CN101847648B - 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法 - Google Patents

有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101847648B
CN101847648B CN200910080830.9A CN200910080830A CN101847648B CN 101847648 B CN101847648 B CN 101847648B CN 200910080830 A CN200910080830 A CN 200910080830A CN 101847648 B CN101847648 B CN 101847648B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
drain electrode
film transistor
thin
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200910080830.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101847648A (zh
Inventor
张弥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN200910080830.9A priority Critical patent/CN101847648B/zh
Priority to US12/729,692 priority patent/US8542337B2/en
Publication of CN101847648A publication Critical patent/CN101847648A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101847648B publication Critical patent/CN101847648B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上的栅线、公共电极线、信号线、电源线、作为寻址元件的第一薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管，所述公共电极线与信号线之间连接有将信号线上的大电流传导到公共电极线上的短路环结构。本发明通过在信号线与公共电极线之间设置短路环结构，当信号线上有由静电导致的大电流通过时，短路环结构使信号线上的大电流迅速传导到公共电极线上，使得信号线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线及第一薄膜晶体管不会破坏。

Description

有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种平板显示装置及其制造方法，特别是一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light EmittingDiode，简称AMOLED)是一种新型的平板显示器件，与液晶显示器(LCD)相比，由于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有发光功能，因此AMOLED的视角和对比度要优于LCD；由于不需要提供外部光源的背光源装置，因此AMOLED具有尺寸小、重量轻和功耗低等优点；由于采用低直流驱动，因此AMOLED具有快速响应的优点；由于采用固体材料替代LCD中的液体材料，因此AMOLED在外部冲击下比较稳定，且能够在比LCD更宽的温度范围内工作；此外，AMOLED还具有生产成本低等优点。
目前，现有技术有源矩阵有机发光二极管像素结构通常包括栅线、信号线、电源线、第一像素电极和第二像素电极，信号线和电源线均与栅线垂直，栅线、信号线和电源线一起限定了像素区域，邻近信号线与栅线交叉点的位置形成一个第一薄膜晶体管(也称开关薄膜晶体管)，第一薄膜晶体管用于对驱动电压进行寻址，邻近电源线与栅线交叉点的位置形成一个第二薄膜晶体管(也称驱动薄膜晶体管)，第二薄膜晶体管用于控制有机发光二极管。实际使用表明，现有技术有源矩阵有机发光二极管像素结构的信号线上易聚集大量电荷，当电荷积累到一定程度时会导致静电击穿，从而造成信号线短接不良。
发明内容
本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法，有效释放信号线上聚集的电荷，避免出现静电击穿现象。
为了实现上述目的，本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结构，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、信号线、电源线、作为寻址元件的第一薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管，所述公共电极线与信号线之间连接有将信号线上的大电流传导到公共电极线上的短路环结构。
所述短路环结构为至少二个依次连接的薄膜晶体管。
所述短路环结构包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管，所述公共电极线与第三薄膜晶体管的第三栅电极和第三源电极连接，所述信号线与第五薄膜晶体的第五栅电极和第五源电极连接，第四薄膜晶体管连接在第三薄膜晶体管与第五薄膜晶体管之间。所述第五薄膜晶体管包括与信号线连接的第五栅电极，第五有源层形成在第五栅电极上，第五源电极的一端位于第五有源层上，另一端与信号线连接，第五漏电极的一端位于第五有源层上，与第五源电极相对设置，第五源电极与第五漏电极之间形成第五TFT沟道区域。所述第五栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第五连接电极，第五连接电极的一端与信号线连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第五过孔与第五栅电极连接。所述第四薄膜晶体管包括与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接的第四栅电极，第四有源层形成在第四栅电极上，第四源电极的一端位于第四有源层上，另一端与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接，第四漏电极的一端位于第四有源层上，与第四源电极相对设置，第四源电极与第四漏电极之间形成第四TFT沟道区域。所述第四栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第四连接电极，第四连接电极的一端与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第四过孔与第四栅电极连接。所述第三薄膜晶体管包括与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接的第三栅电极，第三有源层形成在第三栅电极上，第三源电极的一端位于第三有源层上，另一端与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接，第三漏电极的一端位于第三有源层上，与第三源电极相对设置，第三源电极与第三漏电极之间形成第三TFT沟道区域。所述第三栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第三连接电极，第三连接电极的一端与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第三过孔与第三栅电极连接。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，包括：步骤1、在基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线、信号线、第一薄膜晶体管、第一像素电极和短路环结构的图形，所述短路环结构连接在公共电极线与信号线之间；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二薄膜晶体管和第二像素电极的图形，所述第一像素电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。
