JP2012039102A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の配線層を形成し、
   前記第１の配線層を覆って絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜をこの順に積層して形成し、
   前記第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、前記第１乃至第３の導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って、３層の積層構造からなる第２の配線層を離間させて形成し、
   前記２段階のエッチングが、
   少なくとも前記第１の導電膜を露出させるまで行う第１のエッチング工程と、
   前記第１の導電膜に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも高く、前記酸化物半導体層に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも低い条件により行って前記第２の配線層を形成する第２のエッチング工程と、を有し、
   前記第２のエッチング工程後にレジスト剥離液を用いて前記レジストマスクを剥離し、
   前記レジスト剥離液は、前記第２の導電膜を腐食させる薬液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜をこの順に積層して形成し、
   前記第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、
   前記レジストマスクを用いて、前記第１乃至第３の導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って、３層の積層構造からなる第１の配線層を離間させて形成し、
   前記第１の配線層及び前記酸化物半導体層を覆って絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に前記酸化物半導体層と重畳して第２の配線層を形成し、
   前記２段階のエッチングが、
   少なくとも前記第１の導電膜を露出させるまで行う第１のエッチング工程と、
   前記第１の導電膜に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも高く、前記酸化物半導体層に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも低い条件により行って前記第２の配線層を形成する第２のエッチング工程と、を有し、
   前記第２のエッチング工程後にレジスト剥離液を用いて前記レジストマスクを剥離し、
   前記レジスト剥離液は、前記第２の導電膜を腐食させる薬液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１のエッチング工程は、主成分としてフッ素よりも塩素が多いガスを用いて行い、
   前記第２のエッチング工程は、主成分として塩素よりもフッ素が多いガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記第１のエッチング工程は、ＢＣｌ_３ガスとＣｌ_２ガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第２のエッチング工程はＳＦ_６ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１の導電膜は、前記第３の導電膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第２の導電膜を形成する導電性材料は、前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜を形成する導電性材料よりも導電率が高く、
   前記第２の導電膜は前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜はチタン膜であり、
   前記第２の導電膜はアルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層の材料はＩＧＺＯであることを特徴とする半導体装置の作製方法。