JPH0260088A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPH0260088A JPH0260088A JP63208413A JP20841388A JPH0260088A JP H0260088 A JPH0260088 A JP H0260088A JP 63208413 A JP63208413 A JP 63208413A JP 20841388 A JP20841388 A JP 20841388A JP H0260088 A JPH0260088 A JP H0260088A
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- Japan
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- thin film
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- electrode
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- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平面デイスプレィである薄膜ＥＬ素子に係り、
特に、素子の保護が簡便で、ｍ角特性の優れたカラーＥ
Ｌ素子に関する。
特に、素子の保護が簡便で、ｍ角特性の優れたカラーＥ
Ｌ素子に関する。
従来の薄膜ＥＩ、パネルは、特開昭５６−０２５８１号
公報に記載のように、薄膜ＥＬ素子が形成されたガラス
基板上にＥＬ″ＪＡ子保護用の背面ガラス板をスペーサ
を用いて周辺を接着してセル状にし、その中に水分吸収
体を含むシリコンオイル、真空グリース等の薄膜ＥＬ素
子保護用注入流体を充填封人する構造になっている。第
２図に基づいて薄膜ＥＬパネルの構成を説明する。ガラ
ス基板１上には、ＩＴ○（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）などの下部透明電極２がストライプ状に形成さ
れている。その上にＹｚＯａ、ＴｉＯ２，ＡＱｚＯａ、
Ｓ １ａＮｎ、 ５ｉＯｚなどからなる第一絶縁層３
がスパッタリング、あるいは、電子ビーム蒸着法により
形成される。さらに、その上に発光ＷＪ４として用いら
れるＺｎＳ二Ｍｎが電子ビーム蒸着法で形成され、次に
、スパッタリング法、あるいは、電子ビーＬ蒸着法など
により第二絶縁層５が形成される。その後、下部透明電
極２と直交するように、ＡＱなどからなる上部電極６を
蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子が作られる。この状
態での薄１１ＱＥＬ素子は、第二絶縁層に製造工程途中
でピンホールなどの欠陥が生じると、このピンホール欠
陥を通して発光層４に大気中の湿気が侵入し、ＥＬ発光
損失による発熱、素子特性の劣化につながるという問題
がある。そこで薄膜ＥＬ素子を大気中の湿気より保護す
るため、素子上に背面ガラス板７をスペーサ８で間隔を
制御して配置し、その周辺を接着剤９で固定している。
公報に記載のように、薄膜ＥＬ素子が形成されたガラス
基板上にＥＬ″ＪＡ子保護用の背面ガラス板をスペーサ
を用いて周辺を接着してセル状にし、その中に水分吸収
体を含むシリコンオイル、真空グリース等の薄膜ＥＬ素
子保護用注入流体を充填封人する構造になっている。第
２図に基づいて薄膜ＥＬパネルの構成を説明する。ガラ
ス基板１上には、ＩＴ○（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）などの下部透明電極２がストライプ状に形成さ
れている。その上にＹｚＯａ、ＴｉＯ２，ＡＱｚＯａ、
Ｓ １ａＮｎ、 ５ｉＯｚなどからなる第一絶縁層３
がスパッタリング、あるいは、電子ビーム蒸着法により
形成される。さらに、その上に発光ＷＪ４として用いら
れるＺｎＳ二Ｍｎが電子ビーム蒸着法で形成され、次に
、スパッタリング法、あるいは、電子ビーＬ蒸着法など
により第二絶縁層５が形成される。その後、下部透明電
極２と直交するように、ＡＱなどからなる上部電極６を
蒸着法により形成し、薄膜ＥＬ素子が作られる。この状
態での薄１１ＱＥＬ素子は、第二絶縁層に製造工程途中
でピンホールなどの欠陥が生じると、このピンホール欠
陥を通して発光層４に大気中の湿気が侵入し、ＥＬ発光
損失による発熱、素子特性の劣化につながるという問題
がある。そこで薄膜ＥＬ素子を大気中の湿気より保護す
るため、素子上に背面ガラス板７をスペーサ８で間隔を
制御して配置し、その周辺を接着剤９で固定している。
その後、微粒子シリカゲルなどから成る水分吸収体を混
合したシリコンオイル、あるいは、真空グリースなどの
保護用流体１１が真空注入法により注入孔１２から導入
され、その後。
合したシリコンオイル、あるいは、真空グリースなどの
保護用流体１１が真空注入法により注入孔１２から導入
され、その後。
注入孔１２を封止することにより薄膜ＥＬパネルが製作
される。
される。
また、マルチカラー薄膜ＥＬ素子に関しては。
実開昭６１−４９９９９号公報に記載のように、ガラス
基板上にフィルタとして用いるＺｎ０ｚ、Ｔｉ０ｚ。
基板上にフィルタとして用いるＺｎ０ｚ、Ｔｉ０ｚ。
５ｉＯｚ、 Ｍ ｇ Ｆ２． Ｓ ｉ ３Ｎ４． Ｙ２
Ｏ３等の材料を真空蒸着やスパッタリング法によって形
成し、その上に下部透明電極を形成する。さらに、その
上に第一絶縁層、発光層、第２絶Ｒ層、上部電極を順次
積層したｔｉ造となっている。なお、薄膜ＥＬ素子の発
光層には発光スペクトル幅の広い材料を適用し、色選択
用フィルタとの組み合わせで数種の発光色に変換して出
射する。