所述步骤1包括：步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线和第一栅电极的图形，同时形成短路环栅电极图形；步骤12、在完成步骤11的基板上沉积第一绝缘层，通过构图工艺在短路环栅电极的上方形成短路环过孔图形；步骤13、在完成步骤12的基板上依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一栅电极的上方形成第一有源层图形，同时在短路环栅电极的上方形成短路环有源层图形；步骤14、在完成步骤13的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括信号线、第一源电极、第一漏电极和第一TFT沟道区域的图形，同时形成短路环源漏电极和短路环连接电极图形；步骤15、在完成步骤14的基板上沉积第二绝缘层，通过构图工艺形成包括第一过孔的图形，第一过孔开设在第一漏电极位置；步骤16、在完成步骤15的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极的图形，第一像素电极通过第一过孔与第一漏电极连接。
所述步骤2包括：步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积第三绝缘层、第二半导体薄膜和第二掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一像素电极的上方形成包括第二有源层的图形；步骤22、在完成步骤21的基板上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟道区域的图形，其中第二源电极的一端设置在第二有源层上，另一端与电源线连接，第二漏电极的一端设置在第二有源层上，第二源电极与第二漏电极之间形成第二TFT沟道区域；步骤23、在完成步骤22的基板上沉积第四绝缘层，通过构图工艺形成包括第二过孔的图形，第二过孔开设在第二漏电极位置；步骤24、在完成步骤23的基板上沉积第二透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极的图形，第二像素电极通过第二过孔与第二漏电极连接。
本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法，通过在信号线与公共电极线之间设置短路环结构，且短路环结构由数个薄膜晶体管构成，当信号线上有由静电导致的大电流通过时，通过数个薄膜晶体管依次打开，使信号线上的大电流迅速传导到公共电极线上，使得信号线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线及第一薄膜晶体管不会破坏。此外，由于本发明信号线与短路环结构中的栅电极直接相连，使得在完成信号线图形后即形成本发明短路环结构，与传统结构在像素电极形成后才能完成短路环结构的现有技术相比，本发明短路环结构可以更好地保护电路，免受静电流击穿的损害。
附图说明
图1为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构的平面图；
图2为图1中A1-A1向剖面图；
图3为图1中B1-B1向剖面图；
图4为图1中C1-C1向剖面图；
图5为图1中D1-D1向剖面图；
图6为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第一次构图工艺后的平面图；
图7为图6中A2-A2向剖面图；
图8为图6中C2-C2向剖面图；
图9为图6中D2-D2向剖面图；
图10为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第二次构图工艺后的平面图；
图11为图10中A3-A3向剖面图；
图12为图10中C3-C3向剖面图；
图13为图10中D3-D3向剖面图；
图14为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第三次构图工艺后的平面图；
图15为图14中A4-A4向剖面图；
图16为图14中C4-C4向剖面图；
图17为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第四次构图工艺后的平面图；
图18为图17中A5-A5向剖面图；
图19为图17中C5-C5向剖面图；
图20为图17中D5-D5向剖面图；
图21为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第五次构图工艺后的平面图；
图22为图21中A6-A6向剖面图；
图23为图21中C6-C6向剖面图；
图24为图21中D6-D6向剖面图；
图25为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第六次构图工艺后的平面图；
图26为图25中A7-A7向剖面图；
图27为图25中B7-B7向剖面图；
图28为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第七次构图工艺后的平面图；
图29为图28中B8-B8向剖面图；
图30为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第八次构图工艺后的平面图；
图31为图30中B9-B9向剖面图；
图32为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第九次构图工艺后的平面图；
图33为图32中B10-B10向剖面图；
图34为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法的流程图；
图35为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法第一实施例的流程图；
图36为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法第二实施例的流程图。
附图标记说明：
1-基板；          2-栅线；               3-公共电极线；
4-信号线；        5-电源线；             6-第三薄膜晶体管；
7-第四薄膜晶体管；8-第五薄膜晶体管；     11-第一栅电极；
12-第一绝缘层；   13-第一半导体层；      14-第一掺杂半导体层；
15-第一源电极；   16-第一漏电极；        17-第二绝缘层；
18-第一过孔；     19-第一像素电极；      22-第三绝缘层；
23-第二半导体层； 24-第二掺杂半导体层；  25-第二源电极；
26-第二漏电极；   27-第四绝缘层；        28-第二过孔；
29-第二像素电极； 31-第三栅电极；        32-第三过孔；
33-第三连接电极；34-第三源电极；  35-第三漏电极；
41-第四栅电极；  42-第四过孔；    43-第四连接电极；
44-第四源电极；  45-第四漏电极；  51-第五栅电极；
52-第五过孔；    53-第五连接电极；54-第五源电极；
55-第五漏电极。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图2为图1中A1-A1向剖面图，图3为图1中B1-B1向剖面图，图4为图1中C1-C1向剖面图，图5为图1中D1-D1向剖面图。如图1～图5所示，本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构包括栅线2、公共电极线3、信号线4、电源线5和短路环结构，信号线4和电源线5与栅线2垂直，并与栅线2一起限定了像素区域，像素区域内形成有作为寻址元件的第一薄膜晶体管(也称开关薄膜晶体管)、第一像素电极19、用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管(也称驱动薄膜晶体管)和第二像素电极29，第一像素电极19同时作为第二薄膜晶体管栅电极，第一薄膜晶体管位于栅线2与信号线4交叉点位置，第二薄膜晶体管位于栅线2与电源线5交叉点位置，短路环结构设置在公共电极线3与信号线4之间，当信号线4上有由静电导致的大电流通过时，通过短路环结构使信号线4上的大电流迅速传导到公共电极线3上，使得信号线4上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线4及第一薄膜晶体管不会破坏。第一、第二薄膜晶体管和短路环结构说明如下。
第一薄膜晶体管包括第一栅电极11、第一有源层(第一半导体层13和第一掺杂半导体层14)、第一源电极15、第一漏电极16和第一TFT沟道区域，第一栅电极11形成在基板1上并与栅线2连接，其上覆盖有第一绝缘层12；第一有源层形成在第一绝缘层12上并位于第一栅电极11上方；第一源电极15的一端位于第一有源层上，另一端与信号线4连接，第一漏电极16的一端位于第一有源层上，与第一源电极15相对设置，第一源电极15与第一漏电极16之间形成第一TFT沟道区域；第二绝缘层17覆盖在信号线4、第一源电极15和第一漏电极16上并覆盖整个基板1，在第一漏电极16位置开设有第一过孔18；第一像素电极19形成在第二绝缘层17上，通过第一过孔18与第一漏电极16连接，并作为第二薄膜晶体管的栅电极。第二薄膜晶体管包括第一像素电极19、第二有源层(第二半导体层23和第二掺杂半导体层24)、第二源电极25、第二漏电极26和第二TFT沟道区域，第一像素电极19作为第二薄膜晶体管的栅电极，其上覆盖有第三绝缘层22；第二有源层形成在第三绝缘层22并位于第一像素电极19上方；第二源电极25的一端位于第二有源层上，另一端与电源线5连接，第二漏电极26的一端位于第二有源层上，与第二源电极25相对设置，第二源电极25与第二漏电极26之间形成第二TFT沟道区域；第四绝缘层27覆盖在电源线5、第二源电极25和第二漏电极26上并覆盖整个基板1，在第二漏电极26位置开设有第二过孔28；第二像素电极29形成在第四绝缘层27上，通过第二过孔28与第二漏电极26连接。
短路环结构包括设置在公共电极线3与信号线4之间的至少二个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管依次连接。当短路环结构包括三个薄膜晶体管时，如图1所示，三个薄膜晶体管分别为第三薄膜晶体管6、第四薄膜晶体管7和第五薄膜晶体管8，其中公共电极线3与第三薄膜晶体管6的第三栅电极和第三源电极连接，信号线4与第五薄膜晶体8的第五栅电极和第五源电极连接，第四薄膜晶体管7连接在第三薄膜晶体管6与第五薄膜晶体管8之间。
图6～图33为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构的制造过程示意图，可以进一步说明本发明的技术方案。在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
图6为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第一次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图7为图6中A2-A2向剖面图，图8为图6中C2-C2向剖面图，图9为图6中D2-D2向剖面图。采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层第一金属薄膜。第一金属薄膜可以是使用铝、铬、钨、钽、钛、钼或铝镍等金属构成的单层金属薄膜结构，也可以是使用上述材料组成的多层金属薄膜结构。采用普通掩模板通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成包括栅线2、公共电极线3、第一栅电极11、第三栅电极31、第四栅电极41和第五栅电极51的图形，其中第一栅电极11与栅线2连接，作为第一薄膜晶体管(开关薄膜晶体管)的栅电极，公共电极线3位于相邻的两条栅线2之间，作为存储电容的一个电极板，第三栅电极31与公共电极线3连接，第四栅电极41和第五栅电极51依次位于第三栅电极31的一侧，如图6～图9所示。
图10为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第二次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图11为图10中A3-A3向剖面图，图12为图10中C3-C3向剖面图，图13为图10中D3-D3向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法沉积第一绝缘层12，第一绝缘层12可以采用氮化硅、二氧化硅或氧化铝等材料。采用普通掩模板通过构图工艺对第一绝缘层12进行构图，形成包括第三过孔32、第四过孔42和第五过孔52的图形，第三过孔32位于第三栅电极31位置，第四过孔42位于第四栅电极41位置，第五过孔52位于第五栅电极51位置，第三过孔32、第四过孔42和第五过孔52内的第一绝缘层12被刻蚀掉，分别暴露出第三栅电极31、第四栅电极41和第五栅电极51的表面，如图10～13所示。
图14为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第三次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图15为图14中A4-A4向剖面图，图16为图14中C4-C4向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用PECVD方法依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜。采用普通掩模板通过构图工艺对第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜进行构图，形成包括第一有源层、第三有源层、第四有源层和第五有源层的图形，第一有源层位于第一栅电极11的上方，第三有源层位于第三栅电极31的上方，第四有源层位于第四栅电极41的上方，第五有源层位于第五栅电极51的上方，每个有源层包括第一半导体层13和第一掺杂半导体层14，如图14～图16所示。本构图工艺后，第一有源层、第三有源层、第四有源层和第五有源层图形以外区域均暴露出第一绝缘层12。
图17为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第四次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图18为图17中A5-A5向剖面图，图19为图17中C5-C5向剖面图，图20为图17中D5-D5向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层第二金属薄膜。第二金属薄膜可以是使用铝、铬、钨、钽、钛、钼或铝镍等金属构成的单层金属薄膜结构，也可以是使用上述材料组成的多层金属薄膜结构。采用普通掩模板通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成包括信号线4、第一薄膜晶体管的源漏电极、第三薄膜晶体管的源漏电极、第四薄膜晶体管的源漏电极、第五薄膜晶体管的源漏电极、第三连接电极33、第四连接电极43和第五连接电极53的图形，如图17～图20所示。
其中，第一薄膜晶体管的源漏电极包括第一源电极15、第一漏电极16和第一TFT沟道区域，第一源电极15的一端设置在第一有源层上，另一端与信号线4连接，第一漏电极16的一端设置在第一有源层上，与第一源电极15相对设置，第一源电极15与第一漏电极16之间形成第一TFT沟道区域，第一TFT沟道区域的第一掺杂半导体层14被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的第一半导体层13，使第一TFT沟道区域的第一半导体层13暴露出来。第五薄膜晶体管的源漏电极包括第五源电极54、第五漏电极55和第五TFT沟道区域，第五连接电极53的一端与信号线4连接，另一端位于第五栅电极51的上方，并通过第五过孔52与第五栅电极51连接；第五源电极54的一端位于第五有源层上，另一端与信号线4连接；第五漏电极55的一端位于第五有源层上，与第五源电极54相对设置；第五源电极54与第五漏电极55之间形成第五TFT沟道区域，第五TFT沟道区域的第一掺杂半导体层14被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的第一半导体层13，使第五TFT沟道区域的第一半导体层13暴露出来。第四薄膜晶体管的源漏电极包括第四源电极44、第四漏电极45和第四TFT沟道区域，第四连接电极43的一端与第五漏电极55连接，另一端位于第四栅电极41的上方，并通过第四过孔42与第四栅电极41连接；第四源电极44的一端位于第四有源层上，另一端与第五漏电极55连接；第四漏电极45的一端位于第四有源层上，与第四源电极44相对设置；第四源电极44与第四漏电极45之间形成第四TFT沟道区域，第四TFT沟道区域的第一掺杂半导体层14被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的第一半导体层13，使第四TFT沟道区域的第一半导体层13暴露出来。第三薄膜晶体管的源漏电极包括第三源电极34、第三漏电极35和第三TFT沟道区域，第三连接电极33的一端与第四漏电极45连接，另一端位于第三栅电极31的上方，并通过第三过孔32与第三栅电极31连接；第三源电极34的一端位于第三有源层上，另一端与第四漏电极45连接；第三漏电极35的一端位于第三有源层上，与第三源电极34相对设置；第三源电极34与第三漏电极35之间形成第三TFT沟道区域，第三TFT沟道区域的第一掺杂半导体层14被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的第一半导体层13，使第三TFT沟道区域的第一半导体层13暴露出来。
本次构图工艺后，在邻近栅线2与信号线4交叉点的位置形成第一薄膜晶体管，在像素区域内形成有作为短路环结构的第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管，第五薄膜晶体管的第五栅电极51和第五源电极54与信号线4连接，第四薄膜晶体管的第四栅电极41和第四源电极44与第五漏电极55连接，第三薄膜晶体管的第三栅电极31和第三源电极34与第四漏电极45连接，且第三栅电极31与公共电极线3连接，使第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管在信号线4与公共电极线3之间构成短路环结构。
