JP2000236079A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP2000236079A JP2000236079A JP11035366A JP3536699A JP2000236079A JP 2000236079 A JP2000236079 A JP 2000236079A JP 11035366 A JP11035366 A JP 11035366A JP 3536699 A JP3536699 A JP 3536699A JP 2000236079 A JP2000236079 A JP 2000236079A
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- Japan
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- light
- solid
- metal
- imaging device
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線撮影用に好適に用いることが可能な固体
撮像装置を提供する。 【解決手段】 基板１１の表面側にマトリックス状に受
光部１４が配置され、タングステンよりも質量数の大き
い金属またはこの金属を含む合金からなるＸ線用遮光膜
２２が基板１１上に設けられている。このＸ線用遮光膜
は、各受光部１４を露出させる開口部２２ａを備えたも
のである。
撮像装置を提供する。 【解決手段】 基板１１の表面側にマトリックス状に受
光部１４が配置され、タングステンよりも質量数の大き
い金属またはこの金属を含む合金からなるＸ線用遮光膜
２２が基板１１上に設けられている。このＸ線用遮光膜
は、各受光部１４を露出させる開口部２２ａを備えたも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特にはＸ線撮影用に好適に用いられる固体撮像装置
に関する。
し、特にはＸ線撮影用に好適に用いられる固体撮像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面照射型の固体撮像装置は、基板の表
面側に受光部をマトリックス状に配置してなり、各受光
部で受光された光を光電変換して像画信号を得るもので
ある。受光部が設けられた基板の上部には、これらの受
光部を取り囲む状態で転送電極が配置されると共に、こ
れらの受光部上に開口部を備えた形状の遮光膜が設けら
れている。この遮光膜は、アルミニウムからなるもので
あり、受光部以外の領域に光が入射してスミアが発生す
ることを防止している。
面側に受光部をマトリックス状に配置してなり、各受光
部で受光された光を光電変換して像画信号を得るもので
ある。受光部が設けられた基板の上部には、これらの受
光部を取り囲む状態で転送電極が配置されると共に、こ
れらの受光部上に開口部を備えた形状の遮光膜が設けら
れている。この遮光膜は、アルミニウムからなるもので
あり、受光部以外の領域に光が入射してスミアが発生す
ることを防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記構成の
固体撮像装置では、質量数が比較的小さいアルミニウム
によって遮光膜が構成されている。このため、この遮光
膜は、光は遮断できるもののＸ線は透過させてしまう。
したがって、この固体撮像装置をＸ線撮影用に用いた場
合には、スミアの発生を防止することができない。以上
のように、従来の固体撮像装置は、Ｘ線撮影用に適した
ものとはなっていなかった。
固体撮像装置では、質量数が比較的小さいアルミニウム
によって遮光膜が構成されている。このため、この遮光
膜は、光は遮断できるもののＸ線は透過させてしまう。
したがって、この固体撮像装置をＸ線撮影用に用いた場
合には、スミアの発生を防止することができない。以上
のように、従来の固体撮像装置は、Ｘ線撮影用に適した
ものとはなっていなかった。
【０００４】そこで本発明は、Ｘ線によるスミアの発生
を防止でき、Ｘ線撮影用に好適に用いることが可能な固
体撮像装置を提供することを目的とする。
を防止でき、Ｘ線撮影用に好適に用いることが可能な固
体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するための本発明の固体撮像装置は、受光部を露出させ
る状態で基板上に設けられた遮光膜が、タングステンよ
りも質量数の大きい金属またはこの金属を含む合金から
なることを特徴としている。前記金属としては鉛が用い
られる。
するための本発明の固体撮像装置は、受光部を露出させ
る状態で基板上に設けられた遮光膜が、タングステンよ
りも質量数の大きい金属またはこの金属を含む合金から
なることを特徴としている。前記金属としては鉛が用い
られる。
【０００６】このような構成の固体撮像装置では、タン
グステンよりも質量数の大きい金属またはこの金属を含
む合金からなる遮光膜が設けられていることから、アル
ミニウムからなる遮光膜と比較してＸ線を遮断する効果
の大きいものになる。このため、受光部以外の領域で
は、この遮光膜によってＸ線が遮断されるようになり、
受光部以外の領域にＸ線が漏れ込むことが防止される。
グステンよりも質量数の大きい金属またはこの金属を含
む合金からなる遮光膜が設けられていることから、アル
ミニウムからなる遮光膜と比較してＸ線を遮断する効果
の大きいものになる。このため、受光部以外の領域で
は、この遮光膜によってＸ線が遮断されるようになり、
受光部以外の領域にＸ線が漏れ込むことが防止される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係る固体撮像装置の構造を示す要部断面図である。
