JP2016174144A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に第１の絶縁膜を成膜し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を成膜し、
   前記第１の絶縁膜の一部および前記第２の絶縁膜の一部を除去することにより第１の開口部を形成し、
   前記第１の開口部内および前記第２の絶縁膜の上面に第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体の表面を平坦化して前記第１の導電体の一部を除去することにより、前記第１の開口部内に第２の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁膜上および前記第２の導電体上に第３の絶縁膜を成膜し、
   前記第２の絶縁膜の一部と前記第３の絶縁膜の一部を除去することにより、前記第２の導電体の上面の一部と、前記第２の導電体の側面の一部とを露出させるように第２の開口部を形成し、
   前記第２の導電体に接するように、前記第３の絶縁膜の上面および第２の開口部内へ第３の導電体を形成し、
   前記第３の導電体の表面を平坦化して前記第３の導電体の一部を除去することにより、前記第２の開口部内に第４の導電体を形成する装置の作製方法。
2. 基板上に第１の絶縁膜を成膜し、
   前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を成膜し、
   前記第１の絶縁膜の一部および前記第２の絶縁膜の一部を除去することにより第１の開口部を形成し、
   前記第１の開口部内および前記第２の絶縁膜の上面に第１の導電体を形成し、
   化学機械研磨法を用いて、前記第１の導電体の一部を除去することにより、前記第１の開口部内に第２の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁膜上および前記第２の導電体上に第３の絶縁膜を成膜し、
   前記第２の絶縁膜の一部と前記第３の絶縁膜の一部を除去することにより、前記第２の導電体の上面の一部と、前記第２の導電体の側面の一部とを露出させるように第２の開口部を形成し、
   前記第２の導電体に接するように、前記第３の絶縁膜の上面および第２の開口部内へ第３の導電体を形成し、
   化学機械研磨法を用いて、前記第３の導電体の一部を除去することにより、前記第２の開口部内に第４の導電体を形成する装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第４の導電体上に素子を形成し、
   前記素子は、酸化物半導体を有する装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜は、アルミニウムを有し、
   前記第２の絶縁膜は、シリコンを有する装置の作製方法。
5. 第１の導電体と、第２の導電体と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域と、前記第２の導電体の側面に接する領域と、を有し、
   前記第２の導電体は、第１の厚さを有する第１の領域と、前記第１の厚さより大きい第２の厚さを有する第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の導電体の上面に接し、
   前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜の上面に接する装置。
6. 第１の導電体と、第２の導電体と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記第１の導電体上に位置する領域を有し、
   前記第１の導電体の上面のうち、最も高い領域の高さは、前記第２の絶縁膜の上面のうち、最も高い領域の高さよりも高く、
   前記第２の導電体の底面のうち、最も低い領域の高さは、前記第２の絶縁膜の上面のうち、最も高い領域の高さよりも低い装置。
7. 請求項５又は請求項６において、
   酸化物半導体を有し、
   前記第２の導電体の上に積層された前記酸化物半導体を有する装置。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜は、アルミニウムを有し、
   前記第２の絶縁膜は、シリコンを有する装置。
9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一の装置が搭載された電子機器。