KR100347741B1 - 반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체 및 반사형 액정 디스플레이 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 두 층 이상의 반사성 전면(front surface) 미러(mirror)를 구비하되, 하나 이상의 상부층 미러가 흡수성 후면(back surface)을 갖는 LCD 반사형 디스플레이 어레이에 관한 것이다. 각 화소와 연관된 미러 표면은 화소 출력 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 하부 미러는 3 차원적으로 적절하게 배치되어 있어 100 %에 가까운 개구 충진율(aperture fill)이 달성된다.

Description

반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체 및 반사형 액정 디스플레이 시스템{APERTURE RATIO CELL STRUCTURE FOR REFLECTIVE ARRAYS}
본 발명은 전반적으로 반사형 어레이 디스플레이 장치 분야에 관한 관한 것으로, 보다 구체적으로는 구경비(aperture ratio)를 최대화하는 동시에 광 전력 흡수(oprical power absorption)를 최소화하는 새로운 다중 미러 구조를 제공하는 새로운 반사형 어레이 구조에 관한 것이다.
투과형 또는 반사형 디스플레이 어레이에서는, 필요한 조사량과 어레이에 의한 광 전력(optical power) 흡수를 최소화하기 위하여 셀의 구경비가 가능한 높은 것이 바람직하다. 밝기와 효율이 높아짐에 따라 보다 양질의 디스플레이가 얻어진다.
도 1은 LCD 반사형 디스플레이 광 밸브용 예를 들면 10 ㎛ 피치의 흡수 갭 셀(10)의 실제 레이아웃을 도시하고 있으며 도 2에서는 이의 등가 회로가 도시되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 능동 매트릭스 어레이 LCD 디스플레이에서, 각 화소 셀은 (박막) 트랜지스터(15), 캐패시턴스(20), 다른 구성 요소(도시하지 않음)를 포함하며 잘 알려진 CMOS 제조 기법을 사용하여 제조될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 1 및 2에 도시한 바와 같이 흡수 갭 셀(10)은 다음과 같은 중요한 기능층, 즉, ① 셀의 광학적 특성을 결정하기 위하여 트랜지스터(15) 행의 게이트에 제어 신호를 제공하고, 캐패시터 Csub의 하나의 전극을 형성하며, 기판을 경유하여 대향되는 다른 전극을 갖는 (도핑된 폴리실리콘인) 도전성 P1 층과, ② 능동 트랜지스터(15)의 소스 단자에 데이터 신호를 전송하기 위한 제 1 금속층 M1과, ③ 액정 물질(도시하지 않음)의 아래에 위치하고 있으며, 액정 디스플레이 캐패시터 구성 요소 CLC의 하나의 전극을 형성하며, ITO와 같이 투명한 도전체로 형성된 상부 플레이트 전극을 갖는 상부면 알루미늄 미러층 M2의 중요한 기능층을 포함한다. 또한, 흡수 갭 셀 디자인 제조 공정의 일부로서, M2 및 M1 금속층과 함께 캐패시턴스 CAR을 형성하는 반사 방지(anti-reflecting: AR)층이 형성되어 있다.
도 3a는 선 X1 - X1'에 따른 도 1의 흡수 갭 셀(10)의 단면도를 도시하고 있다. 도 3b는 선 Y1 -Y1'을 따른 도 1의 흡수 갭 셀(10)의 단면도를 도시하고 있다. 도 3a 및 3b에서 도시한 바와 같이, 셀은 영역 RX로 표시되어 있으며 박막 트랜지스터(15)에 대한 게이트 및 드레인/소스 영역을 형성하는, 예를 들어 N+영역인 주입된 실리콘 영역과, 주입된 Si(RX 층)으로 형성된 다른 전극을 갖는 캐패시턴스 CSUB의 하나의 전극과 트랜지스터의 게이트를 형성하는 P1 폴리-Si 도전층과, 능동 트랜지스터 층의 소스 단자(RX)에 데이터 제어 신호를 전송하고 캐패시터 CAR의 다른 단자를 제공하는 제 1 금속화층 M1과, 예를 들어 티타늄 질화물(titanium-nitride), 알루미늄, 티타늄의 삼 층 복합물로 형성된 광 에너지 흡수층(AR)인 제 2 금속화층과, 액정 물질(도시하지 않음) 아래에 위치하고 있으며 액정 셀에 반사광 특성을 제공하는 상부 표면 알루미늄 미러층인 제 3 레벨 금속화층 M2를 포함한다. 도 1 및 도 3a에 도시한 바와 같이, P1 콘택트에 M1 층을 접속하기 위하여 콘택트 CA가 제공된다.
