JPH0682821B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0682821B2 JPH0682821B2 JP63089296A JP8929688A JPH0682821B2 JP H0682821 B2 JPH0682821 B2 JP H0682821B2 JP 63089296 A JP63089296 A JP 63089296A JP 8929688 A JP8929688 A JP 8929688A JP H0682821 B2 JPH0682821 B2 JP H0682821B2
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- semiconductor
- single crystal
- signal processing
- semiconductor layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は固体撮像装置に関し、特にその画像信号の処
理回路を光電変換素子の下側に配置した積層型固体撮像
装置に関するものである。
理回路を光電変換素子の下側に配置した積層型固体撮像
装置に関するものである。
固体撮像装置の軽量化、さらには画像信号の高速処理，
多機能処理を実現するため、信号処理回路，信号記憶用
メモリー，信号演算回路等を多層に集積した積層構造上
に半導体撮像素子を形成し、最上層の撮像素子からの画
像信号をその下層の回路によって並列処理する、いわゆ
る知能付撮像素子（インテリジェント イメージプロセ
ッサ）を製造する試みがなされている。
多機能処理を実現するため、信号処理回路，信号記憶用
メモリー，信号演算回路等を多層に集積した積層構造上
に半導体撮像素子を形成し、最上層の撮像素子からの画
像信号をその下層の回路によって並列処理する、いわゆ
る知能付撮像素子（インテリジェント イメージプロセ
ッサ）を製造する試みがなされている。
従来、知能付撮像素子として第３図に示すものがあっ
た。図において、11は単結晶シリコン基板、２はシリコ
ン酸化膜（以下酸化膜と称す）、31は燐をドープした多
結晶シリコンよりなるゲート電極、41は高融点金属配線
であり、これら11,2,31,41によって１層目の素子（MOS
トランジスタ）Ａが構成されている。
た。図において、11は単結晶シリコン基板、２はシリコ
ン酸化膜（以下酸化膜と称す）、31は燐をドープした多
結晶シリコンよりなるゲート電極、41は高融点金属配線
であり、これら11,2,31,41によって１層目の素子（MOS
トランジスタ）Ａが構成されている。
また、21は１層目のMOS型トランジスタＡ上に形成され
た層間酸化膜、15は酸化膜、12は層間酸化膜21上に形成
された単結晶シリコン層、32はゲート電極、42は高融点
金属配線であり、これら12,15,32,42によって２層目の
素子（MOSトランジスタ）Ｂが形成されている。
た層間酸化膜、15は酸化膜、12は層間酸化膜21上に形成
された単結晶シリコン層、32はゲート電極、42は高融点
金属配線であり、これら12,15,32,42によって２層目の
素子（MOSトランジスタ）Ｂが形成されている。
さらに22は２層目MOSトランジスタＢ上に形成された層
間酸化膜、13,14は層間酸化膜22上に形成された単結晶
シリコン層であり、該単結晶シリコン層13は砒素等を注
入，拡散したＮ型シリコン、単結晶シリコン層14はボロ
ン等を注入，拡散したｐ型シリコンからなる。23は酸化
膜、43はアルミニウム配線であり、これら13,14,23,43
によって、３層目（最上層）の素子（ダイオード）Ｃが
形成されている。また51,52はそれぞれ第１層目，第２
層目の素子間、第２層目，第３層目の素子間を縦方向に
接続するための縦配線で、層間酸化膜に形成された縦穴
に高融点金属を埋め込んだものである。ここで単結晶シ
リコン層12,13,14は層間酸化膜21,22上の多結晶シリコ
ン12,13,14にレーザ光あるいは電子線等のエネルギー線
を照射し、これを溶融することにより作製したもので、
その膜厚はシリコン層12では4000Å、シリコン層13,14
では両方合わせて7000Åである。
間酸化膜、13,14は層間酸化膜22上に形成された単結晶
シリコン層であり、該単結晶シリコン層13は砒素等を注
入，拡散したＮ型シリコン、単結晶シリコン層14はボロ
ン等を注入，拡散したｐ型シリコンからなる。23は酸化
膜、43はアルミニウム配線であり、これら13,14,23,43
によって、３層目（最上層）の素子（ダイオード）Ｃが
形成されている。また51,52はそれぞれ第１層目，第２
層目の素子間、第２層目，第３層目の素子間を縦方向に
接続するための縦配線で、層間酸化膜に形成された縦穴
に高融点金属を埋め込んだものである。ここで単結晶シ
リコン層12,13,14は層間酸化膜21,22上の多結晶シリコ
ン12,13,14にレーザ光あるいは電子線等のエネルギー線