图21为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第五次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图22为图21中A6-A6向剖面图，图23为图21中C6-C6向剖面图，图24为图21中D6-D6向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用PECVD方法沉积第二绝缘层17，第二绝缘层17可以采用氮化硅、二氧化硅或氧化铝等材料。采用普通掩模板通过构图工艺对第二绝缘层17进行构图，形成包括第一过孔18的图形，第一过孔18位于第一漏电极16位置，第一过孔18内的第二绝缘层17被完全刻蚀掉，暴露出第一漏电极16的上表面，如图21～24所示。
图25为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第六次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图26为图25中A7-A7向剖面图，图27为图25中B7-B7向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积第一透明导电薄膜，第一透明导电薄膜可以采用氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌等材料，也可以采用其它透明导电材料。采用普通掩模板通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成包括第一像素电极19的图形，第一像素电极19通过第一过孔18与第一漏电极16连接，如图25～图27所示。
图28为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第七次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图29为图28中B8-B8向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用PECVD方法依次沉积第三绝缘层22、第二半导体薄膜和第二掺杂半导体薄膜，第三绝缘层22可以采用氮化硅、二氧化硅或氧化铝等材料。采用普通掩模板通过构图工艺形成包括第二有源层的图形，第二有源层(包括第二半导体层23和第二掺杂半导体层24)形成在作为栅电极的第一像素电极19上，如图28和图29所示。
图30为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第八次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图31为图30中B9-B9向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用溅射或热蒸发的方法沉积一层第三金属薄膜。第三金属薄膜可以是使用铝、铬、钨、钽、钛、钼或铝镍等金属构成的单层金属薄膜结构，也可以是使用上述材料组成的多层金属薄膜结构。采用普通掩模板通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成包括电源线5、第二源电极25、第二漏电极26和第二TFT沟道区域的图形。第二源电极25的一端设置在第二有源层上，另一端与电源线5连接，第二漏电极26的一端设置在第二有源层上，与第二源电极25相对设置，第二源电极25与第二漏电极26之间形成第二TFT沟道区域，第二TFT沟道区域的第二掺杂半导体层24被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度第二半导体层23，使第二TFT沟道区域的第二半导体层23暴露出来，如图30和图31所示。这样，在邻近栅线2与电源线5交叉点的位置形成了一个控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第一像素电极19、第二有源层、第二源电极25、第二漏电极26和第二TFT沟道区域，第一像素电极19作为第二薄膜晶体管的栅电极。
图32为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构第九次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图33为图32中B10-B10向剖面图。在完成上述图形的基板上，采用PECVD方法沉积第四绝缘层27，第四绝缘层27可以采用氮化硅、二氧化硅或氧化铝等材料。采用普通掩模板通过构图工艺对第四绝缘层27进行构图，形成包括第二过孔28的图形，第二过孔28开设在第二漏电极26位置，第二过孔28内的第四绝缘层27被完全刻蚀掉，暴露出第二漏电极26的上表面，如图32和图33所示。
最后，在完成上述结构图形的基板上，采用溅射或热蒸发的方法沉积一层第二透明导电薄膜，第二透明导电薄膜可以采用氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌等材料，也可以采用其它透明导电材料。采用普通掩模板通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成包括第二像素电极29的图形，第二像素电极29通过第二过孔28与第二漏电极26连接，如图1～图5所示。
通过上述过程即完成了本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构中第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和短路环结构的制作。用于寻址元件的第一薄膜晶体管位于栅线2与信号线4交叉点的位置，包括第一栅电极11、第一有源层、第一源电极15、第一漏电极16和第一TFT沟道区域，第一栅电极11形成在基板1上并与栅线2连接，第一有源层位于第一栅电极11的上方，第一源电极15与信号线4连接，第一漏电极16通过第一过孔18与第一像素电极19连接，第一像素电极19作为第二薄膜晶体管的栅电极。用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管位于栅线2与电源线5交叉点的位置，包括第一像素电极19、第二有源层、第二源电极25、第二漏电极26和第二TFT沟道区域，第一像素电极19作为第二薄膜晶体管的栅电极，第二有源层位于第一像素电极19的上方，第二源电极25与电源线5连接，第二漏电极26通过第二过孔28与第二像素电极29连接，使第二薄膜晶体管控制有机发光二极管正常工作。短路环结构包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管，第五薄膜晶体管包括第五栅电极51、第五有源层、第五源电极54、第五漏电极55和第五TFT沟道区域，第五栅电极51通过第五过孔52和第五连接电极53与信号线4连接，第五源电极54与信号线4连接；第四薄膜晶体管包括第四栅电极41、第四有源层、第四源电极44、第四漏电极45和第四TFT沟道区域，第四栅电极41通过第四过孔42和第四连接电极43与第五薄膜晶体管的第五漏电极55连接，第四源电极44与第五薄膜晶体管的第五漏电极55连接；第三薄膜晶体管包括第三栅电极31、第三有源层、第三源电极34、第三漏电极35和第三TFT沟道区域，第三栅电极31通过第三过孔32和第三连接电极33与第四薄膜晶体管的第四漏电极45连接，第三源电极34与第四薄膜晶体管的第四漏电极45连接，且第三栅电极31与公共电极线3连接，使第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管在信号线4与公共电极线3之间构成短路环结构。
本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构工作时，信号线提供数据电压，因此第一像素电极上的电压为信号线提供的数据电压，第一像素电极与公共电极线之间形成的存储电容可以保持该数据电压，第一像素电极充当第二薄膜晶体管的栅电极。当第二薄膜晶体管工作时，第二源电极将电源线上的电流通过第二漏电极提供给第二像素电极。第一薄膜晶体管用于对驱动电压进行寻址，第二薄膜晶体管用于控制有机发光二极管。设计中，将短路环结构中薄膜晶体管的阈值电压设计成大于信号线提供的电压，以保证本发明正常工作。当信号线上有由静电导致的大电流通过时，由于信号线与第五栅电极和第五源电极连接，信号线的高电平使第五薄膜晶体管导通，因此第五漏电极变为信号线的高电平；由于第五漏电极与第四栅电极和第四源电极连接，第五漏电极的高电平使第四薄膜晶体管导通，因此第四漏电极变为第五漏电极的高电平；由于第四漏电极与第三栅电极和第三源电极连接，第四漏电极的高电平使第三薄膜晶体管导通，因此第三漏电极变为第四漏电极的高电平，同时第三栅电极与公共电极线连接，最终通过第五薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的依次打开使信号线上的大电流迅速传导到公共电极线上，使得信号线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线及第一薄膜晶体管不会破坏。由于本发明信号线与短路环结构中的栅电极直接相连，使得短路环结构在完成薄膜晶体管制备后就可以使用。需要说明的是，本发明上述技术方案仅是以三个薄膜晶体管为例说明本发明短路环结构，实际使用中，本发明短路环结构可以由二个薄膜晶体管或多个薄膜晶体管依次连接构成。