또한 도 3b에 도시한 바와 같이, 셀 전체에 걸쳐서 관통하여 M1과 M2 층 사이에 티타늄 질화물, 알루미늄, 티타늄 반사 방지 또는 흡수층 AR이 제공된다. 알루미늄 코어는 도전성을 제공하고, 티타늄 하부층은 알루미늄과 하부 SiO2사이의 양호한 콘택트와 장벽을 제공하며, 티타늄 질화물 층은 반사 방지 또는 광 흡수를 제공한다. 이 AR 층은 상부 플레이트 전극 전위(접속을 도시하지 않음)로 유지되며, 일반적으로 블랙 모드(black mode)로 편향된 편광 조사광에 대하여 λ/(2*n)의 정수배에 해당하는 깊이로 M2 미러 면 아래에 전형적으로 제조되며, 여기서 λ는 조사광의 파장이다. 알루미늄 미러 M2는 비아 V1에 의하여 AR 흡수층 아래의 금속층 M1과 접촉하는 것으로 도시되어 있는데, 비아 V1은 예를 들어 M1과 M2 층을 접속하는 텅스텐 플러그일 수 있다. 도 1 및 도 3a에 도시한 바와 같이, AR 층을 전기적으로 격리시키기 위하여 비아 V1 주위에 AR 층이 제거된 영역이 존재한다.
도 1에 도시한 (c-Si 기술의) 흡수 갭 화소 셀을 포함하는 능동 매트릭스 어레이에서, M2 반사 미러 표면 영역은 셀 내에 노출된 갭 G를 남기고 화소 표면 영역의 일부분을 덮고 있다. 미러 M1과 M2 사이에 조사 에너지를 흡수하는 AR 층이 갭 G 아래에 위치하고 있다. 따라서, 셀을 향한 조사광이 충분히 큰 세기인 경우, 흡수된 광 전력과 어레이로부터 열을 제거하는 것이 디자인 문제가 될 수 있는데, 그 이유는, 광 밸브 어레이가 전형적으로 조밀하게 패키지화(packaging)되어 있고 방열체(heat sink)를 설치하게 되면 그 크기로 인해 패키지의 크기가 커질 수 있고/있거나 시스템 무게와 소음을 부가하는 추가적인 냉각팬을 필요로 하게 될 수 있기 때문이다. 이는 또한 유리 기판(도시하지 않음)을 사용하는 p-Si 기술로 제조된 흡수 갭 셀도 적용된다. 이들 문제점은 셀 피치가 축소되거나 이원 면적 가중형 미러(binary area weighted mirror)가 사용되는 경우 더욱 악화된다. 따라서, 종래의 흡수 갭 셀 디자인은 감소된 구경비, 즉 감소된 광 반사 효율을 나타낸다.
따라서 구경비를 증가시키는 것이 매우 바람직한데, 이는 구경비의 증가가 필요한 조사량을 감소시키고 어레이 전력 흡수를 줄임으로써, 비용이 절약될 수 있기 때문이다.
따라서, 본 발명은 두 층 이상의 반사성 전면(front surface) 미러를 구비하되, 적어도 하나의 상부층 미러가 흡수성 후면(back side)을 갖는 반사형 디스플레이 어레이에 관한 것이다. 각 화소와 연관된 미러 표면은 화소 출력 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 하부 미러는 3 차원적으로 적절하게 위치하고 있어서 100 %에 가까운 개구 충진율(aperture fill)이 달성된다. 이와 같이, 종전의 흡수 갭은 미러로 대치되었다.
따라서, 본 발명의 원리에 따라 반사형 LCD 디스플레이를 위한 화소 구조가 제공되며, 그 화소 구조는 셀 구조로 지향된 광을 제어 신호에 따라 반사하는 제 1 반사 물질층과, 셀 구조로 지향된 광을 제어 신호에 따라 반사하는 제 1 반사 물질층 위에 위치하고 있는 제 2 반사 물질층과, 광 반사량을 제어하기 위하여 상기 구조체 내의 제 1 및 제 2 반사 물질층으로 제어 신호를 제공하는 수단을 포함하고 있으며, 제 1 및 제 2 반사 물질층을 제공함으로써 반사형 LCD 디스플레이가 상당히 증가된 구경비를 갖게 된다.
