TW562969B - Liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents

Description

562969 A7 B7 五、發明説明（彳） (發明所屬之技術領域） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明乃有關於液晶顯示裝置及其製造方法，特別是 有關於具有薄膜電晶體等之有源元件之有源矩型之液晶顯 示裝置及其製造方法。 (先前技術） 液晶顯示裝置乃基本上可大別爲：使用由至少一方係 由透明玻璃等所成之二片之基板之間，挾持了液晶層之液 晶面板，而對於二片基板上分別形成之畫素形成用之電極 、選擇的施加電壓以資實施規定畫素之點燈及消燈之型式 (所謂單純矩陣型），及形成對於上述各種電極配置畫素 選擇用之有源元件（開關元件）之液晶面板，而藉由選擇 有源元件以資實施規定畫素之點燈及息燈之型式（例如以 薄膜電晶體（T F T )爲有源元件而使用之有源矩陣型） 也。 特別是後者之有源矩陣型之液晶顯示裝置乃由於對比 性能，高速顯示性能等性能而成爲液晶顯示裝置之主流。 經濟部智慧財產^資工消費合作社印製 此有源矩陣型液晶裝置有：對於形成於一方之基板之 電極與形成於另一方之基板之電極之間，施加用於改變液 晶層之指向方向用之電場之縱電場方式，以及在於只形成 於一方之基板之電極之間，對於基板或平行之方向地形成 用於改變液晶層之指向方向之電場之橫電場方式（I P S :In-plane Switching Mode ) 〇 在這些液晶顯示裝置中，從液晶面板之顯示領域至該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4 - 562969 A7 B7 五、發明説明（2 ) 端緣之端子部地形成有，對於該液晶面板之各電極供給掃 瞄訊號或影像訊號用之訊號配線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於各配線之端子部之連接驅動電路晶片（驅動I c )或載置驅動I C之可撓性印刷基板之連接部乃爲防止接 觸阻抗之增加等不合宜之情形而以氧化物之導電膜來被覆 0 用做此氧化物之導電膜，在於縱電場方式之液晶顯示 裝置係使用氧化物透明導電膜，而以此氧化物透明導電膜 來被覆端子部。 惟在於橫電場方式之液晶顯示裝置時由於係對基板成 平行形成之電極間（畫素電極與面向電極之間）而形成電 場以資變化液晶層之指向方向者，因此不需要透明電極。 另一方面，爲了確保端子部之可靠性，即爲了防止由 於通電而使配線及電極之形成材料發生氧化物而腐蝕或溶 解之電蝕起見，以化學的安定之氧化物之透明導電膜來被 覆此透明導電膜。 經濟部智慧財/1苟@(工消費合作社印製 又揭示此種橫電場方式之液晶顯示裝置之文獻有，例 如日本專利公報昭6 3 - 2 1 9 0 7號，以及美國發明專 利第4345249號說明書等等。 (發明所欲解決之課題） 如上述，在於橫電場方式之液晶顯示裝置上，雖然在 於晝素領域不需要形成透明導電膜之下，卻在該端子部即 起於確保連接安定性起見，須要由氧化物所成之透明導電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 562969 Α7 Β7 五、發明説明（3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜，因此不得不成爲在於顯示領域與端子部全部之訊號配 線及各電極、在於金屬膜之上層地被覆之構造’因此成爲 削減藉由光蝕法所行之蝕刻加工（濕式蝕刻）之過程數上 之一大問題。 按，端子部之金屬膜之圖樣形成加工，加工氧化物之 透明導電膜之圖樣形成之用又須要一次光蝕法過程及蝕刻 過程，因此爲了端子部之圖樣形成加工最少也須要有二次 之光蝕法過程者。 本發明之目的乃提供一種可解消上述先前技術之問題 點，使橫電場方式之液晶顯示裝置之訊號配線或電極之圖 樣形成過程得於簡化，並提高在端子部之電蝕等，以提高 可靠性之液晶顯示裝置及其製造方法也。 (解決課題之手段） 經濟部智慧財l^a(工消費合作社印製 爲了達成上述目的，本發明乃以獲得具備藉由不同種 金屬間之腐蝕電位差所致之腐蝕速度（蝕刻速度）之差異 而實施圖樣形成所形成之訊號配線及各種電極之橫電場方 式之液晶顯示裝置之點爲其特徵。 