JP2012084852A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上にタングステン膜を用いて保護導電膜を形成し、
   前記保護導電膜上にアルミニウムを含む膜を含む積層構造を有する導電層を形成し、
   前記導電層上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスを用いる第１のエッチング工程により、選択的に前記導電層をエッチングして前記保護導電膜を露出させ、
   前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガスを用いる第２のエッチング工程により、選択的に前記保護導電膜をエッチングして前記酸化物半導体層を露出させると共に配線層を形成し、
   第１のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記導電層よりエッチングされにくく、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行い、
   第２のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記酸化物半導体層よりエッチングされやすく、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１おいて、
   前記酸化物半導体層、前記保護導電膜、前記配線層上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上にタングステン膜を用いて保護導電膜を形成し、
   前記保護導電膜上にアルミニウムを含む膜を含む積層構造を有する導電層を形成し、
   前記導電層上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスを用いる第１のエッチング工程により、選択的に前記導電層をエッチングして前記保護導電膜を露出させ、
   前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガスを用いる第２のエッチング工程により、選択的に前記保護導電膜をエッチングして前記酸化物半導体層を露出させると共に配線層を形成し、
   前記配線層上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上の前記酸化物半導体層と重畳する領域にゲート電極層を形成し、
   第１のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記導電層よりエッチングされにくく、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行い、
   第２のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記酸化物半導体層よりエッチングされやすく、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記保護導電膜の膜厚は、前記酸化物半導体層の膜厚以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１のエッチング工程は、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が４以上であり、
   前記第２のエッチング工程は、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が３０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記導電層は、アルミニウムを含む膜の下層にチタン膜を有する積層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む膜を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。