を照射し、これを溶融することにより作製したもので、
その膜厚はシリコン層12では4000Å、シリコン層13,14
では両方合わせて7000Åである。
次に動作について説明する。
３層目のダイオードＣの逆方向に電圧を印加する。すな
わち端子６に正電圧（5V）を印加し、端子７を接地す
る。このときダイオードＣにはこれが逆方向に接続され
ているため電流は流れない。このダイオードＣに光を照
射すると、照射された光によって単結晶シリコン13,14
中に電子・正孔対が発生し、これらの電子，正孔がそれ
ぞれ端子6,7に印加された電圧によって移動することに
より照射した光量に比例した電流（光電流）が流れる。
この光電流は配線43,縦配線52によって２層目の素子に
導入される。そしてMOSトランジスタ等によって構成さ
れている２層目のA/Dコンバータによって、この光電流
はアナログ信号からデジタル信号へ変換される。さらに
２層目のA/Dコンバータ回路によって変換されたデジタ
ル信号は縦配線51によって１層目の素子に導入される。
わち端子６に正電圧（5V）を印加し、端子７を接地す
る。このときダイオードＣにはこれが逆方向に接続され
ているため電流は流れない。このダイオードＣに光を照
射すると、照射された光によって単結晶シリコン13,14
中に電子・正孔対が発生し、これらの電子，正孔がそれ
ぞれ端子6,7に印加された電圧によって移動することに
より照射した光量に比例した電流（光電流）が流れる。
この光電流は配線43,縦配線52によって２層目の素子に
導入される。そしてMOSトランジスタ等によって構成さ
れている２層目のA/Dコンバータによって、この光電流
はアナログ信号からデジタル信号へ変換される。さらに
２層目のA/Dコンバータ回路によって変換されたデジタ
ル信号は縦配線51によって１層目の素子に導入される。
ここではMOSトランジスタなどにより構成されている記
憶素子、比較論理素子、シフトレジスタ等によって導入
されたデジタル信号を記憶したり、隣接画素間で比較し
たりして画素信号の輪郭抽出、移動物体の検出等の処理
を行なう。
憶素子、比較論理素子、シフトレジスタ等によって導入
されたデジタル信号を記憶したり、隣接画素間で比較し
たりして画素信号の輪郭抽出、移動物体の検出等の処理
を行なう。
従って、積層構造中の最上層に光電変換器を設け、その
下側の層には最上層の画素毎に信号処理回路を形成すれ
ば、各画素毎の信号の並列処理が可能となり、高速度の
画素処理が実現できる。
下側の層には最上層の画素毎に信号処理回路を形成すれ
ば、各画素毎の信号の並列処理が可能となり、高速度の
画素処理が実現できる。
従来の固体撮像素子においては、最上層（第３層）の光
電変換器つまりダイオードを形成するための単結晶シリ
コン層13,14はその膜厚が両方合わせても7000Åと薄く
形成されているため、“1985 シンポジウム オン VL
SIテクノロジー，ダイジェスト p34（1985Symposium o
n VLSI Technology,Digest p34）”の第３図の光電流の
波長依存性の関係に示されているように、長波長の光に
対する感度が低くなるという欠点があった。
電変換器つまりダイオードを形成するための単結晶シリ
コン層13,14はその膜厚が両方合わせても7000Åと薄く
形成されているため、“1985 シンポジウム オン VL
SIテクノロジー，ダイジェスト p34（1985Symposium o
n VLSI Technology,Digest p34）”の第３図の光電流の
波長依存性の関係に示されているように、長波長の光に
対する感度が低くなるという欠点があった。
この欠点は単結晶シリコン層13,14の膜厚を大きくすれ
ば解決されることは自明のことであるが、単結晶シリコ
ン層の形成がレーザ光などによる溶融再結晶化プロセス
によるものであるため、溶融後の冷却によるシリコンと
下地酸化膜との熱膨張率の差によって単結晶シリコン層
13,14に大きな歪が発生する。通常単結晶シリコン層13,
14の膜厚が１μｍ（＝10000Å）以上になるとこの歪に
よりクラックが発生し、溶融再結晶化プロセスによって
１μｍ以上の膜厚の単結晶シリコン層を形成することは
困難であった。
ば解決されることは自明のことであるが、単結晶シリコ
ン層の形成がレーザ光などによる溶融再結晶化プロセス
によるものであるため、溶融後の冷却によるシリコンと
下地酸化膜との熱膨張率の差によって単結晶シリコン層
13,14に大きな歪が発生する。通常単結晶シリコン層13,
14の膜厚が１μｍ（＝10000Å）以上になるとこの歪に
よりクラックが発生し、溶融再結晶化プロセスによって
１μｍ以上の膜厚の単結晶シリコン層を形成することは
困難であった。
また、溶融再結晶化プロセスにより厚さ１μｍ以下の単
結晶シリコンを形成し、この上に950℃のエピタキシャ
ル成長法によって単結晶シリコンを１μｍほど成長させ
ても、長波長側の感度は向上するが、エピタキシャル成