以上说明仅仅是采用普通掩模板制备本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构的一种实现方法，实际使用中还可以通过增加或减少构图工艺次数、选择不同的材料或材料组合来实现本发明。例如，前述第七次构图工艺和第八次构图工艺可以合并成一个采用半色调或灰色调掩模板的构图工艺，该工艺已经广泛应用于液晶显示器制造领域，这里不再赘述。
本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结构，通过在信号线与公共电极线之间设置短路环结构，且短路环结构由数个薄膜晶体管构成，当信号线上有由静电导致的大电流通过时，通过数个薄膜晶体管依次打开，使信号线上的大电流迅速传导到公共电极线上，使得信号线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线及第一薄膜晶体管不会破坏。由于本发明信号线与短路环结构中的栅电极直接相连，使得在完成信号线图形后即形成本发明短路环结构，与传统结构在像素电极形成后才能完成短路环结构的现有技术相比，本发明短路环结构可以更好地保护电路，免受静电流击穿的损害。
图34为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法的流程图，包括：
步骤1、在基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线、信号线、第一薄膜晶体管、第一像素电极和短路环结构的图形，所述短路环结构连接在公共电极线与信号线之间；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二薄膜晶体管和第二像素电极的图形，所述第一像素电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。
本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，通过在信号线与公共电极线之间设置短路环结构，当信号线上有由静电导致的大电流通过时，短路环结构使信号线上的大电流迅速传导到公共电极线上，使得信号线上聚集的电荷得以释放，避免出现静电击穿现象，从而保护了信号线及第一薄膜晶体管不会破坏。此外，由于本发明信号线与短路环结构中的栅电极直接相连，使得在完成信号线图形后即形成本发明短路环结构，与传统结构在像素电极形成后才能完成短路环结构的现有技术相比，本发明短路环结构可以更好地保护电路，免受静电流击穿的损害。
图35为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法第一实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤1包括：
步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线和第一栅电极的图形，同时形成短路环栅电极图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上沉积第一绝缘层，通过构图工艺在短路环栅电极的上方形成短路环过孔图形；
步骤13、在完成步骤12的基板上依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一栅电极的上方形成第一有源层图形，同时在短路环栅电极的上方形成短路环有源层图形；
步骤14、在完成步骤13的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括信号线、第一源电极、第一漏电极和第一TFT沟道区域的图形，同时形成短路环源漏电极和短路环连接电极图形；
步骤15、在完成步骤14的基板上沉积第二绝缘层，通过构图工艺形成包括第一过孔的图形，第一过孔开设在第一漏电极位置；
步骤16、在完成步骤15的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极的图形，第一像素电极通过第一过孔与第一漏电极连接。
所述步骤11中包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积一层第一金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成包括栅线、公共电极线、第一栅电极和短路环栅电极的图形，短路环栅电极包括第三栅电极、第四栅电极和第五栅电极，其中第一栅电极与栅线连接，公共电极线位于相邻的两条栅线之间，第三栅电极与公共电极线连接，第四栅电极和第五栅电极依次位于第三栅电极的一侧。所述步骤12包括：在完成步骤11的基板上，采用PECVD方法沉积第一绝缘层，采用普通掩模板通过构图工艺对第一绝缘层进行构图，形成短路环过孔图形，短路环过孔包括第三过孔、第四过孔和第五过孔，第三过孔位于第三栅电极位置，第四过孔位于第四栅电极位置，第五过孔位于第五栅电极位置。所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上，采用PECVD方法依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括第一有源层和短路环有源层的图形，短路环有源层包括第三有源层、第四有源层和第五有源层，第一有源层位于第一栅电极的上方，第三有源层位于第三栅电极的上方，第四有源层位于第四栅电极的上方，第五有源层位于第五栅电极的上方。所述步骤14包括：在完成步骤13的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层第二金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成包括信号线、第一源电极、第一漏电极、第一TFT沟道区域、短路环源漏电极和短路环连接电极的图形，第一源电极的一端设置在第一有源层上，另一端与信号线连接，第一漏电极的一端设置在第一有源层上，与第一源电极相对设置，第一源电极与第一漏电极之间形成第一TFT沟道区域，短路环源漏电极包括第三薄膜晶体管的源漏电极、第四薄膜晶体管的源漏电极和第五薄膜晶体管的源漏电极，短路环连接电极包括第三连接电极、第四连接电极和第五连接电极。所述第五薄膜晶体管的源漏电极包括第五源电极、第五漏电极和第五TFT沟道区域，第五连接电极的一端与信号线连接，另一端位于第五栅电极的上方，并通过第五过孔与第五栅电极连接；第五源电极的一端位于第五有源层上，另一端与信号线连接；第五漏电极的一端位于第五有源层上，与第五源电极相对设置；第五源电极与第五漏电极之间形成第五TFT沟道区域。所述第四薄膜晶体管的源漏电极包括第四源电极、第四漏电极和第四TFT沟道区域，第四连接电极的一端与第五漏电极连接，另一端位于第四栅电极的上方，并通过第四过孔与第四栅电极连接；第四源电极的一端位于第四有源层上，另一端与第五漏电极连接；第四漏电极的一端位于第四有源层上，与第四源电极相对设置；第四源电极与第四漏电极之间形成第四TFT沟道区域。所述第三薄膜晶体管的源漏电极包括第三源电极、第三漏电极和第三TFT沟道区域，第三连接电极的一端与第四漏电极连接，另一端位于第三栅电极的上方，并通过第三过孔与第三栅电极连接；第三源电极的一端位于第三有源层上，另一端与第四漏电极连接；第三漏电极的一端位于第三有源层上，与第三源电极相对设置；第三源电极与第三漏电极之间形成第三TFT沟道区域；此外，第三栅电极与公共电极线连接。
本实施例的制备过程已在前述图6～图27所示技术方案中详细说明，这里不再赘述。
图36为本发明有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法第二实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤2包括：
步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积第三绝缘层、第二半导体薄膜和第二掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一像素电极的上方形成包括第二有源层的图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟道区域的图形，其中第二源电极的一端设置在第二有源层上，另一端与电源线连接，第二漏电极的一端设置在第二有源层上，第二源电极与第二漏电极之间形成第二TFT沟道区域；
步骤23、在完成步骤22的基板上沉积第四绝缘层，通过构图工艺形成包括第二过孔的图形，第二过孔开设在第二漏电极位置；
