JP5856227B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 217
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 162
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Description
前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に埋め込まれた第1配線とを有する第1配線層と、
前記第1配線層上に位置する半導体層と、
前記半導体層の上又は下に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の反対側に位置するゲート電極と
を備える半導体装置が提供される。
前記第1配線層上に、前記第1配線上に位置するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
前記第1配線層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層にソース及びドレインを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
52 マスクパターン
54 マスクパターン
100 半導体基板
102 素子分離膜
110 半導体素子
112 ゲート絶縁膜
114 ゲート電極
116 不純物領域
120 コンタクト層
122 コンタクト
124 絶縁層
130 配線層
132 配線
134 絶縁層
140 拡散防止膜
150 第1配線層
152 ビア
154 第1配線
156 絶縁層
160 ゲート絶縁膜
162 拡散防止膜
170 絶縁層
184 ビア
186 配線
188 配線
189 ビア
200 半導体素子
210 ゲート電極
220 半導体層
222 ソース及びドレイン
224 チャネル領域
230 トラップ膜
232 ゲート絶縁膜
240 バックゲート電極
242 ゲート電極
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に埋め込まれて形成され、且つ、銅を含む第1配線と、
前記第1絶縁層に埋め込まれて形成され、且つ、銅を含むゲート電極と、
前記第1絶縁層上、前記第1配線上及び前記ゲート電極上に形成され、且つ、銅の拡散を防止する機能を備えた拡散防止膜と、
前記拡散防止膜上に形成された酸化物半導体層と、
前記拡散防止膜上及び前記酸化物半導体層上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層内及び前記拡散防止膜内に形成され、且つ、前記第1配線と接続する第1ビアと、
前記第2絶縁層内に形成され、且つ、前記酸化物半導体層に接続する第2ビアと、
を備え、
前記第1配線と前記ゲート電極は同層に形成されており、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に形成されている前記拡散防止膜はゲート絶縁膜として機能しており、平面視において、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記酸化物半導体層は重なっており、
前記酸化物半導体層と前記第2ビアとの間に、Ta膜を含むバリア膜が形成されており、
前記バリア膜は、前記酸化物半導体層と前記Ta膜との間に、Ru膜、MoN膜またはW膜を有する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記拡散防止膜はSiCN膜である半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記酸化物半導体層にはチャネル領域が形成されており、
前記酸化物半導体層上に位置するトラップ膜と、
前記トラップ膜上に位置し、平面視において前記チャネル領域と重なるバックゲート電極と、
を備える半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記酸化物半導体層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記トラップ膜、及び前記バックゲート電極は、メモリ素子を構成する半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記酸化物半導体層はInGaZnO層又はZnO層である半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成されたMOS型のトランジスタを備える半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
平面視において、前記MOS型のトランジスタの少なくとも一部は前記半導体装置と重なっている半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2ビアの口径は、前記第1ビアの口径よりも大きい半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014107739A JP5856227B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014107739A JP5856227B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008318098A Division JP5781720B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187378A JP2014187378A (ja) | 2014-10-02 |
JP5856227B2 true JP5856227B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=51834559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014107739A Active JP5856227B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5856227B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11769810B2 (en) | 2020-09-16 | 2023-09-26 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and semiconductor memory device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI683365B (zh) * | 2015-02-06 | 2020-01-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 裝置及其製造方法以及電子裝置 |
KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US11037799B2 (en) * | 2018-09-26 | 2021-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Metal heterojunction structure with capping metal layer |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0469215B1 (en) * | 1990-07-31 | 1995-11-22 | International Business Machines Corporation | Method of forming stacked tungsten gate PFET devices and structures resulting therefrom |
JP3015186B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2000-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置とそのデータの読み出しおよび書き込み方法 |
JPH0513718A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Sony Corp | 半導体メモリ装置及びその製法 |
KR100305877B1 (ko) * | 1993-08-19 | 2001-12-15 | 김영환 | 반도체박막트랜지스터(tft)제조방법 |
US5863818A (en) * | 1996-10-08 | 1999-01-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multilevel transistor fabrication method having an inverted, upper level transistor |
US5834350A (en) * | 1997-06-11 | 1998-11-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Elevated transistor fabrication technique |
JP2001284449A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002050704A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sony Corp | メモリ素子およびその製造方法並びに集積回路 |
JP2002353167A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Sharp Corp | 金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板 |
CN1309077C (zh) * | 2001-11-05 | 2007-04-04 | 佐伊科比株式会社 | 使用低介电常数材料膜的半导体器件及其制造方法 |
JP5110803B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4294696B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2009-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置、ならびに記憶媒体 |
-
2014
- 2014-05-26 JP JP2014107739A patent/JP5856227B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11769810B2 (en) | 2020-09-16 | 2023-09-26 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and semiconductor memory device |
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JP2014187378A (ja) | 2014-10-02 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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