JP2000275663A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
- Publication number
- JP2000275663A JP2000275663A JP11083689A JP8368999A JP2000275663A JP 2000275663 A JP2000275663 A JP 2000275663A JP 11083689 A JP11083689 A JP 11083689A JP 8368999 A JP8368999 A JP 8368999A JP 2000275663 A JP2000275663 A JP 2000275663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- electrode
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】信号配線や電極のパターニング工程を簡略化
し、端子部での電蝕等を防止して信頼性を高めた液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】基板１に電極および／または信号配線を形
成する際に、基板１上に成膜したクロム等の金属膜２上
にエッチングレートが大なるアモルファスの酸化導電膜
３を積層し、一回のフォトリソグラフィ処理で一括して
エッチング加工する。
し、端子部での電蝕等を防止して信頼性を高めた液晶表
示装置を提供する。 【解決手段】基板１に電極および／または信号配線を形
成する際に、基板１上に成膜したクロム等の金属膜２上
にエッチングレートが大なるアモルファスの酸化導電膜
３を積層し、一回のフォトリソグラフィ処理で一括して
エッチング加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置とそ
の製造方法に係り、特に薄膜トランジスタ等の能動素子
を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置とその
製造方法に関する。
の製造方法に係り、特に薄膜トランジスタ等の能動素子
を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置とその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、基本的には少なくとも
一方が透明なガラス等からなる二枚の基板の間に液晶層
を挟持した液晶パネルを用い、二枚の基板のそれぞれに
形成した画素形成用の電極に選択的に電圧を印加して所
定画素の点灯と消灯を行う型式（所謂、単純マトリクス
型）と、上記の種電極に画素選択用の能動素子（スイッ
チング素子）を配置した液晶パネルを形成してこの能動
素子を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う
型式（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を能動素子
として用いるアクティブマトリクス型）とに大別され
る。
一方が透明なガラス等からなる二枚の基板の間に液晶層
を挟持した液晶パネルを用い、二枚の基板のそれぞれに
形成した画素形成用の電極に選択的に電圧を印加して所
定画素の点灯と消灯を行う型式（所謂、単純マトリクス
型）と、上記の種電極に画素選択用の能動素子（スイッ
チング素子）を配置した液晶パネルを形成してこの能動
素子を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う
型式（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を能動素子
として用いるアクティブマトリクス型）とに大別され
る。
【０００３】特に、後者のアクティブマトリクス型の液
晶表示装置は、コントラスト性能、高速表示性能等から
液晶表示装置の主流となっている。
晶表示装置は、コントラスト性能、高速表示性能等から
液晶表示装置の主流となっている。
【０００４】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
には、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成し
た電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界を
印加する縦電界方式と、一方の基板にのみ形成した電極
間に液晶層の配向方向を変化させる電界を基板と平行な
方向で形成させる横電界方式（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｍｏｄｅ）とがある。
には、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成し
た電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界を
印加する縦電界方式と、一方の基板にのみ形成した電極
間に液晶層の配向方向を変化させる電界を基板と平行な
方向で形成させる横電界方式（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｍｏｄｅ）とがある。
【０００５】これらの液晶表示装置では、その液晶パネ
ルの各電極に走査信号や映像信号を供給するための信号
配線が液晶パネルの表示領域からその端縁の端子部まで
形成されている。
ルの各電極に走査信号や映像信号を供給するための信号
配線が液晶パネルの表示領域からその端縁の端子部まで
形成されている。
【０００６】各配線の端子部における駆動回路チップ
（駆動ＩＣ）、あるいは駆動ＩＣを搭載したフレキシブ
ルプリント基板を接続する接続部は、接触抵抗の増加な
どの不具合が生じないように、酸化物の導電膜で被覆し
てある。
（駆動ＩＣ）、あるいは駆動ＩＣを搭載したフレキシブ
ルプリント基板を接続する接続部は、接触抵抗の増加な
どの不具合が生じないように、酸化物の導電膜で被覆し
てある。
【０００７】この酸化物の導電膜として、縦電界方式の
液晶表示装置では、酸化物透明導電膜を用いており、こ
の酸化物透明導電膜で端子部を被覆している。
液晶表示装置では、酸化物透明導電膜を用いており、こ
の酸化物透明導電膜で端子部を被覆している。
【０００８】しかし、横電界方式の液晶表示装置では、
基板に平行に形成した電極間（画素電極と対向電極の
間）で電界を形成して液晶層の配向方向を変化させるも
のであるため、透明電極は不要である。
基板に平行に形成した電極間（画素電極と対向電極の
間）で電界を形成して液晶層の配向方向を変化させるも
のであるため、透明電極は不要である。
【０００９】一方では、端子部の信頼性を確保するた
め、すなわち、通電により配線や電極の形成材料が酸化
して腐食または溶解する電蝕を防止するために、端子部
を化学的に安定な酸化物である透明導電膜で被覆してい
る。
め、すなわち、通電により配線や電極の形成材料が酸化
して腐食または溶解する電蝕を防止するために、端子部
を化学的に安定な酸化物である透明導電膜で被覆してい
る。
【００１０】なお、この種の横電界方式の液晶表示装置
を開示したものとしては、例えば特公昭６３−２１９０
７号公報、米国特許第４３４５２４９明細書などを挙げ
ることができる。
を開示したものとしては、例えば特公昭６３−２１９０
７号公報、米国特許第４３４５２４９明細書などを挙げ
ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、横電
界方式の液晶表示装置では、画素領域に透明導電膜を形
成することが不要であるにも係わらず、端子部ではその
接続安定性を確保するために酸化物からなる透明導電膜
が必要とされることから、表示領域と端子部全ての信号
配線および各電極を金属膜の上層に透明導電膜を被覆し
た構造とせざるを得ず、フォトリソグラフィによるエッ
チング加工（ウエットエッチング）の工程数を削減する
上での問題となっていた。
界方式の液晶表示装置では、画素領域に透明導電膜を形
成することが不要であるにも係わらず、端子部ではその
接続安定性を確保するために酸化物からなる透明導電膜
が必要とされることから、表示領域と端子部全ての信号
配線および各電極を金属膜の上層に透明導電膜を被覆し
た構造とせざるを得ず、フォトリソグラフィによるエッ
チング加工（ウエットエッチング）の工程数を削減する
上での問題となっていた。
【００１２】端子部の金属膜のパターニング加工に加え
て、酸化物の透明導電膜のパターニングのためにさらに
１回のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を要
し、端子部のパターニング加工のために最低でも２回の
フォトリソグラフィ工程が必要であった。
て、酸化物の透明導電膜のパターニングのためにさらに
１回のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を要
し、端子部のパターニング加工のために最低でも２回の
フォトリソグラフィ工程が必要であった。
【００１３】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、横電界方式の液晶表示装置における信号配線や
電極のパターニング工程を簡略化すると共に、端子部で
の電蝕等を防止して信頼性を高めた液晶表示装置とその