長法は高温プロセスのため、積層構造形成のプロセスと
しては適当でない。さらに、単結晶シリコンの代わりに
堆積温度の低い非晶質の半導体を使用するという方法も
あるが、この場合は非晶質シリコン中に安定なｐ−ｎ接
合を作ることが困難であった。さらにまた非晶質シリコ
ンの易動度は単結晶に比べて1/100以下であり動作速度
に問題があった。
結晶シリコンを形成し、この上に950℃のエピタキシャ
ル成長法によって単結晶シリコンを１μｍほど成長させ
ても、長波長側の感度は向上するが、エピタキシャル成
長法は高温プロセスのため、積層構造形成のプロセスと
しては適当でない。さらに、単結晶シリコンの代わりに
堆積温度の低い非晶質の半導体を使用するという方法も
あるが、この場合は非晶質シリコン中に安定なｐ−ｎ接
合を作ることが困難であった。さらにまた非晶質シリコ
ンの易動度は単結晶に比べて1/100以下であり動作速度
に問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、長波長側の感度を向上でき、かつ下層のデバ
イスの特性劣化を防止できる固体撮像装置を得ることを
目的とする。
たもので、長波長側の感度を向上でき、かつ下層のデバ
イスの特性劣化を防止できる固体撮像装置を得ることを
目的とする。
この発明に係る固体撮像装置は、半導体基板あるいは絶
縁性基板上に形成され、信号処理を行うデバイスを含む
信号処理部と、該信号処理部上に層間絶縁膜を介して形
成され、光電変換部として機能する半導体薄膜部とを備
えるとともに、上記半導体薄膜部を、上記層間絶縁膜上
に配設され、その表面に第２導電型の半導体領域を有す
る溶融再結晶化による第１導電型の第１の半導体層と、
上記第１の半導体層の第２導電型の半導体領域上にこれ
と接するよう配設された、単結晶膜の成長温度より低い
温度で成長可能な第２の半導体層とから構成し、上記第
２の半導体層及び上記第１の半導体層の第１導電型の半
導体領域から光電流を取り出すようにしたものである。
縁性基板上に形成され、信号処理を行うデバイスを含む
信号処理部と、該信号処理部上に層間絶縁膜を介して形
成され、光電変換部として機能する半導体薄膜部とを備
えるとともに、上記半導体薄膜部を、上記層間絶縁膜上
に配設され、その表面に第２導電型の半導体領域を有す
る溶融再結晶化による第１導電型の第１の半導体層と、
上記第１の半導体層の第２導電型の半導体領域上にこれ
と接するよう配設された、単結晶膜の成長温度より低い
温度で成長可能な第２の半導体層とから構成し、上記第
２の半導体層及び上記第１の半導体層の第１導電型の半
導体領域から光電流を取り出すようにしたものである。
この発明においては、信号処理部上に層間絶縁膜を介し
て位置する光電変換部を、層間絶縁膜上に形成された溶
融再結晶化による第１の半導体層と、該第１の半導体層
上に位置する低温成長可能な第２の半導体層とから構成
したから、光電変換部と信号処理部との積層により、固
体撮像装置を小型，コンパクト化できるとともに、光電
変換部を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安定に形成
可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成長等の高
温プロセスによらずに、溶融再結晶化プロセスでの熱歪
みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なものとな
り、上記光電変換部での長波長の光に対する感度を、信
号処理部での下層デバイスの特性劣化を招くことなく向
上することができる。
て位置する光電変換部を、層間絶縁膜上に形成された溶
融再結晶化による第１の半導体層と、該第１の半導体層
上に位置する低温成長可能な第２の半導体層とから構成
したから、光電変換部と信号処理部との積層により、固
体撮像装置を小型，コンパクト化できるとともに、光電
変換部を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安定に形成
可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成長等の高
温プロセスによらずに、溶融再結晶化プロセスでの熱歪
みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なものとな
り、上記光電変換部での長波長の光に対する感度を、信
号処理部での下層デバイスの特性劣化を招くことなく向
上することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。なお
この実施例の説明において、従来の技術の説明と重複す
る部分については適宜その説明を省略する。
この実施例の説明において、従来の技術の説明と重複す
る部分については適宜その説明を省略する。
第１図はこの発明の一実施例による固体撮像装置を説明
するための断面図である。図において11は単結晶シリコ