本發明之代表的構成乃如下述，即， (1 )於金屬膜上形成配置了蝕刻速度（Etching Rate )大之非晶形之氧化導電膜之由疊層構造所成之電極及/ 或訊號配線。 (2 )係由，形成有經由掃猫訊號配線而施加掃猫訊 號之閘極電極，經由影像訊號配線而施加影像訊號之汲極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） 562969 A7 B7 五、發明説明（4 ) 電極’備有源極電極之薄膜電晶體，以及面向電極之一方 之基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以及至少備有彩色濾光器之另一方之基板所構成，而 在上述一方之基板與另一方之基板之間封入有液晶層而成 之液晶顯示裝置， 而將上述掃瞄訊號配線，影像訊號配線，閘極電極， 汲極電極，源極電極，面向電極之全部或一部份乃由將鈾 刻速度大之非晶形之氧化導電膜配置於金屬膜之上層而成 之疊層構造方式地所形成。 (3)於（1)或（2)中之上述金屬膜係由腐鈾電 位不同之二種材料之疊層來構成。 (4 )上述之訊號配線及/或各種電極乃，在於蝕刻 液中，將備有較金屬膜低之腐蝕電位之非晶形之氧化導電 膜配置於金屬膜之上層而成之疊層構造膜予以成膜，然後 以一次之光蝕法之蝕刻處理過程來完成此疊層構造薄膜之 圖樣形成之加工。 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 (5)在於（4)之上述疊層構造之金屬膜乃鉻或鉻 鉬合金，而氧化導電膜係銦-鍚-氧化物爲其特徵。 (6 )又上述之非晶形之氧化導電膜之材料乃使用銦 (I η )、鋅（Ζ η )之氧化物。 並且上述金屬膜之材料而可使用鉻（Cr)，鉻-鉬 (C r - Μ 〇 )，鉻一鎢（Cr— W)等。 由於上述之構成而可以達成本發明之理由說明於下。 當欲製作構成橫電場方式之液晶顯示裝置之有源矩陣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 562969 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 型液晶面板之際，於二片之基板之一方形成閘極配線（掃 瞄訊號配線），汲極配線（影像訊號配線），源極電極（ 接源極電極係連接於畫素電極，本例中即包含畫素電極通 稱爲源極電極），面向電極（亦稱共同電極）。 這些配線或電極乃以在於一層或二層之金屬膜之上層 疊層了金屬氧化膜之多層構造來形成。構成該多層構造之 金屬氧化物係在於配線之端子部而可確保起因於該端子之 被氧化所致之與印刷基板之配線或驅動I C與配線之連接 之可靠性也。於是可免除只爲了保護端子部之用而須增加 光蝕法過程之情形。 再者，將此氧化物導電膜採用非晶形狀態之氧化膜， 由而與下層之金屬膜之同一蝕刻時即可能加工。 按，結晶狀態之氧化物乃以配線用之強酸性蝕刻劑（ 蝕刻液）很不容易蝕刻，所以通常需要使用別的蝕刻劑之 蝕刻處理。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 這是由於結晶狀態之氧化膜係在於蝕刻劑中之腐蝕電 位高，所以在金屬配線用之蝕刻劑中幾乎不會被蝕刻之緣 故，惟非晶形狀態之氧化膜即在於金屬配線用之蝕刻劑中 其腐蝕電位仍低，係與金屬膜之腐蝕電位同等者。 因此藉由使蝕刻劑，金屬膜，及氧化膜之各個之組成 最適宜化由而可能使用同一蝕刻劑而同時可以蝕刻金屬膜 及氧化膜之兩者也。 再者上述各個之組成之最適材料乃： 例如蝕刻劑可採用：硝酸第二鈽胺水溶液爲主成份之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 562969 A7 B7 五、發明説明（6) 蝕刻劑，磷酸，硝酸，乙酸爲主成份之蝕刻劑也。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，金屬膜即，純鉻（C r )及其合金，鉬（Μ 〇 ) 及其合金，以及這些之疊層膜。 氧化膜換言之氧化物導電膜乃由銦（I m)及鋅（ Zn)及氧（〇）所成之氧化物，特別是I n — Zn —〇 膜係幾乎與在於鉻（C r)膜或鉬（Μ 〇 )膜之形成時之 大致同樣之高的基板溫度乃會維持非晶形構造，並且成膜 溫度高，因此具有可以確保與金屬膜之密著性之特徵者。 