JP2015195371A5 - トランジスタの作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
   前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する第３の工程と、
   前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜上に金属膜を形成する第４の工程と、
   前記金属膜を介して、前記酸化物半導体膜の少なくとも一部に酸素を添加し、かつ前記金属膜を金属酸化膜とする第５の工程と、
   前記前記金属酸化物膜上に導電膜を形成する第６の工程と、
   前記第１の金属酸化膜及び前記導電膜の一部をエッチングすることにより、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、第２の金属酸化物膜上のソース電極、および第３の金属酸化物膜上のドレイン電極を形成する第７の工程と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域、第２の領域、第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第２の金属酸化物膜およびソース電極と重なり、
   前記第２の領域は、前記第３の金属酸化物膜およびドレイン電極と重なり、
   前記第３の領域は、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置し、チャネル形成領域として機能することを特徴とするトランジスタの作製方法。
2. 基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
   前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する第３の工程と、
   前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜上に金属膜を形成する第４の工程と、
   前記金属膜を介して、前記酸化物半導体膜の少なくとも一部に酸素を添加し、かつ前記金属膜を金属酸化膜とする第５の工程と、
   前記前記金属酸化物膜上に導電膜を形成する第６の工程と、
   前記第１の金属酸化膜及び前記導電膜の一部をエッチングすることにより、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、第２の金属酸化物膜上のソース電極、および第３の金属酸化物膜上のドレイン電極を形成する第７の工程と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域、第２の領域、第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第２の金属酸化物膜およびソース電極と重なり、
   前記第２の領域は、前記第３の金属酸化物膜およびドレイン電極と重なり、
   前記第３の領域は、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置し、チャネル形成領域として機能し、
   前記金属膜は、インジウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、タングステン、タンタル、またはモリブデンのいずれか一を含むことを特徴とするトランジスタの作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第３の工程の後に、前記酸化物半導体膜を２００℃以上４５０℃以下で加熱処理を行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。
4. 請求項３において、
   前記加熱処理は、窒素雰囲気で加熱処理した後、水の含有量が１ｐｐｍ以下の乾燥空気で加熱処理することを特徴とするトランジスタの作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第７の工程の後に、リン酸を含む薬液で洗浄することを特徴とするトランジスタの作製方法。