WO2020220155A1 - 图像传感器芯片、制造方法、图像传感器及拍摄装置 - Google Patents

图像传感器芯片、制造方法、图像传感器及拍摄装置 Download PDF

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Definitions

  • FIG. 4 is a schematic diagram of the manufacturing process of the first structure layer in the process of the image sensor chip provided by the embodiment of the present invention.
  • the characteristic properties of the insulating material used in the first part are smaller than the characteristic properties of the insulating material used in the second part.
  • the dielectric constant of the insulating material used in the structure layer component of the image sensor chip provided in the present embodiment where at least one structure layer is distributed in the photosensitive circuit area is less than Peripheral reads the dielectric constant of the insulating material used in the circuit area.
  • the pixel circuit in the photosensitive circuit area can have smaller parasitic capacitance, increase the gain of charge-to-voltage, and improve the signal-to-noise ratio.
  • the base layer also has a certain impact on the performance of the adjacent structural layer, and the degree of the influence allowed by the first part and the second part of the structural layer is different, it is necessary to design the structural layer components adjacent to the base layer
  • the first part and the second part of the structural layer adopt insulating materials with different characteristic properties.
  • an image sensor chip provided in an embodiment of the present invention includes a base layer 304 and a structural layer component, and the base layer 304 is located below the structural layer component.
  • the structural layer component includes three structural layers, namely: a first structural layer 301, a second structural layer 302, and a third structural layer 303.
  • the first structural layer 301, the second structural layer 302, and the The dielectric constant of the insulating material used in the portion of the third structure layer 303 distributed in the photosensitive circuit area 102 is smaller than the dielectric constant of the insulating material used in the portion distributed in the peripheral reading circuit area 101.
  • the image sensor chip is provided with a photosensitive circuit area and a peripheral reading circuit area, the image sensor chip includes a structural layer component, and the structural layer component includes Multiple structure layers, each structure layer is distributed in the photosensitive circuit area and the peripheral reading circuit area.
  • the method includes the following steps:
  • Step A20 When generating at least one structural layer of the plurality of structural layers, respectively use insulating materials with different characteristic properties to generate the first part and the second part of the structural layer; the first part is the distribution of the structural layer In the part of the photosensitive circuit area, the second part is a part where the structure layer is distributed in the peripheral reading circuit area.
  • the first insulating material is deposited in the photosensitive circuit area and the peripheral reading circuit area of the layer, and then the deposited is distributed on the first insulating material in the peripheral reading circuit area. After an insulating material is etched away, the part (the first part) of the structure layer distributed in the photosensitive circuit area is obtained.
  • Step B11 deposit a second insulating material in the photosensitive circuit area and the peripheral reading circuit area, and etch away the deposited second insulating material distributed in the photosensitive circuit area to obtain the first Two parts.
  • Step B12 depositing a first insulating material in the photosensitive circuit area to obtain the first part; the characteristic properties of the first insulating material are different from those of the second insulating material.
  • the characteristic properties of the aforementioned first insulating material are smaller than those of the second insulating material.
  • the aforementioned characteristic attribute is the dielectric constant.
  • the structure shown in FIG. 5 is obtained; then the first insulating material material is deposited (first deposition) , The structure shown in FIG. 6 is obtained; the first insulating material distributed in the peripheral reading circuit area is etched away, and the structure shown in FIG. 7 is obtained, and the first part 501 of the structure layer is formed. Then, a second insulating material is deposited on the peripheral reading circuit part (second deposition) to obtain the structure shown in FIG. 8. After the deposition is completed, the second part 601 of the structure layer is obtained. Finally, chemical mechanical polishing is performed, and the structure layer is completed.
  • the characteristic properties of the insulating material used in the portion of the structural layer adjacent to the base layer in the photosensitive circuit area of the structural layer component are different from those located in the periphery.
  • the characteristic properties of the insulating material used in the reading circuit area are different.
  • the above-mentioned base layer is located below the multiple structural layers, and the multiple structural layers are sequentially superimposed and generated from the base layer.
  • the above-mentioned mixing method may be mixing by stirring to form a mixture.
  • the insulating material used in the above-mentioned first part includes: a composition formed by layering and stacking a plurality of insulating materials with characteristic properties.