當對於氧化物導電膜及金屬膜之疊層配線實施濕式蝕 刻時，不但得以同一之蝕刻劑來實施鈾刻，同時藉由調整 各個之蝕刻速度即可以將配線之端面加工成順推拔狀，由 而改善被覆於其上部之膜之有效區域（Coverage )。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 將配線端面加工成爲順推拔狀，由而可改善被覆於其 上部之膜之有效區域，即將最下部之閘極配線及面向配線 予以推拔狀加工，由而閘極絕緣膜，a - s i膜（半導體 層），汲極配線，及源極配線（電極）之形狀也同樣被加 工成爲順推拔狀，而可改善最上層之障壁膜（P A S膜） 之有效區域，可以防止由於P A S膜之有效區域不良所致 之配線腐蝕也。 再者，由於所有之配線之最上部係以氧化物所覆蓋， 所以亦具有在光蝕法過程中之感光抗蝕劑與配線膜之密著 性乃與只用金屬膜者做比較時可以大幅度地提高之利點。 再者本發明並不侷限於上述之構成以及其說明，在不 逸脫本發明之技術思想之下可能種種之變更係不用爭論者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 562969 A7 B7 五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (發明之實施形態） 下面針對本發明之實施形態，參照實施例之附圖詳細 的做說明。 (實施例1 ) 第1圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之第一實施例 之要部之模式剖面圖。第2圖係說明依本發明之液晶顯示 裝置之第一實施例之形成於有源矩陣基板上之一畫素部份 之模式剖面圖。 本液晶顯示裝置乃，於一方之基板，有源矩陣基板1 ，與另一方之基板，彩色濾、光器基板1 1之間挾持液晶層 1 5而構成。 經濟部智慧財產场工消費合作社印製 有源矩陣基板1之內面，形成有，由金屬膜2及非晶 形之氧化導電膜3之多層構造所成之閘極配線（電極）， 絕緣膜（氮化矽膜4 )，由i 一 a — s i膜5及n + a -s i膜6之多層構造之半導體膜，源極配線（電極）及汲 極配線（電極）之配線用之金屬膜7，源極配線（電極） 及汲極配線（電極）之配線用非晶形之導電膜8，鈍化膜 (P A S 膜）9。 另一方面’彩色濾光器基板1 1之內面係成膜有以異 矩陣所區劃之複數色之彩色濾光器1 3。而在其上層被覆 有保護膜1 4。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 562969 A7 B7_ 五、發明説明（8 ) 再者在此保護膜1 4及有源矩陣基板側之鈍化膜（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) P A S膜）9與液晶層1 5之界面塗佈有用於規制構成液 晶層之液晶組成物之指向方向之指向膜，惟圖示上即示予 以省略。 在於有源矩陣基板1上，以成膜溫度1 2 0°C，濺射 法來成膜，由鉻（Cr)或鉻與鉬（Mo)合金（Cr 一 Mo)，或絡與鶴合金（C r — W)等所成之金屬配線2 用之薄膜。接著同樣以成膜溫度1 2 0 °C而連續成膜，銦 (In)—鋅（Zn)—氧（〇）膜3 (IZO膜）以資 形成多層構造之金屬膜。 此時將I η - Zn - 0膜3之成膜時之基板溫度提昇 爲高於室溫之狀態之下也不會引起結晶化，可以維持非晶 形狀態。 接著使用閘極配線圖樣之光蝕遮蔽罩來曝光此金屬膜 之後，以硝酸第2鈽胺水溶液之蝕刻劑來實施蝕刻，由而 形成閘極配線2 1 ，又與此閘極配線同時的亦形成該形成 橫電場方式之畫素之另一方之電極之面向電極電線2 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又第2圖中，標號2 3乃構成薄膜電晶體TFT之a - Si之島，24係源極電極（此源極電極乃在一畫素中 而構成梳形形狀之畫素電極，2 5係汲極配線（電極）。 