TWI559048B - 主動元件基板與應用其之顯示面板 - Google Patents

Description

主動元件基板與應用其之顯示面板

本發明是有關於一種主動元件基板。

隨著科技的進步，人們對顯示面板的要求也越來越高，尺寸輕薄、高畫質與省電成為目前顯示面板發展的趨勢。一般而言，顯示面板之液晶分子會受到畫素單元中的電晶體所干擾，使其產生漏光現象，因此可利用遮光矩陣遮蔽漏光區域，以提高顯示面板的畫質。然而遮光矩陣會使得顯示面板的開口率降低，反而會讓顯示面板更加耗電。因此，如何在遮蔽漏光區域的同時，一併提高顯示面板的開口率為目前業界亟需解決的問題之一。

本發明之一態樣提供一種主動元件基板，包含複數條掃描線、複數條資料線、第一畫素電極、第二畫素電極、第一電晶體與第二電晶體。資料線分別與掃描線交錯。第M-1條之掃描線、第M條之掃描線、第N-1條之資料線與第N條之資料線共同定義第一子畫素範圍。第L條之掃描 線、第L+1條之掃描線、第N條之資料線與第N+1條之資料線共同定義第二子畫素範圍，M、N與L分別為大於一之正整數。第N-1條資料線與第N條資料線之間相距第一間距，且第N條資料線與第N+1條資料線之間相距第二間距，第一間距大於第二間距。第一畫素電極位於第一子畫素範圍內，第二畫素電極至少部份位於第二子畫素範圍內。第一電晶體位於第一子畫素範圍內，且與掃描線其中一者、資料線其中一者以及第一畫素電極電性連接。第二電晶體位於第一子畫素範圍內，且與掃描線其中一者、資料線其中一者以及第二畫素電極電性連接。

本發明之另一態樣提供一種顯示面板，包含上述之主動元件基板、對向基板與液晶層。對向基板相對主動元件基板設置。液晶層置於主動元件基板與對向基板之間。

因第一電晶體與第二電晶體皆位於第一子畫素範圍內，第二子畫素範圍中則無電晶體存在，因此在第二子畫素範圍中便沒有電晶體干擾液晶層之液晶分子偏轉的問題。如此一來，第二子畫素範圍部份之主動元件基板便能增加其開口率。

100‧‧‧主動元件基板

110‧‧‧掃描線

120‧‧‧資料線

130‧‧‧第一畫素電極

132、142‧‧‧條形開口

140‧‧‧第二畫素電極

150‧‧‧第一電晶體

151‧‧‧第一閘極

153‧‧‧第一通道層

155、165‧‧‧閘極介電層

157‧‧‧第一源極

159‧‧‧第一汲極

160‧‧‧第二電晶體

161‧‧‧第二閘極

163‧‧‧第二通道層

167‧‧‧第二源極

169‧‧‧第二汲極

210‧‧‧基材

220‧‧‧第一保護層

230‧‧‧第一插塞

240‧‧‧第二插塞

250‧‧‧絕緣層

260‧‧‧第二保護層

270‧‧‧透明導電層

280‧‧‧共通電極

290‧‧‧第三插塞

600‧‧‧對向基板

700‧‧‧液晶層

800‧‧‧遮光矩陣

900‧‧‧濾光層

5-5、7A-7A、7B-7B‧‧‧線段

B‧‧‧藍色濾光部

D‧‧‧距離

G‧‧‧綠色濾光部

R‧‧‧紅色濾光部

d1、d2‧‧‧長度

P1‧‧‧第一子畫素範圍

P2‧‧‧第二子畫素範圍

S1‧‧‧第一間距

S2‧‧‧第二間距

W‧‧‧白色濾光部

W1、W2‧‧‧寬度

第1圖為本發明一實施方式之顯示面板的側視圖。

第2圖為第1圖之主動元件基板一實施方式的局部上視圖。

第3圖為第1圖之顯示面板一實施方式的局部上視圖。

第4圖為第1圖之顯示面板另一實施方式的局部上視圖。

第5圖繪示沿第2圖之線段5-5的剖面圖。

第6圖為第1圖之主動元件基板另一實施方式的局部上視圖。

第7A圖為沿第6圖之線段7A-7A的剖面圖。

第7B圖為沿第6圖之線段7B-7B的剖面圖。

第8圖為第1圖之顯示面板另一實施方式的局部上視圖。

第9圖為第1圖之顯示面板再一實施方式的局部上視圖。

第10至13圖分別為第1圖之顯示面板又多個實施方式的局部上視圖。

第14至第17圖分別為第1圖之顯示面板又多個實施方式的局部上視圖。

以下將以圖式揭露本發明的複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖為本發明一實施方式之顯示面板的側視圖。顯示面板包含主動元件基板100、對向基板600與液晶層700。對向基板600相對主動元件基板100設置。液晶層700置於主動元件基板100與對向基板600之間。

接著請參照第2圖，其為第1圖之主動元件基板100一實施方式的局部上視圖。如圖所示，主動元件基板100包含複數條掃描線110、複數條資料線120、第一畫素電極130、第二畫素電極140、第一電晶體150與第二電晶體160。資料線120分別與掃描線110交錯。第M-1條之掃描線110、第M條之掃描線110、第N-1條之資料線120與第N條之資料線120共同定義第一子畫素範圍P1。第L條之掃描線110、第L+1條之掃描線110、第N條之資料線120與第N+1條之資料線120共同定義第二子畫素範圍P2，M、N與L分別為大於一之正整數。其中在本實施方式中，L=M-1，也就是說，第L條掃描線110即為第M-1條掃描線110，且第L+1條掃描線110即為第M條掃描線110。而為了清楚起見，在第2圖中，掃描線110皆以M作順序。

接續上述，第N-1條資料線120與第N條資料線120之間相距第一間距S1，且第N條資料線120與第N+1條資料線120之間相距第二間距S2，第一間距S1大於第二間距S2，例如在第2圖中，第一間距S1大於第二間距S2。第一畫素電極130位於第一子畫素範圍P1內，第二畫素電極140至少部份位於第二子畫素範圍P2內。第一電晶 體150位於第一子畫素範圍P1內，且與掃描線110其中一者、資料線120其中一者以及第一畫素電極130電性連接，例如在本實施方式中，第一電晶體150與第M-1條掃描線110、第N-1條資料線120以及第一畫素電極130電性連接。第二電晶體160位於第一子畫素範圍P1內，且與掃描線110其中一者、資料線120其中一者以及第一畫素電極130電性連接，例如在本實施方式中，第二電晶體160與第L(即M-1)條掃描線110、第N條資料線120以及第二畫素電極140電性連接。應注意的是，雖然在第2圖中僅繪示二條掃描線110與三條資料線120，然而本發明不以此為限。本領域具通常知識者可依實際需求彈性設計掃描線110與資料線120的數量。

在本實施方式中，第一電晶體150用以驅動第一畫素電極130，而第二電晶體160用以驅動第二畫素電極140。然而因第一電晶體150與第二電晶體160皆位於第一子畫素範圍P1內，第二子畫素範圍P2中則無電晶體存在，因此在第二子畫素範圍P2中便沒有電晶體干擾液晶層700(如第1圖所繪示)之液晶分子偏轉的問題。如此一來，第二子畫素範圍P2部份之主動元件基板100便能增加其開口率。

詳細而言，請一併參照第1圖與第3圖，其中第3圖為第1圖之顯示面板一實施方式的局部上視圖。在本實施方式中，主動元件基板100具有複數個第一子畫素範圍P1與複數個第二子畫素範圍P2，第一子畫素範圍P1與第 二子畫素範圍P2沿著資料線120的延伸方向交替排列。顯示面板可更包含遮光矩陣800，置於對向基板600與液晶層700之間。遮光矩陣800於主動元件基板100之正投影至少覆蓋第一電晶體150、第二電晶體160、掃描線110與資料線120。應注意的是，為了清楚起見，第3圖之遮光矩陣800以網點表示之，而位於遮光矩陣800下方的元件皆以實線繪示。

具體而言，因第一電晶體150與第二電晶體160可能會影響液晶分子的偏轉，進而造成顯示面板的漏光，因此遮光矩陣800可覆蓋於第一電晶體150與第二電晶體160的上方，以改善漏光現象。不過因在本實施方式中，第二子畫素範圍P2中不存在電晶體，也因此遮光矩陣800可減少於第二子畫素範圍P2中的覆蓋率，亦即增加第二子畫素範圍P2的開口率。

舉例而言，第M-1條掃描線110與第M條掃描線110之間相距距離D=60μm，第二間距S2=21.2μm，因此第二子畫素範圍P2之面積即為D*S2=1272μm。遮光矩陣800於第二子畫素範圍P2中暴露的區域具有長度d2=34.5μm以及寬度W2=15.21μm，因此其面積為d2*W2=524.75μm²，得到第二子畫素範圍P2的開口率為：(d2*W2)/(D*S2)=41.23%。與習知的結構相較，其開口率可增加6.31%。

另一方面，第一間距S1=38.8μm，因此第一子畫素範圍P1之面積即為D*S1=2328μm。遮光矩陣800於第 一子畫素範圍P1中暴露的區域具有長度d1=32μm以及寬度W1=32.79μm，因此其面積為d1*W1=1049.28μm²，得到第一子畫素範圍P1的開口率為：(d1*W1)/(D*S1)=45.08%。與習知的結構相較，其開口率可增加0.38%。也就是說，本實施方式之結構對於主動元件基板100整體之開口率皆有增加的趨勢。

在本實施方式中，第一間距S1可更小於或等於第二間距S2的二倍，而此結構可應用於次像素著色(Sub Pixel Rendering,SPR)技術之主動元件基板。詳細而言，次像素著色技術係透過相鄰畫素共用子畫素的方法來減少子畫素的個數，不但可達到以低解析度模擬高解析度的效果，更可增加開口率，同樣的亮度只需更小的功耗，以提升電池續航力。

請持續參照第1圖與第3圖。顯示面板可更包含濾光層900，置於對向基板600與液晶層700之間。濾光層900包含複數個紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B與複數個綠色濾光部G，其中濾光層900的位置可與遮光矩陣800的位置互補。紅色濾光部R於主動元件基板100之正投影分別落於部份之第一子畫素範圍P1內，藍色濾光部B於主動元件基板100之正投影分別落於另一部份之第一子畫素範圍P1內，且綠色濾光部G於主動元件基板100之正投影分別落於第二子畫素範圍P2內。以第3圖為例，於圖中自左上至右上方向可依序為紅色濾光部R、綠色濾光部G、藍色濾光部B與綠色濾光部G，另外自左下至右下方向可依 序為藍色濾光部B、綠色濾光部G、紅色濾光部R與綠色濾光部G，而第3圖所繪示之區域即可表示為次像素著色之單一畫素單元。其中因第3圖之第一子畫素範圍P1的面積大於第二子畫素範圍P2的面積，因此通過第二子畫素範圍P2之光亮度可大於通過第一子畫素範圍P1之光亮度，亦即，在本實施方式中，綠光的亮度可大於紅光與藍光的亮度。

接著請參照第4圖，其為第1圖之顯示面板另一實施方式的局部上視圖。本實施方式與第3圖之實施方式的不同處在於濾光層900(如第1圖所繪示)之各濾光部的種類與排列。在本實施方式中，濾光層900更包含白色濾光部W。紅色濾光部R於主動元件基板100之正投影分別落於部份之第一子畫素範圍P1內，藍色濾光部B於主動元件基板100之正投影分別落於另一部份之第一子畫素範圍P1內，綠色濾光部G於主動元件基板100之正投影分別落於部份之第二子畫素範圍P2內，且白色濾光部W於主動元件基板100之正投影分別落於另一部份之第二子畫素範圍P2內。以第4圖為例，於圖中自左上至右上方向可依序為紅色濾光部R、綠色濾光部G、藍色濾光部B與白色濾光部W，另外自左下至右下方向可依序為藍色濾光部B、白色濾光部W、紅色濾光部R與綠色濾光部G，而第4圖所繪示之區域即可表示為次像素著色之單一畫素單元。其中在本實施方式中，綠光與白光的亮度可大於紅光與藍光的亮度。至於本實施方式的其他細節因與第3圖的實施方式 相同，因此便不再贅述。

接著請一併參照第2圖與第5圖，其中第5圖繪示沿第2圖之線段5-5的剖面圖。在本實施方式中，主動元件基板100可更包含基材210、第一保護層220、第一插塞230與第二插塞240。掃描線110、資料線120、第一電晶體150與第二電晶體160皆位於基材210上。第一保護層220覆蓋第一電晶體150、第二電晶體160、掃描線110與資料線120，且第一畫素電極130與第二畫素電極140皆置於第一保護層220上。第一插塞230至少貫穿第一保護層220，且電性連接第一畫素電極130與第一電晶體150。第二插塞240至少貫穿第一保護層220，且電性連接第二畫素電極140與第二電晶體160。

詳細而言，第一電晶體150可包含第一閘極151、第一通道層153、閘極介電層155、第一源極157與第一汲極159。第一閘極151與掃描線110其中一者(在本實施方式中為第M-1條掃描線110)電性連接(如第2圖所繪示)。第一通道層153置於第一閘極151上方。閘極介電層155至少置於第一閘極151與第一通道層153之間。第一源極157與第N-1條資料線120以及第一通道層153電性連接。第一汲極159與第一源極157分離，與第一通道層153電性連接，且藉由第一插塞230與第一畫素電極130電性連接。如此一來，藉由通電至第M-1條掃描線110與第N-1條資料線120，第一電晶體150可提供電位至第一畫素電極130。

另一方面，第二電晶體160可包含第二閘極161、第二通道層163、閘極介電層165、第二源極167與第二汲極169。第二閘極161與掃描線110其中一者電性連接，例如在本實施方式中，第二閘極161與第L(即M-1)條掃描線110電性連接(如第2圖所繪示)。第二通道層163置於第二閘極161上方。閘極介電層165至少置於第二閘極161與第二通道層163之間，其中閘極介電層165可與閘極介電層155一體成型。第二源極167與第N條資料線120以及第二通道層163電性連接。第二汲極169與第二源極167分離，與第二通道層163電性連接，且藉由第二插塞240與第二畫素電極140電性連接。如此一來，藉由通電至第L(即M-1)條掃描線110與第N條資料線120，第二電晶體160可提供電位至第二畫素電極140。

然而本發明不以上述之結構為限，接著請一併參照第6圖與第7A圖，其中第6圖為第1圖之主動元件基板100另一實施方式的局部上視圖，第7A圖為沿第6圖之線段7A-7A的剖面圖。本實施方式與第5圖之實施方式的不同處在於第一保護層220與第一畫素電極130以及第二畫素電極140之間的結構。在本實施方式中，主動元件基板100更包含絕緣層250、第二保護層260與透明導電層270。絕緣層250置於第一保護層220與第一畫素電極130以及第二畫素電極140之間。第二保護層260置於絕緣層250與第一畫素電極130以及第二畫素電極140之間，其中第一插塞230與第二插塞240更貫穿絕緣層250與第二保護 層260。透明導電層270置於絕緣層250與第二保護層260之間，且透明導電層270與第一插塞230以及第二插塞240互相絕緣。

詳細地說，請同時參照第6圖與第7B圖，其中第7B圖為沿第6圖之線段7B-7B的剖面圖。主動元件基板100可更包含複數條共通電極280與複數個第三插塞290。共通電極280置於基材210與第一保護層220之間，更具體地說，共通電極280置於基材210與閘極介電層155(與165)之間，且共通電極280分別與掃描線110交替設置。第三插塞290至少分別貫穿第一保護層220與絕緣層250，且分別電性連接共通電極280與透明導電層270。如此一來，藉由通電至共通電極280，與共通電極280電性連接的透明導電層270可具有一共通電位。

請回到第6圖與第7A圖。在本實施方式中，第一畫素電極130與第二畫素電極140可分別具有複數個條形開口132與142。藉由設計每一畫素電極之條形開口的排列方向(例如在第4圖中，條形開口132與142分別具有不同的排列方向)，以分別改變液晶分子的偏轉方向，藉此達成廣視角需求。

接著請參照第8圖，其為第1圖之顯示面板另一實施方式的局部上視圖。其中應注意的是，為了清楚起見，第8至17圖中皆未繪示遮光矩陣800(如第3圖所繪示)，而各濾光部則直接以標號標示之。本實施方式與第3圖的實施方式的不同處在於第一電晶體150、第二電晶體160、 掃描線110與資料線120之間的電性連接方式。在本實施方式中，第一電晶體150與第M條掃描線110、第N-1條資料線120電性連接，而第二電晶體160與第L+1(即M)條掃描線110、第N條資料線120電性連接。至於本實施方式的其他細節因與第3圖的實施方式相同，因此便不再贅述。

接著請參照第9圖，其為第1圖之顯示面板再一實施方式的局部上視圖。本實施方式與第8圖的實施方式的不同處在於白色濾光部W的存在。在本實施方式中，白色濾光部W可置於部份的第二子畫素範圍P2中。至於本實施方式的其他細節因與第8圖的實施方式相同，因此便不再贅述。

接著請參照第10至13圖，其分別為第1圖之顯示面板又多個實施方式的局部上視圖。在第10至第13圖的實施方式中，位於同一第一子畫素範圍P1中之第一電晶體150與第二電晶體160分別連接不同的掃描線110。在第10圖與第11圖中，第一電晶體150與第M-1條掃描線110、第N-1條資料線120電性連接，且第二電晶體160與第L+1(即M)條掃描線110、第N條資料線120電性連接。而在第10圖中，濾光層900(如第1圖所繪示)包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B與複數個綠色濾光部G，在第11圖中，濾光層900則是包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B、複數個綠色濾光部G與複數個白色濾光部W。

另一方面，在第12圖與第13圖中，第一電晶體 150與第M條掃描線110、第N-1條資料線120電性連接，且第二電晶體160與第L(即M-1)條掃描線110、第N條資料線120電性連接。而在第12圖中，濾光層900包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B與複數個綠色濾光部G，在第13圖中，濾光層900則是包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B、複數個綠色濾光部G與複數個白色濾光部W。至於第10、12圖之實施方式的其他細節因與第3圖的實施方式相同，且第11、13圖之實施方式的其他細節因與第4圖的實施方式相同，因此便不再贅述。

接著請參照第14至第15圖，其分別為第1圖之顯示面板又多個實施方式的局部上視圖。在第14至15圖的實施方式中，L=M。在第14圖與第15圖中，第一電晶體150與第M-1條掃描線110、第N-1條資料線120電性連接，且第二電晶體160與第L(即M)條掃描線110、第N條資料線120電性連接。而在第14圖中，濾光層900(如第1圖所繪示)包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B與複數個綠色濾光部G，在第15圖中，濾光層900則是包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B、複數個綠色濾光部G與複數個白色濾光部W。至於第14圖之實施方式的其他細節因與第3圖的實施方式相同，且第15圖之實施方式的其他細節因與第4圖的實施方式相同，因此便不再贅述。

接著請參照第16至第17圖，其分別為第1圖之顯示面板又多個實施方式的局部上視圖。在第16至17圖的實施方式中，L=M-2，在第16圖與第17圖中，第一電晶體 150與第M條掃描線110、第N-1條資料線120電性連接，且第二電晶體160與第L+1(即M-1)條掃描線110、第N條資料線120電性連接。而在第16圖中，濾光層900包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B與複數個綠色濾光部G，在第17圖中，濾光層900則是包含紅色濾光部R、複數個藍色濾光部B、複數個綠色濾光部G與複數個白色濾光部W。至於第16圖之實施方式的其他細節因與第3圖的實施方式相同，且第17圖之實施方式的其他細節因與第4圖的實施方式相同，因此便不再贅述。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧主動元件基板

110‧‧‧掃描線

120‧‧‧資料線

130‧‧‧第一畫素電極

140‧‧‧第二畫素電極

150‧‧‧第一電晶體

151‧‧‧第一閘極

160‧‧‧第二電晶體

161‧‧‧第二閘極

280‧‧‧共通電極

5-5‧‧‧線段

P1‧‧‧第一子畫素範圍

P2‧‧‧第二子畫素範圍

S1‧‧‧第一間距

S2‧‧‧第二間距

Claims (18)

1. 一種主動元件基板，包含：複數條掃描線；複數條資料線，分別與該些掃描線交錯，其中第M-1條之該掃描線、第M條之該掃描線、第N-1條之該資料線與第N條之該資料線共同定義一第一子畫素範圍，且第L條之該掃描線、第L+1條之該掃描線、第N條之該資料線與第N+1條之該資料線共同定義一第二子畫素範圍，M、N與L分別為大於一之正整數，該第N-1條資料線與該第N條資料線之間相距一第一間距，且該第N條資料線與該第N+1條資料線之間相距一第二間距，該第一間距大於該第二間距；一第一畫素電極，位於該第一子畫素範圍內；一第二畫素電極，至少部份位於該第二子畫素範圍內；一第一電晶體，位於該第一子畫素範圍內，且與該些掃描線其中一者、該些資料線其中一者以及該第一畫素電極電性連接；一第二電晶體，位於該第一子畫素範圍內，且與該些掃描線其中一者、該些資料線其中一者以及該第二畫素電極電性連接；以及複數個濾光部，每一該些濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於該第一子畫素範圍內或該第二子畫素範圍內。
2. 如請求項1之主動元件基板，更包含：一基材，其中該些掃描線、該些資料線、該第一電晶體與該第二電晶體皆位於該基材上；一第一保護層，覆蓋該第一電晶體、該第二電晶體、該些掃描線與該些資料線，且該第一畫素電極與該第二畫素電極皆置於該第一保護層上；一第一插塞，至少貫穿該第一保護層，且電性連接該第一畫素電極與該第一電晶體；以及一第二插塞，至少貫穿該第一保護層，且電性連接該第二畫素電極與該第二電晶體。
3. 如請求項2之主動元件基板，其中該第一電晶體包含：一第一閘極，與該些掃描線其中該者電性連接；一第一通道層，置於該第一閘極上方；一閘極介電層，至少置於該第一閘極與該第一通道層之間；一第一源極，與該些資料線其中該者以及該第一通道層電性連接；以及一第一汲極，與該第一源極分離，與該第一通道層電性連接，且藉由該第一插塞與該第一畫素電極電性連接。
4. 如請求項2之主動元件基板，其中該第二電晶體包 含：一第二閘極，與該些掃描線其中該者電性連接；一第二通道層，置於該第二閘極上方；一閘極介電層，至少置於該第二閘極與該第二通道層之間；一第二源極，與該些資料線其中該者以及該第二通道層電性連接；以及一第二汲極，與該第二源極分離，與該第二通道層電性連接，且藉由該第二插塞與該第二畫素電極電性連接。
5. 如請求項2之主動元件基板，更包含：一絕緣層，置於該第一保護層與該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間；一第二保護層，置於該絕緣層與該第一畫素電極以及該第二畫素電極之間，其中該第一插塞與該第二插塞更貫穿該絕緣層與該第二保護層；以及一透明導電層，置於該絕緣層與該第二保護層之間，且該透明導電層與該第一插塞以及該第二插塞互相絕緣。
6. 如請求項5之主動元件基板，更包含：複數條共通電極，置於該基材與該第一保護層之間，且該些共通電極分別與該些掃描線交替設置；以及複數個第三插塞，至少分別貫穿該第一保護層與該絕 緣層，且分別電性連接該些共通電極與該透明導電層。
7. 如請求項5之主動元件基板，其中該第一畫素電極與該第二畫素電極分別具有複數個條形開口。
8. 如請求項1之主動元件基板，其中該第一間距更小於或等於該第二間距的二倍。
9. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M-1，該第一電晶體與該第M-1條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L條掃描線以及該第N條資料線電性連接。
10. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M-1，該第一電晶體與該第M條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L+1條掃描線以及該第N條資料線電性連接。
11. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M-1，該第一電晶體與該第M-1條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L+1條掃描線以及該第N條資料線電性連接。
12. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M-1，該第 一電晶體與該第M條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L條掃描線以及該第N條資料線電性連接。
13. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M，該第一電晶體與該第M-1條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L條掃描線與該第N條資料線電性連接。
14. 如請求項1之主動元件基板，其中L=M-2，該第一電晶體與該第M條掃描線以及該第N-1條資料線電性連接，且該第二電晶體與該第L+1條掃描線與該第N條資料線電性連接。
15. 一種顯示面板，包含：如請求項1所述之主動元件基板；一對向基板，相對該主動元件基板設置；以及一液晶層，置於該主動元件基板與該對向基板之間。
16. 如請求項15所述之顯示面板，更包含：一濾光層，置於該對向基板與該液晶層之間，其中該濾光層包含複數個紅色濾光部、複數個藍色濾光部與複數個綠色濾光部；以及其中該主動元件基板之該第一子畫素範圍與該第二子 畫素範圍的數量皆為複數個，該些紅色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於部份之該些第一子畫素範圍內，該些藍色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於另一部份之該些第一子畫素範圍內，且該些綠色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於該些第二子畫素範圍內。
17. 如請求項15所述之顯示面板，更包含：一濾光層，置於該對向基板與該液晶層之間，其中該濾光層包含複數個紅色濾光部、複數個藍色濾光部、複數個綠色濾光部與複數個白色濾光部；以及其中該主動元件基板之該第一子畫素範圍與該第二子畫素範圍的數量皆為複數個，該些紅色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於部份之該些第一子畫素範圍內，該些藍色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於另一部份之該些第一子畫素範圍內，該些綠色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於部份之該些第二子畫素範圍內，且該些白色濾光部於該主動元件基板之正投影分別落於另一部份之該些第二子畫素範圍內。
18. 如請求項15所述之顯示面板，更包含：一遮光矩陣，置於該對向基板與該液晶層之間，其中該遮光矩陣於該主動元件基板之正投影至少覆蓋該第一電晶體、該第二電晶體、該些掃描線與該些資料線。