  • the insulating material can be silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide.
  • the above-mentioned layered stacking method includes: depositing a layer of insulating material B with different characteristic properties from insulating material A on a layer of insulating material A to form a layered stack of insulating material A and insulating material B.
  • the composition can also be formed by layering two or more insulating materials with different characteristic properties.
  • the insulating material used in the above-mentioned second part can be a standard semiconductor material in the prior art.
  • the second part can also contain only one insulating material, or a mixture of multiple insulating materials. , It can also be a combination of multiple insulating materials layered and stacked.
  • the structural layer in the structural layer component of the image sensor chip has a different characteristic property between the insulating material used in the photosensitive circuit area and the insulating material used in the peripheral reading circuit area Therefore, the parasitic capacitance of the photosensitive circuit area of the image sensor chip can be further reduced, and finally the image sensor including the image sensor chip can obtain better optical images.
  • FIG. 6 is a schematic structural diagram of a photographing device provided by an embodiment of the present invention.
  • the photographing device includes a lens and the image sensor described in the above-mentioned embodiments, and the lens receives light and transmits it to the image sensor for imaging.
  • the photographing device provided in this embodiment has a positive effect of better imaging quality.
  • the relevant part can refer to the part of the description of the method embodiment.
  • the device embodiments described above are merely illustrative.
  • the units described as separate components may or may not be physically separated, and the components displayed as units may or may not be physical units, that is, they may be located in One place, or it can be distributed to multiple network units.
  • Some or all of the modules may be selected according to actual needs to achieve the objectives of the solutions of the embodiments. Those of ordinary skill in the art can understand and implement it without creative work.

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Abstract