步骤24、在完成步骤23的基板上沉积第二透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极的图形，第二像素电极通过第二过孔与第二漏电极连接。
本实施例的制备过程已在前述图28～图33所示技术方案中详细说明，这里不再赘述。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (21)

1.一种有源矩阵有机发光二极管像素结构，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、信号线、电源线、作为寻址元件的第一薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管，其特征在于，所述公共电极线与信号线之间连接有将信号线上的大电流传导到公共电极线上的短路环结构；
其中，所述短路环结构包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管，所述公共电极线与第三薄膜晶体管的第三栅电极和第三源电极连接，所述信号线与第五薄膜晶体管的第五栅电极和第五源电极连接，第四薄膜晶体管连接在第三薄膜晶体管与第五薄膜晶体管之间；
其中，所述第五薄膜晶体管包括与信号线连接的第五栅电极，第五有源层形成在第五栅电极上，第五源电极的一端位于第五有源层上，另一端与信号线连接，第五漏电极的一端位于第五有源层上，与第五源电极相对设置，第五源电极与第五漏电极之间形成第五TFT沟道区域；
其中，所述第五栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第五连接电极，第五连接电极的一端与信号线连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第五过孔与第五栅电极连接。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第四薄膜晶体管包括与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接的第四栅电极，第四有源层形成在第四栅电极上，第四源电极的一端位于第四有源层上，另一端与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接，第四漏电极的一端位于第四有源层上，与第四源电极相对设置，第四源电极与第四漏电极之间形成第四TFT沟道区域。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第四栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第四连接 电极，第四连接电极的一端与第五薄膜晶体管的第五漏电极连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第四过孔与第四栅电极连接。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三薄膜晶体管包括与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接的第三栅电极，第三有源层形成在第三栅电极上，第三源电极的一端位于第三有源层上，另一端与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接，第三漏电极的一端位于第三有源层上，与第三源电极相对设置，第三源电极与第三漏电极之间形成第三TFT沟道区域。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三栅电极上形成有第一绝缘层，第一绝缘层上形成有第三连接电极，第三连接电极的一端与第四薄膜晶体管的第四漏电极连接，另一端通过第一绝缘层上开设的第三过孔与第三栅电极连接。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三栅电极、第四栅电极和第五栅电极与所述第一薄膜晶体管的第一栅电极同层设置并在同一次构图工艺中形成。
7.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三有源层、第四有源层和第五有源层与所述第一薄膜晶体管的第一有源层在同一次构图工艺中形成。
8.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三源电极、第三漏电极、第四源电极、第四漏电极、第五源电极和第五漏电极与所述第一薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极同层设置并在同一次构图工艺中形成。
9.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三TFT沟道区域、第四TFT沟道区域和第五TFT沟道区域与所述第一薄膜晶体管的第一TFT沟道区域在同一次构图工艺中形成。
10.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特 征在于，所述第三连接电极、第四连接电极和第五连接电极同层设置并在同一次构图工艺中形成。
11.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述第三过孔、第四过孔和第五过孔在同一次构图工艺中形成。
12.一种有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线、信号线、第一薄膜晶体管、第一像素电极和短路环结构的图形，所述短路环结构连接在公共电极线与信号线之间；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积构图用薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二薄膜晶体管和第二像素电极的图形，所述第一像素电极作为第二薄膜晶体管的栅电极。
13.根据权利要求12所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：
步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线和第一栅电极的图形，同时形成短路环栅电极图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上沉积第一绝缘层，通过构图工艺在短路环栅电极的上方形成短路环过孔图形；
步骤13、在完成步骤12的基板上依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一栅电极的上方形成第一有源层图形，同时在短路环栅电极的上方形成短路环有源层图形；
步骤14、在完成步骤13的基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括信号线、第一源电极、第一漏电极和第一TFT沟道区域的图形，同时形成短路环源漏电极和短路环连接电极图形；
步骤15、在完成步骤14的基板上沉积第二绝缘层，通过构图工艺形成 包括第一过孔的图形，第一过孔开设在第一漏电极位置；
步骤16、在完成步骤15的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极的图形，第一像素电极通过第一过孔与第一漏电极连接。
14.根据权利要求13所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤11中包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积一层第一金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成包括栅线、公共电极线、第一栅电极和短路环栅电极的图形，短路环栅电极包括第三栅电极、第四栅电极和第五栅电极，其中第一栅电极与栅线连接，公共电极线位于相邻的两条栅线之间，第三栅电极与公共电极线连接，第四栅电极和第五栅电极依次位于第三栅电极的一侧。
15.根据权利要求14所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤12包括：在完成步骤11的基板上，采用PECVD方法沉积第一绝缘层，采用普通掩模板通过构图工艺对第一绝缘层进行构图，形成短路环过孔图形，短路环过孔包括第三过孔、第四过孔和第五过孔，第三过孔位于第三栅电极位置，第四过孔位于第四栅电极位置，第五过孔位于第五栅电极位置。
16.根据权利要求15所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上，采用PECVD方法依次沉积第一半导体薄膜和第一掺杂半导体薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括第一有源层和短路环有源层的图形，短路环有源层包括第三有源层、第四有源层和第五有源层，第一有源层位于第一栅电极的上方，第三有源层位于第三栅电极的上方，第四有源层位于第四栅电极的上方，第五有源层位于第五栅电极的上方。