본 발명의 장점은 메탈층의 수가 동일하기 때문에 반사형 어레이 디스플레이를 위한 본 발명에 따른 다중 미러 구조의 제조시 반사 셀 흡수 갭 제조 기법에 사용되는 마스크 이외에 어떠한 마스크도 추가로 필요하지 않다는 것이다.
도 1은 LCD 반사형 디스플레이에 대한 기존의 흡수 갭 셀의 실제 레이아웃을 도시한 도면,
도 2는 도 1의 흡수 갭 셀 디자인의 등가 회로를 도시한 도면,
도 3a는 선 X1 - X1'에 따른 도 1의 흡수 갭 셀의 단면도,
도 3b는 선 Y1 - Y1'에 따른 도 1의 흡수 갭 셀의 단면도,
도 4는 본 발명의 반사 갭 화소 셀(100)의 실제 레이아웃을 도시한 도면,
도 5는 도 4의 반사 갭 셀 디자인의 등가 회로를 도시한 도면,
도 6a는 도 4의 반사 갭 셀(100)의 선 X2 - X2'에 따른 단면도,
도 6b는 도 4의 반사 갭 셀(100)의 선 Y2 - Y2'에 따른 단면도,
도 7은 도 4의 4 개의 반사형 LCD 셀을 포함하는 2 x 2 능동 매트릭스 어레이(200)를 도시한 도면,
도 8은 도 7의 반사 갭 셀 능동 매트릭스 어레이(200)의 선 Z1 - Z1'에 따른 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 반사 갭 셀 100' : 반사 갭 화소
101 : 흡수 물질층 200 : 2 x 2 반사 갭 셀 구성
201a -201d : L 형 AR 층 절단부 301, 302 : AR 절단부의 일부분
본 발명의 바람직한 실시예를 명시적으로 도시하고 있는 첨부한 도면을 참조하여 기술한 이하의 상세한 설명으로부터 본 발명의 또 다른 특징 및 장점이 보다 용이하게 명확해질 것이며, 전체 도면에 걸쳐서 동일한 요소는 동일한 참조 부호로 표시되어 있다.
도 4는, 예를 들면 결정질 실리콘(crystalline silicone: c-Si) CMOS 기술을 사용한 투사형 LCD 디스플레이를 위한 본 발명의 반사 갭 화소 셀(100)의 중첩된 층들을 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 반사 셀 디자인(100) 내의 P1 층, RX 층, M1 층, M2 층, CA 콘택트는 도 1의 흡수 셀 디자인(10)에서와 동일하다. 예를 들면, 상부 레벨 미러(M2)는 흡수 셀 디자인(도 1)에서와 동일한 방법으로 패턴화되어 있다. 하지만, 본 발명에 따라, M1 층과 M2 층 사이의 AR 레벨은 예를 들면 알루미늄과 같은 반사 물질로 제조되며, 반사 물질의 밑에는 티타늄 장벽 레벨이 있다. 따라서, 능동 매트릭스 어레이 내의 반사 미러 M2 사이의 갭 내에 노출되어 있는 것은 AR 레벨의 반사 물질이다.
도 6a는 선 X2 - X2'에 따른 도 4의 반사 갭 셀(100)의 단면도를 도시하고 있으며, 도 6b는 선 Y2 - Y2'에 따른 도 4의 반사 갭 셀(100)의 단면도를 도시하고 있다. 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 셀 M2 금속화(미러) 층 밑에는, 예를 들어 약 50 ㎚의 TiN(티타늄 질화물)인 흡수 물질층(101)이 있다. 셀로 향하여 갭 G로 입사하는 조사광이 아마도, 예를 들어 M2 층의 평탄하지 않은 표면과 측벽으로부터의 2 차 반사로 인하여 완전히 평행하지 않기 때문에, 상부 미러의 밑면 또는 배면은 광을 실리콘 기판으로부터 격리시키기 위하여 흡수성일 필요가 있다. 따라서, 흡수성 TiN 층(101)은 능동 매트릭스 어레이 내의 미러 M2 사이의 갭을 통하여 투과되고, 각 화소 내의 AR 층 또는 밑에 있는 임의의 다른 층으로부터 반사되고 나서 M2의 밑면을 향하여 다시 위쪽으로 반사되는 광을 흡수하는 역할을 한다. 예를 들면 광선 경로 내의 AR 층 또는 임의의 다른 층의 표면 거칠기에 의하여 비 평행 반사가 일어날 수도 있다. 일반적인 화학 기계적 연마(Chemech) 공정에 의하여 AR 층 바로 아래의 SiO2층이 평탄화될 수 있다는 것에 주목해야만 한다.
