JP2007095792A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 半導体基板と、前記半導体基板に配された複数の光電変換素子と、
   前記光電変換素子から電荷を読み出すための複数のトランジスタと、
   前記半導体基板上に配された絶縁層と、
   前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極よりも上部に設けられた複数のパターンと、
   該絶縁層内に前記光電変換素子に対応して配され、前記絶縁層に比べて屈折率の高い高屈折率領域と、を含み、
   前記絶縁層と前記高屈折率領域との界面における反射によって集光する光導波路構造を有する撮像装置において、
   前記高屈折率領域は前記複数のパターンのうち最も光電変換素子側に配されるパターンよりも前記光電変換素子側に配された第１の高屈折率領域を含み、
   該第１の高屈折率領域は前記光電変換素子の受光面に水平な方向の第１の面と、前記第１の面よりも前記光電変換素子側の第２の面と、を有し、
   前記第１の面の面積に比べ、前記第２の面の面積が大きいことを特徴とする撮像装置。
2. 前記高屈折率領域は第２の高屈折率領域を有し、該第２の高屈折率領域は、前記光電変換素子の受光面に水平な方向の第１の面と、前記第１の面よりも前記光電変換素子側の第２の面と、を有し、前記第２の面の面積に比べ前記第１の面の面積が大きいことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記高屈折率領域は第２の高屈折率領域を有し、前記第１の高屈折率領域が、前記第２の高屈折率領域よりも前記光電変換素子側に配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
4. 前記高屈折率領域の前記光電変換素子の受光面に対向する最も近接した面の面積は、前記光電変換素子の表面積に比べて小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
5. 前記光電変換素子の最も近傍に形成される前記高屈折率領域は、膜厚方向に２００ｎｍ乃至２０００ｎｍの厚さであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
6. 前記高屈折率領域は、前記第１の高屈折率領域と前記第２の高屈折率領域との間に、第３の高屈折率領域を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 前記第１の高屈折率領域の上面は、前記複数のパターンのうち最も光電変換素子側に配されるパターンの上面あるいは下面と同一の高さにあることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置へ光を結像するレンズ部材と、前記レンズ部材を保持する鏡筒部材と、を有することを特徴とする撮像モジュール。
9. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置へ光を結像する光学系と、前記撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像システム。