JP2017085093A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成した第1の導電体上に第1の絶縁体を成膜し、その上に第1のハードマスクを成膜し、その上に第1の開口を有する第1のレジストマスクを形成した後、第1のハードマスクをエッチングして第2の開口を有する第2のハードマスクを形成し、第2のハードマスクを用いて第1の絶縁体をエッチングして第3の開口を有する第2の絶縁体を形成し、第2の開口及び第3の開口を埋め込むように第2の導電体を成膜し、第2のハードマスク及び第2の導電体に研磨処理を行って第3の開口に埋め込まれた第3の導電体を形成し、その上に第4の導電体を成膜し、第4の導電体の上にパターン形成された第2のレジストマスクを形成した後、第4の導電体をドライエッチングすることで第5の導電体を形成し、第2のハードマスクは当該ドライエッチングすることが可能である。
【選択図】図4
Description
本発明の一態様は、基板上に設けられた半導体を有する半導体装置の作製方法において、基板の上に第1の導電体を形成し、第1の導電体の上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体の上に第1のハードマスクを成膜し、第1のハードマスクの上に第1の開口を有する第1のレジストマスクを形成し、第1のレジストマスクを用いて、第1のハードマスクをエッチングして第2の開口を有する第2のハードマスクを形成し、第2のハードマスクを用いて、第1の絶縁体をエッチングして第3の開口を有する第2の絶縁体を形成し、第2の開口及び第3の開口を埋め込むように第2の導電体を成膜し、第2のハードマスク及び第2の導電体に研磨処理を行って、第3の開口に埋め込まれた第3の導電体を形成し、第2の絶縁体及び第3の導電体の上に第4の導電体を成膜し、第4の導電体の上にパターン形成された第2のレジストマスクを形成し、第2のレジストマスクを用いて、第4の導電体をエッチングガスを用いてエッチングすることで第5の導電体を形成し、第2のレジストマスクを除去し、第2のハードマスクは、エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(1)において、第2のハードマスクと第4の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(1)において、第1のハードマスクは、第3のハードマスクと、第3のハードマスクの上に形成された第4のハードマスクと、を有し、第3のハードマスクは導電体であり、第4のハードマスクは絶縁体である半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(3)において、第3のハードマスクと第4の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(1)において、第4の導電体は複数の導電体の積層であり、第4の導電体の最も下の層の導電体と第2のハードマスクは、エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(5)において、第2のハードマスクと第4の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、半導体基板上に設けられた酸化物半導体を有する半導体装置の作製方法において、半導体基板の上に第1の導電体を成膜し、第1の導電体の上に第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体の上に第1のハードマスクを成膜し、第1のハードマスクの上に第1の開口を有する第1のレジストマスクを形成し、第1のレジストマスクを用いて、第1のハードマスクをエッチングして第2の開口を有する第2のハードマスクを形成し、第2のハードマスクを用いて、第1の絶縁体をエッチングして第3の開口を有する第2の絶縁体を形成し、第2の開口及び第3の開口を埋め込むように第2の導電体を成膜し、第2のハードマスク及び第2の導電体に研磨処理を行って、第3の開口に埋め込まれた第3の導電体を形成し、第2の絶縁体及び第3の導電体の上に第4の導電体を成膜し、第4の導電体の上にパターン形成された第2のレジストマスクを形成し、第2のレジストマスクを用いて、第4の導電体を第1のエッチングガスを用いてエッチングすることで第5の導電体を形成し、第2のレジストマスクを除去し、第2のハードマスクは、第1のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、第5の導電体の上に酸化物半導体を成膜し、酸化物半導体の上に第6の導電体を形成し、第6の導電体の上に第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体の上に第3のハードマスクを成膜し、第3のハードマスクの上に第4の開口を有する第3のレジストマスクを形成し、第3のレジストマスクを用いて、第3のハードマスクをエッチングして第5の開口を有する第4のハードマスクを形成し、第4のハードマスクを用いて、第3の絶縁体をエッチングして第6の開口を有する第4の絶縁体を形成し、第5の開口及び第6の開口を埋め込むように第7の導電体を成膜し、第4のハードマスク及び第7の導電体に研磨処理を行って、第6の開口に埋め込まれた第8の導電体を形成し、第4の絶縁体及び第8の導電体の上に第9の導電体を成膜し、第9の導電体の上にパターン形成された第4のレジストマスクを形成し、第4のレジストマスクを用いて、第9の導電体を第2のエッチングガスを用いてエッチングすることで第10の導電体を形成し、第4のレジストマスクを除去し、第4のハードマスクは、第2のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、第10の導電体の融点は、第5の導電体の融点より低い半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(7)において、第2のハードマスクと第4の導電体が同種の金属元素を有し、第4のハードマスクと第9の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(7)において、第1のハードマスクは、第5のハードマスクと、第5のハードマスクの上に形成された第6のハードマスクと、を有し、第5のハードマスクは、金属元素を含み、第6のハードマスクは、絶縁体を含み、第3のハードマスクは、第7のハードマスクと、第7のハードマスクの上に形成された第8のハードマスクと、を有し、第7のハードマスクは導電体であり、第8のハードマスクは絶縁体である半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(9)において、第5のハードマスクと第4の導電体が同種の金属元素を有し、第7のハードマスクと第9の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(7)において、第4の導電体は複数の導電体の積層であり、第4の導電体の最も下の層の導電体と第2のハードマスクは、第1のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、第9の導電体は複数の導電体の積層であり、第9の導電体の最も下の層の導電体と第4のハードマスクは、第2のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法である。
本発明の他の一態様は、(11)において、第2のハードマスクと第4の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有し、第4のハードマスクと第9の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法である。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法について、図1乃至図19を用いて説明する。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置の構成の一部として配線とプラグの作製方法について、図1乃至図4に示す断面図と上面図を用いて説明する。図1乃至図4は、一点鎖線X1−X2に対応する断面図及び上面図を示している。図1乃至図4では、下層に設けられた導電体12(以下、導電膜又は配線と呼ぶ場合がある。)と、上層に設けられた導電体22b(以下、導電膜又は配線と呼ぶ場合がある。)と、を開口13c(以下、ビアホール又はコンタクトホールと呼ぶ場合がある。)に設けられた導電体20b(以下、プラグと呼ぶ場合がある。)で接続する工程について説明している。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置において、上述の配線とプラグが配置された素子層について、図9及び図10を用いて説明する。
図11(A)及び図11(B)に、素子層30に含まれるトランジスタ60aの構成の一例を示す。図11(A)はトランジスタ60aのチャネル長方向A1−A2に対応する断面図であり、図11(B)はトランジスタ60aのチャネル幅方向A3−A4に対応する断面図である。なお、トランジスタのチャネル長方向とは、基板と水平な面内において、ソース(ソース領域又はソース電極)及びドレイン(ドレイン領域又はドレイン電極)間において、キャリアが移動する方向を意味し、チャネル幅方向とは、基板と水平な面内において、チャネル長方向に対して垂直の方向を意味する。
以下に、半導体66bに用いられる酸化物半導体について説明する。
以下に、トランジスタ60aの半導体以外の各構成要素について詳細な説明を行う。
図12(A)に、素子層40に含まれる容量素子80aの構成の一例を示す。容量素子80aは、導電体82と、絶縁体83と、導電体84と、を有している。図12(A)に示すように、絶縁体81の上に導電体82が設けられ、導電体82を覆うように絶縁体83が設けられ、絶縁体83を覆うように導電体84が設けられ、導電体84の上に絶縁体85が設けられる。
図13(A)及び図13(B)に、素子層50に含まれるトランジスタ90aの構成の一例を示す。図13(A)はトランジスタ90aのチャネル長方向B1−B2に対応する断面図であり、図13(B)はトランジスタ90aのチャネル幅方向B3−B4に対応する断面図である。
図10(A)に示す、素子層50の上に素子層30を設け、素子層30の上に素子層40を設けた半導体装置の構成の一例を、図14に示す。図14はトランジスタ60b及びトランジスタ90aのチャネル長方向C1−C2に対応する断面図である。なお、図14では、トランジスタ60bとトランジスタ90aのチャネル長方向が平行になっているが、これに限られることなく、適宜設定することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に含まれる酸化物半導体の詳細について、以下説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した半導体装置の回路の一例について説明する。
図28(A)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。ここで、トランジスタ2200を上記素子層50で構成し、トランジスタ2100を上記素子層30で構成することで、図28(A)に示す回路は、図9(C)に示す半導体装置で形成することができる。