바람직한 실시예에서, AR 레벨에서의 반사 미러 물질의 깊이는 λ/(2*n)의 정수배 깊이인 것이 바람직하며, 여기서 λ는 파장이고 n은 미러를 분리하고 있는 유전체, 예를 들면 Si3N4의 반사율이다. 반사 갭 셀 디자인은 (도 1의) 흡수 갭 셀을 제조하는 데 사용되는 것과 같은 CMOS 소자 제조 기법으로 쉽게 달성되며 어떠한 마스크도 추가로 필요하지 않다. 구체적으로, 도 6a에 도시한 바와 같이 M2 층 밑에 있는 티타늄 질화물은 M2 갭 영역에서 에칭된다. M2 층이 M2 갭 내의 티타늄 질화물을 제거하기 위한 에칭 마스크를 제공하기 때문에, 어떠한 포토리소그래피 마스크 또는 단계도 추가로 필요하지 않게 된다.
보다 구체적으로, 도 3a의 흡수 갭 셀의 단면도에서 AR 흡수층은 티타늄과 티타늄 질화물 사이에 깔려있는 알루미늄으로 이루어진다. 본 발명의 반사 셀 갭 디자인에서는, 질화 티타늄 침착의 순서를 변경시켜서 반사성 상부면과 흡수성 배면을 갖는 미러 M2를 제조할 수도 있다. 결과적으로, 티타늄 질화물, 알루미늄, 티타늄의 3 층 복합체로 이루어진 AR을 갖는 흡수 갭 디자인(도 3a 및 도 3b)에 사용되는 공정과 동일한 공정이 본 발명의 다중 미러 반사 갭 디자인(도 6a 및 도 6b)에 사용될 수 있다. 따라서, 반사 갭 디자인을 위해 새로운 공정을 개발할 필요가 없다.
도 4의 반사 LCD 화소 셀(100)의 제조에 있어서, 동일한 패턴이 x와 y 방향으로 반복되기 때문에 AR층은 반드시 노출된 갭을 갖고 인접 화소로부터 전기적으로 격리되어야만 한다. 전기적 격리를 달성하기 위하여, L형 절단부(101)가 반사 물질 레벨의 AR 레벨 내에 설계되어 어레이의 각 화소를 전기적으로 격리시키는 영역을 형성한다. AR 레벨에서의 광 반사를 제어하기 위한 전기적 접속은 그화소의 M2 미러층에 AR 반사 레벨을 접속하는 추가 비아 V2에 의하여 제공된다. 도 5는 도 4의 반사 갭 셀 디자인의 등가 회로를 도시하고 있다. 반사 AR 층이 존재하며, 반사 AR 층이 비아 V2에 의하여 M2 층과 접속하고 있기 때문에, M2 층과 AR 층 사이에 어떠한 추가적 캐패시턴스도 존재하지 않는다. 또한, M1 층과 M2 층을 접속하는 텅스텐 플러그 V1에 의해 M1과 AR 사이의 캐패시턴스가 제거되어, 도 5의 종래 기술의 캐패시턴스 CAR가 사실상 제거된다.
도 7은 (로 나타낸) 4 개의 L 형 AR 층 절단부(201a 내지 201d)에 의하여서로 각각 전기적으로 격리되어 있는 도 4의 반사 화소 셀을 갖는 2 x 2 반사 갭 셀 구성(200)을 도시한다. 도 7에 하나의 반사 갭 화소(100')를 도시한다. 화소(100')에 있어서, 둘러싸인 것으로 도시한 AR 절단부(201a)의 일부분(301)은 인접 열 화소의 미러들 M2 사이의 갭 G 내에서 노출되어 있다. 이와 마찬가지로, 둘러싸인 것으로 도시한 AR 절단부(201d)의 일부분(302)은 인접한 행 화소의 미러들 M2 사이의 갭 G 내에서 노출되어 있다. 화소 셀(100') 내의 다른 모든 영역에는 AR 반사층이 노출되어 있다. 따라서, 위치(301, 302)만이 반사 갭 LCD 화소 셀 내에서 광을 셀 안으로 전달시키는 유일한 영역이다. 하지만, 디자인 내의절단 부분(AR 층 절단부)(301, 302)의 존재로 인한 구경비의 어떠한 감소도 사실상 미미한 것이라는 점에서 주목해야만 한다.
도 8은 도 7의 선 Z1 - Z1'에 따른 2 x 2 반사 갭 셀 구성(200)의 단면도를 도시한다. 도 8에 도시한 바와 같이, AR 층이 연속이지 않은 적은 영역(301), 즉 AR 절단부가 존재하기 때문에 조사된 광 L1이 M2 갭 G 내에서 AR 레벨을 통과하는 경로를 갖는다. M1 층만이 밑에 있는 c-Si 회로를 보호하는 남아있는 유일한 층이다. 도 8에 도시한 바와 같이, M1이 AR 절단부(301) 바로 아래에서는 수평 형상을 갖고 있으나, M1 층 형상의 일부분은, 예를 들면 광선 L2와 같이 경사각을 갖는 광선의 방향을 c-Si 회로의 더 안쪽으로 가게 바꿀 수 있다. 하지만, 실제 디자인에서 광원과 그 광원으로부터의 광선은 광 밸브에 대해서 거의 수직이며 예를 들어 광 밸브에 수직 방향으로부터 1°이상 벗어나지 않게 평행하게 조사된다는 것에 유의하여야 한다. 따라서, 광선 L2만이 유일한 광 손실을 나타내며 (반사되어 되돌아가지 않는 광임), 광 손실은 실제 광 밸브 디자인에서는 거의 영이 된다.
M2 미러 중첩량은 미러 면 사이의 간격과 반사당 흡수량에 의존한다. 인접 화소의 미러 M2 사이의 간격이 λ/n, 여기서 λ는 광 파장이고 n은 미러를 분리하는 유전체, 예를 들어 Si3N4의 반사율로서, 예를 들어 약 0.55 ㎛/1.9 = 0.29 ㎛이며, 미러의 후면에서 30 %의 반사가 이루어지고, 조사 광학계가 0.15 N.A.를 갖는다고 가정하면, 0.5 ㎛의 미러 중첩은 최대 경사 광선(maximum angle ray)의 진폭을 104의 오더(order)로 줄일 수 있다.
본 명세서에서 기술한 바와 같은 본 발명의 원리가 셀 영역당 둘 이상의 상이한 크기를 갖는 미러가 제공되는 이원 가중형(binary weighted) 미러 셀 디자인에 쉽게 응용될 수 있다는 것을 알 수 있다.
본 발명을 본 발명의 예시적이며 기결정된 실시예를 참조하여 구체적으로 도시하고 기술하였지만, 당업자라면 첨부한 특허 청구 범위의 범주에 의해서만 단지 제한되어야 하는 본 발명의 사상과 범주를 벗어나지 않고 형태 및 세부적 사항에 대한 전술한 변화와 다른 변화가 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
본 발명에 따라 LCD 반사형 디스플레이 어레이의 AR 절단부를 하부 미러의 편평한 부분 위에 위치하도록 3 차원으로 적절하게 배치함으로써, 상당히 증가된 구경비가 얻어진다.

Claims (18)

  1. 반사형 액정 디스플레이(reflective liquid crystal display)용 셀 구조체에 있어서,
    화소 제어 신호에 따라 상기 셀 구조체로 향하는 광을 반사하는 제 1 반사 물질층―제 1 사전 한정 영역(a first predetermined bounded area)으로 된 상기 제 1 반사 물질층은 화소 표면 영역보다 작은 반사 표면 영역을 제공하여 상기 셀 구조체 내에 에워싸는 노출 갭 영역(a surrounding exposed gap area)을 규정하며, 이에 의해 상기 셀 구조체의 구경비는 화소 표면 영역으로 반사되는 입사광의 광량에 따라 규정됨―과,
    상기 제 1 반사 물질층 아래에서 그와 일대일 대응하게 중첩 관계로 배치되는 제 2 반사 물질층―상기 제 2 반사 물질층은 제 2 사전 한정 영역으로 되어 있고 상기 노출 갭 영역 아래에 위치하여 반사광을 다시 상기 노출 갭을 통과하도록 하여 상기 셀 구조체에 의해 반사되는 총 광량을 증가시킴―과,
    상기 셀 구조체 내의 상기 제 1 반사 물질층과 제 2 반사 물질층에 공통 화소 전압 제어 신호를 제공하여 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층의 반사량을 동시에 제어하도록 상기 제 1 반사 물질층과 상기 제 2 반사 물질층을 전기적으로 접속하는 수단을 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 반사 물질층을 구비함으로써, 상기 제 2 반사 물질층이 상기 제 1 반사 물질층에 의해 규정된 상기 노출 갭을 채우게 되어 반사형 액정 디스플레이의 구경비(aperture ratio)가 증가된
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 물질층 바로 아래에 배치되어 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광의 바람직하지 않은 반사광을 흡수하는 제 3 흡수 물질층을 더 포함하는
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    셀 구조체에 대한 2 차원적인 경계를 규정하는 수단을 더 포함하되, 상기 수단은, 상기 셀 구조체 내에 위치하고 있으며 상기 셀 구조체의 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층의 반사 영역보다 작은 표면 영역을 규정하는 비반사 물질(a non-reflecting material)을 포함하는