ン基板、2,15,23は酸化膜、21,22は層間酸化膜、31,32
はゲート電極、41,42は高融点金属配線、43はアルミニ
ウム配線、12は単結晶シリコン層、13はＮ型単結晶シリ
コン層、14はＰ型単結晶シリコン層、6,7は端子、８は
非晶質シリコン層、９は透明電極であり、Ａは１層目の
素子（MOSトランジスタ）、Ｂは２層目の素子（MOSトラ
ンジスタ）、Ｃは３層目の素子（ダイオード）である。
単結晶シリコン層13,14の膜厚は7000Å、非晶質シリコ
ン層８の膜厚は１μｍ（10000Å）でＮ型シリコン層13
上に形成されている。
するための断面図である。図において11は単結晶シリコ
ン基板、2,15,23は酸化膜、21,22は層間酸化膜、31,32
はゲート電極、41,42は高融点金属配線、43はアルミニ
ウム配線、12は単結晶シリコン層、13はＮ型単結晶シリ
コン層、14はＰ型単結晶シリコン層、6,7は端子、８は
非晶質シリコン層、９は透明電極であり、Ａは１層目の
素子（MOSトランジスタ）、Ｂは２層目の素子（MOSトラ
ンジスタ）、Ｃは３層目の素子（ダイオード）である。
単結晶シリコン層13,14の膜厚は7000Å、非晶質シリコ
ン層８の膜厚は１μｍ（10000Å）でＮ型シリコン層13
上に形成されている。
次に動作について説明する。
端子６に正電圧（＋5V）を印加し、端子７を接地し、３
層目の素子のダイオードＣに透明電極９を通して光を照
射する。シリコン層は合計1.7μｍと厚いため、長波長
側の光も充分吸収され、電子・正孔対を発生し、この電
子，正孔は透明電極９及びアルミニウム配線43（端子
７）に移動し、光電流となる。この場合長波長側の光も
充分吸収されているため、長波長の光の感度は向上して
いる。また非晶質シリコン８の形成温度は400℃以下と
充分低いため、形成時に下層デバイスの特性を劣化させ
ることはない。なお光電流の変換、信号処理に関しては
従来の例と同一である。
層目の素子のダイオードＣに透明電極９を通して光を照
射する。シリコン層は合計1.7μｍと厚いため、長波長
側の光も充分吸収され、電子・正孔対を発生し、この電
子，正孔は透明電極９及びアルミニウム配線43（端子
７）に移動し、光電流となる。この場合長波長側の光も
充分吸収されているため、長波長の光の感度は向上して
いる。また非晶質シリコン８の形成温度は400℃以下と
充分低いため、形成時に下層デバイスの特性を劣化させ
ることはない。なお光電流の変換、信号処理に関しては
従来の例と同一である。
このように本実施例では、光電流を発生する光電変換素
子と、該光電流を処理する信号処理部の下層デバイスと
が積層されているため、固体撮像装置の小型，コンパク
ト化がなされている。
子と、該光電流を処理する信号処理部の下層デバイスと
が積層されているため、固体撮像装置の小型，コンパク
ト化がなされている。
また、層間酸化膜22上に位置する光電変換素子を、表面
にＮ型単結晶シリコン層13を有する溶融再結晶化による
Ｐ型単結晶シリコン層14と、該シリコン層14上に形成し
た非晶質シリコン層８とから構成しているので、光電変
換素子を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安定に形成
可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成長等の高
温プロセスによらずに、溶融再結晶化プロセスでの熱歪
みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なものとな
り、上記光電変換素子での長波長の光に対する感度を、
下層デバイスの特性劣化を招くことなく向上することが
できる。
にＮ型単結晶シリコン層13を有する溶融再結晶化による
Ｐ型単結晶シリコン層14と、該シリコン層14上に形成し
た非晶質シリコン層８とから構成しているので、光電変
換素子を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安定に形成
可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成長等の高
温プロセスによらずに、溶融再結晶化プロセスでの熱歪
みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なものとな
り、上記光電変換素子での長波長の光に対する感度を、
下層デバイスの特性劣化を招くことなく向上することが
できる。
なお、上記実施例ではＮ型シリコン層13上に非晶質シリ
コン層８を形成した場合を示したが、該Ｎ型シリコン層
13上に燐を注入した非晶質シリコン層を形成し、これを
熱処理してＮ型単結晶シリコン層としてもよい。
コン層８を形成した場合を示したが、該Ｎ型シリコン層
13上に燐を注入した非晶質シリコン層を形成し、これを
熱処理してＮ型単結晶シリコン層としてもよい。
第１図を用いて詳しく説明するとＮ型シリコン層13上
に、該シリコン層13の導電性と同じとなるような不純物
