JP2014057298A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. ｐチャネル型の第１のトランジスタと、ｎチャネル型の第２のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第３のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線に電気的に接続されており、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続されており、
   前記第３のトランジスタのゲートは、第２の配線に電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続されており、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの上方に絶縁膜が位置し、
   前記絶縁膜の上方に前記第３のトランジスタが位置する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３のトランジスタの上方に第２の絶縁膜が位置し、
   前記第２の絶縁膜の上方に前記第１の配線、前記第２の配線、及び前記第４の配線が位置する半導体装置。