Ｏ３等の材料を真空蒸着やスパッタリング法によって形
成し、その上に下部透明電極を形成する。さらに、その
上に第一絶縁層、発光層、第２絶Ｒ層、上部電極を順次
積層したｔｉ造となっている。なお、薄膜ＥＬ素子の発
光層には発光スペクトル幅の広い材料を適用し、色選択
用フィルタとの組み合わせで数種の発光色に変換して出
射する。
上記従来技術において、発光層材料として黄橙色を示す
Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎを用いたＥＬ素子は、モノクロ
表示するものであり、幅広い発光スペクトルをもつ発光
層とカラーフィルタとを組み合わせた構造のマルチカラ
ー、または、フルカラー表示薄膜ＥＬ素子の視角特性に
ついて考慮がされておらず、マルチカラー、または、フ
ルカラー表示薄膜ＥＬパネルを実現するには、カラーフ
ィルタを光とり出し方向であるガラス基板の外側に取り
付ける必要がある。この薄膜ＥＬパネルは、発光層とフ
ィルタとの間にガラス基板の板厚の間隙が生じ、斜め方
向から見ると画素から出た光が画素上のフィルタ表示部
だけでなく、その隣りの別の色のフィルタ表示部を通っ
て出てくるため、混色になるという問題があった。さら
に、大気中の湿気の侵入を防止するため、水分吸収体を
含むシリコンオイルなどの封入工程が多くなるという欠
点があった。
Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎを用いたＥＬ素子は、モノクロ
表示するものであり、幅広い発光スペクトルをもつ発光
層とカラーフィルタとを組み合わせた構造のマルチカラ
ー、または、フルカラー表示薄膜ＥＬ素子の視角特性に
ついて考慮がされておらず、マルチカラー、または、フ
ルカラー表示薄膜ＥＬパネルを実現するには、カラーフ
ィルタを光とり出し方向であるガラス基板の外側に取り
付ける必要がある。この薄膜ＥＬパネルは、発光層とフ
ィルタとの間にガラス基板の板厚の間隙が生じ、斜め方
向から見ると画素から出た光が画素上のフィルタ表示部
だけでなく、その隣りの別の色のフィルタ表示部を通っ
て出てくるため、混色になるという問題があった。さら
に、大気中の湿気の侵入を防止するため、水分吸収体を
含むシリコンオイルなどの封入工程が多くなるという欠
点があった。
また、幅広い発光層とカラーフィルタとを組み合わせた
カラー薄膜ＥＬパネルの場合は、フィルタ材料を真空蒸
着やスパッタリング法で形成しなければならないこと、
さらに、干渉効果を有効に利用するために、膜の屈折率
や膜厚を適切に制御する必要があることなどから、フィ
ルタ製作工程が複雑となり、高価になるという欠点があ
った。
カラー薄膜ＥＬパネルの場合は、フィルタ材料を真空蒸
着やスパッタリング法で形成しなければならないこと、
さらに、干渉効果を有効に利用するために、膜の屈折率
や膜厚を適切に制御する必要があることなどから、フィ
ルタ製作工程が複雑となり、高価になるという欠点があ
った。
本発明の目的は、高精細な薄膜カラーＥＬパネルを提供
することにある。
することにある。
上記目的は、薄膜ＥＬ素子が形成されたガラス基板と素
子保護用背面ガラス板とを接着する接着剤の外側を撥水
性樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子の」二部電極を透明導電性
膜とし、カラーフィルタ付ガラス板を背面ガラス板とし
て接着した接着剤の外側を撥水性樹脂で被うことにより
達成される。
子保護用背面ガラス板とを接着する接着剤の外側を撥水
性樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子の」二部電極を透明導電性
膜とし、カラーフィルタ付ガラス板を背面ガラス板とし
て接着した接着剤の外側を撥水性樹脂で被うことにより
達成される。
フルオロアルキル化弗素樹脂を１〜１０％エポキシ樹脂
に混合した樹脂を塗布後、熱硬化した膵は、膜中に存在
する非弗素炭化水素基と結合したパーフロロポリオキシ
アルキル基が析出する。このパーフロロポリオキシアル
キル基は高撥水特性をもち、水による接触角はテフロン
と同程度の値を示す。つまり、大気中の湿気の侵入を防
ぐことができる。
に混合した樹脂を塗布後、熱硬化した膵は、膜中に存在
する非弗素炭化水素基と結合したパーフロロポリオキシ
アルキル基が析出する。このパーフロロポリオキシアル
キル基は高撥水特性をもち、水による接触角はテフロン
と同程度の値を示す。つまり、大気中の湿気の侵入を防
ぐことができる。
〈実施例１〉
本発明の一実施例を第１図により説明する。厚さ約１ｍ
の無アルカリガラス基板１上に下部電極２として用いら
れるＡＱ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、あるいは、ＩＴＯなどが
スパッタリング、あるいは、蒸着法により約０．２μｍ
の厚さに形成される。
の無アルカリガラス基板１上に下部電極２として用いら
れるＡＱ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、あるいは、ＩＴＯなどが
スパッタリング、あるいは、蒸着法により約０．２μｍ
の厚さに形成される。
これらの膜はフォトリソ技術を用いて幅２５０μｍ２間
隔１００μｍのストライプ状電極がパタニングされる。
隔１００μｍのストライプ状電極がパタニングされる。
この上に第一絶縁層３として用いるＳｉＯ２（０，１μ
ｍ）、Ｔ ａ ２０３（０，４μｍ）積形膜をスパッタ
リングし、次に、発光層４に用いられるＳｒＳ：Ｐｒ、
Ｃｅを電子ビーム蒸着法で０．５〜１．０μｍの厚さに
形成した。ＳｒＳ：Ｐｒ、Ｃｅ発光層４は発光スペクト
ルが４５０〜７００ｎｍと幅広く、フィルタとの組み合
わせにより、カラー表示するのに好適である。発光層４
