JP2007095792A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換素子2に対応して絶縁層4とそれより屈折率の高い高屈折率領域3との屈折率差を利用した光導波路が形成され、その光導波路の高屈折率領域3における光電変換素子2の受光面に対する水平方向の面は、その光入射側に比べて光電変換素子側が大きい面積を有する。
【選択図】 図1
Description
このLDD構造を有する場合において、先の高屈折率領域を形成する高屈折率層を用いて、サイドウォールを形成することができる。具体的な工程としては、トランジスタのゲート電極を形成した後、ゲート電極を覆って高屈折率層を形成する。そして、高屈折率層を異方性エッチングし、高屈折率領域とサイドウォールとを同時に形成することができる。また、このような工程で形成することで、工数の削減、およびサイドウォール形成時のエッチングから光電変換素子を保護することが可能となる。もちろん、それぞれのエッチングを別工程で行った場合においても、同一の高屈折率層を用いるため、工数の削減は可能である。
図10に撮像装置の一種であるCMOS型撮像装置における画素の回路構成の一例を示す。各画素は、1010にて示される。
図1に、本実施例の撮像装置の半導体基板に垂直方向の断面模式図を示す。これは、先に述べたCMOS型撮像装置の1画素分について示しており、実際の撮像装置は、この画素が半導体基板に複数形成されている。
図4に本実施例の撮像装置を示す。上述した第1の実施例の撮像装置と同一の機能を有する部材には同符号を付して説明を省略する。
図11は、本発明の第1乃至第3の実施例にて説明した撮像装置の製造方法によって製造された撮像装置を、携帯機器に用いられる撮像モジュールへ適用した場合の一例を示す構成図である。
図12は、本発明の第1乃至第3の実施例にて説明した撮像装置の製造方法によって製造された撮像装置を、撮像システムの一例であるデジタルカメラへ適用した場合のブロック図である。
2 光電変換素子
3 第1の光導波路
4 絶縁層
5 第1のパターン
6 絶縁層
7 第2のパターン
8 第2の光導波路
9 平坦化層
10 カラーフィルター層
11 平坦化層
12 オンチップマイクロレンズ
Claims (7)
- 半導体基板と、前記半導体基板に配された複数の光電変換素子と、
前記半導体基板上に配された絶縁層と、
該絶縁層内に前記光電変換素子に対応して配され、前記絶縁層に比べて屈折率の高い高屈折率領域と、を含み、
前記絶縁層と前記高屈折率領域との界面における反射によって集光する光導波路構造を有する撮像装置において、
前記高屈折率領域は第1の高屈折領域を含み、
該第1の高屈折率領域は前記光電変換素子の受光面に水平な方向の第1の面と、前記第1の面よりも前記光電変換素子側の第2の面と、を有し、
前記第1の面の面積に比べ、前記第2の面の面積が大きいことを特徴とする撮像装置。 - 前記高屈折率領域は第2の高屈折率領域を有し、該第2の高屈折率領域は、前記光電変換素子の受光面に水平な方向の第1の面と、前記第1の面よりも前記光電変換素子側の第2の面と、を有し、前記第2の面の面積に比べ前記第1の面の面積が大きいことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記高屈折率領域は第2の高屈折率領域を有し、前記第1の高屈折率領域が、前記第2の高屈折領域よりも前記光電変換素子側に配されていることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記高屈折率領域の前記光電変換素子の受光面に対向する面の面積は、前記光電変換素子の表面積に比べて小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換素子の最も近傍に形成される前記高屈折率領域は、膜厚方向に200nm乃至2000nmの厚さであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置と、前記撮像装置へ光を結像するレンズ部材と、前記レンズ部材を保持する鏡筒部材と、を有することを特徴とする撮像モジュール。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置と、前記撮像装置へ光を結像する光学系と、前記撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像システム。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008112944A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2010118477A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2011139073A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ |
EP2372769A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-05 | Sony Corporation | Solid- state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
JP2011239070A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP2014138066A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US8822896B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Solid-state imaging element |
US20150048468A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
US9806124B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and method for manufacturing the same |
US10490678B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and imaging system |
JP2020515867A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-05-28 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 光伝送素子、受光ユニット、光アクチュエータユニット、lidarシステム、作業装置および車両 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111873A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Sony Corp | 撮像装置及びカメラシステム |
JP2002359363A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2004193500A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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2005
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111873A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Sony Corp | 撮像装置及びカメラシステム |
JP2002359363A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2004193500A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008112944A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2010118477A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
US8822896B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Solid-state imaging element |
JP2011139073A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ |
EP2372769A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-05 | Sony Corporation | Solid- state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
JP2011216826A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器及びカメラモジュール |
US8736727B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-05-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
US9438833B2 (en) | 2010-05-07 | 2016-09-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
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JP2014138066A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US9806124B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and method for manufacturing the same |
US20150048468A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
US10490678B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and imaging system |
JP2020515867A (ja) * | 2017-04-06 | 2020-05-28 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 光伝送素子、受光ユニット、光アクチュエータユニット、lidarシステム、作業装置および車両 |
US11480663B2 (en) | 2017-04-06 | 2022-10-25 | Robert Bosch Gmbh | Light transmission element, optical receiving unit, optical actuator unit, LIDAR system, working device and vehicle |
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