一种图像传感器芯片、制造方法、图像传感器及拍摄装置。其中，图像传感器芯片，设置有感光电路区（102）和外围读取电路区（101），图像传感器芯片包括结构层部件，结构层部件包括多个结构层，每一结构层分布在感光电路区（102）和外围读取电路区（101）；结构层部件中至少一个结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料；第一部分为结构层分布在感光电路区（102）的部分，第二部分为结构层分布在外围读取电路区（102）的部分。如此，可以便于分别对感光电路区（101）和外围读取电路区（102）的不同性能的优化。

Description

图像传感器芯片、制造方法、图像传感器及拍摄装置 技术领域
本申请涉及图像传感器技术领域，具体而言涉及一种图像传感器芯片、制造方法、图像传感器及拍摄装置。
背景技术
图像传感器芯片的制造过程中，通过使用绝缘材料使各金属连线或者功能元件之间进行绝缘，避免互相之间的干扰。
相关技术中，由于图像传感器芯片的外围读取电路区和感光电路区均采用相同的绝缘材料并且一体制造而成，进而使外围读取电路区和感光电路区分别在进行不同性能的优化设计时会受到限制。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一是提供一种图像传感器芯片、图像传感器芯片的制造方法、图像传感器及拍摄装置，以提高外围读取电路区和感光电路区均使用同一种绝缘材料所带来的限制。
第一方面，本发明实施例提供了一种图像传感器芯片，设置有感光电路区和外围读取电路区，所述图像传感器芯片包括结构层部件，所述结构层部件包括多个结构层，每一所述结构层分布在所述感光电路区和所述外围读取电路区；所述结构层部件中至少一个所述结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料；所述第一部分为结构层分布在所述感光电路区的部分，所述第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
第二方面，本发明实施例提供了一种图像传感器芯片的制造方法，所 述图像传感器芯片设置有感光电路区和外围读取电路区，所述图像传感器芯片包括结构层部件，所述结构层部件包括多个结构层，每一所述结构层分布在所述感光电路区和所述外围读取电路区；所述方法包括：依次生成所述结构层部件的多个结构层；在生成所述多个结构层中的至少一个结构层时，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分；所述第一部分为所述结构层分布在所述感光电路区的部分，所述第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
第三方面，本发明实施例提供了一种图像传感器，包括：数据接口和第一方面所述的图像传感器芯片，所述数据接口用于为所述图像传感器芯片提供数据输入和/或输出。
第四方面，本发明实施例提供了一种拍摄装置，包括：镜头以及第三方面所述的图像传感器，所述镜头接收光线并传输给所述图像传感器以进行成像。
本发明实施例所提供的一种图像传感器芯片、图像传感器芯片的制造方法、图像传感器及拍摄装置，通过设置使至少一个结构层的处于感光电路区的第一部分和外围读取电路区的第二部分的采用不同特征属性的绝缘材料，以避免每个结构层的感光电路区和外围读取电路区均使用同样的绝缘材料所带来的对感光电路区和外围读取电路区进行不同性能设计时存在的限制。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性 劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种图像传感器芯片的结构示意图；
图2是现有技术中的一种图像传感器芯片的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种图像传感器芯片的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例提供的图像传感器芯片过程中第一结构层的制作过程示意图；
图5是本发明实施例提供的图像传感器芯片过程中淀积之前的基层的示意图；
图6是本发明实施例提供的图像传感器芯片过程中第一次淀积之后的结构层的示意图；
图7是本发明实施例提供的图像传感器芯片过程中蚀刻之后的结构层的示意图；
图8是本发明实施例提供的图像传感器芯片过程中第二次淀积之后的结构层的示意图；
图9是本发明实施例提供的一种图像传感器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为图像传感器芯片的结构示意图；参照图1所示，图像传感器芯片包括外围读取电路区101和感光电路区102，感光电路区102位于图像 传感器芯片的中间，外围读取电路区101位于感光电路区102的周围。
参照图2所示，图像传感器芯片包括结构层部件，该结构层部件包括多个结构层，每个结构层分布在感光电路区101和外围读取电路区102，在每个结构层为了实现该层中的不同部件之间的电性绝缘，需要在每个结构层上设置有绝缘材料。
现有技术中，每个结构层处于感光电路区的部分和外围读取电路区的部分均采用相同的绝缘材料；由于感光电路区分布的是像素电路，外围读取电路区分布的是外围读取电路，二者对部分性能参数的需求是不同的，比如感光电路区为达到更优的成像质量，需要使像素电路的寄生电容越小越好，以提高电荷转电压的增益；进而每个结构层处于感光电路区的部分和外围读取电路区的部分均采用相同的绝缘材料时，会对感光电路区和外围读取电路区的某些参数性能的进行不同的优化设计带来一定的限制。
基于此，本发明实施例提供了一种图像传感器芯片、制造方法、图像传感器和拍摄装置。
图3为本发明一实施例提供的一种图像传感器芯片的部分剖面结构示意图。参照图3所示，本发明实施例中所提供的一种图像传感器芯片，设置有感光电路区102和外围读取电路区101，图像传感器芯片包括结构层部件，该结构层部件包括多个结构层，每一结构层分布在感光电路区和外围读取电路区；结构层部件中至少有一个结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料；该第一部分为结构层分布在感光电路区的部分，该第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