また図28(B)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。ここで、トランジスタ2200を上記素子層50で構成し、トランジスタ2100を上記素子層30で構成することで、図28(B)に示す回路は、図9(C)に示す半導体装置で形成することができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図29に示す。
図29(B)に示す半導体装置は、トランジスタ3200を有さない点で図29(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も、図29(A)に示した半導体装置と同様の動作により、情報の書き込み及び保持動作が可能である。ここで、トランジスタ3300を上記素子層30で構成し、容量素子3400を上記素子層40で構成することで、図29(B)に示す回路は、図9(B)又は図9(D)に示す半導体装置で形成することができる。さらに、図29(B)に示す半導体装置の下層にセンスアンプなどを設ける構成としてもよく、その場合、図10(A)又は図10(B)に示す半導体装置で形成することができる。
図29(A)に示す半導体装置(記憶装置)の変形例について、図30に示す回路図を用いて説明する。
図29(C)に示す半導体装置は、トランジスタ3500、第6の配線3006を有する点で図29(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も、図29(A)に示した半導体装置と同様の動作により、情報の書き込み及び保持動作が可能である。また、トランジスタ3500としては上記のトランジスタ3200と同様のトランジスタを用いればよい。ここで、トランジスタ3200及びトランジスタ3500を上記素子層50で構成し、トランジスタ3300を上記素子層30で構成し、容量素子3400を上記素子層40で構成することで、図29(C)に示す回路は、図10(A)又は図10(B)に示す半導体装置で形成することができる。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したOSトランジスタを適用可能な回路構成の一例について、図31乃至図34を用いて説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したOSトランジスタを有する複数の回路を有する半導体装置の一例について、図35乃至図41を用いて説明する。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUの一例について説明する。
図42は、上述したトランジスタを一部に用いたCPUの一例の構成を示すブロック図である。以下に示すCPUの構成は、例えば、図10(A)又は図10(B)に示す半導体装置で形成することができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した撮像装置の一例について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る撮像装置について説明する。
撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。各トランジスタは上記実施の形態に示すものと同様のトランジスタを用いることができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した電子機器について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図48に示す。
13a 開口
13b 開口
13c 開口
14a 絶縁体
14b 絶縁体
16a ハードマスク
16b ハードマスク
16c ハードマスク残渣
16d ハードマスク残渣
16e ハードマスク残渣
18 レジストマスク
20a 導電体
20b 導電体
20c 導電体
22a 導電体
22b 導電体
22c 導電体
24a レジストマスク
24b レジストマスク
24c レジストマスク
26 ハードマスク残渣
30 素子層
31 導電体
31a 導電体
31b 導電体
31c 導電体
31d 導電体
31e 導電体
32 導電体
32a 導電体
32b 導電体
32e 導電体
34 絶縁体
36 ハードマスク残渣
40 素子層
41 導電体
41a 導電体
41b 導電体
42 導電体
42a 導電体
42b 導電体
44 絶縁体
46 ハードマスク残渣
50 素子層
51 導電体
51a 導電体
51b 導電体
51c 導電体
52 導電体
52a 導電体
52b 導電体
52c 導電体
54 絶縁体
56 ハードマスク残渣
60a トランジスタ
60b トランジスタ
61 絶縁体
62 導電体
63 絶縁体
64 絶縁体
65 絶縁体
66a 絶縁体
66b 半導体
66c 絶縁体
67 絶縁体
68a 導電体
68b 導電体
72 絶縁体
74 導電体
76 絶縁体
77 絶縁体
78 絶縁体
79 絶縁体
80a 容量素子
80b 容量素子
80c 容量素子
81 絶縁体
82 導電体
83 絶縁体
83a 絶縁体
84 導電体
85 絶縁体
85a 絶縁体
86 絶縁体
90a トランジスタ
90b トランジスタ
91 半導体基板
92a 低抵抗領域
92b 低抵抗領域
93a 低抵抗領域
93b 低抵抗領域
94 絶縁体
95 絶縁体
96 導電体
97 素子分離領域
98 絶縁体
99 絶縁体
102a 絶縁体
102b 絶縁体
104 絶縁体
106 絶縁体
108 絶縁体
110 絶縁体
111a 導電体
111b 導電体
111c 導電体
112a 導電体
112b 導電体
112c 導電体
121a 導電体
121b 導電体
121c 導電体
122a 導電体
122b 導電体
122c 導電体
131 導電体
132 導電体
134 絶縁体
136 絶縁体
143a 開口
143b 開口
143c 開口
143d 開口
143e 開口
145a 有機塗布膜
145b 有機塗布膜
146a ハードマスク
146b ハードマスク
146c ハードマスク残渣
146d ハードマスク残渣
147a ハードマスク
147b ハードマスク
148 レジストマスク
150a 導電体
150b 導電体
151a 導電体
151b 導電体
152a 導電体
152b 導電体
153a 導電体
153b 導電体
154a 導電体
154b 導電体
155 レジストマスク
200 撮像装置
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
291 光源
300 シリコン基板
310 層
320 層
330 層
340 層
351 トランジスタ
352 トランジスタ
353 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
363 低抵抗領域
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
376 ハードマスク残渣
380 絶縁体
800 インバータ
810 OSトランジスタ
820 OSトランジスタ
831 信号波形
832 信号波形
840 破線
841 実線
850 OSトランジスタ
860 CMOSインバータ
900 半導体装置
901 電源回路
902 回路
903 電圧生成回路
903A 電圧生成回路
903B 電圧生成回路
903C 電圧生成回路
903D 電圧生成回路
903E 電圧生成回路
904 回路
905 電圧生成回路
905A 電圧生成回路
905B 電圧生成回路
905C 電圧生成回路
905D 電圧生成回路
905E 電圧生成回路
906 回路
911 トランジスタ
912 トランジスタ
912A トランジスタ
912B トランジスタ
921 制御回路
922 トランジスタ
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
1901 筐体
1902 筐体
1903 表示部
1904 表示部
1905 マイクロフォン
1906 スピーカー
1907 操作キー
1908 スタイラス
1911 筐体
1912 筐体
1913 表示部
1914 表示部
1915 接続部
1916 操作キー
1921 筐体
1922 表示部
1923 キーボード
1924 ポインティングデバイス
1931 筐体
1932 冷蔵室用扉
1933 冷凍室用扉
1941 筐体
1942 筐体
1943 表示部
1944 操作キー
1945 レンズ
1946 接続部
1951 車体
1952 車輪
1953 ダッシュボード
1954 ライト
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3006 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
3500 トランジスタ
4001 配線
4003 配線
4005 配線
4006 配線
4007 配線
4008 配線
4009 配線
4021 層
4022 層
4023 層
4100 トランジスタ
4200 トランジスタ
4300 トランジスタ
4400 トランジスタ
4500 容量素子
4600 容量素子
Claims (12)
- 基板上に設けられた半導体を有する半導体装置の作製方法において、
前記基板の上に第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体の上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体の上に第1のハードマスクを成膜し、
前記第1のハードマスクの上に第1の開口を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1のハードマスクをエッチングして第2の開口を有する第2のハードマスクを形成し、
前記第2のハードマスクを用いて、前記第1の絶縁体をエッチングして第3の開口を有する第2の絶縁体を形成し、
前記第2の開口及び前記第3の開口を埋め込むように第2の導電体を成膜し、
前記第2のハードマスク及び前記第2の導電体に研磨処理を行って、前記第3の開口に埋め込まれた第3の導電体を形成し、
前記第2の絶縁体及び前記第3の導電体の上に第4の導電体を成膜し、
前記第4の導電体の上にパターン形成された第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第4の導電体をエッチングガスを用いてエッチングすることで第5の導電体を形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記第2のハードマスクは、前記エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第2のハードマスクと前記第4の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1のハードマスクは、第3のハードマスクと、前記第3のハードマスクの上に形成された第4のハードマスクと、を有し、
前記第3のハードマスクは導電体であり、
前記第4のハードマスクは絶縁体である半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、
前記第3のハードマスクと前記第4の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第4の導電体は複数の導電体の積層であり、
前記第4の導電体の最も下の層の導電体と前記第2のハードマスクは、前記エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記第2のハードマスクと前記第4の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。 - 半導体基板上に設けられた酸化物半導体を有する半導体装置の作製方法において、
前記半導体基板の上に第1の導電体を成膜し、
前記第1の導電体の上に第1の絶縁体を成膜し、
前記第1の絶縁体の上に第1のハードマスクを成膜し、
前記第1のハードマスクの上に第1の開口を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1のハードマスクをエッチングして第2の開口を有する第2のハードマスクを形成し、
前記第2のハードマスクを用いて、前記第1の絶縁体をエッチングして第3の開口を有する第2の絶縁体を形成し、
前記第2の開口及び前記第3の開口を埋め込むように第2の導電体を成膜し、
前記第2のハードマスク及び前記第2の導電体に研磨処理を行って、前記第3の開口に埋め込まれた第3の導電体を形成し、
前記第2の絶縁体及び前記第3の導電体の上に第4の導電体を成膜し、
前記第4の導電体の上にパターン形成された第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて、前記第4の導電体を第1のエッチングガスを用いてエッチングすることで第5の導電体を形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記第2のハードマスクは、前記第1のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、
前記第5の導電体の上に前記酸化物半導体を成膜し、
前記酸化物半導体の上に第6の導電体を形成し、
前記第6の導電体の上に第3の絶縁体を成膜し、
前記第3の絶縁体の上に第3のハードマスクを成膜し、
前記第3のハードマスクの上に第4の開口を有する第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて、前記第3のハードマスクをエッチングして第5の開口を有する第4のハードマスクを形成し、
前記第4のハードマスクを用いて、前記第3の絶縁体をエッチングして第6の開口を有する第4の絶縁体を形成し、
前記第5の開口及び前記第6の開口を埋め込むように第7の導電体を成膜し、
前記第4のハードマスク及び前記第7の導電体に研磨処理を行って、前記第6の開口に埋め込まれた第8の導電体を形成し、
前記第4の絶縁体及び前記第8の導電体の上に第9の導電体を成膜し、
前記第9の導電体の上にパターン形成された第4のレジストマスクを形成し、
前記第4のレジストマスクを用いて、前記第9の導電体を第2のエッチングガスを用いてエッチングすることで第10の導電体を形成し、
前記第4のレジストマスクを除去し、
前記第4のハードマスクは、前記第2のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、
前記第10の導電体の融点は、前記第5の導電体の融点より低い半導体装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第2のハードマスクと前記第4の導電体が同種の金属元素を有し、
前記第4のハードマスクと前記第9の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第1のハードマスクは、第5のハードマスクと、前記第5のハードマスクの上に形成された第6のハードマスクと、を有し、
前記第5のハードマスクは、金属元素を含み、
前記第6のハードマスクは、絶縁体を含み、
前記第3のハードマスクは、第7のハードマスクと、前記第7のハードマスクの上に形成された第8のハードマスクと、を有し、
前記第7のハードマスクは導電体であり、
前記第8のハードマスクは絶縁体である半導体装置の作製方法。 - 請求項9において、
前記第5のハードマスクと前記第4の導電体が同種の金属元素を有し、
前記第7のハードマスクと前記第9の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第4の導電体は複数の導電体の積層であり、
前記第4の導電体の最も下の層の導電体と前記第2のハードマスクは、前記第1のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能であり、
前記第9の導電体は複数の導電体の積層であり、
前記第9の導電体の最も下の層の導電体と前記第4のハードマスクは、前記第2のエッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記第2のハードマスクと前記第4の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有し、
前記第4のハードマスクと前記第9の導電体の最も下の層の導電体が同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。
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