在此橫電場方式乃，以由薄膜電晶體T F T之源極電 極2 4所構成之梳形之畫素電極2 4與面向電極配線2 2 之間形成電場控制液晶層之指向，以資實施畫素之導通（ 0 N )，斷通（OFF)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 562969 A7 B7 五、發明説明（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖係於蝕刻劑中之電極形成材料之腐蝕電位之說 明圖。同圖係將硝酸第二鈽胺水溶液做爲蝕刻劑時之情形 。顯示在此蝕刻劑中之結晶性導電膜，非晶形導電膜（ IT〇，IZ〇），鉻（Cr)，鉻-鉬合金（Cr — Μ 〇 )之各腐蝕電位。 如圖示，與結晶性導電膜做比較時，非晶形導電膜之 腐蝕電位低且與屬於金屬材料之鉻（Cjt)，鉻鉬合金（ C r 一 Μ 〇 )相比稍低，所以在於鉻（C r )及鉻鉬合金 (C r - Μ 〇 )用之蝕刻劑液中結晶性導電膜乃不會被蝕 刻，因此如，蝕刻將此結晶性導電膜疊層於金屬（C r ， C r - Mo )上之多層構造之膜時，即再需要使用與金屬 用之別之蝕刻劑之蝕刻過程。 與它相對的，非晶形導電膜時即使用金屬（C r ， C r - Μ 〇 )用之蝕刻劑而以一次之蝕刻過程就可以做一 括加工。 經濟部智慈財產苟肖工消費合作社印製 再者，如第3圖所示，非晶形導電膜之腐蝕電位乃稍 低於鉻（C I* )或鉻鉬合金（C r — Mo )之腐蝕電位， 所以與這些金屬薄膜相比較，蝕刻會進行的快一點，因此 如第1圖所示，疊層構造之閘極配線（電極）乃可以加工 成順推拔狀。 閘極配線（電極）經蝕刻處理後，剝離了抗蝕劑之後 ，以等離子CVD法來連續成膜SiN膜4，I — a -s i膜5 ，n + a — s i膜6。並且爲了加工第2圖所不 之a - s i島2 3起見，與閘極配線（電極）之圖樣形成 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（210X297公釐） 562969 Α7 Β7 五、發明説明（10) 過程同樣地形成抗蝕劑，使用乾式鈾刻法來蝕刻i - a -s i 膜 5，n + a — s i 膜 6。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 剝離a - s i島之加工用抗鈾劑之後’連續成膜做爲 源極配線（電極）及汲極配線（電極）之與閘極配線（電 極）之同樣之構造之C I*膜與C r 一 Μ 〇膜，做爲非晶形 導電膜之I η - Ζη - 〇膜，而形成疊層構造之薄膜。 採用光蝕法過程將所成膜之疊層構造之薄膜同時的形 成源極配線（電極）2 4及汲極配線（電極）2 5。與閘 極配線（電極）同樣使用以硝酸鈽胺爲主成份之水溶液（ 鈾刻劑）而將上述之疊層構造之薄膜予以一括蝕刻。 然後，以源極配線（電極）2 4及汲極配線（電極） 2 5之圖樣做爲遮蔽罩而使用乾式蝕刻法將通道部之η + a - s i膜6施予蝕刻，而後以C V D法將做爲鈍化膜之 S i N膜9予以成膜。 採用上述之方法而對於橫電場方式之液晶顯示裝置之 有源矩陣基板上，以4次之光蝕法過程就可以形成薄膜電 晶體也。 經濟部智慧財產场Μ工消費合作社印製 上述配線構造（電極構造）乃非晶形導電膜及金屬膜 之疊層構造，而金屬膜也可以做爲疊層構造。 (實施例2 ) 第4圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之第二實施例 之要部之模式剖面圖。本實施例係，在鈍鉻（C r )膜 2 a之上面，疊層了鉻一鉬合金（C r 一 Mo )合金膜 尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 562969 A7 B7 五、發明説明（^) 2 b以資形成疊層構造之金屬膜2，而在其上層疊層了銦 鋅氧化物（In — Zn —〇）膜3者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由做成於鈍鉻（C I* )膜2 a與鉻鉬合金（C r 一 M〇 )膜2 b之疊層構造之金屬膜2之上層疊層了銦鋅氧 化物（I η — Ζ η -膜3之疊層構造而由第3圖所說 明之各層之蝕刻速度之差異而可以將全體之疊層構造，以 一次之光鈾法鈾刻而可以加工成爲推拔形狀。 再者，該疊層於金屬膜2上之氧化物導電膜3乃，只 要非晶形狀態之氧化物就可以，除了上述之銦鋅氧化物（ I η - Ζ η -〇）膜以外，亦可使用在室溫成膜之銦錫氧 化物（In - Sn - ΙΤΟ)，以及其他氧化物導電 膜也。 又，使用銦鋅氧化物（I η - Zn -〇）膜者係在於 斯後之C V D法等之成膜過程後亦可維持非晶形狀態。惟 於室溫所成膜之I T〇時，即以非晶形狀態下實施上述之 光蝕法蝕刻加工而在此後之C V D成膜過程等之加熱過程 而最終狀態成爲結晶狀態亦可以。 經濟部智慧財產^工消費合作社印製 (實施例3 ) 本實施例乃，該用爲疊層構造之金屬層係使用鉬（

