JP2017085099A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体基板の上に第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体の上に第１の絶縁体を成膜し、
   前記第１の絶縁体の上に、前記第１の絶縁体より水素を透過させにくい第２の絶縁体を成膜し、
   前記第２の絶縁体の上に第３の絶縁体を成膜し、
   前記第３の絶縁体の上に第１の開口を有するハードマスクを形成し、
   前記ハードマスクの上に、第２の開口を有するレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、前記第３の絶縁体をエッチングして、前記第３の絶縁体に第３の開口を形成し、
   前記レジストマスクを用いて、前記第２の絶縁体をエッチングして、前記第２の絶縁体に第４の開口を形成し、
   前記レジストマスクを除去し、
   前記ハードマスクを用いて、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体をエッチングして、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体に第５の開口を形成し、
   前記第５の開口の内壁及び底面を覆うように第２の導電体を成膜し、
   前記第５の開口を埋め込むように前記第２の導電体の上に第３の導電体を成膜し、
   前記ハードマスク、前記第２の導電体及び前記第３の導電体に研磨処理を行って、前記ハードマスクを除去し、前記第２の導電体、前記第３の導電体及び前記第３の絶縁体の上面の高さを略一致させ、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体の上に酸化物半導体を形成し、
   前記第２の絶縁体は、前記第５の開口の縁において前記第２の導電体と接し、
   前記第２の導電体は、前記第３の導電体より水素を透過させにくい導電体である半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第２の開口の幅の最大値は、前記第１の開口の幅の最小値より小さい半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または２のいずれかにおいて、
   前記第２の導電体は、タンタルと、窒素と、を含む半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第２の絶縁体は、アルミニウムと、酸素と、を含む半導体装置の作製方法。