17.根据权利要求16所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤14包括：在完成步骤13的基板上，采用磁 控溅射或热蒸发的方法，沉积一层第二金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成包括信号线、第一源电极、第一漏电极、第一TFT沟道区域、短路环源漏电极和短路环连接电极的图形，第一源电极的一端设置在第一有源层上，另一端与信号线连接，第一漏电极的一端设置在第一有源层上，与第一源电极相对设置，第一源电极与第一漏电极之间形成第一TFT沟道区域，短路环源漏电极包括第三薄膜晶体管的源漏电极、第四薄膜晶体管的源漏电极和第五薄膜晶体管的源漏电极，短路环连接电极包括第三连接电极、第四连接电极和第五连接电极。
18.根据权利要求17所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述第五薄膜晶体管的源漏电极包括第五源电极、第五漏电极和第五TFT沟道区域，第五连接电极的一端与信号线连接，另一端位于第五栅电极的上方，并通过第五过孔与第五栅电极连接；第五源电极的一端位于第五有源层上，另一端与信号线连接；第五漏电极的一端位于第五有源层上，与第五源电极相对设置；第五源电极与第五漏电极之间形成第五TFT沟道区域。
19.根据权利要求18所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述第四薄膜晶体管的源漏电极包括第四源电极、第四漏电极和第四TFT沟道区域，第四连接电极的一端与第五漏电极连接，另一端位于第四栅电极的上方，并通过第四过孔与第四栅电极连接；第四源电极的一端位于第四有源层上，另一端与第五漏电极连接；第四漏电极的一端位于第四有源层上，与第四源电极相对设置；第四源电极与第四漏电极之间形成第四TFT沟道区域。
20.根据权利要求19所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的源漏电极包括第三源电极、第三漏电极和第三TFT沟道区域，第三连接电极的一端与第四漏电极连接，另 一端位于第三栅电极的上方，并通过第三过孔与第三栅电极连接；第三源电极的一端位于第三有源层上，另一端与第四漏电极连接；第三漏电极的一端位于第三有源层上，与第三源电极相对设置；第三源电极与第三漏电极之间形成第三TFT沟道区域。
21.根据权利要求12～20中任一权利要求所述的有源矩阵有机发光二极管像素结构制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤21、在完成步骤1的基板上依次沉积第三绝缘层、第二半导体薄膜和第二掺杂半导体薄膜，通过构图工艺在第一像素电极的上方形成包括第二有源层的图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺形成包括电源线、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟道区域的图形，其中第二源电极的一端设置在第二有源层上，另一端与电源线连接，第二漏电极的一端设置在第二有源层上，第二源电极与第二漏电极之间形成第二TFT沟道区域；
步骤23、在完成步骤22的基板上沉积第四绝缘层，通过构图工艺形成包括第二过孔的图形，第二过孔开设在第二漏电极位置；
步骤24、在完成步骤23的基板上沉积第二透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第二像素电极的图形，第二像素电极通过第二过孔与第二漏电极连接。 
CN200910080830.9A 2009-03-23 2009-03-23 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法 Active CN101847648B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910080830.9A CN101847648B (zh) 2009-03-23 2009-03-23 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
US12/729,692 US8542337B2 (en) 2009-03-23 2010-03-23 Pixel structure of active matrix organic light emitting display and manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910080830.9A CN101847648B (zh) 2009-03-23 2009-03-23 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101847648A CN101847648A (zh) 2010-09-29
CN101847648B true CN101847648B (zh) 2012-11-21

Family

ID=42737098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910080830.9A Active CN101847648B (zh) 2009-03-23 2009-03-23 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8542337B2 (zh)
CN (1) CN101847648B (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7884891B2 (en) * 2008-01-21 2011-02-08 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor liquid crystal display
CN102629008B (zh) * 2011-03-30 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102208434B (zh) * 2011-04-22 2013-07-10 南开大学 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板
KR101884891B1 (ko) * 2012-02-08 2018-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103268878B (zh) * 2012-11-07 2016-02-24 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置
TWI613709B (zh) * 2013-02-20 2018-02-01 財團法人工業技術研究院 半導體元件結構及其製造方法與應用其之畫素結構
TWI611566B (zh) * 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
CN103441119B (zh) * 2013-07-05 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种制造esd器件的方法、esd器件和显示面板
KR102123979B1 (ko) * 2013-12-09 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
US9461072B2 (en) * 2013-12-25 2016-10-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display array substrates and a method for manufacturing the same
CN103715205B (zh) * 2013-12-31 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103915510B (zh) * 2014-03-27 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN104779203B (zh) * 2015-04-23 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104880881B (zh) * 2015-06-25 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置
CN105489596B (zh) 2016-01-04 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法
