JP2016015485A5 - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents

Claims (6)

1. トランジスタと、フォトダイオードと、容量素子を有する撮像装置であって、
   前記トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極と接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と接する第１の半導体層と、前記第１の半導体層と接する第２の電極および第３の電極を有し、
   前記フォトダイオードは第４の電極と、第５の電極と、前記第４の電極と前記第５の電極との間に第２の半導体層を有し、
   前記第１の半導体層は第２の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第２の電極は前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第３の電極は前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁層は第３の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁層は第４の絶縁層と接する領域を有し、
   前記第４の絶縁層は前記第４の電極と接する領域を有し、
   前記第１の電極と重なる領域において、前記第３の絶縁層は前記第４の電極と接する領域を有し、
   前記第５の電極は前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記容量素子は、前記第３の電極が延在した領域と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層と、前記第４の電極を含んで構成され、
   前記フォトダイオードは、前記第４の電極と接する第３の半導体層と、前記第５の電極と接する第４の半導体層とをさらに有し、
   前記第２の半導体層は前記第３の半導体層と前記第４の半導体層に接して挟まれ、
   前記第３の半導体層の導電型はｐ型であり、
   前記第４の半導体層の導電型はｎ型であり、
   前記第２の半導体層の導電型はｉ型であることを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
3. 請求項２において、
   前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第２の半導体層および前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第２の半導体層、前記第３の半導体層および前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１の半導体層は酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層は、ＩｎとＺｎとＭ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有することを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、
   表示装置と、
   を有することを特徴とする電子機器。