製造方法を提供することにある。
解消し、横電界方式の液晶表示装置における信号配線や
電極のパターニング工程を簡略化すると共に、端子部で
の電蝕等を防止して信頼性を高めた液晶表示装置とその
製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、異種金属間の腐食電位差による腐食速度
（エッチングレート）の相違を利用してパターニングし
て形成した信号配線と各種電極を具備する横電界方式の
液晶表示装置を得る点に特徴を有する。
に、本発明は、異種金属間の腐食電位差による腐食速度
（エッチングレート）の相違を利用してパターニングし
て形成した信号配線と各種電極を具備する横電界方式の
液晶表示装置を得る点に特徴を有する。
【００１５】本発明の代表的な構成を記述するれば、下
記のとおりである。すなわち、 （１）金属膜上にエッチングレートが大なるアモルファ
スの酸化導電膜を配した積層構造からなる電極および／
または信号配線を形成する。
記のとおりである。すなわち、 （１）金属膜上にエッチングレートが大なるアモルファ
スの酸化導電膜を配した積層構造からなる電極および／
または信号配線を形成する。
【００１６】（２）走査信号配線を通して走査信号を印
加するゲート電極、映像信号配線を通して映像信号を印
加するドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジ
スタ、および対向電極を形成した一方の基板と、少なく
ともカラーフィルタを有する他方の基板とからなり、前
記一方の基板と他方の基板の間に液晶層を封入した液晶
表示装置であって、前記走査信号配線、映像信号配線、
ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、対向電極の全
部または一部を、エッチングレートの大なるアモルファ
スの酸化導電膜を金属膜の上層に配した積層構造で形成
した。
加するゲート電極、映像信号配線を通して映像信号を印
加するドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジ
スタ、および対向電極を形成した一方の基板と、少なく
ともカラーフィルタを有する他方の基板とからなり、前
記一方の基板と他方の基板の間に液晶層を封入した液晶
表示装置であって、前記走査信号配線、映像信号配線、
ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、対向電極の全
部または一部を、エッチングレートの大なるアモルファ
スの酸化導電膜を金属膜の上層に配した積層構造で形成
した。
【００１７】（３）（１）または（２）における前記金
属膜が腐食電位の異なる２種の材料の積層から構成し
た。
属膜が腐食電位の異なる２種の材料の積層から構成し
た。
【００１８】（４）そして、上記の信号配線および／ま
たは各種電極を、エッチング液中で金属膜より低い腐食
電位を有するアモルファスの酸化導電膜を金属膜の上層
に配した積層構造薄膜を成膜し、この積層構造薄膜を一
度のフォトリソグラフィによるエッチング処理工程で所
要のパターニング加工を施す。
たは各種電極を、エッチング液中で金属膜より低い腐食
電位を有するアモルファスの酸化導電膜を金属膜の上層
に配した積層構造薄膜を成膜し、この積層構造薄膜を一
度のフォトリソグラフィによるエッチング処理工程で所
要のパターニング加工を施す。
【００１９】（５）（４）における前記積層構造の金属
膜がクロムまたはクロム−モリブデン合金であり、酸化
導電膜がインジウム−錫−オキサイドであることを特徴
とする。
膜がクロムまたはクロム−モリブデン合金であり、酸化
導電膜がインジウム−錫−オキサイドであることを特徴
とする。
【００２０】（６）なお、上記のアモルファスの酸化導
電膜の材料として、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）
の酸化物を用いる。
電膜の材料として、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）
の酸化物を用いる。
【００２１】（そして、上記金属膜の材料として、クロ
ーム（Ｃｒ）、クローム−モリブデン（Ｃｒ−Ｍｏ）、
クローム−タングステン（Ｃｒ−Ｗ）などが使用でき
る。
ーム（Ｃｒ）、クローム−モリブデン（Ｃｒ−Ｍｏ）、
クローム−タングステン（Ｃｒ−Ｗ）などが使用でき
る。
【００２２】上記の構成により、本発明の目的が達成さ
れる理由は次のとおりである。すなわち、横電界方式の
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス型液晶パ
ネルを作成する際、２枚の基板の一方にゲート配線（走
査信号配線）、ドレイン配線（映像信号配線）、ソース
電極（ソース電極は画素電極に接続するが、ここでは、
画素電極も含めてソース電極と言う）、対向電極（コモ
ン電極とも言う）を形成する。
れる理由は次のとおりである。すなわち、横電界方式の
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス型液晶パ
ネルを作成する際、２枚の基板の一方にゲート配線（走
査信号配線）、ドレイン配線（映像信号配線）、ソース
電極（ソース電極は画素電極に接続するが、ここでは、
画素電極も含めてソース電極と言う）、対向電極（コモ
ン電極とも言う）を形成する。
【００２３】これらの配線あるいは電極を１層または２
層の金属膜の上層に金属酸化物膜を積層した多層構造で
形成する。この多層構造を構成する金属酸化物膜は配線
の端子部において当該端子の酸化によるプリント基板の
配線や駆動ＩＣと配線との接続の信頼性を確保する。こ
れにより、端子部の保護のためだけにフォトリソグラフ
ィ工程を増加させる必要がなくなる。
層の金属膜の上層に金属酸化物膜を積層した多層構造で
形成する。この多層構造を構成する金属酸化物膜は配線
の端子部において当該端子の酸化によるプリント基板の
配線や駆動ＩＣと配線との接続の信頼性を確保する。こ
れにより、端子部の保護のためだけにフォトリソグラフ
ィ工程を増加させる必要がなくなる。
【００２４】さらに、この酸化物導電膜をアモルファス
状態の酸化膜とすることで、下層の金属膜との同一のエ
ッチングで加工することが可能となる。結晶状態の酸化
物は金属配線用の強酸性エッチャント（エッチング液）
では極めてエッチングされ難いため、通常は別のエッチ
ャントを用いたエッチング処理が必要になる。
状態の酸化膜とすることで、下層の金属膜との同一のエ
ッチングで加工することが可能となる。結晶状態の酸化
物は金属配線用の強酸性エッチャント（エッチング液）
では極めてエッチングされ難いため、通常は別のエッチ
ャントを用いたエッチング処理が必要になる。
【００２５】結晶状態の酸化膜はエッチャント中での腐
食電位が高く、したがって、金属配線用のエッチャント
中でほとんどエッチングされないためである。しかし、
アモルファス状態の酸化膜は金属配線用のエッチャント
中でもその腐食電位が低く、金属膜と同等である。
食電位が高く、したがって、金属配線用のエッチャント
中でほとんどエッチングされないためである。しかし、
アモルファス状態の酸化膜は金属配線用のエッチャント
中でもその腐食電位が低く、金属膜と同等である。
【００２６】そのため、エッチャント、金属膜、および
酸化膜の各々の組成を最適化することで、同一のエッチ
ャントを用いて金属膜と酸化膜の両者を同時にエッチン
グ加工することが可能となる。
酸化膜の各々の組成を最適化することで、同一のエッチ
ャントを用いて金属膜と酸化膜の両者を同時にエッチン
グ加工することが可能となる。
【００２７】上記各々の組成の組合せの最適材料として
は、例えばエッチャントとして硝酸第２セリウムアンモ
ニウム水溶液を主成分とするエッチャント、りん酸、硝
酸、酢酸を主成分とするエッチャントである。
は、例えばエッチャントとして硝酸第２セリウムアンモ
ニウム水溶液を主成分とするエッチャント、りん酸、硝
酸、酢酸を主成分とするエッチャントである。
【００２８】また、金属膜としては、純クローム（Ｃ
ｒ）およびその合金、モリブデン（Ｍｏ）およびその合
金、またはこれらの積層膜である。
ｒ）およびその合金、モリブデン（Ｍｏ）およびその合
金、またはこれらの積層膜である。
【００２９】そして、酸化膜すなわち酸化物導電膜とし
ては、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）および酸素
（Ｏ）からなる酸化物である。特に、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ膜
はクローム（Ｃｒ）膜またはモリブデン（Ｍｏ）膜の形
成時とほぼ同様の高い基板温度においてもアモルファス
構造を維持し、しかも成膜温度が高いために、金属膜と
の密着性が確保できるという特徴を有する。
ては、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）および酸素
（Ｏ）からなる酸化物である。特に、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ膜
はクローム（Ｃｒ）膜またはモリブデン（Ｍｏ）膜の形
成時とほぼ同様の高い基板温度においてもアモルファス
構造を維持し、しかも成膜温度が高いために、金属膜と
の密着性が確保できるという特徴を有する。
【００３０】酸化物導電膜と金属膜との積層配線をウエ
