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  1. 第1の基板と、
    第1シール材と、
    第2の基板と、
    第2シール材と、を有し、
    前記第1の基板は、トランジスタと、液晶と、を有する画素部を有し、
    前記第1シール材は、前記第1の基板上に、前記画素部を取り囲むように設けられ、
    前記第2の基板は、前記第1シール材と前記第2シール材とを介して前記第1の基板に固着され、
    前記第2シール材を形成する前に、前記第1の基板及び前記第2の基板は分断され、
    前記第2シール材は、前記第1シール材の外側で、前記画素部を取り囲むように設けられ、且つ前記第1シール材の側面に接する領域を有し、且つ前記第1の基板と前記第2の基板の対向するそれぞれの面に接する領域を有し、且つ前記第1の基板の4辺のうちFPC接続端子が形成された辺を除く辺の側面及び前記第2の基板の4辺の側面に接して設けられ、
    前記第1の基板の4辺のうちFPC接続端子が形成された辺を除く辺の側面は、前記第2シール材に接する領域と接しない領域を有し、
    前記第2の基板の4辺の側面は、前記第2シール材に接する領域を有し、
    前記第2の基板の4辺の側面の一部は、前記第2シール材に接しない領域を有していることを特徴とする電子装置。
  2. 請求項1において、
    前記第1シール材には棒状のスペーサが添加されていることを特徴とする電子装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859548B2 (en) 1996-09-25 2005-02-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic picture processing method and ultrasonic picture processing apparatus
JP3641342B2 (ja) * 1997-03-07 2005-04-20 Tdk株式会社 半導体装置及び有機elディスプレイ装置
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置、電気器具及びel表示装置用の半導体素子基板
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW577813B (en) 2000-07-10 2004-03-01 Semiconductor Energy Lab Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US7019457B2 (en) * 2000-08-03 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having both electrodes formed on the insulating layer
US6906458B2 (en) * 2000-08-11 2005-06-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing organic EL device, organic EL device and electronic apparatus
US7430025B2 (en) 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
US7009203B2 (en) * 2000-12-14 2006-03-07 Samsung Soi Co., Ltd. Organic EL device and method for manufacturing the same
TWI246755B (en) * 2001-01-29 2006-01-01 Seiko Epson Corp Semiconductor device, circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4693253B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP4037117B2 (ja) * 2001-02-06 2008-01-23 株式会社日立製作所 表示装置
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP4443063B2 (ja) * 2001-02-28 2010-03-31 株式会社日立製作所 電界効果トランジスタ及びそれを使用した画像表示装置
AU2002340795A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
CN1276518C (zh) 2001-05-07 2006-09-20 先进微装置公司 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置
DE60220912T2 (de) * 2001-05-07 2008-02-28 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speichervorrichtung mit einem sich selbst einbauenden polymer und verfahren zur herstellung derselben
AU2002340793A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
US6873540B2 (en) * 2001-05-07 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
WO2002091494A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Switch element having memeory effect
WO2003005774A1 (en) * 2001-05-24 2003-01-16 Orion Electric Co., Ltd. Container for encapsulating oled and manufacturing method thereof
KR100437765B1 (ko) * 2001-06-15 2004-06-26 엘지전자 주식회사 고온용 기판을 이용한 박막트랜지스터 제조방법과 이를 이용한 표시장치의 제조방법
EP1407643A4 (en) * 2001-06-22 2006-07-05 Ibm MATRIX DISPLAY WITH PASSIVE CONTROL
US6858481B2 (en) 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
DE60130586T2 (de) 2001-08-13 2008-06-19 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speicherzelle
JP4865165B2 (ja) 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6590157B2 (en) * 2001-09-21 2003-07-08 Eastman Kodak Company Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100763171B1 (ko) * 2001-11-07 2007-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
US8153184B2 (en) 2001-11-26 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device and method of manufacturing the same
TW591971B (en) * 2001-12-11 2004-06-11 Seiko Epson Corp Display apparatus and electronic machine
CN1245703C (zh) * 2001-12-11 2006-03-15 精工爱普生株式会社 显示装置及其电子机器
JP3706107B2 (ja) * 2002-01-18 2005-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP3939666B2 (ja) * 2002-01-18 2007-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
CN1432984A (zh) 2002-01-18 2003-07-30 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4490403B2 (ja) * 2002-01-18 2010-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG126714A1 (en) * 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100433407B1 (ko) * 2002-02-06 2004-05-31 삼성광주전자 주식회사 업라이트형 진공청소기
TWI286044B (en) * 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI272556B (en) * 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004079512A (ja) * 2002-06-17 2004-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機elパネルおよびその製造方法
US6670772B1 (en) * 2002-06-27 2003-12-30 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
US7012276B2 (en) * 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
KR100905470B1 (ko) * 2002-11-20 2009-07-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP4413779B2 (ja) * 2002-12-10 2010-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
KR101114900B1 (ko) * 2002-12-26 2012-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 발광 디바이스, 조명등 및 발광 장치의 제조 방법
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP2004264633A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4526771B2 (ja) 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7238963B2 (en) * 2003-04-28 2007-07-03 Tpo Displays Corp. Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same
DE602004022475D1 (de) * 2003-05-08 2009-09-17 Samsung Mobile Display Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Substrats für organische elektrolumineszente Vorrichtungen
US7145209B2 (en) * 2003-05-20 2006-12-05 Tpo Displays Corp. Thin film transistor and fabrication method thereof
US7126270B2 (en) * 2003-06-30 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Reflector for a light emitting device
TWI248682B (en) * 2003-09-18 2006-02-01 Au Optronics Corp Control TFT for OLDE display
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
EP1521316B1 (en) * 2003-10-03 2016-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting element
US20050074914A1 (en) * 2003-10-06 2005-04-07 Toppoly Optoelectronics Corp. Semiconductor device and method of fabrication the same
CN100397656C (zh) * 2003-12-03 2008-06-25 统宝光电股份有限公司 多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法
WO2005064995A1 (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US7994617B2 (en) * 2004-02-06 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20050258488A1 (en) * 2004-04-27 2005-11-24 Toppoly Optoelectronics Corp. Serially connected thin film transistors and fabrication methods thereof
KR100623254B1 (ko) 2004-04-27 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100623844B1 (ko) * 2004-04-30 2006-09-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US7122489B2 (en) * 2004-05-12 2006-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of composite sheet material using ultrafast laser pulses
US7745293B2 (en) * 2004-06-14 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method for manufacturing a thin film transistor including forming impurity regions by diagonal doping
US7504327B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film semiconductor device
KR100615224B1 (ko) * 2004-06-17 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
US7583022B2 (en) * 2004-08-02 2009-09-01 Eastman Kodak Company OLED display with electrode
KR100670140B1 (ko) * 2004-08-26 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 커패시터
EP1803172B1 (en) * 2004-09-24 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006095786A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp プリンタヘッド及びこれを備えた画像形成装置
US20060103295A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Hubert Matthew D Non-pixellated display
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8253179B2 (en) 2005-05-13 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101200444B1 (ko) * 2005-07-14 2012-11-12 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터와 이를 이용한 박막트랜지스터 기판 및 그제조방법 및 액정표시장치
JP5103607B2 (ja) * 2005-11-04 2012-12-19 国立大学法人東京農工大学 剥離層除去方法
TWI404227B (zh) * 2005-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法、以及顯示裝置和電子設備
JP5397219B2 (ja) 2006-04-19 2014-01-22 イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド アクティブマトリックス表示装置用の安定な駆動スキーム
US7994021B2 (en) 2006-07-28 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7943287B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2008023630A1 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8563431B2 (en) 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7795154B2 (en) * 2006-08-25 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device that uses laser ablation, to selectively remove one or more material layers
US7651896B2 (en) * 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5110830B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8174053B2 (en) * 2006-09-08 2012-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, production method thereof, and electronic device
KR100783816B1 (ko) * 2006-09-26 2007-12-07 주식회사 대우일렉트로닉스 오엘이디 디스플레이 소자
KR100824881B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7960261B2 (en) * 2007-03-23 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
JP2008310974A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその製造方法
US20090001360A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Masaya Nakayama Organic el display and method for producing the same
JP2009032553A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
KR101002662B1 (ko) * 2008-12-10 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP5386994B2 (ja) 2009-01-09 2014-01-15 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
JP2012159695A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Technology Research Association For Advanced Display Materials 光学素子及び光学素子の製造方法
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
CN109272933A (zh) 2011-05-17 2019-01-25 伊格尼斯创新公司 操作显示器的方法
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
CN103035734A (zh) 2011-10-07 2013-04-10 元太科技工业股份有限公司 金属氧化物薄膜晶体管
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
US9246133B2 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
KR102070951B1 (ko) * 2013-05-23 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
US9502435B2 (en) 2015-04-27 2016-11-22 International Business Machines Corporation Hybrid high electron mobility transistor and active matrix structure
CN105097828B (zh) * 2015-06-09 2018-11-09 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法及tft基板结构
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
KR20170080996A (ko) * 2015-12-31 2017-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6737620B2 (ja) * 2016-04-04 2020-08-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
WO2018042960A1 (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 双葉電子工業株式会社 有機el表示装置
KR102384624B1 (ko) * 2016-10-21 2022-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
WO2020100862A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、電子機器および照明装置
JP7306906B2 (ja) * 2019-07-19 2023-07-11 株式会社ジャパンディスプレイ アレイ基板及び表示装置
JP7324676B2 (ja) * 2019-09-30 2023-08-10 シチズンファインデバイス株式会社 有機el素子の製造方法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS598039B2 (ja) * 1979-12-27 1984-02-22 シャープ株式会社 薄膜elパネル
JPS616627A (ja) * 1984-06-21 1986-01-13 Asahi Glass Co Ltd エレクトロクロミツク素子の製造方法
JPS6144796U (ja) * 1984-08-28 1986-03-25 関西日本電気株式会社 薄膜elパネル
JPS62116394U (ja) * 1986-01-10 1987-07-24
JPH01113730A (ja) * 1987-10-27 1989-05-02 Toyota Motor Corp 液晶セルの製造方法
JPH01241526A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Alps Electric Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JPH01274384A (ja) * 1988-04-26 1989-11-02 Tosoh Corp 封止方法
JPH0260088A (ja) * 1988-08-24 1990-02-28 Hitachi Ltd 薄膜elパネル
JPH0268524A (ja) * 1988-09-05 1990-03-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH0275193A (ja) * 1988-09-08 1990-03-14 Tosoh Corp 薄膜elパネルの封止方法
JPH02137795U (ja) * 1989-04-21 1990-11-16
JP2760413B2 (ja) * 1990-12-21 1998-05-28 アルプス電気株式会社 液晶表示素子
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
JP2837013B2 (ja) * 1992-01-17 1998-12-14 株式会社デンソー El表示装置
JPH05315080A (ja) * 1992-05-01 1993-11-26 Fuji Xerox Co Ltd Tft駆動薄膜el素子
KR100309934B1 (ko) 1992-06-24 2002-06-20 구사마 사부로 박막트랜지스터,고체장치,표시장치,및박막트랜지스터의제조방법
JP3173135B2 (ja) * 1992-06-24 2001-06-04 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
JPH0696864A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Fuji Xerox Co Ltd ディスプレイ装置及びその製造方法
JPH06325868A (ja) * 1993-03-15 1994-11-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜エレクトロルミネセンスパネル
JPH0757870A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Tec Corp 端面発光型elヘッド
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
TW264575B (ja) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JPH07226294A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Tec Corp Elユニットの製作方法
JP2795207B2 (ja) * 1994-03-31 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法
DE19500380C2 (de) * 1994-05-20 2001-05-17 Mitsubishi Electric Corp Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
JP3464287B2 (ja) 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP0717445B1 (en) 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP3539821B2 (ja) 1995-03-27 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3292657B2 (ja) * 1995-04-10 2002-06-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置の製造法
JPH09101761A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Casio Comput Co Ltd El表示装置
JPH09113883A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd ディスプレイ表示素子用基材フィルム及び液晶表示素子
JP3715035B2 (ja) * 1996-06-25 2005-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH1074582A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ
JPH10134959A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Sharp Corp 薄膜elパネル
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
JP3762002B2 (ja) * 1996-11-29 2006-03-29 株式会社東芝 薄膜トランジスタ、及び液晶表示装置
JPH10200125A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH10319872A (ja) * 1997-01-17 1998-12-04 Xerox Corp アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
JP3268993B2 (ja) * 1997-01-31 2002-03-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP3641342B2 (ja) * 1997-03-07 2005-04-20 Tdk株式会社 半導体装置及び有機elディスプレイ装置
US5893721A (en) * 1997-03-24 1999-04-13 Motorola, Inc. Method of manufacture of active matrix LED array
JP3544280B2 (ja) 1997-03-27 2004-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH118075A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子
JPH1124096A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Optrex Corp 液晶表示素子
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH1140347A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3874899B2 (ja) * 1997-07-24 2007-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶パネルの作製方法
JPH1154268A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JPH1165471A (ja) * 1997-08-20 1999-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置
JPH1164863A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Nec Corp 液晶表示パネル及びその製造方法
JP4013293B2 (ja) * 1997-09-01 2007-11-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置兼用型イメージセンサ装置及びアクティブマトリクス型表示装置
JPH11109378A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH11219133A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Tdk Corp 画像表示装置
JPH11231805A (ja) * 1998-02-10 1999-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH11272235A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路
JP2000089252A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Toshiba Corp マトリクス型表示装置
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6512271B1 (en) * 1998-11-16 2003-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6365917B1 (en) 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6259138B1 (en) * 1998-12-18 2001-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having multilayered gate electrode and impurity regions overlapping therewith
JP2000214800A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP5030345B2 (ja) 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体装置

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