JP6673731B2 (ja) * 2016-03-23 2020-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN205845952U (zh) * 2016-07-28 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
JP6753885B2 (ja) * 2018-04-16 2020-09-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置およびアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法
CN111886697B (zh) 2019-01-03 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN112151568A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110391222B (zh) * 2019-07-26 2021-08-03 昆山国显光电有限公司 显示面板和电子设备
CN110648629B (zh) * 2019-10-31 2023-09-22 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110989221B (zh) * 2019-12-20 2022-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650834A (en) * 1994-07-05 1997-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Active-matrix device having silicide thin film resistor disposed between an input terminal and a short-circuit ring
CN1459656A (zh) * 2002-05-22 2003-12-03 友达光电股份有限公司 主动式有机电致发光显示器及其制作方法
CN101285974A (zh) * 2007-04-11 2008-10-15 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd面板静电放电保护电路及液晶显示器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002215063A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
CN101257743B (zh) * 2001-08-29 2011-05-25 株式会社半导体能源研究所 发光器件及这种发光器件的驱动方法
JP4240059B2 (ja) * 2006-05-22 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
KR101451585B1 (ko) * 2008-12-17 2014-10-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 전기 영동 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650834A (en) * 1994-07-05 1997-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Active-matrix device having silicide thin film resistor disposed between an input terminal and a short-circuit ring
CN1459656A (zh) * 2002-05-22 2003-12-03 友达光电股份有限公司 主动式有机电致发光显示器及其制作方法
CN101285974A (zh) * 2007-04-11 2008-10-15 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd面板静电放电保护电路及液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101847648A (zh) 2010-09-29
US20100238095A1 (en) 2010-09-23
US8542337B2 (en) 2013-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101847648B (zh) 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
US10692893B2 (en) Substrate for display device and display device including the same
US11380713B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel
US7575966B2 (en) Method for fabricating pixel structure of active matrix organic light-emitting diode
CN106328689B (zh) 薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置
US20190115403A1 (en) Large area organic light-emitting diode display
CN101043047B (zh) 显示装置及其制造方法
US6784032B2 (en) Active matrix organic light emitting display and method of forming the same
US9230951B2 (en) Antistatic device of display device and method of manufacturing the same
CN103066078B (zh) 显示面板及其制造方法
CN111524954B (zh) 显示基板及其维修方法、显示装置
KR20150073611A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102089244B1 (ko) 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치
CN205355054U (zh) 显示器薄膜晶体管结构及显示器
CN105470196A (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、和显示装置
KR101209057B1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021082989A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN106229297A (zh) Amoled像素驱动电路的制作方法
CN101740604B (zh) 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
JP6503066B2 (ja) Ｏｌｅｄ基づくｔｆｔアレイ基板構造
CN111710301A (zh) 一种显示面板及其制备方法和修复方法、显示装置
KR100544122B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN101826547B (zh) 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
CN101740605B (zh) 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
EP1944804A2 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20150708

Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY

Effective date: 20150708

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150708

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd.

Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8

Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.