JP2015179250A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１乃至第４の副画素を有する第１の画素、及び前記第１の画素の次行に設けられる第１乃至第４の副画素を有する第２の画素を有し、
   前記第１の画素が有する前記第１乃至第３の副画素を選択するための信号を与える第１の配線と、
   前記第１の画素が有する前記第４の副画素を選択するための第２の配線と、を有し、
   前記第２の配線は、前記第２の画素が有する前記第４の副画素を選択するための配線であることを特徴とする表示装置。
2. 第１乃至第４の副画素を有する第１の画素、及び前記第１の画素の次行に設けられる第１乃至第４の副画素を有する第２の画素を有し、
   前記第１の画素が有する前記第１乃至第３の副画素を選択するための信号を与える第１の配線と、
   前記第１の画素が有する前記第４の副画素を選択するための第２の配線と、
   前記第２の画素が有する前記第１乃至第３の副画素を選択するための第３の配線と、を有し、
   前記第２の配線は、前記第２の画素が有する前記第４の副画素を選択するための配線であることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の画素及び前記第２の画素が有する前記第１乃至第４の副画素の各々は、
   基板上のトランジスタと、
   前記トランジスタと接する無機絶縁膜と、
   前記無機絶縁膜と接する有機絶縁膜と、
   前記トランジスタと電気的に接続する容量素子と、
   前記有機絶縁膜上に設けられ、且つ前記トランジスタと電気的に接続する画素電極と、を有し、
   前記トランジスタは、前記基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜の一方の面に接するゲート絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の導電膜と、を有し、
   前記容量素子は、前記ゲート絶縁膜上であって、且つ前記一対の導電膜の一方と接する金属酸化物膜と、
   前記無機絶縁膜と、
   前記無機絶縁膜上の第１の透光性を有する導電膜と、を有し、
   前記画素電極は、第２の透光性を有する導電膜を有し、且つ前記一対の導電膜の一方と接することを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の他方の面に接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜に接する窒化物絶縁膜と、
   を有すること特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記金属酸化物膜は、前記窒化物絶縁膜に接して設けられ、且つ前記酸化物半導体膜と同じ金属元素を含むことを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎ、またはＨｆ）を有することを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を含む多層構造であり、
   前記第１の膜は、前記第２の膜と金属元素の原子数比が異なることを特徴とする表示装置。