JP2014006518A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 複数の画素と、
   複数のセンサ回路と、を有し、
   前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
   前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
   前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
   前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
   前記センサ回路の数は、前記画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
2. 複数の画素と、
   複数のセンサ回路と、を有し、
   前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
   前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
   前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
   前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
   前記アンプ回路の数は、前記画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
3. 複数の画素と、
   複数のセンサ回路と、を有し、
   前記画素は、液晶素子と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記液晶素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
   前記センサ回路は、アンプ回路と、複数の受光素子と、を有し、
   前記アンプ回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
   前記複数の受光素子は、それぞれ、第４のトランジスタを介して、前記アンプ回路と電気的に接続され、
   前記アンプ回路は、前記複数の受光素子で共有され、
   前記アンプ回路は、前記複数の画素で共有され、
   前記共有されている複数の受光素子の数は、前記共有されている複数の画素の数よりも少ないことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記受光素子は、非単結晶半導体層を有し、
   前記非単結晶半導体層は、アモルファスシリコン層であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第４のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタ乃至前記第３のトランジスタの半導体層として、それぞれ、酸化物半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置。