本发明实施例中所提供的一种图像传感器芯片，由于结构层部件中有至少一个结构层的第一部分和第二部分采用不同特征属性的绝缘材料，该特征属性比如可以是介电常数、密度、尺寸稳定性等。进而可以便于设计使该结构层中分布在感光电路区的部分和外围读取电路区的部分具有不同 的性能参数，比如寄生电容、形变等。
可选的，上述第一部分采用的绝缘材料的特征属性小于第二部分所采用的绝缘材料的特征属性。
可选的，上述的特征属性为介电常数。
当上述的特征属性为介电常数时，本实施例所提供的图像传感器芯片的结构层部件中有至少一个结构层的分布于感光电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数小于分布于外围读取电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数。进而可以实现使感光电路区的像素电路具有更小的寄生电容，提高了电荷转电压的增益，提高信噪比。
本发明一实施例中，上述的图像传感器芯片，还包括位于结构层部件下方的基层；本实施例中，结构层部件中与该基层相邻的结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料。
由于基层对与其相邻的结构层的性能也会产生一定影响，并且该结构层的第一部分和第二部分所容许的该影响的程度不同，因此有必要设计使结构层部件中与基层相邻的结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料。
再次参见图3所示，本发明实施例中提供的一种图像传感器芯片，包括基层304和结构层部件，该基层304位于结构层部件的下方。本实施例中，该结构层部件包括三个结构层，分别为：第一结构层301、第二结构层302和第三结构层303，其中，第一结构层301、第二结构层302和第三结构层303中的每个结构层的分布于感光电路区102的部分所采用的绝缘材料的介电常数小于分布于外围读取电路区101的部分所采用的绝缘材料的介电常数。本实施例中，第一结构层包括多晶硅栅极POLY，第二结构层包括金属层M1，第三结构层包括金属层MX，上述的基层可以是硅基层，该硅基层包括为光电二极管PD。
本实施例中，设置使每个结构层的分布在感光电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数小于分布在外围读取电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数，使得感光电路区的像素电路内部，以及与基层相邻的结构层的感光电路区与该基层之间能够具有更小的寄生电容，进而提高像素电路的电荷转电压的增益，提升信噪比。
可选的，上述实施例中，第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料混合而成的混合物。
上述的绝缘材料可以是硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅。
示例性的，上述混合的方式可以是经过搅拌混合，以形成混合物。
可选的，上述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。该绝缘材料可以是硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中。
示例性的，上述分层叠加的方式包括：在一层绝缘材料A的上方进行沉积一层绝缘材料B，形成由绝缘材料A和绝缘材料B分层叠加而成的组合物。可选的，该组合物也可以是由两种以上具有不同特征属性的绝缘材料分层叠加而成的。
上述第二部分所采用的绝缘材料可以是采用现有技术中的半导体标准介质材料，该第二部分所采用的绝缘材料也可以只是同一种绝缘材料，也可以是由多种绝缘材料混合而成的混合物，或者是由多种绝缘材料分层叠加而成的。
本发明一实施例中，上述的图像传感器芯片为CMOS芯片。
该CMOS芯片相对于现有技术中的CMOS芯片，在感光电路区能够具有更小的寄生电容，电荷转电压增益更高，提升了信噪比，提升了性能。
图4为本发明实施例提供的一种制造上述传感器芯片的方法的流程示意图；该图像传感器芯片设置有感光电路区和外围读取电路区，图像传感 器芯片包括结构层部件，该结构层部件包括多个结构层，每一结构层分布在感光电路区和外围读取电路区。参照图4所示，该方法包括如下步骤：
步骤A10、依次生成所述结构层部件的多个结构层。
上述可以是按照自下而上的顺序依次生成结构层部件的多个结构层。
步骤A20、在生成所述多个结构层中的至少一个结构层时，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分；所述第一部分为所述结构层分布在所述感光电路区的部分，所述第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
上述特征属性可以是密度、介电常数、尺寸稳定性等属性。进而通过本实施例所提供的方法所制造而出的图像传感器芯片，结构层部件中有至少一个结构层的分布于感光电路区的部分所采用的绝缘材料的特征属性与分布于外围读取电路区的部分所采用的绝缘材料的特征属性不同，相对于现有技术中的图像传感器的芯片的每个结构层分布于感光电路区的部分和分布于外围读取电路区的部分采用相同的绝缘材料相比，可以允许感光电路区或者外围电路的性能优化设计不被使用了相同的绝缘材料所限制。
可选的，上述步骤A20中，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分，可以是通过以下步骤实现：
步骤A201、在所述感光电路区和所述外围读取电路区进行第一绝缘材料的淀积，刻蚀掉淀积后的分布于所述外围读取电路区的所述第一绝缘材料，得到所述第一部分。
