JP2015043064A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 画素電極と、トランジスタと、を有する画素部と、
   第１の領域と、第２の領域と、を有する駆動回路部と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の領域は、第１の配線と、前記第１の配線と交差する第２の配線と、前記第１の絶縁層と、を有し、
   前記第２の領域は、第３の配線と、前記第３の配線と交差する第４の配線と、前記第１の絶縁層と、第２の酸化物半導体層と、を有し、
   前記第１の配線及び前記第３の配線は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層で設けられ、
   前記第２の配線及び前記第４の配線は、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一の層で設けられ、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と同一の層で設けられ、
   前記第２の領域における前記第３の配線と前記第４の配線の間の距離は、前記第１の領域における前記第１の配線と前記第２の配線の間の距離よりも長いことを特徴とする表示装置。
2. 画素電極と、トランジスタと、を有する画素部と、
   第１の領域と、第２の領域と、を有する駆動回路部と、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の領域は、第１の配線と、前記第１の配線と交差する第２の配線と、前記第１の絶縁層と、を有し、
   前記第２の領域は、第３の配線と、前記第３の配線と交差する第４の配線と、前記第１の絶縁層と、第２の酸化物半導体層と、第３の絶縁層と、を有し、
   前記第１の配線及び前記第３の配線は、前記トランジスタのゲート電極と同一の層で設けられ、
   前記第２の配線及び前記第４の配線は、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一の層で設けられ、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と同一の層で設けられ、
   前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層と同一の層で設けられ、
   前記第２の領域における前記第３の配線と前記第４の配線の間の距離は、前記第１の領域における前記第１の配線と前記第２の配線の間の距離よりも長いことを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウム及び亜鉛を含むことを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、結晶を含み、
   前記結晶のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルと平行に配向していることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の配線は、櫛歯形状を有することを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記駆動回路部は、さらに、第３の領域を有し、
   前記第３の領域は、第５の配線と、第７の配線を介して前記第５の配線と電気的に接続する第６の配線と、を有し、
   前記第５の配線は、前記トランジスタの前記ゲート電極と同一の層で設けられ、
   前記第６の配線は、前記トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一の層で設けられ、
   前記第７の配線は、前記画素電極と同一の層で設けられていることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６に記載の表示装置を有する電子機器。