Mo)爲主成份之合金。 使用鉬合金時可使用磷酸、硝酸、乙酸、水等所成之 蝕刻劑液。 此時成膜於上層之銦鋅氧化物膜乃亦由此蝕刻劑液所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -14- 562969 A7 B7 五、發明説明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 蝕刻，所以可能將疊層構造之膜予以一括蝕刻。銦鋅氧化 物膜與鉬合金屬膜之蝕刻速度之差乃藉由改變蝕刻劑液之 成份而得以控制兩者之蝕刻速度或腐蝕電位差也。 再者在使用銷（Mo )合金時*如與基底層之玻璃基 板之密著性不良時，有發生膜之剝離之可能性時，即在於 鉬（Mo)金屬層之下層亦形成銦鋅氧化物做成三層之疊 層構造以資改善鉬（Μ 〇 )合金層與基底層之密著性也。 如上所述，依本發明之各實施例即可簡化在於圖樣形 成該構成液晶面板之各種配線，電極時之光蝕法過程中之 蝕刻過程，且可以獲得發生斷線等之可能性少之高可靠性 之液晶顯示裝置也。 下面說明具備依上述之方法來圖樣形成之各種配線（ 電極）之液晶顯示裝置之具體例。 第5圖係本發明之液晶顯示裝置之驅動電路之槪念圖 ，標號3 1係控制電路，3 2係掃瞄電極（閘極電極）驅 動電路，3 3係影像訊號電極（汲極電極）驅動電路， 經濟部智慧財產场a(工消費合作社印贤 3 4係面向電極驅動電路，3 5係液晶面板之有效顯示領 域。C L C係液晶之容量成份，C s係保持容量。 形成於液晶面板之有效顯示領域3 5以資開•關各畫 素之薄膜電晶體TFT乃由掃瞄電極驅動電路3 2，影像 訊號電極驅動電路3 3及面向電極驅動電路3 4而選擇的 被ΟΝ/OFF 。該ΟΝ/OFF係由控制電路3 1所控 制。 第6圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之全體構成例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 562969 A7 __B7 五、發明説明（13) 之展開斜視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 同圖乃說明依本發明之液晶顯示裝置（將液晶面板， 電路基板，背面光，其他之構成構件予以成一體化稱之謂 液晶顯示組成：M D L )之具體構造者。 圖中，分別表示SHD係由金屬板所製之遮蔽殼體（ 亦稱金屬框架），W D係顯示窗，I N S 1〜3係絕緣 片’ P C Β 1〜3係電路基板，P C Β 1係汲極側電路 基板（影像訊號線驅動用電路基板），P C Β 2係閘極側 電路基板（掃瞄訊號驅動電路基板），P C Β 3係接口電 路基板，JN1〜3係電氣的連接各電路基板PCB1〜 3之連接處。TCP1 ，TCP2係帶載體包封，PNL 係液晶面板，G C係橡膠緩衝器，I L S係遮光間隔件， PRS係菱鏡片，SPS係擴散片，GLB係導光板， 經濟部智慧財凌^替工消費合作社印製 R F S係反射片’ M C Α係以成一體成形所形成之下側殼 體（模製框架）。Μ〇係MCA之開口，LP係熒光管， L P C係燈電線，GB係用於支撐熒光管L P之橡膠套管 ’ BAT係兩面粘著帶。BL係由熒光管及導光板等所成 之背面光’而以圖示之配置關係疊層擴散板構件而組合成 液晶顯不組成M D L。 