本实施例中，在生成一结构层时，先在该层的感光电路区和外围读取电路区进行第一绝缘材料的淀积，然后将淀积后的分布于外围读取电路区的第一绝缘材料进行刻蚀掉后，得到该结构层的分布于感光电路区的部分(第一部分)。
步骤A202、在所述外围读取电路区进行第二绝缘材料淀积，得到所述 第二部分；所述第一绝缘材料的特征属性与所述第二绝缘材料的特征属性不同。
在上述将淀积的分布于外围读取电路区的第一绝缘材料刻蚀掉以后，在该外围读取电路区部分进行第二绝缘材料的淀积，得到该结构层的分布于外围读取电路的部分(第二部分)。最终得到包含第一部分和第二部分的结构层。
可选的，上述步骤B中，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分，也可以是通过以下步骤实现：
步骤B11、在所述感光电路区和所述外围读取电路区进行第二绝缘材料的淀积，刻蚀掉淀积后的分布于所述感光电路区的第二绝缘材料，得到所述第二部分。
本实施例中，在生成一结构层时，首先在感光电路区和外围读取电路区进行第二绝缘材料的淀积，在淀积完成以后，将淀积后的分布于所述感光电路区的第二绝缘材料蚀刻掉，得到该结构层的分布于外围读取电路区的部分。
步骤B12、在所述感光电路区进行第一绝缘材料淀积，得到所述第一部分；所述第一绝缘材料的特征属性与所述第二绝缘材料的特征属性不同。
在上述蚀刻掉分布于感光电路区的第二绝缘材料以后，在该感光电路区的部分进行第一绝缘材料的淀积，在第一绝缘材料淀积完成以后形成该结构层的分布于感光电路区的部分。
上述实施例中，在最终生成该结构层的第一部分和第二部分以后，进行化学机械抛光，使该结构层的表面平坦化。也可以是在每次淀积完成以后进行化学机械抛光，或者是在每次淀积和蚀刻之后进行化学机械抛光，本发明对此不作限制。
可选的，上述的第一绝缘材料的特征属性小于所述第二绝缘材料的特 征属性。
可选的，上述的特征属性为介电常数。
进而，通过本实施例所提供的方法制造而成的图像传感器芯片，结构层部件中有至少一个结构层的分布于感光电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数小于分布于外围读取电路区的部分所采用的绝缘材料的介电常数。进而，该图像传感器芯片可以允许感光电路区的像素电路内部具有更小的寄生电容。
本发明一实施例中，上述方法中，在依次生成所述结构层部件的多个结构层之前，包括：首先生成基层。并且在生成该基层之后，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成与所述基层相邻的结构层的第一部分和第二部分。
示例性的，参照图5～图8所示，在基层304上方制作完成多晶硅栅极层后，得到如图5所示结构；然后进行第一绝缘材料材料的淀积(第一次淀积)，得到如图6所示的结构；将分布于外围读取电路区的第一绝缘材料进行蚀刻掉，得到如图7所示的结构，此时便形成了该结构层的第一部分501。然后在外围读取电路部分进行淀积第二绝缘材料(第二次淀积)，得到如图8所示的结构，淀积完成以后得到该结构层的第二部分601。最终进行化学机械抛光，该结构层制作完成。
进而按照本实施例中所提供的制造方法所制造而成的图像传感器芯片中，结构层部件中与基层相邻的结构层的位于感光电路区的部分所采用的绝缘材料的特征属性与位于外围读取电路区的部分所采用的绝缘材料的特征属性不同。
本发明一实施例中，上述的基层位于多个结构层下方，多个结构层从该基层开始依次叠加生成。
可选的，上述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材 料混合而成的混合物。该绝缘材料可以是硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅。
示例性的，上述混合的方式可以是经过搅拌混合，以形成混合物。
可选的，上述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。该绝缘材料可以是硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅。
示例性的，上述分层叠加的方式包括：在一层绝缘材料A的上方进行沉积一层与绝缘材料A的特征属性不同的绝缘材料B，形成由绝缘材料A和绝缘材料B分层叠加而成的组合物。可选的，该组合物也可以是由两种以上具有不同特征属性的绝缘材料分层叠加而成的。
上述第二部分所采用的绝缘材料可以是采用现有技术中的半导体标准介质材料，该第二部分的也可以是只包含一种绝缘材料，也可以采由多种绝缘材料混合而成的混合物，也可以是由多种绝缘材料分层叠加而成的组合物。
图9为本发明实施例所提供的一种图像传感器的结构示意图。参照图9所示，该图像传感器，包括：数据接口901和上述任一实施例中所述的图像传感器芯片902，该数据接口901用于为图像传感器芯片提供数据输入和/或输出。
本实施例中提供的一种图像传感器，由于图像传感器芯片中的结构层部件中的结构层的位于感光电路区所采用的绝缘材料与位于外围读取电路区所采用的绝缘材料的特征属性不同，该图像传感器芯片的感光电路区的寄生电容能够进一步的备件小，最终使得包括该图像传感器芯片的图像传感器能够获取更优质的光学图像。
图6为本发明实施例所提供的一种拍摄装置的结构示意图。参照图6所示，该拍摄装置，包括：镜头以及上述实施例所述的图像传感器，所述 镜头接收光线并传输给所述图像传感器以进行成像。
本实施例中所提供的拍摄装置，具有成像质量更优的积极效果。
对于装置实施例而言，由于其基本对应于方法实施例，所以相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明实施例所提供的方法和装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (24)

  1. 一种图像传感器芯片，设置有感光电路区和外围读取电路区，所述图像传感器芯片包括结构层部件，所述结构层部件包括多个结构层，每一所述结构层分布在所述感光电路区和所述外围读取电路区；其特征在于，