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係る固体撮像装置の構造を示す要部断面図である。
【０００８】この図に示す固体撮像装置は、例えばＩＴ
−ＣＣＤ（interline transfar-charge coupled devic
e) 固体撮像装置等の表面照射型のＣＣＤ固体撮像装置
である。この固体撮像装置は、Ｎ型の基板１１及びＰウ
ェル１２の構造を採っている。基板１１の表面側に信号
電荷蓄積領域となるＮ型領域１３が形成されることによ
り、ＰＮ接合のフォトダイオードによる受光部１４が構
成されている。
−ＣＣＤ（interline transfar-charge coupled devic
e) 固体撮像装置等の表面照射型のＣＣＤ固体撮像装置
である。この固体撮像装置は、Ｎ型の基板１１及びＰウ
ェル１２の構造を採っている。基板１１の表面側に信号
電荷蓄積領域となるＮ型領域１３が形成されることによ
り、ＰＮ接合のフォトダイオードによる受光部１４が構
成されている。
【０００９】また、基板１１の表面側には、受光部１４
に隣接させた状態でＮ型領域１５が信号電荷転送領域と
して形成されている。このＮ型領域１５は、基板１１の
表面上にシリコン酸化膜１６を介して形成されたポリシ
リコン電極１７と共に垂直転送部１８を構成している。
に隣接させた状態でＮ型領域１５が信号電荷転送領域と
して形成されている。このＮ型領域１５は、基板１１の
表面上にシリコン酸化膜１６を介して形成されたポリシ
リコン電極１７と共に垂直転送部１８を構成している。
【００１０】受光部１４と垂直転送部１８との間には、
受光部１４で光電変換されかつ蓄積された信号電荷を垂
直転送部１８に読み出すための読み出しゲート部２０が
介在している。ここで、垂直転送部１８のポリシリコン
電極１７は受光部１４の近傍まで延在しており、その延
在した部分が読み出しゲート部２０のゲート電極として
兼用されている。
受光部１４で光電変換されかつ蓄積された信号電荷を垂
直転送部１８に読み出すための読み出しゲート部２０が
介在している。ここで、垂直転送部１８のポリシリコン
電極１７は受光部１４の近傍まで延在しており、その延
在した部分が読み出しゲート部２０のゲート電極として
兼用されている。
【００１１】また、ポリシリコン電極１７を覆う状態で
形成された絶縁膜２１を介して、基板１１上にはＸ線用
遮光膜（遮光膜）２２が設けられている。このＸ線用遮
光膜２２は、受光部１４上に開口部２２ａを備えたもの
であり、受光部１４以外の領域、すなわち垂直転送部１
８及び読み出しゲート２０を含む領域を覆う状態で設け
られている。
形成された絶縁膜２１を介して、基板１１上にはＸ線用
遮光膜（遮光膜）２２が設けられている。このＸ線用遮
光膜２２は、受光部１４上に開口部２２ａを備えたもの
であり、受光部１４以外の領域、すなわち垂直転送部１
８及び読み出しゲート２０を含む領域を覆う状態で設け
られている。
【００１２】このＸ線用遮光膜２２は、タングステンよ
りも質量数の大きい金属またはこのような金属を含む合
金からなるものである。合金で形成される場合には、少
なくとも１種類の金属がタングステンよりも質量数の大
きい金属であれば良く、また全ての金属がタングステン
よりも質量数の大きい金属であっても良い。このような
金属として、特に好ましくは、より質量数の大きい鉛
（Ｐｂ）を用いることができる。
りも質量数の大きい金属またはこのような金属を含む合
金からなるものである。合金で形成される場合には、少
なくとも１種類の金属がタングステンよりも質量数の大
きい金属であれば良く、また全ての金属がタングステン
よりも質量数の大きい金属であっても良い。このような
金属として、特に好ましくは、より質量数の大きい鉛
（Ｐｂ）を用いることができる。
【００１３】さらに、ここでは図示を省略したが、Ｘ線
用遮光膜２２が形成された基板１１の上方には、層間絶
縁膜や平坦化絶縁膜が形成されている。そして、この平
坦化絶縁膜における各受光部１４上には、集光レンズが
それぞれ設けられている。
用遮光膜２２が形成された基板１１の上方には、層間絶
縁膜や平坦化絶縁膜が形成されている。そして、この平
坦化絶縁膜における各受光部１４上には、集光レンズが
それぞれ設けられている。
【００１４】次に、上記構成の固体撮像装置の製造手順
を説明する。
を説明する。
【００１５】先ずはじめに、従来知られている方法によ
って、Ｎ型の基板１１の表面側にＰウェル１２、Ｎ型領
域１３，１５、シリコン酸化膜１６、ポリシリコン電極
１７及びこのポリシリコン電極１７を覆う絶縁膜２１ま
でを形成する。
って、Ｎ型の基板１１の表面側にＰウェル１２、Ｎ型領
域１３，１５、シリコン酸化膜１６、ポリシリコン電極
１７及びこのポリシリコン電極１７を覆う絶縁膜２１ま
でを形成する。
【００１６】次いで、基板１１の上方に、これらを覆う
状態で、例えば鉛からなる金属膜を成膜する。金属膜の
成膜は、例えばスパッタ法やＣＶＤ（chemical vapor d
eposition)法によって行うこととする。
状態で、例えば鉛からなる金属膜を成膜する。金属膜の
成膜は、例えばスパッタ法やＣＶＤ（chemical vapor d
eposition)法によって行うこととする。
【００１７】次に、リソグラフィー法によって、この金
属膜上にレジストパターン（図示省略）を形成した後、
このレジストパターンをマスクに用いて受光部１４上の
金属膜をエッチング除去して開口部２２ａを形成する。
これによって、受光部１４を露出する開口部２２ａを備
えたＸ線用遮光膜２２を得る。その後、従来の知られて
いる方法によって、上記平坦化絶縁膜及びオンチップレ