液晶顯示組成M D L係具有下側殻體M C Α及遮蔽殻 體S H D之二種之收容•保持構件，而將收容固定了絕緣 片I N S 1〜3，電路基板P C Β 1〜3，液晶顯示面 板PNL之金屬製之遮蔽殼體SHD以及收容由熒光管 LP，導光板GLB，菱鏡片PRS等所成之背面光之下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -16 - 562969 A7 B7 五、發明説明（14) 組殼體MCA予以合體而成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於影像訊號線驅動用電路基板P C B 1載置有用於 驅動液晶顯示面板P N L之各畫素用之積體電路晶片’又 於接口電路基板P C B 3上載置用於接受來自外部主機之 影像訊號，定序訊號等之控制訊號之積體電路晶片，及力口 工時序以資產生鐘訊號（時序脈衝訊號）之定序變換器 T C〇N等。 在於上述定序變換器所產生之鐘訊號乃介著敷設於接 口電路基板P c B 3及影像訊號線驅動用電路基板P c B 1之鐘訊號線C L L而供給於載置於影像訊號線驅動用電 路基板P C B 1之積體電路晶片。 接口電路基板P C B 3及影像訊號線驅動用電路基板 P C B 1係多層配線基板，上述鐘訊號線C L L乃做爲接 口電路基板P C B 3及影像訊號線驅動用電路基板P C B 1之內層配線地被形成。 經濟部智慧財/4.笱肖工消費合作社印製 再者，在液晶面板P N L，以帶載體包封T C P 1 ， T C P 2來連接爲驅動薄膜電晶體T F T用之影像訊號線 驅動用電路基板P C B 1，掃瞄訊號線驅動電路基板 PCB2及接口電路基板PCB3，而各電路基板間係以 連接處J N 1，2，3所連接。 依上述之液晶顯示裝置時，不但可縮短該液晶面板之 各種配線及電極之製造過程，同時可以提供減低了發生斷 線之可能性之可靠性高之液晶顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 562969 A7 B7 五、發明説明（15) (發明之效果） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上面所說明，依將液晶面板之各種配線及電極，形 成爲在金屬膜上被覆了非晶形狀態之氧化導電膜之疊層構 造之依本發明之構造時，得以同一之蝕刻劑來一括地實施 該配線及電極之圖樣形成之蝕刻。又容易使所形成之配線 及電極之側緣備有順推拔。又可防止斷線等，特別是大幅 度地提高在端子部之電鈾等之耐性，提供低成本且不會有 顯示性不良之高可靠性之液晶顯示裝置也。 圖式之簡單說明 第1圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之第1實施例 之要部之模式剖面圖。 第2圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之第1實施例 之形成於有源矩板基板之一畫素部份之模式平面圖。 第3圖係在於蝕刻劑中之電極形成材料之腐蝕電位之 說明圖。 經濟部智慈財4^，1貝工消費合作社印製 第4圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之第2實施例 之要部之模式剖面圖。 第5圖係依本發明之液晶顯示裝置之驅動電路之槪念 圖。 第6圖係說明依本發明之液晶顯示裝置之全體構成例 之展開斜視圖。 元件對照表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ -18 - 562969 A7 B7 五、發明説明（ 16 板 基 板器 基光 陣濾 矩色 源彩液 •jjpz . · · · 層 晶 膜形矽 a a 膜形膜 屬晶化 I + 屬晶壁 金非氮 i η 金非障 膜 電 導 化 氧 之膜 s s 膜摸 Ελ rrr^ 膜 膜 s 電 A 導 p 之 c (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財/i^a(工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19-

Claims (1)

1. 562969 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 而氧化導電膜係，銦鋅氧化物者 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 -