ットエッチングする際、同一のエッッチャントでエッチ
ングできるだけでなく、各々のエッチングレートを調整
することで配線の端面形状を順テーパ状に加工すること
ができる。
ットエッチングする際、同一のエッッチャントでエッチ
ングできるだけでなく、各々のエッチングレートを調整
することで配線の端面形状を順テーパ状に加工すること
ができる。
【００３１】配線端面を順テーパ状に加工することで、
その上部に被覆する膜のカバレージを改善することがで
きる。すなわち、最下部のゲート配線および対向配線を
テーパ加工することで、ゲート絶縁膜、ａ−Ｓｉ膜（半
導体層）、ドレイン配線、およびソース配線（電極）の
形状も同様に順テーパ状に加工され、最上層のパッシベ
ーション膜（ＰＡＳ膜）のカバレージを改善し、ＰＡＳ
膜のカバレージ不良による配線腐食を防止できる。
その上部に被覆する膜のカバレージを改善することがで
きる。すなわち、最下部のゲート配線および対向配線を
テーパ加工することで、ゲート絶縁膜、ａ−Ｓｉ膜（半
導体層）、ドレイン配線、およびソース配線（電極）の
形状も同様に順テーパ状に加工され、最上層のパッシベ
ーション膜（ＰＡＳ膜）のカバレージを改善し、ＰＡＳ
膜のカバレージ不良による配線腐食を防止できる。
【００３２】さらに、全ての配線の最上部が酸化物で覆
われていることから、フォトリソグラフィ工程での感光
レジストと配線膜との密着性を金属膜のみの場合に比較
して大幅に向上させることができるという利点もある。
われていることから、フォトリソグラフィ工程での感光
レジストと配線膜との密着性を金属膜のみの場合に比較
して大幅に向上させることができるという利点もある。
【００３３】なお、本発明は、上記の構成とその説明に
限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱する
ことなく、種々の変更が可能であることは言うまでもな
い。
限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱する
ことなく、種々の変更が可能であることは言うまでもな
い。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
き、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】〔実施例１〕図１は本発明による液晶表示
装置の第一実施例を説明する要部の模式断面図である。
また、図２は本発明による液晶表示装置の第一実施例を
説明するアクティブマトリクス基板上に形成した一画素
部分の模式平面図である。
装置の第一実施例を説明する要部の模式断面図である。
また、図２は本発明による液晶表示装置の第一実施例を
説明するアクティブマトリクス基板上に形成した一画素
部分の模式平面図である。
【００３６】この液晶表示装置は、一方の基板であるア
クティブマトリクス基板１と他方の基板であるカラーフ
ィルタ基板１１の間に液晶層１５を挟持してなる。アク
ティブマトリクス基板１の内面には金属膜２とアモルフ
ァスの酸化導電膜３の多層構造からなるゲート配線（電
極）、絶縁膜である窒化シリコン膜４、ｉ−ａ−Ｓｉ膜
５とｎ＋ａ−Ｓｉ膜６の多層構造の半導体膜、ソース配
線（電極）とドレイン配線（電極）の配線用の金属膜
７、ソース配線（電極）とドレイン配線（電極）の配線
用のアモルファスの導電膜８、パッシベーション膜（Ｐ
ＡＳ膜）９が形成されている。
クティブマトリクス基板１と他方の基板であるカラーフ
ィルタ基板１１の間に液晶層１５を挟持してなる。アク
ティブマトリクス基板１の内面には金属膜２とアモルフ
ァスの酸化導電膜３の多層構造からなるゲート配線（電
極）、絶縁膜である窒化シリコン膜４、ｉ−ａ−Ｓｉ膜
５とｎ＋ａ−Ｓｉ膜６の多層構造の半導体膜、ソース配
線（電極）とドレイン配線（電極）の配線用の金属膜
７、ソース配線（電極）とドレイン配線（電極）の配線
用のアモルファスの導電膜８、パッシベーション膜（Ｐ
ＡＳ膜）９が形成されている。
【００３７】一方、カラーフィルタ基板１１の内面に
は、ブラックマトリクス１２で区画された複数色のカラ
ーフィルタ１３が成膜され、その上層に保護膜１４が被
覆されている。なお、この保護膜１４とアクティブマト
リクス基板側のパッシベーション膜（ＰＡＳ膜）９と液
晶層１５の界面には液晶層を構成する液晶組成物の配向
方向を規制する配向膜が塗布されているが、図示は省略
してある。
は、ブラックマトリクス１２で区画された複数色のカラ
ーフィルタ１３が成膜され、その上層に保護膜１４が被
覆されている。なお、この保護膜１４とアクティブマト
リクス基板側のパッシベーション膜（ＰＡＳ膜）９と液
晶層１５の界面には液晶層を構成する液晶組成物の配向
方向を規制する配向膜が塗布されているが、図示は省略
してある。
【００３８】アクティブマトリクス基板１上にクロム
（Ｃｒ）またはクロムとモリブデン（Ｍｏ）合金（Ｃｒ
−Ｍｏ）、あるいはクロムとタングステン（Ｗ）合金
（Ｃｒ−Ｗ）等からなる金属配線２用の薄膜を成膜温度
１２０°Ｃでスパッタリング法で成膜する。続いて、イ
ンジウム（Ｉｎ）−錫（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）膜３（ＩＺ
Ｏ膜）を同様に成膜温度１２０°Ｃで連続成膜して多層
構造の金属膜を形成する。
（Ｃｒ）またはクロムとモリブデン（Ｍｏ）合金（Ｃｒ
−Ｍｏ）、あるいはクロムとタングステン（Ｗ）合金
（Ｃｒ−Ｗ）等からなる金属配線２用の薄膜を成膜温度
１２０°Ｃでスパッタリング法で成膜する。続いて、イ
ンジウム（Ｉｎ）−錫（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）膜３（ＩＺ
Ｏ膜）を同様に成膜温度１２０°Ｃで連続成膜して多層
構造の金属膜を形成する。
【００３９】この際、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ膜３は成膜時の基
板温度を室温より上げても結晶化は起こらず、アモルフ
ァス状態を維持する。
板温度を室温より上げても結晶化は起こらず、アモルフ
ァス状態を維持する。
【００４０】次に、この金属膜をゲート配線パターンの
フォトマスクを用いて露光した後、硝酸第２セリウムア
ンモニウム水溶液のエッチャントでエッチングしてゲー
ト配線２１を形成する。また、このゲート配線と同時
に、横電界方式の画素を形成する他方の電極である対向
電極配線２２を形成する。
フォトマスクを用いて露光した後、硝酸第２セリウムア
ンモニウム水溶液のエッチャントでエッチングしてゲー
ト配線２１を形成する。また、このゲート配線と同時
に、横電界方式の画素を形成する他方の電極である対向
電極配線２２を形成する。
【００４１】なお、図２において、符号２３は薄膜トラ
ンジスタＴＦＴを構成するａ−Ｓｉの島、２４はソース
電極（このソース電極は一画素中で櫛形形状の画素電極
を構成する）、２５はドレイン配線（電極）である。
ンジスタＴＦＴを構成するａ−Ｓｉの島、２４はソース
電極（このソース電極は一画素中で櫛形形状の画素電極
を構成する）、２５はドレイン配線（電極）である。
【００４２】この横電界方式では、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース電極２４で構成される櫛形の画素電極２４
と対向電極配線２２の間に電界を形成して液晶層の配向
を制御することにより、画素のオン、オフを行う。
ＦＴのソース電極２４で構成される櫛形の画素電極２４
と対向電極配線２２の間に電界を形成して液晶層の配向
を制御することにより、画素のオン、オフを行う。
【００４３】図３はエッチャント中での電極形成材料の
腐食電位の説明図である。同図は、エッチャントとして
硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いた場合で、
このエッチャント中での結晶性導電膜、アモルファス導
電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ）、クロム（Ｃｒ）、クロム−モ
リブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）の各腐食電位を示す。
腐食電位の説明図である。同図は、エッチャントとして
硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いた場合で、
このエッチャント中での結晶性導電膜、アモルファス導
電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ）、クロム（Ｃｒ）、クロム−モ
リブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）の各腐食電位を示す。
【００４４】図示されたように、結晶性導電膜に比較し
てアモルファス導電膜の腐食電位は低く、金属材料であ
るクロム（Ｃｒ）、クロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍ
ｏ）よりも若干低い。したがって、クロム（Ｃｒ）やク
ロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）用のエッチャント
液中では結晶性導電膜はエッチングされないため、この
結晶性導電膜を金属（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｏ）上に積層した
多層構造の膜をエッチングする場合は、金属用とは別の
エッチャントを用いたエッチング工程が必要になる。
てアモルファス導電膜の腐食電位は低く、金属材料であ
るクロム（Ｃｒ）、クロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍ
ｏ）よりも若干低い。したがって、クロム（Ｃｒ）やク
ロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）用のエッチャント
液中では結晶性導電膜はエッチングされないため、この
結晶性導電膜を金属（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｏ）上に積層した
多層構造の膜をエッチングする場合は、金属用とは別の
エッチャントを用いたエッチング工程が必要になる。
【００４５】これに対し、アモルファス導電膜は金属
（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｏ）用のエッチャントを用いて一回の
エッチングで一括加工することができる。
（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｍｏ）用のエッチャントを用いて一回の
エッチングで一括加工することができる。
【００４６】さらに、図３に示したように、クロム（Ｃ
ｒ）やクロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）に対して
アモルファス導電膜の腐食電位は若干低いため、これら
の金属薄膜よりも早くエッチングが進行する。その結
果、図１に示したように、積層構造のゲート配線（電
極）は順テーパ形状に加工できる。
ｒ）やクロム−モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）に対して
アモルファス導電膜の腐食電位は若干低いため、これら
の金属薄膜よりも早くエッチングが進行する。その結
果、図１に示したように、積層構造のゲート配線（電
極）は順テーパ形状に加工できる。
【００４７】ゲート配線（電極）のエッチング処理後、
レジストを剥離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜４、ｉ
−ａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６を連続成膜する。そ
して、図２に示したａ−Ｓｉの島２３を加工するため、
ゲート配線（電極）のパターニング工程と同様にレジス
トを形成し、ドライエッチング法を用いてｉ−ａ−Ｓｉ
膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をエッチングする。
レジストを剥離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜４、ｉ
−ａ−Ｓｉ膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６を連続成膜する。そ
して、図２に示したａ−Ｓｉの島２３を加工するため、
ゲート配線（電極）のパターニング工程と同様にレジス
トを形成し、ドライエッチング法を用いてｉ−ａ−Ｓｉ
膜５、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をエッチングする。
【００４８】ａ−Ｓｉ島の加工用レジストを剥離後、ソ
ース配線（電極）およびドレイン配線（電極）として、
ゲート配線（電極）と同様の構造であるＣｒ膜とＣｒ−
Ｍｏ膜、アモルファス導電膜としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜を
連続成膜し、積層構造の薄膜を形成する。
ース配線（電極）およびドレイン配線（電極）として、
ゲート配線（電極）と同様の構造であるＣｒ膜とＣｒ−
Ｍｏ膜、アモルファス導電膜としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜を
連続成膜し、積層構造の薄膜を形成する。
【００４９】成膜した積層構造の薄膜を、フォトリソグ
ラフィ工程でソース配線（電極）２４とドレイン配線
（電極）２５を同時に形成する。ゲート配線（電極）と
同様に、硝酸セリウムアンモニウムを主成分とする水溶
液（エッチャント）を用いて、上記の積層構造の薄膜を
一括エッチングする。
ラフィ工程でソース配線（電極）２４とドレイン配線
（電極）２５を同時に形成する。ゲート配線（電極）と
同様に、硝酸セリウムアンモニウムを主成分とする水溶
液（エッチャント）を用いて、上記の積層構造の薄膜を
一括エッチングする。
【００５０】そして、ソース配線（電極）２４とドレイ
ン配線（電極）２５のパターンをマスクとしてチャネル
部のｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をドライエッチング法を用いてエ
ッチングする。その後、ＣＶＤ法にてパッシベーション
膜としてＳｉＮ膜９を成膜する。
ン配線（電極）２５のパターンをマスクとしてチャネル
部のｎ＋ａ−Ｓｉ膜６をドライエッチング法を用いてエ
ッチングする。その後、ＣＶＤ法にてパッシベーション
膜としてＳｉＮ膜９を成膜する。
【００５１】以上の方法を用いることにより、横電界方
式の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に４回の
フォトエッチング工程で薄膜トランジスタを形成するこ
とができる。
式の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に４回の
フォトエッチング工程で薄膜トランジスタを形成するこ
とができる。
【００５２】上記の配線構造（電極構造）はアモルファ
ス導電膜と金属膜の積層構造であるが、金属膜も積層構
造としてもよい。
ス導電膜と金属膜の積層構造であるが、金属膜も積層構
造としてもよい。
【００５３】〔実施例２〕図４は本発明による液晶表示
装置の第二実施例を説明する要部の模式断面図である。
本実施例は、純クロム（Ｃｒ）膜２ａの上にクロム−モ
リブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜２ｂを積層して積層構造
の金属膜２を形成し、その上層にインジウム亜鉛オキサ
イド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜３を積層したものである。
装置の第二実施例を説明する要部の模式断面図である。
本実施例は、純クロム（Ｃｒ）膜２ａの上にクロム−モ
リブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜２ｂを積層して積層構造
の金属膜２を形成し、その上層にインジウム亜鉛オキサ
イド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜３を積層したものである。
【００５４】純クロム（Ｃｒ）膜２ａとクロム−モリブ
デン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜２ｂの積層構造の金属膜２の
上層にインジウム亜鉛オキサイド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜
３を積層した積層構造とすることにより、図３で説明し
た各層のエッチングレートの相違で全体の積層構造を一
回のフォトリソエッチングでテーパ形状に加工すること
ができる。
デン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜２ｂの積層構造の金属膜２の
上層にインジウム亜鉛オキサイド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜
３を積層した積層構造とすることにより、図３で説明し
た各層のエッチングレートの相違で全体の積層構造を一
回のフォトリソエッチングでテーパ形状に加工すること
ができる。
【００５５】なお、金属膜２上に積層する酸化物導電膜
３は、アモルファス状態の酸化物であればよく、上記の
インジウム亜鉛オキサイド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜以外に
も、室温で成膜したインジウム錫オキサイド（Ｉｎ−Ｓ
ｎ−Ｏ：ＩＴＯ）、その他の酸化物導電膜を用いること
ができる。
３は、アモルファス状態の酸化物であればよく、上記の
インジウム亜鉛オキサイド（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）膜以外に
も、室温で成膜したインジウム錫オキサイド（Ｉｎ−Ｓ
ｎ−Ｏ：ＩＴＯ）、その他の酸化物導電膜を用いること
ができる。
【００５６】なお、インジウム亜鉛オキサイド（Ｉｎ−
Ｚｎ−Ｏ）膜を用いたものでは、その後のＣＶＤ法等の
成膜工程でもアモルファス状態のままであるが、室温で
成膜したＩＴＯの場合はアモルファス状態で上記のフォ
トリソエッチング加工を施し、その後のＣＶＤ成膜工程
等の加熱工程を経て最終的には結晶状態となってもよ
い。
Ｚｎ−Ｏ）膜を用いたものでは、その後のＣＶＤ法等の
成膜工程でもアモルファス状態のままであるが、室温で
成膜したＩＴＯの場合はアモルファス状態で上記のフォ
トリソエッチング加工を施し、その後のＣＶＤ成膜工程
等の加熱工程を経て最終的には結晶状態となってもよ
い。
【００５７】〔実施例３〕本実施例では、積層構造とす
る金属層としてモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金
を用いる。モリブデン合金を用いた場合、そのエッチャ
ントとしては、りん酸、硝酸、酢酸、水からなるエッチ
ング液を用いる。
る金属層としてモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金
を用いる。モリブデン合金を用いた場合、そのエッチャ
ントとしては、りん酸、硝酸、酢酸、水からなるエッチ
ング液を用いる。
【００５８】この場合も上層に成膜したインジウム亜鉛
オキサイド膜は、このエッチング液でエッチングされる
ため、積層構造の膜を一括してエッチングすることが可
能である。インジウム亜鉛オキサイド膜とモリブデン合
金膜のエッチングレートの差は、両者のエッチングレー
ト、または腐食電位差をエッチング液の成分を変えるこ
とで制御することができる。
オキサイド膜は、このエッチング液でエッチングされる
ため、積層構造の膜を一括してエッチングすることが可
能である。インジウム亜鉛オキサイド膜とモリブデン合
金膜のエッチングレートの差は、両者のエッチングレー
ト、または腐食電位差をエッチング液の成分を変えるこ
とで制御することができる。
【００５９】また、モリブデン（Ｍｏ）合金を用いる場
合に下地であるガラス基板との密着性が悪く、膜剥がれ
発生の可能性がある場合、モリブデン（Ｍｏ）合金層の
下層にもインジウム亜鉛オキサイド膜を形成して３層の
積層構造とすることでモリブデン（Ｍｏ）合金層と下地
層との密着性を改善することができる。
合に下地であるガラス基板との密着性が悪く、膜剥がれ
発生の可能性がある場合、モリブデン（Ｍｏ）合金層の
下層にもインジウム亜鉛オキサイド膜を形成して３層の
積層構造とすることでモリブデン（Ｍｏ）合金層と下地
層との密着性を改善することができる。
【００６０】このように、本発明の各実施例により、液
晶パネルを構成する各種の配線や電極をパターニングす
るためのフォトリソグラフィ工程におけるエッチング工
程を簡素化でき、かつ断線等の発生が少ない高信頼性の
液晶表示装置を得るとができる。
晶パネルを構成する各種の配線や電極をパターニングす
るためのフォトリソグラフィ工程におけるエッチング工
程を簡素化でき、かつ断線等の発生が少ない高信頼性の
液晶表示装置を得るとができる。
【００６１】以上の方法によりパターニングした各種配
線（電極）を備えたエッチング表示装置の具体例を説明
する。
線（電極）を備えたエッチング表示装置の具体例を説明
する。
【００６２】図５は本発明による液晶表示装置の駆動回
路の概念図であって、３１はコントロール回路、３２は
走査電極（ゲート電極）駆動回路、３３は映像信号電極
（ドレイン電極）駆動回路、３４は対向電極駆動回路、
３５は液晶パネルの有効表示領域である。なお、ＣLCは
液晶の容量成分、ＣS は保持容量を示す。
路の概念図であって、３１はコントロール回路、３２は
走査電極（ゲート電極）駆動回路、３３は映像信号電極
（ドレイン電極）駆動回路、３４は対向電極駆動回路、
３５は液晶パネルの有効表示領域である。なお、ＣLCは
液晶の容量成分、ＣS は保持容量を示す。
【００６３】液晶パネルの有効表示領域３５に形成され
て各画素をスイッチングする薄膜トランジスタＴＦＴは
走査電極駆動回路３２、映像信号電極駆動回路３３およ
び対向電極駆動回路３４により選択的にオン／オフされ
る。このオン／オフはコントロール回路３１によって制
御される。
て各画素をスイッチングする薄膜トランジスタＴＦＴは
走査電極駆動回路３２、映像信号電極駆動回路３３およ
び対向電極駆動回路３４により選択的にオン／オフされ
る。このオン／オフはコントロール回路３１によって制
御される。
【００６４】図６は本発明による液晶表示装置の全体構
成例を説明する展開斜視図である。同図では本発明によ
る液晶表示装置（液晶パネル、回路基板，バックライ
ト、その他の構成部材を一体化したものを液晶表示モジ
ュール：ＭＤＬと称する）の具体的構造を説明するもの
である。
成例を説明する展開斜視図である。同図では本発明によ
る液晶表示装置（液晶パネル、回路基板，バックライ
ト、その他の構成部材を一体化したものを液晶表示モジ
ュール：ＭＤＬと称する）の具体的構造を説明するもの
である。
【００６５】図中、ＳＨＤは金属板からなるシールドケ
ース（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮ
Ｓ１〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板であ
り、ＰＣＢ１はドレイン側回路基板（映像信号線駆動用
回路基板）、ＰＣＢ２はゲート側回路基板（走査信号線
駆動回路基板）、ＰＣＢ３はインターフェース回路基
板、ＪＮ１〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に
接続するジョイナ、ＴＣＰ１，ＴＣＰ２はテープキャリ
アパッケージ、ＰＮＬは液晶パネル、ＧＣはゴムクッシ
ョン、ＩＬＳは遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシー
ト、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反
射シート、ＭＣＡは一体化成形により形成された下側ケ
ース（モールドフレーム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰ
は蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰ
を支持するゴムブッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、Ｂ
Ｌは蛍光管や導光板等からなるバックライトを示し、図
示の配置関係で拡散板部材を積み重ねて液晶表示モジュ
ールＭＤＬが組立てられる。
ース（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮ
Ｓ１〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板であ
り、ＰＣＢ１はドレイン側回路基板（映像信号線駆動用
回路基板）、ＰＣＢ２はゲート側回路基板（走査信号線
駆動回路基板）、ＰＣＢ３はインターフェース回路基
板、ＪＮ１〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に
接続するジョイナ、ＴＣＰ１，ＴＣＰ２はテープキャリ
アパッケージ、ＰＮＬは液晶パネル、ＧＣはゴムクッシ
ョン、ＩＬＳは遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシー
ト、ＳＰＳは拡散シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反
射シート、ＭＣＡは一体化成形により形成された下側ケ
ース（モールドフレーム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰ
は蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰ
を支持するゴムブッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、Ｂ
Ｌは蛍光管や導光板等からなるバックライトを示し、図
示の配置関係で拡散板部材を積み重ねて液晶表示モジュ
ールＭＤＬが組立てられる。
【００６６】液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケース
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
【００６７】映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１には液
晶表示パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路
チップが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミン
グ信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およ
びタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミ
ングコンバータＴＣＯＮ等が搭載される。
晶表示パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路
チップが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣ
Ｂ３には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミン
グ信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およ
びタイミングを加工してクロック信号を生成するタイミ
ングコンバータＴＣＯＮ等が搭載される。
【００６８】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロッ
ク信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。
ロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロッ
ク信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。
【００６９】インターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。
【００７０】なお、液晶パネルＰＮＬには薄膜トランジ
スタＴＦＴを駆動するための映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１、走査信号線駆動回路基板ＰＣＢ２およびイン
ターフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキャリアパッケ
ージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各回路基板間はジ
ョイナＪＮ１，２，３で接続されている。
スタＴＦＴを駆動するための映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１、走査信号線駆動回路基板ＰＣＢ２およびイン
ターフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキャリアパッケ
ージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各回路基板間はジ
ョイナＪＮ１，２，３で接続されている。
【００７１】上記の液晶表示装置によれば、その液晶パ
ネルの各種配線や電極の製造工程を短縮できると共に、
断線等の発生を低減した信頼性の高い液晶表示装置を提
供できる。
ネルの各種配線や電極の製造工程を短縮できると共に、
断線等の発生を低減した信頼性の高い液晶表示装置を提
供できる。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、液晶パネルの各種
配線や電極を金属膜上にアモルファス状態の酸化導電膜
を被覆した積層構造とする本発明によれば、当該配線や
電極を同一のエッチャントで一括してパターニング加工
を施すことが可能となり、また、形成した配線や電極の
側縁に順テーパを持たせることが容易であるために、断
線等の核しみが防止され、また特に端子部での電蝕等へ
の耐性を大幅に向上でき、低コストかつ表示不良のない
高信頼性の液晶表示装置を提供することができる。
配線や電極を金属膜上にアモルファス状態の酸化導電膜
を被覆した積層構造とする本発明によれば、当該配線や
電極を同一のエッチャントで一括してパターニング加工
を施すことが可能となり、また、形成した配線や電極の
側縁に順テーパを持たせることが容易であるために、断
線等の核しみが防止され、また特に端子部での電蝕等へ
の耐性を大幅に向上でき、低コストかつ表示不良のない
高信頼性の液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の第一実施例を説明
する要部の模式断面図である。
する要部の模式断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の第一実施例を説明
するアクティブマトリクス基板上に形成した一画素部分
の模式平面図である。
するアクティブマトリクス基板上に形成した一画素部分
の模式平面図である。
【図３】エッチャント中での電極形成材料の腐食電位の
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の第二実施例を説明
する要部の模式断面図である。
する要部の模式断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の駆動回路の概念図
である。
である。
【図６】本発明による液晶表示装置の全体構成例を説明
する展開斜視図である。
する展開斜視図である。
１ アクティブマトリクス基板 １１ カラーフィルタ基板 １５ 液晶層 ２ 金属膜 ３ アモルファスの酸化導電膜 ４ 窒化シリコン膜 ５ ｉ−ａ−Ｓｉ膜 ６ ｎ＋ａ−Ｓｉ膜 ７ 金属膜 ８ アモルファスの導電膜 ９ パッシベーション膜（ＰＡＳ膜）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 寺門 正倫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA38 JA40 JB05 KA18 KB04 MA18 NA27 5C094 AA12 AA32 AA37 AA43 BA03 BA43 CA19 DA14 DB04 EA04 EA10 FA02 FB02 FB12 GA10 GB10
Claims (5)
- 【請求項１】金属膜上にエッチングレートが大なるアモ
ルファスの酸化導電膜を配した積層構造からなる電極お
よび／または信号配線を具備することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】走査信号配線を通して走査信号を印加する
ゲート電極、映像信号配線を通して映像信号を印加する
ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタ、
および対向電極を形成した一方の基板と、少なくともカ
ラーフィルタを有する他方の基板とからなり、前記一方
の基板と他方の基板の間に液晶層を封入した液晶表示装
置であって、 前記走査信号配線、映像信号配線、ゲート電極、ドレイ
ン電極、ソース電極、対向電極の全部または一部を、エ
ッチングレートの大なるアモルファスの酸化導電膜を金
属膜の上層に配した積層構造で形成したことを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項３】前記金属膜が腐食電位の異なる２種の材料
の積層からなることを特徴とする請求項１または２に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項４】エッチング液中で金属膜より低い腐食電位
を有するアモルファスの酸化導電膜を金属膜の上層に配
した積層構造薄膜を成膜し、この積層構造薄膜を一度の
エッチング処理工程で所要の電極パターンおよび／また
は信号配線パターンを形成することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項５】前記積層構造の金属膜がクロムまたはクロ
ム−モリブデン合金であり、酸化導電膜がインジウム亜
鉛オキサイドであることを特徴とする請求項４に記載の
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083689A JP2000275663A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 液晶表示装置とその製造方法 |
| TW089105520A TW562969B (en) | 1999-03-26 | 2000-03-24 | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
| US09/535,751 US6567145B1 (en) | 1999-03-26 | 2000-03-27 | Liquid crystal display device having conductive lines formed with amorphous oxide conductive layer on metal layer and method of fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083689A JP2000275663A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275663A true JP2000275663A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13809471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083689A Pending JP2000275663A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6567145B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000275663A (ja) |
| TW (1) | TW562969B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088193A1 (fr) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrat, affichage a cristaux liquides comprenant ce substrat et procede de production du substrat |
| JP2006079036A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| KR100740930B1 (ko) * | 2000-10-26 | 2007-07-19 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US7371622B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for signal wire and method of manufacturing thin film transistor array panel using etchant |
| KR100959460B1 (ko) | 2007-11-16 | 2010-05-25 | 주식회사 동부하이텍 | 투명 박막 트랜지스터 및 투명 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| WO2012046630A1 (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | シャープ株式会社 | タッチパネル及び該タッチパネルを備えた表示装置 |
| US8158499B2 (en) * | 2005-07-15 | 2012-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating thin film transistor substrate |
| JP2012142571A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9153352B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339568B2 (en) * | 1999-04-16 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same |
| KR100304261B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2001-09-26 | 윤종용 | 테이프 캐리어 패키지, 그를 포함한 액정표시패널 어셈블리,그를 채용한 액정표시장치 및 이들의 조립 방법 |
| JP2002296609A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI241430B (en) * | 2002-03-01 | 2005-10-11 | Prime View Int Corp Ltd | Method for forming a bonding pad in a TFT array process for a reflective LCD and bonding pad formed by the same |
| JP2005215275A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP4085094B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-04-30 | シャープ株式会社 | 導電素子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法 |
| KR101102261B1 (ko) * | 2004-09-15 | 2012-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| EP1812969B1 (en) * | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
| US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
| US7710739B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| CN100465747C (zh) * | 2005-09-30 | 2009-03-04 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器件及其制造方法 |
| JP4850596B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2012-01-11 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP5328083B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 酸化物のエッチング方法 |
| CN103022049B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US9728650B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-08-08 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and conducting structure |
| CN111199913B (zh) * | 2018-11-20 | 2022-09-06 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704559A (en) * | 1986-02-25 | 1987-11-03 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Matrix type multi-color display device |
| JPS62285464A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| JPS6435422A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Sharp Kk | Thin film transistor array |
| US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| JP2574837B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
| JPH0239130A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0816756B2 (ja) * | 1988-08-10 | 1996-02-21 | シャープ株式会社 | 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH02203568A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH0828517B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
| JP3009438B2 (ja) * | 1989-08-14 | 2000-02-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR970009491B1 (ko) * | 1989-11-30 | 1997-06-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 배선재료와 이를 이용한 전자장치 및 액정표시장치 |
| JP2905032B2 (ja) * | 1992-05-12 | 1999-06-14 | シャープ株式会社 | 金属配線の製造方法 |
| JPH05343685A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH05341315A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
| EP0582387B1 (en) * | 1992-08-05 | 1999-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Metallic wiring board and method for producing the same |
| JP3225772B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2001-11-05 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5650358A (en) * | 1995-08-28 | 1997-07-22 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Method of making a TFT having a reduced channel length |
| JP3409542B2 (ja) * | 1995-11-21 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2865039B2 (ja) * | 1995-12-26 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH1035422A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-10 | Takashi Soga | 車両用ワイパー装置 |