（例えば燐）を導入した非晶質シリコン層を堆積し、不
純物の拡散が起こらない温度（ここでは600℃）で長時
間（３時間）アニールする。この熱処理により上記非晶
質シリコン層はＮ型シリコン層13を種として結晶化し、
Ｎ型単結晶シリコン層となる。
に、該シリコン層13の導電性と同じとなるような不純物
（例えば燐）を導入した非晶質シリコン層を堆積し、不
純物の拡散が起こらない温度（ここでは600℃）で長時
間（３時間）アニールする。この熱処理により上記非晶
質シリコン層はＮ型シリコン層13を種として結晶化し、
Ｎ型単結晶シリコン層となる。
この場合も上記実施例と同様熱処理温度が600℃と低温
であるため下層のデバイスの劣化を招くことなく、光電
変換素子のシリコン層の膜厚を厚くでき、長波長側の光
感度を向上できる。
であるため下層のデバイスの劣化を招くことなく、光電
変換素子のシリコン層の膜厚を厚くでき、長波長側の光
感度を向上できる。
さらに上記実施例ではＮ型シリコン層13上に直接非晶質
シリコン層などを形成したが、単結晶のシリコン層13と
非晶質シリコン層との間に電極を設けてもよい。
シリコン層などを形成したが、単結晶のシリコン層13と
非晶質シリコン層との間に電極を設けてもよい。
第２図はこのような構成の本発明の他の実施例装置を示
し、図中91は非晶質シリコン層８とＮ型シリコン層13と
の間に形成された透明電極であり、その他の構成は第１
図のものと同様である。
し、図中91は非晶質シリコン層８とＮ型シリコン層13と
の間に形成された透明電極であり、その他の構成は第１
図のものと同様である。
この実施例装置では、非晶質シリコン層8,N型シリコン
層13間に電極91が介在しているため、これらの各層8,13
に異なる電圧を印加することができ、これにより非晶質
シリコン層８内で発生した短波長の光による光電流と、
単結晶シリコン層13,14内で発生した長波長の光による
光電流とを分離することができ、フィルタ等を用いるこ
となく分光することができる効果がある。
層13間に電極91が介在しているため、これらの各層8,13
に異なる電圧を印加することができ、これにより非晶質
シリコン層８内で発生した短波長の光による光電流と、
単結晶シリコン層13,14内で発生した長波長の光による
光電流とを分離することができ、フィルタ等を用いるこ
となく分光することができる効果がある。
なお、上述の各実施例では、半導体基板上に３層構造の
固体撮像装置の例を示したが、層数は何層であってもよ
く、また半導体基板に代えて絶縁性基板を用いてもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
固体撮像装置の例を示したが、層数は何層であってもよ
く、また半導体基板に代えて絶縁性基板を用いてもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
また上記第１図及び第２図に示す装置では、ｐ−ｎ接合
を有する単結晶半導体層の上に非晶質の半導体層を形成
したが、これはその形成温度が下層デバイスに影響を与
えない温度（シリコン素子では800℃）以下であれば多
結晶半導体層であってもよく、この場合自明のことであ
るがこの多結晶半導体層はＮ型半導体である必要があ
る。
を有する単結晶半導体層の上に非晶質の半導体層を形成
したが、これはその形成温度が下層デバイスに影響を与
えない温度（シリコン素子では800℃）以下であれば多
結晶半導体層であってもよく、この場合自明のことであ
るがこの多結晶半導体層はＮ型半導体である必要があ
る。
以上のように、この発明によれば、信号処理部上に層間
絶縁膜を介して位置する光電変換部を、層間絶縁膜上に
形成された溶融再結晶化による第１の半導体層と、該第
１の半導体層上に位置する、単結晶膜の成長温度より低
い温度で成長可能な第２の半導体層とから構成したの
で、光電変換部を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安
定に形成可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成
長等の高温プロセスによらず、溶融再結晶化プロセスで
の熱歪みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なもの
となり、これにより上記光電変換部での長波長の光に対
する感度がよく、しかも信号処理部での下層デバイスの
特性劣化のない、小型かつコンパクトな構造の固体撮像
装置を得ることができる。
絶縁膜を介して位置する光電変換部を、層間絶縁膜上に
形成された溶融再結晶化による第１の半導体層と、該第
１の半導体層上に位置する、単結晶膜の成長温度より低
い温度で成長可能な第２の半導体層とから構成したの
で、光電変換部を構成する半導体層が、ｐ−ｎ接合を安
定に形成可能な単結晶膜を含み、かつエピタキシャル成
長等の高温プロセスによらず、溶融再結晶化プロセスで
の熱歪みに起因する限界膜厚以上に厚く形成可能なもの