の上には、 Ｓ ｉ ０２ （０，１μｍ） 、 Ｔ
ａｚｏｓ（０，４μｍ）積層膜からなる第二絶縁層５を
スパッタリングした。その上に透明導電性ＩＴＯ膜を約
０．２μｍ の厚さにスパッタリングし、このＩＴＯ膜
をフォトリソ技術で下部電極２と同様に幅２５０μｍ、
間隔１００μｍのストライプ状に、下部電極２と直交す
るようにエツチングして形成し、上部電極６として用い
た。次に、有機膜からなる赤、緑、青色フィルタ１３を
形成したカラーフィルタ付背面ガラス板１４を薄膜ＥＬ
素子の画素上の」二部電極６とフィルタ１３とが接する
ように位置合わせしてのせ、カラーフィルタ付背面ガラ
ス板１４の周囲を接着剤９で固定する。最後に高撥水性
樹脂であるフルオロアルキル化弗素樹脂を１〜１０％混
合したエポキシ樹脂１０１５−塗布し、熱硬化させる。
ｍ）、Ｔ ａ ２０３（０，４μｍ）積形膜をスパッタ
リングし、次に、発光層４に用いられるＳｒＳ：Ｐｒ、
Ｃｅを電子ビーム蒸着法で０．５〜１．０μｍの厚さに
形成した。ＳｒＳ：Ｐｒ、Ｃｅ発光層４は発光スペクト
ルが４５０〜７００ｎｍと幅広く、フィルタとの組み合
わせにより、カラー表示するのに好適である。発光層４
の上には、 Ｓ ｉ ０２ （０，１μｍ） 、 Ｔ
ａｚｏｓ（０，４μｍ）積層膜からなる第二絶縁層５を
スパッタリングした。その上に透明導電性ＩＴＯ膜を約
０．２μｍ の厚さにスパッタリングし、このＩＴＯ膜
をフォトリソ技術で下部電極２と同様に幅２５０μｍ、
間隔１００μｍのストライプ状に、下部電極２と直交す
るようにエツチングして形成し、上部電極６として用い
た。次に、有機膜からなる赤、緑、青色フィルタ１３を
形成したカラーフィルタ付背面ガラス板１４を薄膜ＥＬ
素子の画素上の」二部電極６とフィルタ１３とが接する
ように位置合わせしてのせ、カラーフィルタ付背面ガラ
ス板１４の周囲を接着剤９で固定する。最後に高撥水性
樹脂であるフルオロアルキル化弗素樹脂を１〜１０％混
合したエポキシ樹脂１０１５−塗布し、熱硬化させる。
なお、接着およびθ水性樹脂の塗布工程は、窒素などの
不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。
不活性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。
本実施例によれば、高撥水性樹脂層で大気中の湿気の侵
入を防げるので、水分吸収体を含む保護用流体の注入工
程が簡略化され、さらに、有機膜からなるカラーフィル
タを使用できるので低コストで薄膜カラーＥＬパネルを
製造することができる。
入を防げるので、水分吸収体を含む保護用流体の注入工
程が簡略化され、さらに、有機膜からなるカラーフィル
タを使用できるので低コストで薄膜カラーＥＬパネルを
製造することができる。
〈実施例２〉
第３図に示した構造の薄膜カラーＥＬパネルでは、フル
オロアルキル化弗素樹脂を１〜１０％混合した接着材１
５でカラーフィルタ付背面ガラス板１４を固定する方式
を採用しており、実施例１に比べて高撥水性樹脂１０の
塗布工程が省略でき製造工程を簡略化できる。
オロアルキル化弗素樹脂を１〜１０％混合した接着材１
５でカラーフィルタ付背面ガラス板１４を固定する方式
を採用しており、実施例１に比べて高撥水性樹脂１０の
塗布工程が省略でき製造工程を簡略化できる。
〈実施例３〉
第４図に示した構造の薄膜ＥＬパネルは、モノクロＥＬ
パネルにのみ適用できる。つまり、上部電極６を形成後
、高撥水性樹脂】Ｏで素子全面を被い、さらに、背面ガ
ラス板７を接着剤９で固定し、接着剤９の外側を高撥水
性樹脂１０で被う構造であり、二重保護法をとっている
。本構造では薄１１ｕＥＬ素子上に塗布した高撥水性樹
脂層１０は白濁しており、透過率を低下させるため、光
の取り出し面は、ガラス基板１側に゛なるので、下部電
極２に透明導電性膜を採用する。
パネルにのみ適用できる。つまり、上部電極６を形成後
、高撥水性樹脂】Ｏで素子全面を被い、さらに、背面ガ
ラス板７を接着剤９で固定し、接着剤９の外側を高撥水
性樹脂１０で被う構造であり、二重保護法をとっている
。本構造では薄１１ｕＥＬ素子上に塗布した高撥水性樹
脂層１０は白濁しており、透過率を低下させるため、光
の取り出し面は、ガラス基板１側に゛なるので、下部電
極２に透明導電性膜を採用する。
以上の方法で製造できる薄膜ＥＬパネルは、電子機器の
表示部に用いることができる。
表示部に用いることができる。
本発明によれば、高撥水性樹脂の適用により、大気中の
湿気が薄１１ＷＥＬ素子に侵入するのを防ぐことができ
、カラーフィルタとの組み合わせが可能となり、高精細
の薄膜カラーＥＬデイスプレィを実現することができる
。
湿気が薄１１ＷＥＬ素子に侵入するのを防ぐことができ
、カラーフィルタとの組み合わせが可能となり、高精細
の薄膜カラーＥＬデイスプレィを実現することができる
。
第１図は本発明の一実施例の薄膜カラーＥＬパネルの断
面図、第２図は従来の薄膜Ｅ１．パネルの断面図、第３
図、第４図は本発明の他の実施例の薄膜ＥＬ、パネルの
断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・下部電極、３・・第一絶縁
層、４・・・発光層、５・・・第二絶縁層、６・・−上
部電極、７・・・背面ガラス板、８・・・スペーサ、９
・・・接着剤、１０・・・撥水性樹脂、１１・・・保護
用流体、１２・・注入孔、１３・・・カラーフィルタ、
１４・・・背面ガラス第 図 第２因
面図、第２図は従来の薄膜Ｅ１．パネルの断面図、第３
図、第４図は本発明の他の実施例の薄膜ＥＬ、パネルの
断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・下部電極、３・・第一絶縁
層、４・・・発光層、５・・・第二絶縁層、６・・−上
部電極、７・・・背面ガラス板、８・・・スペーサ、９
・・・接着剤、１０・・・撥水性樹脂、１１・・・保護
用流体、１２・・注入孔、１３・・・カラーフィルタ、
１４・・・背面ガラス第 図 第２因
Claims (6)
- １．薄膜ＥＬ素子が形成されたガラス基板と．ＥＬ構成
部を大気中の湿気から保護するガラス板との縁辺部を接
着剤でシールし、前記接着シール部を弗素系樹脂で被い
、前記薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐことを特徴と
する薄膜ＥＬパネル。 - ２．特許請求項第１項において． 接着シール部を撥水性樹脂で被うことを特徴とする薄
膜ＥＬパネル。 - ３．特許請求項第１項に記載の前記接着剤に弗素系樹脂
を混合して、用いることを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - ４．特許請求項第１項に記載の前記ガラス基板上に形成
された前記ＥＬ構成部を弗素系樹脂で被い、さらに、前
記ガラス板で被うことを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - ５．特許請求項第１項に記載の前記ＥＬ構成部を保護す
る前記ガラス板としてカラーフイルタ付ガラス板を用い
、かつ、前記ＥＬ構成部の背面電極を透明電極としたこ
とを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - ６．特許請求項第１項，第２項，第３項，第４項または
第５項に記載の薄膜ＥＬパネルを表示部に用いた電子機
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208413A JPH0260088A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208413A JPH0260088A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260088A true JPH0260088A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16555825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208413A Pending JPH0260088A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜ｅｌパネル |
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| JP (1) | JPH0260088A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198379A (ja) * | 1992-01-18 | 1993-08-06 | Sharp Corp | カラー薄膜ｅｌパネル |
| JPH062596U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-01-14 | 株式会社小松製作所 | マルチカラーｅｌパネルの背面電極 |
| KR20030096518A (ko) * | 2002-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 엘리아테크 | 유기 이엘 패널 및 그의 패키징 방법 |
| KR100407487B1 (ko) * | 1996-09-25 | 2004-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계효과전자방출소자및그봉착방법 |
| US6828726B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display panel having light-emission element within an opening formed of insulating layers |
| KR100528894B1 (ko) * | 1998-07-30 | 2006-01-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2010282981A (ja) * | 2000-08-28 | 2010-12-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012063781A (ja) * | 2000-03-10 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2012069534A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012083763A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2012109257A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
| JP2012227540A (ja) * | 1999-03-02 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016106244A (ja) * | 1999-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2016213202A (ja) * | 2016-08-24 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9997543B2 (en) | 2001-04-27 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO2019059016A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208413A patent/JPH0260088A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198379A (ja) * | 1992-01-18 | 1993-08-06 | Sharp Corp | カラー薄膜ｅｌパネル |
| JPH062596U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-01-14 | 株式会社小松製作所 | マルチカラーｅｌパネルの背面電極 |
| KR100407487B1 (ko) * | 1996-09-25 | 2004-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계효과전자방출소자및그봉착방법 |
| KR100528894B1 (ko) * | 1998-07-30 | 2006-01-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2017033003A (ja) * | 1999-01-28 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2016106244A (ja) * | 1999-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2012227540A (ja) * | 1999-03-02 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014132574A (ja) * | 1999-03-02 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9153604B2 (en) | 1999-03-02 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2014056242A (ja) * | 1999-03-02 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012083763A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2012063781A (ja) * | 2000-03-10 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| US8975813B2 (en) | 2000-08-28 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2010282981A (ja) * | 2000-08-28 | 2010-12-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8415876B2 (en) | 2000-08-28 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and display comprising light emitting device |
| JP2012216848A (ja) * | 2000-09-14 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子器具 |
| US6828726B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display panel having light-emission element within an opening formed of insulating layers |
| US9997543B2 (en) | 2001-04-27 | 2018-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR20030096518A (ko) * | 2002-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 엘리아테크 | 유기 이엘 패널 및 그의 패키징 방법 |
| JP2012109257A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012069534A (ja) * | 2012-01-10 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016213202A (ja) * | 2016-08-24 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| WO2019059016A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JPWO2019059016A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2020-08-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
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