ンズを形成する。
属膜上にレジストパターン（図示省略）を形成した後、
このレジストパターンをマスクに用いて受光部１４上の
金属膜をエッチング除去して開口部２２ａを形成する。
これによって、受光部１４を露出する開口部２２ａを備
えたＸ線用遮光膜２２を得る。その後、従来の知られて
いる方法によって、上記平坦化絶縁膜及びオンチップレ
ンズを形成する。
【００１８】上述したように、タングステンよりも質量
数の大きい金属またはこの金属を含む合金からなるＸ線
用遮光膜２２を設けた固体撮像装置では、受光部１４以
外の領域において、このＸ線用遮光膜２２によって光だ
けではなくＸ線も遮断されることになる。このため、こ
の固体撮像装置は、Ｘ線撮影用に用いた場合であって
も、受光部１４以外の領域にＸ線が漏れ込むことが防止
され、Ｘ線によるスミアの発生を効果的に防止すること
が可能になる。
数の大きい金属またはこの金属を含む合金からなるＸ線
用遮光膜２２を設けた固体撮像装置では、受光部１４以
外の領域において、このＸ線用遮光膜２２によって光だ
けではなくＸ線も遮断されることになる。このため、こ
の固体撮像装置は、Ｘ線撮影用に用いた場合であって
も、受光部１４以外の領域にＸ線が漏れ込むことが防止
され、Ｘ線によるスミアの発生を効果的に防止すること
が可能になる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像装
置によれば、タングステンよりも質量数の大きい金属ま
たはこの金属を含む合金で遮光膜を構成したことで、受
光部以外の領域にＸ線が漏れ込むことを効果的に防止で
き、Ｘ線によるスミアの発生を防止することが可能にな
る。したがって、この固体撮像装置を、Ｘ線撮影用にも
好適に用いることが可能になる。
置によれば、タングステンよりも質量数の大きい金属ま
たはこの金属を含む合金で遮光膜を構成したことで、受
光部以外の領域にＸ線が漏れ込むことを効果的に防止で
き、Ｘ線によるスミアの発生を防止することが可能にな
る。したがって、この固体撮像装置を、Ｘ線撮影用にも
好適に用いることが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
１４…受光部、２２…Ｘ線用遮光膜（遮光膜）、２２ａ
…開口部
…開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ (72)発明者 鈴木 裕次 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA05 AB01 BA13 CA03 DA03 FA06 FA35 GB03 GB07 GB11 GB14 5C024 AA11 CA04 FA01 GA00 GA11 GA52 5F049 MA02 NA17 NB05 QA15 SE01 SS03 SZ10 WA07 5F088 AA02 BA07 BB03 EA04 EA06 FA01 GA04 HA10 LA08
Claims (2)
- 【請求項１】 受光部を露出させる状態で基板上に設け
られた遮光膜が、タングステンよりも質量数の大きい金
属またはこの金属を含む合金からなることを特徴とする
固体撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の固体撮像装置において、 前記金属は鉛であることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035366A JP2000236079A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035366A JP2000236079A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236079A true JP2000236079A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12439913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11035366A Pending JP2000236079A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000236079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104241436A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种x射线探测基板及其制备方法、x射线探测设备 |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP11035366A patent/JP2000236079A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104241436A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种x射线探测基板及其制备方法、x射线探测设备 |
| US9377539B2 (en) | 2014-06-25 | 2016-06-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | X-ray detection board and manufacture method thereof, and X-ray detection device |
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