JPH06120471A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH06120471A JPH06120471A JP29224692A JP29224692A JPH06120471A JP H06120471 A JPH06120471 A JP H06120471A JP 29224692 A JP29224692 A JP 29224692A JP 29224692 A JP29224692 A JP 29224692A JP H06120471 A JPH06120471 A JP H06120471A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、入射光を受光部に導く導光路を、
絶縁性を有しかつ高反射率を有する材料で形成すること
により、集光効率を高めて固体撮像素子の感度向上を図
る。 【構成】 基板１１に形成した各受光部１２上に透光性
の絶縁膜１３を形成し、その上面に酸化マグネシウム膜
１４を形成して、各受光部１２上の酸化マグネシウム膜
１４に、入射光線８１を当該受光部１２に導く導光路１
５を形成したものである。あるいは、基板１１に形成し
た各受光部１２上に絶縁膜（図示せず）を形成し、各受
光部１２上の絶縁膜に、入射光線８１を当該受光部１２
に導く導光路（図示せず）を形成して、その導光路の表
面に酸化マグネシウム膜を形成したものである。
絶縁性を有しかつ高反射率を有する材料で形成すること
により、集光効率を高めて固体撮像素子の感度向上を図
る。 【構成】 基板１１に形成した各受光部１２上に透光性
の絶縁膜１３を形成し、その上面に酸化マグネシウム膜
１４を形成して、各受光部１２上の酸化マグネシウム膜
１４に、入射光線８１を当該受光部１２に導く導光路１
５を形成したものである。あるいは、基板１１に形成し
た各受光部１２上に絶縁膜（図示せず）を形成し、各受
光部１２上の絶縁膜に、入射光線８１を当該受光部１２
に導く導光路（図示せず）を形成して、その導光路の表
面に酸化マグネシウム膜を形成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子およびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の固体撮像素子では、高感度のもの
が要求されている。高感度化の一例としては、図５に示
すような、いわゆるオンチップレンズ構造の固体撮像素
子４０が提案されている。この固体撮像素子４０には、
半導体基板４１に形成した複数の受光部４２上に、透光
性の膜４３を介して集光レンズになるオンチップレンズ
４４が形成されている。なお図では電荷転送部，チャネ
ルストッパー領域等の図示は省略した。
が要求されている。高感度化の一例としては、図５に示
すような、いわゆるオンチップレンズ構造の固体撮像素
子４０が提案されている。この固体撮像素子４０には、
半導体基板４１に形成した複数の受光部４２上に、透光
性の膜４３を介して集光レンズになるオンチップレンズ
４４が形成されている。なお図では電荷転送部，チャネ
ルストッパー領域等の図示は省略した。
【０００３】また別の高感度化の例としては、図６に示
すような、固体撮像素子５０が提案されている。すなわ
ち、半導体基板５１には複数の受光部５２が形成されて
いる。そして各受光部５２側の半導体基板５１上には絶
縁膜５３が成膜されている。また各受光部５２上の絶縁
膜５３には入射光を受光部５２に導く導光路５４が形成
されている。この導光路５４の側壁と絶縁膜５３の上面
とには、アルミニウムよりなる反射膜５５が形成されて
いる。反射膜５５は、入射光を受光部５２に導くととも
に遮光作用も成す。なお図では電荷転送部，チャネルス
トッパー領域等の図示は省略した。
すような、固体撮像素子５０が提案されている。すなわ
ち、半導体基板５１には複数の受光部５２が形成されて
いる。そして各受光部５２側の半導体基板５１上には絶
縁膜５３が成膜されている。また各受光部５２上の絶縁
膜５３には入射光を受光部５２に導く導光路５４が形成
されている。この導光路５４の側壁と絶縁膜５３の上面
とには、アルミニウムよりなる反射膜５５が形成されて
いる。反射膜５５は、入射光を受光部５２に導くととも
に遮光作用も成す。なお図では電荷転送部，チャネルス
トッパー領域等の図示は省略した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オンチ