    所述结构层部件中至少一个所述结构层的第一部分与第二部分采用不同特征属性的绝缘材料；所述第一部分为结构层分布在所述感光电路区的部分，所述第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
  2. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料的特征属性小于所述第二部分采用的绝缘材料的特征属性。
  3. 根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述特征属性为介电常数。
  4. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括位于结构层部件下方的基层；所述结构层部件中与所述基层相邻的结构层的所述第一部分与所述第二部分采用不同特征属性的绝缘材料。
  5. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料混合而成的混合物。
  6. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。
  7. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的任意一种或多种。
  8. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料混合而成的混合物。
  9. 根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。
  10. 根据权利要求1所述的图像传感器芯片，其特征在于，所述图像传感器芯片为CMOS芯片。
  11. 一种图像传感器芯片的制造方法，所述图像传感器芯片设置有感 光电路区和外围读取电路区，所述图像传感器芯片包括结构层部件，所述结构层部件包括多个结构层，每一所述结构层分布在所述感光电路区和所述外围读取电路区；其特征在于，所述方法包括：
    依次生成所述结构层部件的多个结构层；
    在生成所述多个结构层中的至少一个结构层时，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分；所述第一部分为所述结构层分布在所述感光电路区的部分，所述第二部分为结构层分布在所述外围读取电路区的部分。
  12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分，包括：
    在所述感光电路区和所述外围读取电路区进行第一绝缘材料的淀积，刻蚀掉淀积后的分布于所述外围读取电路区的所述第一绝缘材料，得到所述第一部分；
    在所述外围读取电路区进行第二绝缘材料淀积，得到所述第二部分；所述第一绝缘材料的特征属性与所述第二绝缘材料的特征属性不同。
  13. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分，包括：
    在所述感光电路区和所述外围读取电路区进行第二绝缘材料的淀积，刻蚀掉淀积后的分布于所述感光电路区的第二绝缘材料，得到所述第二部分；
    在所述感光电路区进行第一绝缘材料淀积，得到所述第一部分；所述第一绝缘材料的特征属性与所述第二绝缘材料的特征属性不同。
  14. 根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘材料的特征属性小于所述第二绝缘材料的特征属性。
  15. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述特征属性为介电常数。
  16. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述依次生成所述 结构层部件的多个结构层前包括：
    首先生成基层；
    在生成所述多个结构层中的至少一个结构层时，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成所述结构层的第一部分和第二部分，包括：
    在生成所述基层后，分别采用不同特征属性的绝缘材料生成与所述基层相邻的结构层的第一部分和第二部分。
  17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述基层位于所述多个结构层下方，所述多个结构层从所述基层开始依次叠加生成。
  18. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料混合而成的混合物。
  19. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。
  20. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一部分采用的绝缘材料包括：硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅中的任意一种或多种。
  21. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料混合而成的混合物。
  22. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二部分采用的绝缘材料包括：由多种特征属性绝缘材料分层叠加而成的组合物。
  23. 一种图像传感器，其特征在于，包括：数据接口和权利要求1-10任一所述的图像传感器芯片，所述数据接口用于为所述图像传感器芯片提供数据输入和/或输出。
  24. 一种拍摄装置，其特征在于，包括：镜头以及权利要求23所述的图像传感器，所述镜头接收光线并传输给所述图像传感器以进行成像。
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