 合物的部分被留下來，且讓曝露於較少量的光照射下的 部分變的比完全曝露於光罩射下的部分薄。此處要求的 是’不要讓曝光的時間長到足以分解所以的分子。 光阻圖案之薄的部分U4可藉由實施一回流（refl〇w)處 理來讓一可回流的的光阻薄膜流入在曝光及顯影之後沒 第25頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公复) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 ___ B7 五、發明説明（） 有光阻薄膜的區域，使用一具有可完全特光之透特區域 及一可完全阻擋光線之阻斷區域之一般罩幕來獲得。 之後，光阻圖案114以及底下的層，即，導電層60， 中間層50及半導體層40被蝕刻，使得一資料導線及底 下的層被留在該資料區A上，只有半導體層被流在通道 區C上’且所有三個層60，50及40都從區域B上被去 除掉用以露出絕緣層3 0。 如第2〇A及2〇B圖中所示的，導電層60在區域b 上的外露部分被去除掉用以露出底下中間層5〇的部分。 在此步驟中，乾蝕刻及濕蝕刻被選擇性的使用且最好是 在導電層6 0會被選擇性地蝕刻而光阻圖案丨丨2及丨丨4幾 手不θ被蚀刻的條件下實施。然而，可同時蚀刻光阻圈 案1 1 2及1 1 4以及導電層6 0的蚀刻條件對於乾蚀刻將會 是適當的，因為很難可找到只選擇性地蝕刻導電層6〇而 不會蚀刻光阻部分1 12及1 14的條件。在此例子中，第 一部分1 14與在濕蝕刻時比較起來會比較厚用以防止底 下的導電層60因為蝕刻而外露。 乾蚀刻及濕蝕刻兩者都可應用至用作為一含有銘咬 銘合金的資料導線的導電物質上。濕蝕刻，最好是具有 CeNH03蝕刻劑，對於鉻而言是較佳的，因為絡設很難用 乾蚀刻來去除的。然而，一約5 00 A厚的薄鉻膜仍可用乾 蝕刻來加以去除。 因此，如第20A及20B圖所示的，一源極/汲極導體 圖案67(即在通道區C及資料區a上的導電層部分），及 第26頁 本紙張尺度適用中S S家標準(CNS)A4規格(2Η)χ 297公爱) " -------- {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
578240 A7 B7 五、發明説明（） 一貯存電容器導體圖案64被留下來，而在其餘區B上的 導電層60部分則被去除掉用以露出底下之中間層部 分。留下來的導體圖案67及64具有與資料導線62, 64, 65，66及68大致相同的形狀，除了源極電極65及汲極 電極66仍然連在一起沒有斷掉。當使用乾蝕刻時，光阻 圖案112及114亦被蝕刻至一預定的厚度。 接下來，如第21A及21B圖所示的，中間層5〇在B 區域上之外露的部分及半導體層4〇之底下的部分藉由乾 蝕刻與光阻圖案的第一部分114 一起被同步去除掉。中 間層50及半導體層40之依序的乾蝕刻可接在導體圖案 64及67的乾蝕刻之後或可實施同處（in si加）的蝕刻處理。 中間層50及半導體層40的乾蝕刻最好是在光阻圖案ιΐ2 及114,中間層50及半導體層4〇可被同步蝕刻，而閘 極絕緣層30不會被蝕刻的條件下實施。（應被注意的是， 中間層及半導體層並沒有蝕刻選擇性卜詳言之，光阻圖 案H2及U4與半導體層4〇的蚀刻率是相同白卜對於光 阻圖案114與半導體層4〇之相等的蚀刻率而言， 第一部分114的厚度最好是等於或小於中間層5〇與半導 體層40的厚度總和。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以此方式，如第⑴及21b圖所示的，導電層6〇在 通道區C及資料區A上的部分，源極以極導電體圖案 67及貯存電容器導體圖t 64，被留下來，而導電層6〇 在區域B上的部分則被去除掉。又，在通道@ c上的第 一部分114被去除掉用以露出源極/汲極導電體圖案 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規;^(21〇χ297公^---—- 578240 A7 B7 五、發明説明（） 及中間層50與半導體層在區域3上的部分被去除掉用以 露出底下閘極絕緣層3 〇的部分。同時，在資料區A上的 第二邵分1 12亦被蝕刻用以具有變小，的厚度❶在此步驟 中，一半導體圖案42及48的的形成被完成。 標號57及58分別代表在源極/汲極導電體圖案67 底下及在貯存電容器導體圖案64底下的中間層圖案。源 極/汲極導電體圖案67在通道區c上的部分的外露係利 用一獨立的光阻（“PR，，）回蝕刻步驟交替地獲得的，其不 一疋疋在光阻膜被充分地蚀刻的條件下實施的。 留在通道區C上的源極/汲極導電體圖案67的表面 上的殘餘光阻藉由去灰（ashing)處理而被去除掉。 接下來，如第22A及22B圖所示的，在通道區c上 的源極/沒極導電體圖案67的外露部分及在源極/汲極中 間層圖案5 7的底下部分被蚀刻來加以去除。乾蚀刻可被 施用於源極/汲極導電體圖案67及源極/汲極中間層圖案 5 7兩者上。或者，濕蝕刻可被施用於源極/汲極導電體圖 案6 7上’而乾蚀刻可被施用於源極/沒極中間層圖案$ 7 上。在此時，如第22B圖所示的，半導體圖案42的頂部 可被去除掉用以造成厚度變小，且光阻圖案的第二部分 11 2被蝕刻至一預定的厚度。該蝕刻是在閘極絕緣層3 〇 幾乎不會被蚀刻的條件下被實施的，且最好是該光阻膜 夠厚足以防止第二部分112被蚀刻而露出底下的資料導 線 62 ， 64 ， 65 ， 66 及 68 。 以此方式，在完成資料導線62，64，65，66及68 第28頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ' " " 丨、：丨........% 〈請先閲讀背面之注意事喟再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 B7 五、發明説明（） 及底下的歐姆接觸層圖案55，56及58時，源極電極65 及汲極電極66彼此分隔開來的。 最後，留在資料區A上的第二部分1 12被去除掉。 然而，第二部分1 1 2的去除可在介於通道區C上的源極/ 汲極導電體圖案67的去除與中間層圖案57的底下部分 的去除之間來實施。 在資料導線62，64，65，66及68如上所述地完成 之後，氮化矽利用CVD來以沉積用以形成第一絕緣層 70，如第23A-23C圖所示。第二絕緣層90是藉由在對第 一絕緣層70形成圖案之前，將具有良好的平坦度特性及 低介電係數的光感性有機物質旋轉塗佈於第一絕緣層7〇 上來形成的。依據本發明的此實施例之在第一絕緣層7〇 形成圖案之前之第二絕緣層9 0的旋轉塗佈可防止第二絕 緣層90在一特定區域上之局部化的分布，因為導因於旋 轉塗佈期間之第一絕緣層70的高度差已不存在。 之後，第二絕緣層9 0藉由使用一罩幕的微影成像來 加以形成圖案用以形成將第一絕緣層7 0位在汲極電極6 6 上的部分曝露出來的接觸孔96及92，及貯存電容器導 體圖案64。在此時，第二絕緣層90在墊區域處帶有閘 極墊24或資料墊68的部分被去除掉用以露出第一絕緣 層70 〇 參照第24A及24B圖’如第一實施例中所示的，第 一絕緣層7 0以及閘極層3 0藉由使用一光阻圖案1 〇 〇之 光蚀刻來形成圖案用以形成多個接觸孔74, 76, 72及78 , 第29頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公爱) '~ ---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240
五、發明説明( m分別將閘㈣24’沒極電極66’貯存電容器導體圖 案64及資料# 68曝露出來。在第―絕緣層70上將沒極 電極66與，存電容器導體圖案64露.出來之的接觸孔％ 及72被置入第二絕緣層9〇上的接觸孔％及％内。 最後，在去除掉光阻圖案之後’如第14至16圖所 示，具有400-500A厚度的IT〇或IZ〇被沉積且使用一 第四罩幕加以蝕刻用以形成多個連接至汲極電極Μ與貯 存電容器導體圖案64的像素電極82，多個連接至閘極 墊24的辅助閘極墊84，及多個連接至資料墊68的輔助 資料墊84及88。 本發明的第四實施例不只提供第一實施例的優點還 提供一簡化的處理，即資料導線62，64 , 65 , 66及68 , 歐姆接觸層圖案55，56及58及半導體圖案42與48係 使用一個罩幕同步加以形成，且源極與汲極電極6 5與6 6 在此步驟中即彼此被分隔開。 介於驅動1C與利用上述諸方法所製造的用於lCD 的TFT陣列面板的墊之間的連接係使用帶載體封裝 (“TCP”）來實施的，其中驅動ic被安裝在各別的薄膜上， 或是以薄膜上晶片（“ C Ο F ”）的形式來實施的。或者，它們 之間的電氣連接是用上述的COG式來獲得的，其中驅動 1C是直接安裝在一面板上。 如上所述的，當依據本發明形成一有機絕緣層時， 有機絕緣層被旋轉塗佈在底下的絕緣層上同時保持不會 對底下的絕緣層形成圖案之最小的高度差，藉以防止有 第30頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明説明（） 機絕緣物質在特定的區域上被絕部化。這可防止在一反 射式的LCD上的影像污點並改上顯示性能。又，一下絕 緣層的邊界在接觸部分被曝露出來使得接觸孔的侧壁具 有一階梯狀’藉以去除掉接觸，部分的下切。這些特徵可 防止在接觸部分的中斷用以確保接觸部分的可靠度，藉 以改善產品的顯示性能。此外，將製造一用於LCD之TFT 陣列面板時的光蝕刻步驟減至最少可簡化製程並降低製 造成本。 圖式簡單說明： 第1 A至1 C圖為一半導體元件的接觸結構的剖面圖，其 依序地顯示出依據本發明的一實施例之製造方 法； 第2圖為依據本發明的一實施例之一用於透射-反射式 (ti:ansflective)LCD之TFT陣列面板的佈局圖； 第3圖為沿著第2圖的線ΠΙ-ΙΙΙ所取的剖面圖； 第4A，5A，6A，7A，8A及9A圖為依據本發明的一實 施例的製造方法的中間步驟中之用於透射-反射式 (transflective)LCD之TFT陣列面板在的佈局圖； 第4B圖為沿著第4A圖的線iVB-IVB所取的剖面圖； 第5B圖為沿著第5A圖的線v-v，所取的剖面圖姐顯示出 在第4B圖所示的步驟之後的步驟； 第6B圖為沿著第6A圖的線VIB_VIB，所取的剖面圖並顯 示出在第5B圖所示的步驟之後的步驟； 第31頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 578240 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7發明説明（）第7B圖為沿著第7A圖的線VIIB-VIIB，所取的剖面圖並 顯示出在第6B圖所示的步驟之後的步驟； 第8B圖為沿著第8A圖的線VIIIB-VIIIB，所取的剖面圖 並顯示出在第7B圖所示的步驟之後的步驟； 第9B圖為沿著第9A圖的線ΙΧΒ_ΙΧΒ，所取的剖面圖並顯 示出在第8B圖所示的步驟之後的步驟； 第ίο圖為依據本發明的第二實施例之用於一反射式lcd 的TFT陣列面板的佈局圖；第1 1圖為沿著第10圖的線χΙβΧΙ，所取的TFT陣面板的 剖面圖； 第12圖為依據本發明的第三實施例之用於一 LCD的TFT 陣列面板的佈局圖； 第13圖為沿著第12圖的線χπ_ΧΙΙ，所取的TFT陣面板 的剖面圖； 第14圖為依據本發明的第四實施例之用於一 LCD的TFT 陣列面板的佈局圖； 第15及16圖為分別沿著第14圖的線XV-XV’及XVI-XVI， 所取的TFT陣面板的剖面圖； 第17A圖為在依據本發明的第四實施例的TFT陣列面板 製造方法的第一步驟中該TFT陣列面板的佈局 圖， 第17B及17C圖為分別沿著第17A圖的線XVIIB-XVIIB’ 及XVIIC-XVIIC’所取的剖面圖； 第18A及18B圖分別沿著第17A圖的線χνιΙ]3-ΧνιΙΒ’ 第3頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ 297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂- 線· 578240 A7 B7 五、發明説明（） * XVIIC；_XVIIC’所取的剖面圖且顯示在帛17B及 1 7C圖所示的步驟之後的步驟； 第19A圖為TFT陣列面板在帛18A及，i8B圖所示的步驟 之後的步驟中的佈局圖； 第1 9 B及1 9 C圖分別為沿著第丨9 A顧 有斧1圖的線XIXB-XIXB， 及XIXC-XIXc’線所取的剖面圖； 第 20A, 21A 及 22A 圖，及第 20R, _ 汉罘，21B及22B圖分別 為沿著弟 1 9 A圖的線所敢沾立丨二 _的、求所取的剖面圖，且顯示在第 19B及19C圖所示的步驟之後的步騾； 第23A圖為該TFT陣列面板在第22A及22b圖所示的步 驟之後的步驟中之佈局圖； 第23B及23C圖分別為沿著第23A圖的線χχπΐΒ χχπΐΒ， 及XXIIIC-XXIIIC’所取的剖面圖； 第24A圖為該TFT陣列面板在第23B及23c圖所示的步 驟之後的步驟中之佈局圖；及 第24B及24C圖分別為沿著第24A圖的線xxjvb-XXIVB， 及XXIVC-XXIVC’所取的剖面圖，並顯示出在第 23B及23C圖所示的步驟之後的步驟的順序。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖號對照說明： 100 基材 300 中間層絕緣體 310 第一絕緣層 320 第二絕緣層 200 第一導線 330 第一接觸孔 340 第二接觸孔 500 第二導線 第3頂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 578240 A7 B7 五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 閘極接線 24 閘極墊 26 閘極電極 82,86 像素電極 40 半導體圖案 55,56 歐姆接觸層圖案 62 資料接線 65 源極電極 66 沒極電極 68 資料墊 70 第一絕緣層 90 第二絕緣層 76,78 : 接觸孔 74 接觸孔 82 透明電極 96 接觸孔 85 孔 86 反射薄膜 84 輔助閘及墊 88 輔助資料塾 30 閘極絕緣層 40 半導體圖案 50 經過摻雜的非晶矽層圖案 1000 光阻圖案 64 貯存電容器導體圖案 92 接觸孔 42,48 半導體層 53 源極電極 28 貯存電極 58 歐姆接觸層圖案 110 光阻薄膜 112 第二部分 114 第一部分 60 導電層 67 源極/汲極導體圖案 57 源極/汲極中間層圖案 第34頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. )/8240 8 8 8 8 ABCD 、申請專利範圍
    一種半導體裝置的製造方法，該方法包含下列步騾·· 形成一第一導線（wire)於一基材上； 沉積一第一絕緣層蓋住該第一導線； 形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上，該第二絕 緣層具有一第一摔觸孔其將與第一導線相對之第〆 絕緣層露出來； 藉由使用一光阻圖案之光蚀刻處理來對該第/絕 緣層形成圖案用以形成一第二接觸孔其將第一導線 以及第一接觸孔一起露出來；及 形成一第二導線，其經由該第一及第二接觸孔連 接至該第一導線。 ...... C請先閲讀背面之>i意事項#填窝本頁) I MBm 2 •如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第 緣層包含璗化矽或氧化矽。 絕 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 •如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二絕 緣層包含有機絕緣物質。 •如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二絶 緣層包含反射性導電物質。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一接 觸孔將第一絕緣層的頂面露出來。 第35頁 本紙張尺度適财關家標準(CNS)A4規格⑵心撕公變) 線 578240 A8 B8 C8 D8 申請專利範園 6. 一種半導體裝置’其至少包含： 一基材； 一第一導線，其形成在該基材上； 一第一絕緣層，其蓋住該第一導線且具有—第一 接觸孔將第一導線·的至少一部分露出來； 一第二絕緣層，其形成在該第一絕緣層上且具有 一第二接觸孔將第一接觸孔的邊界及第一絕緣層的 頂面露出來；及 一第二導線，其形成在該第二絕緣層上且經由該 第一及第二接觸孔而連接至該第一導線。 7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置’其中該 第二絕緣層包含一有機絕緣物質。 8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置’其中該 第二絕緣層的一表面具有一不均勻的表面。 9. 如申請專利範圍第6.項所述之半導體装置，其中該 第二絕緣層包含反射性導電物質° ίο.如申請專利範圍第6項所述之半導體装置，其中該 第一絕緣層被第二接觸孔露出來的外露表面係等於 或大於0.1微米。 第36頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ο ABCD 一 、申清專利範園 丄I種製造-液晶顯示器之薄膜電晶體陣列面板的方 法，該方法至少包含下列步驟： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,=成一閉極導線（wire)於一絕緣的基材上，該間極 •，匕括閘極接線（line)及一閘極電極其連接至該 閘極接線； 沉積一閘極絕緣層； 形成一半導體層； 形成資料導線，其包括一資料接線與閘極接線 相X會用以界定的像素區，一源極電極其連接至該 資料接線且位在靠近該閘極電極處，及一汲極電極 其位在相對於閘極電極而言與源極電極相對處； 旋轉塗佈一有機絕緣物質於該第一絕緣層上並將 該有機絕緣層形成圖案用以形成一第二絕緣層，其 具有一第一接觸孔將第一絕緣層露出來與汲極電極 相對； 線· 藉由使用一光阻圖案之光蝕刻來將第一絕緣層形 成圖案用以形成一第二接觸孔將第一接觸孔的邊界 及第一絕緣層的頂面露出來；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成一像素電極，其經由該第一及第二接觸孔電 氣地連接至該汲極電極。 12·如申請專利範圍第i i項所述之方法，其中該像素電 極包含一透明的導電電極或一反射式導電薄膜。 第37頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 578240 Α8 Β8 C8 -— ___£8__— 六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第11項所述之方法，其中當該像素 電極具有反射式的薄膜時，該第二絕緣層的一表面 具有一不均句的圖案。 14·如中請專利範圍第13項所述之方法，其中當該像素 電極具有透明的電極與反射式薄膜兩者時，該反射 式薄膜在該像素區中具有一孔。 15·如申請專利範圍第丨丨項所述之方法，其中該資料導 線與半導體層係藉由使用一厚度隨位置而異之光阻 圖案的光蝕刻同步被形成的。 16·如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一接 觸孔將第一絕緣層的上表面露出來。 17· 一種用於液晶顯示器之薄膜電晶體陣列面板，其至 少包含： ' 一閘極導線，其被形成在一基材上且包括一閘極 接線與一閘極電極連接至該閘極接線； 一閘極絕緣層其覆蓋該閘極絕緣層； 一半導體層，其被形成在該閘極絕緣層上； 一資料導線，其被形成在該閘極絕緣層上或該半 導體層上且包括一資料接線與閘極接線相交會用: 界定的像素區，一源極電極其連接至該資料接線： 第38頁 本紙張尺度_ t _家規格⑽: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
    訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 578240 Α8 Β8 C8 __.____D8 六、申請專利範圍 位在靠近該閘極電極處，及一汲極電極其位在相對 於閘極電極而言與源極電極相對處； 一第一絕緣層，其覆蓋該半導體層且具有一第一 接觸孔將該汲極電極露出來； 一第二絕緣層，其被形成在該第一絕緣層上且具 有一第一接觸孔其將汲極電極，第—接觸孔的邊界 及弟一絕緣層的頂面露出來；及 一像素電極，其經由該第一及第二接觸孔電氣地 連接至該汲極電極。· 1 8·如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其中該第二絕緣層包含一有機絕緣物質。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中該像素電極包含一透明的導電電極或—反 射式導電薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20. 如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中當該像素電極具有反射式的薄膜時，該第 二絕緣層的一表面具有一不均勻的圖案。 21. 如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中當該像素電極具有透明的電極與反射式薄 膜兩者時，該反射式薄膜在該像素區中具有一孔。 第39頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 578240 ABCD 六、申請專利範圍 22. 如申請專利範圍第17項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其中該閘極導線更包括一閘極墊其連接至閘極 接線的一端，該資料導線更包括一資料墊其連接至 資料接線的一端，及該第一絕緣層或閘極絕緣層具 有一第二接觸孔將該閘極墊或資料墊露出，及該薄 膜電晶體陣列面板更包含一輔助墊其經由該第二接 觸孔電氣地連接至該閘極墊或資料墊且是用與像素 電極相同的層製成的。 23. 如申請專利範圍第1 7項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其中該第一絕緣層被第二接觸孔露出來的外露 表面係等於或大於〇. 1微米。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 頁 40 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)
TW091109515A 2002-03-07 2002-05-07 Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same TW578240B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20020012086 2002-03-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW578240B true TW578240B (en) 2004-03-01

Family

ID=27785996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091109515A TW578240B (en) 2002-03-07 2002-05-07 Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same

Country Status (5)

Country Link
KR (1) KR100885022B1 (zh)
CN (1) CN100380682C (zh)
AU (1) AU2002255377A1 (zh)
TW (1) TW578240B (zh)
WO (1) WO2003075356A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1673844B (zh) * 2004-03-18 2010-04-28 三星电子株式会社 透反射lcd的制造方法及所制造的透反射lcd

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100647775B1 (ko) * 2004-12-01 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
KR100730161B1 (ko) * 2005-11-11 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치
KR101201972B1 (ko) * 2006-06-30 2012-11-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR20130114996A (ko) * 2012-04-10 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20180066948A (ko) 2016-12-09 2018-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10589980B2 (en) * 2017-04-07 2020-03-17 Texas Instruments Incorporated Isolated protrusion/recession features in a micro electro mechanical system
KR102450621B1 (ko) * 2017-10-12 2022-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109671669A (zh) * 2018-12-25 2019-04-23 信利半导体有限公司 过孔加工方法、基板结构及显示装置
CN111480241B (zh) * 2019-08-05 2024-08-30 厦门三安光电有限公司 一种倒装发光二极管
CN111244144B (zh) * 2020-01-20 2022-05-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178660A (ja) * 1984-02-24 1985-09-12 Nec Corp 半導体装置
US5621556A (en) * 1994-04-28 1997-04-15 Xerox Corporation Method of manufacturing active matrix LCD using five masks
JP3270674B2 (ja) * 1995-01-17 2002-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
JP3980156B2 (ja) * 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP3062491B2 (ja) * 1998-03-26 2000-07-10 松下電器産業株式会社 配線構造体の形成方法
KR100635685B1 (ko) * 1998-05-25 2006-10-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US6297519B1 (en) * 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
JP3479023B2 (ja) * 1999-05-18 2003-12-15 シャープ株式会社 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器
JP2001007203A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Sony Corp 半導体装置の製造方法
CN1195243C (zh) * 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
KR100638525B1 (ko) * 1999-11-15 2006-10-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100443828B1 (ko) * 2000-05-25 2004-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그의 제조방법
KR100684578B1 (ko) * 2000-06-13 2007-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1673844B (zh) * 2004-03-18 2010-04-28 三星电子株式会社 透反射lcd的制造方法及所制造的透反射lcd

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030074089A (ko) 2003-09-19
CN100380682C (zh) 2008-04-09
KR100885022B1 (ko) 2009-02-20
CN1623235A (zh) 2005-06-01
WO2003075356A1 (en) 2003-09-12
AU2002255377A1 (en) 2003-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4801828B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法
TW463383B (en) Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and a method for fabricating the same
US7468527B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
TW544732B (en) Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same
JP3625598B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP4761600B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
TW522570B (en) Manufacturing method of thin film transistor array substrate and its structure
US7522224B2 (en) Array substrate of liquid crystal display and fabricating method thereof
TW526551B (en) Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same
USRE43819E1 (en) Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same
JP4107662B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
TWI294184B (zh)
US20070048910A1 (en) Method For Manufacturing Thin Film Transistor Array Panel For Display Device
TW544934B (en) A vertically aligned mode liquid crystal display
JP4888629B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板の製造方法
US6853405B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display
JP2001324727A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
TW578240B (en) Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same
KR20050067934A (ko) 금속 배선의 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법
TW560072B (en) Thin-film-transistor-array substrate, thin-film-transistor-array fabrication method, and display device
JP2004531086A (ja) 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR100646783B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2006078643A (ja) 半透過型液晶表示装置およびその製造方法
KR100238206B1 (ko) 박막트랜지스터 액정 표시장치및 그 제조방법
TW200428086A (en) LCD device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent