JP2016127288A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上に形成された第１の導電体と、
   前記第１の導電体上に形成された第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体の上に形成され、前記第１の導電体の少なくとも一部と重なるように形成された第１の金属酸化物と、
   前記第１の金属酸化物の上面の少なくとも一部に接して形成された酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部に接して形成された第２の金属酸化物と、
   前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接して形成された第２の導電体と、
   前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接し、前記第２の導電体と離間して形成された第３の導電体と、を有し、
   前記第１の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より少なく、且つ前記Ｉｎの含有量が前記Ｚｎの含有量より少なく、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より多く、
   前記第２の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 基板上に形成された第１の導電体と、
   前記第１の導電体上に形成された第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体の上に形成され、前記第１の導電体の少なくとも一部と重なるように形成された第１の金属酸化物と、
   前記第１の金属酸化物の上面の少なくとも一部に接して形成された酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部に接して形成された第２の金属酸化物と、
   前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接して形成された第２の導電体と、
   前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接し、前記第２の導電体と離間して形成された第３の導電体と、を有し、
   前記第１の金属酸化物は、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より多く、
   前記第２の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の金属酸化物の側端部と前記酸化物半導体の側端部が一致し、
   前記酸化物半導体の側端部と前記第２の金属酸化物の側端部が一致し、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体が前記第２の金属酸化物の上面の一部と接していることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１又は２において、
   前記第２の金属酸化物の側端部が前記酸化物半導体の側端部より内側に位置し、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体が、前記酸化物半導体及び前記第２の金属酸化物の上面の一部と接していることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３又は４において、
   前記第２の金属酸化物において、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接していない領域の膜厚は、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接している領域の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１又は２において、
   前記第２の金属酸化物の下面の少なくとも一部が、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接し、
   前記第２の導電体及び前記第３の導電体が、前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部と接していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記酸化物半導体において、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接していない領域の膜厚は、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接している領域の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   さらに、前記第２の金属酸化物、前記第２の導電体及び前記第３の導電体の上に形成された第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上に形成され、前記第２の金属酸化物の少なくとも一部と重なるように形成された第４の導電体と、を有することを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記第１の金属酸化物の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近く、
   前記第２の金属酸化物の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体は、さらにＧｅを含むことを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体は、多結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。