ップレンズを用いた上記固体撮像素子では、オンチップ
レンズによる入射光の吸収率が２０％〜３０％程度あ
り、またオンチップレンズ表面での反射による損失も数
％程度あるため、オンチップレンズでの入射光の損失は
大きく、受光部に到達する入射光は非常に減少する。こ
のため、オンチップレンズ構造の固体撮像素子では、受
光部の集光効率を高めることができないので、固体撮像
素子の感度向上を十分に図ることができない。
ップレンズを用いた上記固体撮像素子では、オンチップ
レンズによる入射光の吸収率が２０％〜３０％程度あ
り、またオンチップレンズ表面での反射による損失も数
％程度あるため、オンチップレンズでの入射光の損失は
大きく、受光部に到達する入射光は非常に減少する。こ
のため、オンチップレンズ構造の固体撮像素子では、受
光部の集光効率を高めることができないので、固体撮像
素子の感度向上を十分に図ることができない。
【０００５】また反射膜を用いた上記固体撮像素子で
は、反射膜を導電性を有する金属（アルミニウム）で形
成するため、設計上の制約が生じる。またアルミニウム
を用いた場合には、マイグレーションの発生によって反
射膜の表面があれる。このため反射膜の表面で乱反射が
発生して、集光効率が低下する。したがって、固体撮像
素子の感度向上を十分に図ることができない。
は、反射膜を導電性を有する金属（アルミニウム）で形
成するため、設計上の制約が生じる。またアルミニウム
を用いた場合には、マイグレーションの発生によって反
射膜の表面があれる。このため反射膜の表面で乱反射が
発生して、集光効率が低下する。したがって、固体撮像
素子の感度向上を十分に図ることができない。
【０００６】本発明は、入射光の集光効率に優れた高感
度を有する固体撮像素子およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
度を有する固体撮像素子およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた固体撮像素子およびその製造方法
である。すなわち、受光部の上方に、入射光線を受光部
に導く導光路を設けた固体撮像素子であって、少なくと
も当該導光路の表面を酸化マグネシウムで形成したもの
である。
成するためになされた固体撮像素子およびその製造方法
である。すなわち、受光部の上方に、入射光線を受光部
に導く導光路を設けた固体撮像素子であって、少なくと
も当該導光路の表面を酸化マグネシウムで形成したもの
である。
【０００８】その製造方法としては、第１の工程で、基
板に形成した受光部上に透光性の絶縁膜を形成し、第２
の工程で、透光性の絶縁膜の上面に酸化マグネシウム膜
を形成する。その後第３の工程で、受光部上の酸化マグ
ネシウム膜に、入射光線を当該受光部に導く導光路を形
成する。または第１の工程で、基板に形成した受光部上
に絶縁膜を形成し、第２の工程で、受光部上の絶縁膜
に、入射光線を受光部に導く導光路を形成する。その後
第３の工程で、導光路の表面に酸化マグネシウム膜を形
成する。
板に形成した受光部上に透光性の絶縁膜を形成し、第２
の工程で、透光性の絶縁膜の上面に酸化マグネシウム膜
を形成する。その後第３の工程で、受光部上の酸化マグ
ネシウム膜に、入射光線を当該受光部に導く導光路を形
成する。または第１の工程で、基板に形成した受光部上
に絶縁膜を形成し、第２の工程で、受光部上の絶縁膜
に、入射光線を受光部に導く導光路を形成する。その後
第３の工程で、導光路の表面に酸化マグネシウム膜を形
成する。
【０００９】
【作用】上記構成の固体撮像素子では、少なくとも導光
路の表面を酸化マグネシウムで形成したことにより、導
光路に入射した光線のほとんどは、反射面で損失するこ
となく受光部に入射される。
路の表面を酸化マグネシウムで形成したことにより、導
光路に入射した光線のほとんどは、反射面で損失するこ
となく受光部に入射される。
【００１０】上記製造方法では、受光部上に透光性の絶
縁膜と酸化マグネシウム膜とを形成した後、受光部上の
酸化マグネシウム膜に導光路を形成したことにより、導
光路は絶縁性の膜のみによって形成される。または受光
部上に絶縁膜を形成した後、受光部上の絶縁膜に導光路
を設け、その後、導光路表面に酸化マグネシウム膜を成
膜したことにより、上記同様に、導光路は絶縁性の膜の
みによって形成される。したがって、導光路を形成する
プロセスによって、短絡を発生することがない。また酸
化マグネシウム膜は、従来のアルミニウム遮光膜の作用
もなす。
縁膜と酸化マグネシウム膜とを形成した後、受光部上の
酸化マグネシウム膜に導光路を形成したことにより、導
光路は絶縁性の膜のみによって形成される。または受光
部上に絶縁膜を形成した後、受光部上の絶縁膜に導光路
を設け、その後、導光路表面に酸化マグネシウム膜を成
膜したことにより、上記同様に、導光路は絶縁性の膜の
みによって形成される。したがって、導光路を形成する
プロセスによって、短絡を発生することがない。また酸
化マグネシウム膜は、従来のアルミニウム遮光膜の作用
もなす。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１の概略構成断面
図により説明する。図に示すように、基板１１の上層に
は複数の受光部１２が形成されている。さらに各受光部
１２を覆う状態に、透光性の絶縁膜１３が形成されてい
る。上記透光性の絶縁膜１３の上面には、酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）膜１４が形成されている。上記各受光部
１２の上方には、入射する光線８１を当該受光部１２に
導く導光路１５が設けられている。上記の如くに、固体
撮像素子１は構成されている。なお図では、電荷転送
部，チャネルストッパー領域等の図示は省略した。
図により説明する。図に示すように、基板１１の上層に
は複数の受光部１２が形成されている。さらに各受光部
１２を覆う状態に、透光性の絶縁膜１３が形成されてい
る。上記透光性の絶縁膜１３の上面には、酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）膜１４が形成されている。上記各受光部
１２の上方には、入射する光線８１を当該受光部１２に
導く導光路１５が設けられている。上記の如くに、固体
撮像素子１は構成されている。なお図では、電荷転送
部，チャネルストッパー領域等の図示は省略した。
【００１２】上記構成の固体撮像素子１では、導光路１
５が酸化マグネシウム膜で形成されていることにより、
導光路１５に入射した光線８１のほとんどは、導光路１
５の反射面１６で損失することなく受光部１２に入射さ
れる。また酸化マグネシウム膜は、絶縁膜なので、電気
的耐圧を考慮して膜厚を設計する必要がない。さらに従
来のアルミニウムを使用したものより耐熱性に優れてい
るので、その後の工程におけるプロセスの自由度が高
い。またさらに、経時変化をほとんど起こさないので、
信頼性が高い。また酸化マグネシウム膜１９は遮光膜の
作用も成す。
５が酸化マグネシウム膜で形成されていることにより、
導光路１５に入射した光線８１のほとんどは、導光路１
５の反射面１６で損失することなく受光部１２に入射さ
れる。また酸化マグネシウム膜は、絶縁膜なので、電気
的耐圧を考慮して膜厚を設計する必要がない。さらに従
来のアルミニウムを使用したものより耐熱性に優れてい
るので、その後の工程におけるプロセスの自由度が高
い。またさらに、経時変化をほとんど起こさないので、
信頼性が高い。また酸化マグネシウム膜１９は遮光膜の
作用も成す。
【００１３】次に上記固体撮像素子１の製造方法を、図
２の製造工程図により説明する。図２の（１）に示すよ
うに、第１の工程では、例えば化学的気相成長法によっ
て、基板１１の上層に形成した複数の受光部１２上に、
透光性の絶縁膜１３を成膜する。この透光性の絶縁膜１
３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）よりなる。
２の製造工程図により説明する。図２の（１）に示すよ
うに、第１の工程では、例えば化学的気相成長法によっ
て、基板１１の上層に形成した複数の受光部１２上に、
透光性の絶縁膜１３を成膜する。この透光性の絶縁膜１
３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）よりなる。
【００１４】次いで図２の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、例えば熱分解法による化学的気相成
長法によって、透光性の絶縁膜１３の上面に酸化マグネ
シウム膜１４を形成する。当該酸化マグネシウム膜は、
例えば８μｍの膜厚に形成する。このときの成膜反応と
しては、塩化マグネシウムの６水和物（ＭｇＣｌ2 ・６
Ｈ2 Ｏ）を加熱分解することにより、塩化水酸化マグネ
シウム〔Ｍｇ（ＯＨ）Ｃｌ〕と塩化水素（ＨＣｌ）と水
（５Ｈ2 Ｏ）と生成し、さらに加熱分解して塩化水酸化
マグネシウム〔Ｍｇ（ＯＨ）Ｃｌ〕を酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）と塩化水素（ＨＣｌ）とに分解する。そして
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を堆積する。酸化マグネシ
ウム以外の塩化水素（ＨＣｌ）と水（Ｈ2 Ｏ）等は蒸発
する。その後、堆積した酸化マグネシウム膜１４を緻密
化するための熱処理を行う。
う。この工程では、例えば熱分解法による化学的気相成
長法によって、透光性の絶縁膜１３の上面に酸化マグネ
シウム膜１４を形成する。当該酸化マグネシウム膜は、
例えば８μｍの膜厚に形成する。このときの成膜反応と
しては、塩化マグネシウムの６水和物（ＭｇＣｌ2 ・６
Ｈ2 Ｏ）を加熱分解することにより、塩化水酸化マグネ
シウム〔Ｍｇ（ＯＨ）Ｃｌ〕と塩化水素（ＨＣｌ）と水
（５Ｈ2 Ｏ）と生成し、さらに加熱分解して塩化水酸化
マグネシウム〔Ｍｇ（ＯＨ）Ｃｌ〕を酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）と塩化水素（ＨＣｌ）とに分解する。そして
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を堆積する。酸化マグネシ
ウム以外の塩化水素（ＨＣｌ）と水（Ｈ2 Ｏ）等は蒸発
する。その後、堆積した酸化マグネシウム膜１４を緻密
化するための熱処理を行う。
【００１５】次いで、図２の（３）に示す第３の工程を
行う。この工程では、各受光部１２上の酸化マグネシウ
ム膜１４に、入射する光線（図示せず）を当該受光部１
２に導く導光路１５を形成する。すなわち、通常の塗布
技術によって、酸化マグネシウム膜１４の上面にエッチ
バック用の膜２１を形成する。このエッチバック用の膜
２１は例えばレジストによって形成する。次いで、ホト
リソグラフィー技術によって、上記受光部１２上の上記
エッチバック用の膜２１に、例えばほぼ四角すい台状の
孔２２を形成する。その後、エッチバックによって、上
記エッチバック用の膜２１とともに上記酸化マグネシウ
ム膜１４の２点鎖線で示す部分を除去して、ほぼ四角す
い台状の穴２３を形成する。さらにホトリソグラフィー
技術によって、受光部１２上に開口を設けたエッチング
マスク（図示せず）を形成する。次いで異方性エッチン
グを行うことによって、酸化マグネシウム膜１４の１点
鎖線で示す部分を除去して、受光部１２上に筒状の孔２
４を形成する。上記ほぼ四角すい台状の穴２３と筒状の
孔２４とによって、導光路１５が形成される。その後、
エッチングマスクを、例えばアッシャー処理等によっ
て、除去する。上記の如くして、固体撮像素子１は形成
される。
行う。この工程では、各受光部１２上の酸化マグネシウ
ム膜１４に、入射する光線（図示せず）を当該受光部１
２に導く導光路１５を形成する。すなわち、通常の塗布
技術によって、酸化マグネシウム膜１４の上面にエッチ
バック用の膜２１を形成する。このエッチバック用の膜
２１は例えばレジストによって形成する。次いで、ホト
リソグラフィー技術によって、上記受光部１２上の上記
エッチバック用の膜２１に、例えばほぼ四角すい台状の
孔２２を形成する。その後、エッチバックによって、上
記エッチバック用の膜２１とともに上記酸化マグネシウ
ム膜１４の２点鎖線で示す部分を除去して、ほぼ四角す
い台状の穴２３を形成する。さらにホトリソグラフィー
技術によって、受光部１２上に開口を設けたエッチング
マスク（図示せず）を形成する。次いで異方性エッチン
グを行うことによって、酸化マグネシウム膜１４の１点
鎖線で示す部分を除去して、受光部１２上に筒状の孔２
４を形成する。上記ほぼ四角すい台状の穴２３と筒状の
孔２４とによって、導光路１５が形成される。その後、
エッチングマスクを、例えばアッシャー処理等によっ
て、除去する。上記の如くして、固体撮像素子１は形成
される。
【００１６】導光路１５を形成する別の方法としては、
例えばホトリソグラフィー技術と斜め方向よりの異方性
エッチングとを繰り返し行うことによって、基板１１の
法線に対して例えば２０°〜３０°の傾斜面を有するほ
ぼ四角すい台状の穴２３を、受光部１２上の酸化マグネ
シウム膜１４の上部側に形成する。このほぼ四角すい台
状の穴２３は、例えばおよそ３μｍの深さに形成され
る。その後、ホトリソグラフィー技術と異方性エッチン
グとによって、受光部１２上の酸化マグネシウム膜１４
を垂直方向に異方性エッチングして、筒状の孔２４を形
成する。このようにして、ほぼ四角すい台状の穴２３と
筒状の孔２４とによりなる導光路１５を形成する。
例えばホトリソグラフィー技術と斜め方向よりの異方性
エッチングとを繰り返し行うことによって、基板１１の
法線に対して例えば２０°〜３０°の傾斜面を有するほ
ぼ四角すい台状の穴２３を、受光部１２上の酸化マグネ
シウム膜１４の上部側に形成する。このほぼ四角すい台
状の穴２３は、例えばおよそ３μｍの深さに形成され
る。その後、ホトリソグラフィー技術と異方性エッチン
グとによって、受光部１２上の酸化マグネシウム膜１４
を垂直方向に異方性エッチングして、筒状の孔２４を形
成する。このようにして、ほぼ四角すい台状の穴２３と
筒状の孔２４とによりなる導光路１５を形成する。
【００１７】上記製造方法では、受光部１２上に透光性
の絶縁膜１３と酸化マグネシウム膜１４とを形成した
後、受光部１２上の酸化マグネシウム膜１４に導光路１
５を形成したことにより、導光路１５は絶縁性の酸化マ
グネシウム膜１４のみによって形成される。したがっ
て、導光路１５を形成するプロセスによって、例えば受
光部１２間が短絡されることは起きない。
の絶縁膜１３と酸化マグネシウム膜１４とを形成した
後、受光部１２上の酸化マグネシウム膜１４に導光路１
５を形成したことにより、導光路１５は絶縁性の酸化マ
グネシウム膜１４のみによって形成される。したがっ
て、導光路１５を形成するプロセスによって、例えば受
光部１２間が短絡されることは起きない。
【００１８】次に第２の実施例を図３の概略構成断面図
により説明する。図に示すように、基板１１の上層には
複数の受光部１２が形成されている。さらに各受光部１
２を覆う状態に、絶縁膜１７が形成されている。各受光
部１２上の上記絶縁膜１７には、入射する光線８１を当
該受光部１２に導く導光路１８が設けられている。さら
に上記導光路１８の表面と上記絶縁膜１７の上面とに
は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜１９が形成されてい
る。上記の如くに、固体撮像素子２は構成されている。
なお図では、電荷転送部，チャネルストッパー領域等の
図示は省略した。
により説明する。図に示すように、基板１１の上層には
複数の受光部１２が形成されている。さらに各受光部１
２を覆う状態に、絶縁膜１７が形成されている。各受光
部１２上の上記絶縁膜１７には、入射する光線８１を当
該受光部１２に導く導光路１８が設けられている。さら
に上記導光路１８の表面と上記絶縁膜１７の上面とに
は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜１９が形成されてい
る。上記の如くに、固体撮像素子２は構成されている。
なお図では、電荷転送部，チャネルストッパー領域等の
図示は省略した。
【００１９】上記構成の固体撮像素子２では、導光路１
８の表面に酸化マグネシウム膜１９が形成されているこ
とにより、導光路１８に入射した光線８１のほとんど
は、酸化マグネシウム膜１９の反射面２０で損失するこ
となく受光部１２に入射される。また酸化マグネシウム
膜１９は、絶縁膜なので、電気的耐圧を考慮して膜厚を
設計する必要がない。さらに従来のアルミニウムを使用
したものより耐熱性に優れているので、その後の工程に
おけるプロセスの自由度が高い。またさらに、経時変化
をほとんど起こさないので、信頼性が高い。また酸化マ
グネシウム膜１９は遮光膜の作用も成す。
８の表面に酸化マグネシウム膜１９が形成されているこ
とにより、導光路１８に入射した光線８１のほとんど
は、酸化マグネシウム膜１９の反射面２０で損失するこ
となく受光部１２に入射される。また酸化マグネシウム
膜１９は、絶縁膜なので、電気的耐圧を考慮して膜厚を
設計する必要がない。さらに従来のアルミニウムを使用
したものより耐熱性に優れているので、その後の工程に
おけるプロセスの自由度が高い。またさらに、経時変化
をほとんど起こさないので、信頼性が高い。また酸化マ
グネシウム膜１９は遮光膜の作用も成す。
【００２０】次いで上記固体撮像素子２の製造方法を、
図４の製造工程図により説明する。図４の（１）に示す
ように、第１の工程では、例えば化学的気相成長法によ
って、基板１１の上層に形成した複数の受光部１２を覆
う状態に絶縁膜１７を形成する。
図４の製造工程図により説明する。図４の（１）に示す
ように、第１の工程では、例えば化学的気相成長法によ
って、基板１１の上層に形成した複数の受光部１２を覆
う状態に絶縁膜１７を形成する。
【００２１】次いで図４の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、前記図２の（３）で説明した導光路
（１５）の形成方法と同様の方法によって、受光部１２
上の絶縁膜１７に、入射する光線（図示せず）を当該受
光部１２に導く導光路１８を形成する。なお導光路１８
を形成する際のエッチングによって、受光部１２が損傷
を受けないようにするために、基板１１と絶縁膜１７と
の間に、エッチングストッパーになる透光性の絶縁膜
（図示せず）を成膜しておいたほうが望ましい。
う。この工程では、前記図２の（３）で説明した導光路
（１５）の形成方法と同様の方法によって、受光部１２
上の絶縁膜１７に、入射する光線（図示せず）を当該受
光部１２に導く導光路１８を形成する。なお導光路１８
を形成する際のエッチングによって、受光部１２が損傷
を受けないようにするために、基板１１と絶縁膜１７と
の間に、エッチングストッパーになる透光性の絶縁膜
（図示せず）を成膜しておいたほうが望ましい。
【００２２】その後、図４の（３）に示す第３の工程を
行う。この工程では、例えば上記図２の（２）で説明し
た熱分解法による化学的気相成長法によって、上記絶縁
膜１７の表面に酸化マグネシウム膜１９を形成する。そ
の後、例えばホトリソグラフィー技術とエッチングとに
よって、少なくとも受光部１２上の酸化マグネシウム膜
１９（２点鎖線で示す部分）を除去する。上記の如くし
て、固体撮像素子２は形成される。
行う。この工程では、例えば上記図２の（２）で説明し
た熱分解法による化学的気相成長法によって、上記絶縁
膜１７の表面に酸化マグネシウム膜１９を形成する。そ
の後、例えばホトリソグラフィー技術とエッチングとに
よって、少なくとも受光部１２上の酸化マグネシウム膜
１９（２点鎖線で示す部分）を除去する。上記の如くし
て、固体撮像素子２は形成される。
【００２３】上記製造方法では、受光部１２上に絶縁膜
１７を形成した後、受光部１２上の絶縁膜１７に導光路
１８を設け、その後、導光路１８の表面に酸化マグネシ
ウム膜１９を形成したことにより、上記同様に、導光路
１８は絶縁膜１７と絶縁性を有する酸化マグネシウム膜
１９とによって形成される。したがって、導光路１８を
形成するプロセスによって、受光部１２間で短絡を発生
することがない。
１７を形成した後、受光部１２上の絶縁膜１７に導光路
１８を設け、その後、導光路１８の表面に酸化マグネシ
ウム膜１９を形成したことにより、上記同様に、導光路
１８は絶縁膜１７と絶縁性を有する酸化マグネシウム膜
１９とによって形成される。したがって、導光路１８を
形成するプロセスによって、受光部１２間で短絡を発生
することがない。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
少なくとも導光路の表面を酸化マグネシウムで形成した
ので、導光路に入射した光線のほとんどを、反射面で損
失することなく受光部に入射することが可能になる。よ
って、集光効率が向上するので感度の向上が図れる。上
記製造方法では、導光路は絶縁性の膜のみによって形成
されるので、導光路を形成するプロセスにで、素子間
（例えば受光部間）を短絡することが無くなるので、信
頼性の向上を図ることができる。
少なくとも導光路の表面を酸化マグネシウムで形成した
ので、導光路に入射した光線のほとんどを、反射面で損
失することなく受光部に入射することが可能になる。よ
って、集光効率が向上するので感度の向上が図れる。上
記製造方法では、導光路は絶縁性の膜のみによって形成
されるので、導光路を形成するプロセスにで、素子間
（例えば受光部間）を短絡することが無くなるので、信
頼性の向上を図ることができる。
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。
【図２】第１の実施例の製造工程図である。
【図３】第２の実施例の概略構成断面図である。
【図４】第２の実施例の製造工程図である。
【図５】従来例の概略構成断面図である。
【図６】別の従来例の概略構成断面図である。
１ 固体撮像素子 ２ 固体撮像素
子 １１ 基板 １２ 受光部 １３ 透光性の絶縁膜 １４ 酸化マグ
ネシウム膜 １５ 導光路 １７ 絶縁膜 １８ 導光路 １９ 酸化マグ
ネシウム膜 ８１ 光線
子 １１ 基板 １２ 受光部 １３ 透光性の絶縁膜 １４ 酸化マグ
ネシウム膜 １５ 導光路 １７ 絶縁膜 １８ 導光路 １９ 酸化マグ
ネシウム膜 ８１ 光線
Claims (3)
- 【請求項１】 受光部の上方に、入射光線を当該受光部
に導く導光路を設けた固体撮像素子であって、 少なくとも前記導光路の表面を酸化マグネシウムで形成
したことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の固体撮像素子の製造方法
であって、 基板に形成した受光部上に透光性の絶縁膜を形成する第
１の工程と、 前記透光性の絶縁膜の上面に酸化マグネシウム膜を形成
する第２の工程と、 前記受光部上の前記酸化マグネシウム膜に、入射光線を
当該受光部に導く導光路を形成する第３の工程とを行う
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の固体撮像素子の製造方法
であって、 基板に形成した受光部上に絶縁膜を形成する第１の工程
と、 前記受光部上の前記絶縁膜に、入射光線を当該受光部に
導く導光路を形成する第２の工程と、 前記導光路の表面に酸化マグネシウム膜を形成する第３
の工程とを行うことを特徴とする固体撮像素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29224692A JPH06120471A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29224692A JPH06120471A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120471A true JPH06120471A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17779346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29224692A Pending JPH06120471A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103757A (ja) * | 2002-12-25 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US7598552B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor having improved sensitivity and method of manufacturing the same |
| KR100935757B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 소자의 제조 방법 |
| US9941325B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state image sensor |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP29224692A patent/JPH06120471A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103757A (ja) * | 2002-12-25 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US7598552B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor having improved sensitivity and method of manufacturing the same |
| KR100935757B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 소자의 제조 방법 |
| US9941325B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state image sensor |
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