JP2017085093A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体上に第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体上に第１の開口を有する第１のハードマスクを形成し、
   前記第１のハードマスクを用いて前記第１の絶縁体をエッチングして、第２の開口を有する第２の絶縁体を形成し、
   前記第１の開口及び前記第２の開口を埋め込むように第２の導電体を形成し、
   前記第１のハードマスク及び前記第２の導電体に研磨処理を行って、前記第２の開口に埋め込まれた第３の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁体上及び前記第３の導電体上に第４の導電体を形成し、
   エッチングガスを用いて前記第４の導電体をエッチングして、第５の導電体を形成し、
   前記第１のハードマスクは、前記エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１のハードマスクは、第６の導電体と、前記第６の導電体上の第３の絶縁体と、を有する半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１のハードマスクと前記第４の導電体は、同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   平面視において、前記第５の導電体と重ならない領域における前記第１のハードマスクをエッチングする半導体装置の作製方法。
5. 基板上に第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体上に第１の絶縁体を形成し、
   前記第１の絶縁体上に第１のハードマスクを形成し、
   前記第１のハードマスク上に第１の開口を有する第１のレジストマスクを形成し、
   前記第１のレジストマスクを用いて前記第１のハードマスクをエッチングして、第２の開口を有する第２のハードマスクを形成し、
   前記第１のレジストマスクを除去し、
   前記第２のハードマスクを用いて前記第１の絶縁体をエッチングして、第３の開口を有する第２の絶縁体を形成し、
   前記第２の開口及び前記第３の開口を埋め込むように第２の導電体を形成し、
   前記第２のハードマスク及び前記第２の導電体に研磨処理を行って、前記第３の開口に埋め込まれた第３の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁体上及び前記第３の導電体上に第４の導電体を形成し、
   前記第４の導電体上に第２のレジストマスクを形成し、
   前記第２のレジストマスクを用いて、エッチングガスを用いて前記第４の導電体をエッチングして、第５の導電体を形成し、
   前記第２のレジストマスクを除去し、
   前記第２のハードマスクは、前記エッチングガスを用いてエッチングすることが可能である半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記第２のハードマスクは、第６の導電体と、前記第６の導電体上の第３の絶縁体と、を有する半導体装置の作製方法。
7. 請求項５又は６において、
   前記第２のハードマスクと前記第４の導電体は、同種の金属元素を有する半導体装置の作製方法。
8. 請求項５乃至７のいずれか一において、
   平面視において、前記第２のレジストマスクと重ならない領域における前記第２のハードマスクをエッチングする半導体装置の作製方法。