となり、これにより上記光電変換部での長波長の光に対
する感度がよく、しかも信号処理部での下層デバイスの
特性劣化のない、小型かつコンパクトな構造の固体撮像
装置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による固体撮像装置を示す
断面図、第２図はこの発明の他の実施例による固体撮像
装置を示す断面図、第３図は従来の固体撮像装置を示す
断面図である。 図において、11は単結晶シリコン基板、12は単結晶シリ
コン層、13はＮ型単結晶シリコン層、14はＰ型単結晶シ
リコン層、2,15,23は酸化膜、21,22は層間酸化膜、31,3
2はゲート電極、41,42は高融点金属配線、43はアルミニ
ウム配線、51,52は縦配線、6,7は端子、８は非晶質シリ
コン層、9,91は透明電極である。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
断面図、第２図はこの発明の他の実施例による固体撮像
装置を示す断面図、第３図は従来の固体撮像装置を示す
断面図である。 図において、11は単結晶シリコン基板、12は単結晶シリ
コン層、13はＮ型単結晶シリコン層、14はＰ型単結晶シ
リコン層、2,15,23は酸化膜、21,22は層間酸化膜、31,3
2はゲート電極、41,42は高融点金属配線、43はアルミニ
ウム配線、51,52は縦配線、6,7は端子、８は非晶質シリ
コン層、9,91は透明電極である。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板あるいは絶縁性基板上に形成さ
れ、信号処理を行うデバイスを含む信号処理部と、該信
号処理部上に層間絶縁膜を介して形成され、光電変換部
として機能する半導体薄膜部とを備え、上記半導体薄膜
部で発生した光電流を上記信号処理部により処理する固
体撮像装置において、 上記半導体薄膜部を、 上記層間絶縁膜上に配設された、その表面に第２導電型
の半導体領域を有する溶融再結晶化による第１導電型の
第１の半導体層と、 上記第１の半導体層の第２導電型の半導体領域上にこれ
と接するよう配設された、単結晶膜の成長温度より低い
温度で成長可能な第２の半導体層とから構成し、 上記第２の半導体層及び上記第１の半導体層の第１導電
型の半導体領域から光電流を取り出すようにしたことを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089296A JPH0682821B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089296A JPH0682821B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261863A JPH01261863A (ja) | 1989-10-18 |
| JPH0682821B2 true JPH0682821B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=13966713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089296A Expired - Lifetime JPH0682821B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682821B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586812B1 (en) * | 1999-04-13 | 2003-07-01 | Agilent Technologies, Inc. | Isolation of alpha silicon diode sensors through ion implantation |
| TWI656631B (zh) * | 2014-03-28 | 2019-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置 |
| WO2016046685A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155576A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light-detecting element |
| JPS5739588A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63089296A patent/JPH0682821B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01261863A (ja) | 1989-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |