JP2017022293A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導光部の集光特性の低下を防ぐのに有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、光電変換部が形成された基板とその上に設けられた絶縁部材とを含む構造を用意する工程と、前記光電変換部の上方において、前記絶縁部材に、前記基板の上面より高い位置に底面を有し傾斜した第１側面を有する第１開口を形成する工程と、前記第１開口を埋めるように第１部材を形成する工程と、前記光電変換部の上方において、前記第１部材に第２開口を形成する工程と、前記第２開口が形成された前記第１部材をマスクとして用いて前記絶縁部材のうちの前記第２開口の下の部分をエッチングすることにより、第２側面を有する第３開口を前記絶縁部材に形成する工程と、前記第３開口を埋めるように第２部材を形成する工程とを含み、前記第１側面と前記基板の上面とが成す角は、前記第２側面と前記基板の上面とが成す角よりも小さい。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。

固体撮像装置は、例えば、光電変換部を有する基板と、基板上に配された絶縁部材と、絶縁部材の中かつ光電変換部の上に配された導光部とを備える。導光部は、入射光を反射により光電変換部に導く。導光部は、例えば、基板上に絶縁部材を形成した後、該絶縁部材に開口を形成して該開口を絶縁部材よりも屈折率の高い透光性部材で埋めることにより形成される。

特許文献１は、導光部における上部の側面の傾斜角（該側面と基板の上面との成す角）が、該導光部における下部の側面の傾斜角よりも小さい構造を開示している。特許文献１によると、基板上に絶縁部材を形成した後、開口を有するレジストパターンを絶縁部材の上に形成し、該レジストパターンをマスクとして用いて、絶縁部材に対して等方性エッチングである第１エッチングを行う。これにより、絶縁部材における上部に、傾斜した側面を有する開口を形成する。その後、このレジストパターンをマスクとして用いて、更に、該開口が形成された絶縁部材に対して異方性エッチングである第２エッチングを行う。このような手順により、導光部用の開口を、該開口における上部の側面の傾斜角が下部の側面の傾斜角よりも小さくなるように形成する。特許文献１の方法によると、該開口を透光性部材で埋めて導光部を形成する際に、導光部内にボイドが生じにくくなる。

特開２００８−１０３７５７号公報

しかしながら、特許文献１の方法によると、第１エッチングで形成された開口の側面（傾斜した側面）の形状が第２エッチングの際に変わってしまい、第２エッチング後に得られる導光部用の開口の形状が所望の形状からずれてしまう可能性がある。そのため、該開口を透光性部材で埋めることにより得られる導光部において、導光部の上部径が縮小する事によって集光量が減少する場合や入射光が光電変換部に向かって適切に反射されなくなる場合があり、このことは、該導光部の集光特性の低下の原因となりうる。

本発明の目的は、導光部であって該導光部における上部の側面の傾斜角が下部の側面の傾斜角よりも小さい導光部を備える固体撮像装置において、該導光部の集光特性の低下を防ぐのに有利な技術を提供することにある。

本発明の一つの側面は固体撮像装置の製造方法にかかり、前記固体撮像装置の製造方法は、光電変換部が形成された基板とその上に設けられた絶縁部材とを含む構造を用意する第１工程と、前記光電変換部の上方において、前記絶縁部材に、前記基板の上面より高い位置に底面を有し且つ傾斜した第１側面を有する第１開口を形成する第２工程と、前記第１開口を埋めるように第１部材を形成する第３工程と、前記光電変換部の上方において、前記第１部材に第２開口を形成する第４工程と、前記第２開口が形成された前記第１部材をマスクとして用いて前記絶縁部材のうちの前記第２開口の下の部分をエッチングすることにより、第２側面を有する第３開口を前記絶縁部材に形成する第５工程と、前記第３開口を埋めるように第２部材を形成する第６工程と、を含み、前記第１側面と前記基板の上面とが成す角は、前記第２側面と前記基板の上面とが成す角よりも小さいことを特徴とする。

本発明によれば、上述の導光部の集光特性の低下を防ぐことができる。

固体撮像装置の構造の例を説明するための図である。 固体撮像装置の製造方法の例を説明するための図である。 固体撮像装置の製造方法の例を説明するための図である。 固体撮像装置の製造方法の例を説明するための図である。 カメラの構成例を説明するためのブロック図である。

（固体撮像装置の構造例）
図１を参照しながら、本発明に係る固体撮像装置１００の構造の例を述べる。図１は、固体撮像装置１００の撮像領域における単位画素を示している。固体撮像装置１００は、例えば、基板１１０と、基板１１０の上に配された絶縁部材１２０と、絶縁部材１２０の中に配された導光部１３１と、導光部１３１の上に配された光学素子１５０とを備える。基板１１０には、例えば、光電変換部１１１と、光電変換部１１１で発生した電荷を信号として読み出すためのトランジスタとが形成される。図中には、該トランジスタのゲート電極１１２を例示している。

絶縁部材１２０は、例えば、複数の絶縁層が積層されて成る。本例では、絶縁部材１２０は、酸化シリコン層１２１ａ〜１２１ｄ及び炭化シリコン層１２２ａ〜１２２ｃを含む。具体的には、下側から上側に向かって、酸化シリコン層１２１ａ、炭化シリコン層１２２ａ、酸化シリコン層１２１ｂ、炭化シリコン層１２２ｂ、酸化シリコン層１２１ｃ、炭化シリコン層１２２ｃ、酸化シリコン層１２１ｄが、この順に配されている。

導光部１３１は、絶縁部材１２０の中かつ光電変換部１１１の上に配される。導光部１３１は、絶縁部材１２０に開口を形成した後に絶縁部材１２０を覆いながら該開口を埋めるように透光性の部材１３０を形成することにより得られる。導光部１３１は、その屈折率が絶縁部材１２０の少なくとも一部の屈折率より大きくなるように構成されればよく、部材１３０には、例えば窒化シリコン等の高屈折率部材が用いられる。このような構造により、導光部１３１は、入射光を屈折により光電変換部１１１に導く。

導光部１３１は、光電変換部１１１側の第１部分１３１ａと、その上の第２部分１３１ｂとを含む。部分１３１ｂの側面と基板１１０の上面とが成す角は、部分１３１ａの側面と基板１１０の上面とが成す角より小さい。前述のとおり、導光部１３１は、絶縁部材１２０に形成された開口を部材１３０で埋めることにより得られる。このとき、該開口を、開口上部（該開口における上部）の側面を傾斜させて形成することにより、開口下部（該開口における下部）に高屈折率部材が適切に堆積する前に開口上部が高屈折率部材で塞がれてしまうことを防ぐことができる。そのため、該開口を高屈折率部材で埋めて導光部１３１を形成する際に導光部１３１内にボイド（埋め込み欠陥による空洞）が生じにくい。

なお、「傾斜」とは、基板１１０の上面に対して水平および垂直のいずれでもない状態をいうものとし、傾斜した側面と基板１１０の上面とが成す角は、該側面の「傾斜角」と表現されてもよい。部分１３１ｂの側面は、図中に示されるように傾斜していてもよいが、基板１１０の上面に対して略垂直であってもよい。また、導光部１３１の集光特性を向上させるため、部分１３１ａの側面と部分１３１ｂの側面との境界には段差（より具体的には水平方向と略平行な面）が形成されないことが望ましい。

絶縁部材１２０の中には、配線部１４０が配される。配線部１４０は、例えば、基板１１０の上面に対する平面視（以下、単に「平面視」という。）において、導光部１３１の周辺またはその一部に、導光部１３１を取り囲むように配される。これにより、配線部１４０は、隣接画素からの漏れ光または隣接画素への漏れ光を防ぐ。

配線部１４０は、例えば、プラグ１４１、配線パターン１４２、プラグ１４３および配線パターン１４４を含む。配線パターン１４２は、第１配線層（基板１１０に最も近い配線層）に配され、例えば銅やアルミニウム等の導電材料で構成されうる。配線パターン１４４は、第２配線層（第１配線層の上の配線層）に配され、配線パターン１４２同様、導電材料で構成されうる。プラグ１４１は、基板１１０と配線パターン１４２とを接続し、例えばタングステン等の導電材料で構成されうる。プラグ１４３は、配線パターン１４２と配線パターン１４４とを接続し、プラグ１４１同様、導電材料で構成されうる。なお、本例において、炭化シリコン層１２２ａ〜１２２ｃは金属拡散防止膜として作用しうる。

光学素子１５０は、導光部１３１を形成する部材１３０の上に、例えば、酸化シリコン層１５１、パッシベーション膜１５２、平坦化層１５３およびカラーフィルタ１５４を介して配されうる。他の例では、光学素子１５０と部材１３０との間には、上記層、膜もしくは部材１５１〜１５４のうちの一部のみが配されてもよいし、必要に応じて他の層、膜もしくは部材が更に配されてもよい。

以上に例示された固体撮像装置１００は、公知の半導体製造プロセスを用いて製造されうる。以下、本発明に係る固体撮像装置１００の製造方法のいくつかの例を、導光部１３１を形成する工程に着目して述べる。

（第１の例）
図２（ａ）〜（ｈ）を参照しながら固体撮像装置１００の製造方法の第１の例を述べる。図２（ａ）の工程では、光電変換部１１１やゲート電極１１２等が形成された基板１１０を準備し、その後、該基板１１０の上に絶縁部材１２０を形成する。前述のとおり、絶縁部材１２０は、例えば酸化シリコン層１２１ａ〜１２１ｄ及び炭化シリコン層１２２ａ〜１２２ｃを含む。絶縁部材１２０は、例えばＣＶＤ（化学気相成長）とＣＭＰ（化学機械研磨）とを交互に繰り返すことにより形成されうる。なお、絶縁部材１２０を形成する各工程の間、絶縁部材１２０における所望の位置には、例えばＰＶＤ（物理気相成長）、ダマシン法等を用いて、配線部１４０（プラグ１４１及び１４３並びに配線パターン１４２及び１４４のそれぞれ）が形成されうる。

図２（ｂ）の工程では、絶縁部材１２０における上部に開口２１０を形成する。開口２１０は、その側面Ｓ１が傾斜するように形成される。例えば、絶縁部材１２０の上面と同一面における開口２１０の幅をＷ１とし、開口２１０の底面の幅をＷ２としたときに、Ｗ１＞Ｗ２の関係が成立する。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよく、エッチング条件（例えば、エッチングガスの混合比、温度など）は、開口２１０がその側面Ｓ１が傾斜して形成されるように調整されるとよい。

なお、本例では、開口２１０は、炭化シリコン層１２２ｂが露出するように形成された態様を示したが、開口２１０の深さは本例に限られない。また、酸化シリコン層１２１ｄ及び１２１ｃをエッチングしているときのエッチング条件と、炭化シリコン層１２２ｃをエッチングしているときのエッチング条件とは、開口２１０の側面Ｓ１が実質的に一直線になるようにそれぞれ調整されればよい。

図２（ｃ）の工程では、絶縁部材１２０の上面を覆いながら開口２１０を埋めるように絶縁部材１２０の上に樹脂２１１を形成し、更に、樹脂２１１の上に、開口２１３を有するレジストパターン２１２を形成する。開口２１３は、平面視において、その外縁が開口２１０の側面Ｓ１と重なるように形成される。即ち、開口２１３の幅をＷ３とすると、Ｗ１＞Ｗ３＞Ｗ２の関係が成立する。なお、樹脂２１１の形成は、例えばスピンコーティングによって為されうる。また、必要に応じて、樹脂２１１の上面に対してＣＭＰ等の所定の平坦化処理が為されてもよい。

図２（ｄ）の工程では、レジストパターン２１２をマスクとして用いて樹脂２１１の一部であって開口２１３の下の一部をエッチングする。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよい。この工程により、樹脂２１１に開口２１４を形成する。開口２１４は、開口２１０の底面と、開口２１０の側面Ｓ１の一部であって該底面の近傍（周辺）の一部とを露出するように形成される。換言すると、開口２１０の側面Ｓ１の該一部以外の部分（平面視において該一部より外側の部分）は、樹脂２１１に覆われた状態になる。図中において、側面Ｓ１のうち樹脂２１１に覆われた部分を「Ｓ２」と示す。

図２（ｅ）の工程では、レジスト２１２と、開口２１４が形成された樹脂２１１とをマスクとして用いて、絶縁部材１２０の開口２１４の下の部分をエッチングする。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよい。基板１１０の光電変換部１１１の上には、窒化シリコン等で構成されたエッチングストッパが配されていてもよく、その場合、この工程は該エッチングストッパが露出したことに応じて終了されればよい。ここで、この工程では、開口２１０の側面Ｓ１のうちの部分Ｓ２は樹脂２１１により覆われているため、この工程でのプラズマエッチングによって、部分Ｓ２が更にエッチングされることもなく、その形状が変わることはない。

図２（ｆ）の工程では、剥離剤を用いて樹脂２１１を剥離し、樹脂２１１を除去する。この工程により、絶縁部材１２０に開口２１５が形成された状態になる。

以上の手順によると、開口２１５は、開口上部の側面と基板１１０の上面とが成す角が、開口下部の側面と基板１１０の上面とが成す角より小さくなるように形成される。

図２（ｇ）の工程では、例えば高密度プラズマＣＶＤ等によって開口２１５を部材１３０で埋めて、導光部１３１を形成する。なお、部材１３０には、例えば窒化シリコンが用いられうるが、高屈折率の材料で構成された他の部材が用いられてもよく、例えば樹脂等の有機物が用いられてもよい。また、開口２１５を埋める部材は、絶縁部材１２０に含まれる材料と同じ材料（例えば酸化シリコン）であってもよいし、絶縁部材１２０に含まれる材料よりも屈折率が小さい材料であってもよい。絶縁部材１２０が、屈折率が互いに異なる複数の層で構成されていても、均一な材料で開口２１５を埋めることでこれら複数の層の間での多重反射を低減できる。

ここで、部材１３０の上面に対して、絶縁部材１２０の上面が露出しない程度にＣＭＰが為されてもよい。上面に互いに異なる材料の部分が存在するとそれらの間で研磨レートの差が生じて該上面に高低差が生じうるため、絶縁部材１２０の上面を露出させないことにより該上面を適切に平坦化することができる。

図２（ｈ）の工程では、導光部１３１を形成する部材１３０の上に、酸化シリコン層１５１、パッシベーション膜１５２、平坦化層１５３およびカラーフィルタ１５４を介して、光学素子１５０を形成する。以上により、図１で例示された固体撮像装置１００の構造が得られる。

本例によると、図２（ｅ）の工程において、開口２１０の側面Ｓ１のうちの部分Ｓ２が樹脂２１１により覆われているため、この工程でのプラズマエッチングによって部分Ｓ２が更にエッチングされることもなく、その形状が変わることはない。そのため、図２（ｆ）の工程で得られる開口２１５（更には、開口２１５に部材１３０を埋めることにより得られる導光部１３１）の形状が所望の形状からずれてしまうことを防ぐことができる。よって、本例によると、導光部１３１の集光特性の低下を防ぐのに有利である。

（第２の例）
図３を参照しながら固体撮像装置１００の製造方法の第２の例を述べる。前述の第１の例と同様の手順で絶縁部材１２０に開口２１０を形成した後、即ち、図２（ｂ）の工程の後、図３（ａ）の工程を行う。

図３（ａ）の工程では、絶縁部材１２０の上面を覆いながら開口２１０を埋めるように絶縁部材１２０の上に樹脂３１１を形成した後、樹脂３１１の上に酸化シリコン３１２を形成し、更に、酸化シリコン３１２の上にレジストパターン３１３を形成する。レジストパターン３１３は開口３１４を有する。開口３１４は、平面視において、その外縁が開口２１０の側面Ｓ１と重なるように形成される。即ち、開口３１４の幅をＷ４とすると、Ｗ１＞Ｗ４＞Ｗ２の関係が成立する。なお、前述の第１の例で述べたとおり、Ｗ１は絶縁部材１２０の上面と同一面における開口２１０の幅であり、Ｗ２は開口２１０の底面の幅である。

図３（ｂ）の工程では、レジストパターン３１３をマスクとして用いて、酸化シリコン３１２の一部であって開口３１４の下の一部をエッチングする。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよい。この工程により、酸化シリコン３１２に開口３１５を形成する。

図３（ｃ）の工程では、レジストパターン３１３と、開口３１５が形成された酸化シリコン３１２とをマスクとして用いて、樹脂３１１の一部であって開口３１５の下の一部をエッチングする。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよい。この工程により、樹脂３１１に開口３１６を形成する。

図３（ｃ）の工程の後、酸化シリコン３１２および樹脂３１１をマスクとして用いて、絶縁部材１２０の一部であって開口３１６の下の一部をエッチングする。ここで、酸化シリコン３１２は、この工程において絶縁部材１２０と共にエッチングされうるが、酸化シリコン３１２がエッチングされた後、樹脂３１１がマスクとして作用するため、結果として、図２（ｅ）の工程の後の構造と同様の構造が得られる。更にその後、図２（ｆ）〜（ｈ）と同様の工程が為されればよい。

本例によると、図３（ｃ）の工程において、開口２１０の側面Ｓ１のうちの部分Ｓ２が樹脂３１１により覆われているため、この工程でのプラズマエッチングによって部分Ｓ２が更にエッチングされることもなく、その形状が変わることはない。そのため、本例によっても第１の例と同様の効果が得られる。

（第３の例）
図４を参照しながら固体撮像装置１００の製造方法の第３の例を述べる。前述の第１の例と同様の手順で絶縁部材１２０に開口２１０を形成した後、即ち、図２（ｂ）の工程の後、図４（ａ）の工程を行う。

図４（ａ）の工程では、絶縁部材１２０の上面を覆いながら開口２１０を埋めるように、例えば窒化シリコン等の高屈折率部材４１０を絶縁部材１２０の上に形成する。この工程は、例えば高密度プラズマＣＶＤ等により為されればよい。

図４（ｂ）の工程では、部材４１０の上に、開口４１２を有するレジストパターン４１１を形成する。開口４１２は、平面視において、その外縁が開口２１０の側面Ｓ１と重なるように形成される。即ち、開口４１２の幅をＷ５とすると、Ｗ１＞Ｗ５＞Ｗ２の関係が成立する。なお、前述の第１の例で述べたとおり、Ｗ１は絶縁部材１２０の上面と同一面における開口２１０の幅であり、Ｗ２は開口２１０の底面の幅である。

図４（ｃ）の工程では、レジストパターン４１１をマスクとして用いて、部材４１０の一部であって開口４１２の下の一部と、絶縁部材１２０の一部であって開口４１２の下の一部とをエッチングする。この工程は、例えばプラズマエッチングにより為されればよい。この工程により、部材４１０および絶縁部材１２０に開口４１３を形成する。このとき、開口４１３は、その側面が傾斜するように形成されるとよい。

図４（ｄ）の工程では、剥離剤を用いてレジストパターン４１１を剥離し、レジストパターン４１１を除去する。

図４（ｅ）の工程では、部材４１０の上面を覆いながら開口４１３を埋めるように、部材４１０と同一材料で構成された部材４１４（本例では窒化シリコン）を形成する。この工程は、例えば高密度プラズマＣＶＤ等により為されればよい。ここで、図４（ｃ）の工程で開口４１３がその側面が傾斜するように形成されたことにより、開口４１３を部材４１４で埋める際にボイドが生じにくい。

図４（ｅ）の工程の後、部材４１０及び４１４の上面に対してＣＭＰが為され、これにより、図２（ｇ）の工程の後の構造と同様の構造が得られる。その後、図２（ｈ）と同様の工程が為されればよい。

本例によると、図４（ｃ）の工程において、開口２１０の側面Ｓ１のうちの部分Ｓ２が部材４１０により覆われているため、この工程でのプラズマエッチングによって部分Ｓ２が更にエッチングされることもなく、その形状が変わることはない。そのため、本例によっても第１〜第２の例と同様の効果が得られる。

（その他）
以上、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよいし、各実施形態のいくつかの特徴が組み合わされてもよい。

（撮像システム）
図５は、以上の例で示された固体撮像装置１００が適用されたカメラの構成例を説明するための図である。カメラは、固体撮像装置１００の他、例えば、処理部２００、ＣＰＵ３００（又はプロセッサ）、操作部４００、光学系５００を具備する。また、カメラは、静止画や動画をユーザに表示するための表示部６００、それらのデータを記憶するためのメモリ７００をさらに具備しうる。固体撮像装置１００は、光学系５００を通過した光に基づいて画像データを生成する。該画像データは、処理部２００により所定の補正処理が為され、表示部６００やメモリ７００に出力される。また、ユーザにより操作部４００を介して入力された撮影条件に応じて、ＣＰＵ３００によって、各ユニットの設定情報が変更され、又は、各ユニットの制御方法が変更されうる。なお、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。

１００：固体撮像装置、１１０：基板、１１１：光電変換部、１２０：絶縁部材、１３１：導光部。

Claims (10)

1. 光電変換部が形成された基板とその上に設けられた絶縁部材とを含む構造を用意する第１工程と、
   前記光電変換部の上方において、前記絶縁部材に、前記基板の上面より高い位置に底面を有し且つ傾斜した第１側面を有する第１開口を形成する第２工程と、
   前記第１開口を埋めるように第１部材を形成する第３工程と、
   前記光電変換部の上方において、前記第１部材に第２開口を形成する第４工程と、
   前記第２開口が形成された前記第１部材をマスクとして用いて前記絶縁部材のうちの前記第２開口の下の部分をエッチングすることにより、第２側面を有する第３開口を前記絶縁部材に形成する第５工程と、
   前記第３開口を埋めるように第２部材を形成する第６工程と、
   を含み、
   前記第１側面と前記基板の上面とが成す角は、前記第２側面と前記基板の上面とが成す角よりも小さい
   ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
2. 前記第５工程の後であって、前記第６工程の前に、前記第２開口が形成された前記第１部材を除去する工程をさらに含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
3. 前記絶縁部材は少なくとも酸化シリコンを含んでおり、
   前記第１部材は樹脂を含んでおり、
   前記第２部材は窒化シリコンを含んでいる
   ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
4. 前記第４工程は、
   前記第１部材の上に、開口を有するレジストパターンであって該開口の外縁が前記基板の上面に対する平面視において前記第１側面と重なるレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記第１開口の前記底面と前記第１側面の一部であって該底面の近傍の一部とが露出するように、前記第１部材の一部をエッチングする工程と、
   を含む
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
5. 前記第４工程では、
   前記第１部材の上に第３部材を形成し、
   前記第３部材の上に、第４開口を有するレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンをマスクとして用いて前記第３部材の一部をエッチングし、
   前記一部がエッチングされた前記第３部材をマスクとして用いて、前記第１開口の前記底面と前記第１側面の一部であって該底面の近傍の一部とが露出するように、前記第１部材の一部をエッチングする
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
6. 前記第４工程では、前記第１部材の上に、第４開口を有するレジストパターンでレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記第１部材のうちの前記第４開口の下の部分をエッチングすることにより前記第２開口を形成し、
   前記第５工程では、前記レジストパターンおよび前記第１部材をマスクとして用いて、前記絶縁部材のうちの前記第４開口の下の部分をエッチングすることにより前記第３開口を形成する
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
7. 前記第５工程では、前記基板の上面に対する平面視において前記第１側面の一部は、前記第１部材により覆われている
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
8. 前記絶縁部材は少なくとも酸化シリコンを含んでおり、
   前記第１部材および前記第２部材は窒化シリコンを含んでいる
   ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
9. 前記第６工程の後に、前記絶縁部材の上面が露出しないように前記第２部材の上面を平坦化する工程をさらに含む
   ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
10. 前記第６工程では、前記第３開口を前記第２部材で埋めることによって導光部が形成され、
    前記固体撮像装置の製造方法は、前記第６工程の後に、前記導光部の上に光学素子を形成する工程をさらに含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。

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