JP2015179248A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
   第１の電極及び第２の電極を有する容量素子と、
   前記トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、上記無機絶縁膜上に接して設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有し、
   前記第１の電極は、前記無機絶縁膜に接して設けられた金属酸化物膜であり、
   前記第２の電極は、前記無機絶縁膜上に設けられた、透光性を有する第１の導電膜であり、
   前記発光素子が有する画素電極は、透光性を有する第２の導電膜であり、且つ前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜に設けられた開口部において前記トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
2. 酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
   第１の電極及び第２の電極を有する容量素子と、
   前記トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、上記無機絶縁膜上に接して設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有し、
   前記第１の電極は、前記無機絶縁膜に接して設けられた金属酸化物膜であり、
   前記第２の電極は、前記無機絶縁膜上に設けられ、且つ前記トランジスタに電気的に接続された、透光性を有する第１の導電膜であり、
   前記発光素子が有する画素電極は、透光性を有する第２の導電膜であり、且つ前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜に設けられた開口部において前記トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
3. 酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
   第１の電極及び第２の電極を有する容量素子と、
   前記トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、上記無機絶縁膜上に接して設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に設けられた発光素子と、を有し、
   前記第１の電極は、前記無機絶縁膜に接して設けられ、且つ前記トランジスタに電気的に接続された金属酸化物膜であり、
   前記第２の電極は、前記無機絶縁膜上に設けられた、透光性を有する第１の導電膜であり、
   前記発光素子が有する画素電極は、透光性を有する第２の導電膜であり、且つ前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜に設けられた開口部において前記トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜に接する窒化物絶縁膜と、を有することを特徴とする表示装置。
5. 請求項４において、
   前記金属酸化物膜は、前記窒化物絶縁膜に接して設けられ、且つ前記酸化物半導体膜と同じ金属元素を含むことを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜と前記金属酸化物膜とは、同層に設けられた膜であることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、またはＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）を有することを特徴とする表示装置。