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사 물질층은, 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광이 상기 제 1 반사 물질층으로부터 반사되는 광과 위상이 일치하도록 하는 깊이만큼 상기 제 1 반사 물질층 아래에 배치되는
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사 물질층은, 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광이 상기 제 1 반사 물질층으로부터 반사되는 광과 위상이 일치하지 않도록 하는 깊이만큼 상기 제 1 반사 물질층 아래에 배치되는
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀 구조체 내의 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층에 제어 신호를 제공하는 상기 수단은 반도체 트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는
    반사형 액정 디스플레이용 셀 구조체.
  9. 독립적으로 제어 가능한 다수의 반사 갭 셀 구조체들을 갖는 반사형 액정 디스플레이 능동 매트릭스 어레이 스크린 디스플레이 시스템에 있어서,
    각각의 반사 셀 구조체가,
    화소 제어 신호에 따라 상기 셀 구조체로 향하는 광을 반사하는 제 1 반사 물질층―제 1 사전 한정 영역(a first predetermined bounded area)으로 된 상기 제 1 반사 물질층은 화소 표면 영역보다 작은 반사 표면 영역을 제공하여 상기 셀 구조체 내에 에워싸는 노출 갭 영역(a surrounding exposed gap area)을 규정하며, 이에 의해 상기 셀 구조체의 구경비는 화소 표면 영역으로 반사되는 입사광의 광량에 따라 규정됨―과,
    상기 제 1 반사 물질층 아래에서 그와 일대일 대응하게 중첩 관계로 배치되는 제 2 반사 물질층―상기 제 2 반사 물질층은 제 2 사전 한정 영역으로 되어 있고 상기 노출 갭 영역 아래에 위치하여 반사광을 다시 상기 노출 갭을 통과하도록 하여 상기 셀 구조체에 의해 반사되는 총 광량을 증가시킴―과,
    상기 셀 구조체 내의 상기 제 1 반사 물질층과 제 2 반사 물질층에 공통 화소 전압 제어 신호를 제공하여 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층의 반사량을 동시에 제어하도록 상기 제 1 반사 물질층과 상기 제 2 반사 물질층을 전기적으로 접속하는 수단을 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 반사 물질층을 구비함으로써, 상기 제 2 반사 물질층이 상기 제 1 반사 물질층에 의해 규정된 상기 노출 갭을 채우게 되어 반사형 액정 디스플레이의 구경비(aperture ratio)가 증가된
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 반사 물질층 바로 아래에 배치되어 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광의 바람직하지 않은 반사광을 흡수하는 제 3 흡수 물질층을 더 포함하는
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    셀 구조체에 대한 2 차원적인 경계를 규정하는 수단을 더 포함하되, 상기 수단은, 상기 셀 구조체 내에 위치하고 있으며 상기 셀 구조체의 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층의 반사 영역보다 작은 표면 영역을 규정하는 비반사 물질을 포함하는
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 반사 물질층은, 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광이 상기 제 1 반사 물질층으로부터 반사되는 광과 위상이 일치하도록 하는 깊이만큼 상기 제 1 반사 물질층 아래에 배치되는
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 반사 물질층은, 상기 제 2 반사 물질층으로부터 반사되는 광이 상기 제 1 반사 물질층으로부터 반사되는 광과 위상이 일치하지 않도록 하는 깊이만큼 상기 제 1 반사 물질층 아래에 배치되는
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 셀 구조체 내의 상기 제 1 및 제 2 반사 물질층에 제어 신호를 제공하는 상기 수단은 반도체 트랜지스터 및 캐패시터를 포함하는
    반사형 액정 디스플레이 시스템.
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