| US6081308A (en) * | 1996-11-21 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display |
| JP3780621B2 (ja) * | 1997-05-13 | 2006-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
| JPH112835A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| US5874745A (en) * | 1997-08-05 | 1999-02-23 | International Business Machines Corporation | Thin film transistor with carbonaceous gate dielectric |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11083689A patent/JP2000275663A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-24 TW TW089105520A patent/TW562969B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-27 US US09/535,751 patent/US6567145B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100740930B1 (ko) * | 2000-10-26 | 2007-07-19 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US9153352B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| US10854636B2 (en) | 2001-07-27 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| US9917107B2 (en) | 2001-07-27 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| CN100367103C (zh) * | 2002-04-16 | 2008-02-06 | 夏普株式会社 | 基片、具有该基片的液晶显示器及其制造方法 |
| US7476936B2 (en) | 2002-04-16 | 2009-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate, liquid crystal display having the substrate, and method for producing substrate |
| WO2003088193A1 (fr) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrat, affichage a cristaux liquides comprenant ce substrat et procede de production du substrat |
| US7371622B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for signal wire and method of manufacturing thin film transistor array panel using etchant |
| US7629613B2 (en) | 2004-09-09 | 2009-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US8049222B2 (en) | 2004-09-09 | 2011-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2006079036A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| US8158499B2 (en) * | 2005-07-15 | 2012-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire structure, method for fabricating wire, thin film transistor substrate, and method for fabricating thin film transistor substrate |
| KR100959460B1 (ko) | 2007-11-16 | 2010-05-25 | 주식회사 동부하이텍 | 투명 박막 트랜지스터 및 투명 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| WO2012046630A1 (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | シャープ株式会社 | タッチパネル及び該タッチパネルを備えた表示装置 |
| JP2012142571A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW562969B (en) | 2003-11-21 |
| US6567145B1 (en) | 2003-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000275663A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP4619997B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| KR100698988B1 (ko) | 액정 표시 장치와 그 제조 방법 | |
| JP4433480B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US8004016B2 (en) | Thin film transistor substrate and fabricating method thereof | |
| JP3785900B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP4308023B2 (ja) | 表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 | |
| US7656500B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US7666697B2 (en) | Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2985124B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7489379B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| JP4468922B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP2000284326A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP2002148659A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001255543A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001244473A (ja) | 薄膜トランジスタ、これを利用した液晶表示装置およびそれらの製造方法 | |
| KR101854698B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| JP2001142092A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| US7545474B2 (en) | Manufacturing method of transflective LCD and transflective LCD thereof | |
| JP2002341385A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP4205010B2 (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
| KR101886861B1 (ko) | 게이트 인 패널 구조 표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR20000062893A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2001005028A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP2001330854A (ja) | 液晶表示装置 |