JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH07104312A
(ja)
|
1993-09-30 |
1995-04-21 |
Sanyo Electric Co Ltd |
液晶表示装置の製造方法
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
KR100394896B1
(ko)
|
1995-08-03 |
2003-11-28 |
코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. |
투명스위칭소자를포함하는반도체장치
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Hoya株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
US8158980B2
(en)
|
2001-04-19 |
2012-04-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having a pixel matrix circuit that includes a pixel TFT and a storage capacitor
|
JP4202502B2
(ja)
|
1998-12-28 |
2008-12-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
JP2001133761A
(ja)
*
|
1999-11-04 |
2001-05-18 |
Toshiba Corp |
液晶表示素子及び有機led素子
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
JP2002164181A
(ja)
*
|
2000-09-18 |
2002-06-07 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
表示装置及びその作製方法
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US6906344B2
(en)
|
2001-05-24 |
2005-06-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Thin film transistor with plural channels and corresponding plural overlapping electrodes
|
JP2003051599A
(ja)
*
|
2001-05-24 |
2003-02-21 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及び電子機器
|
TW564471B
(en)
|
2001-07-16 |
2003-12-01 |
Semiconductor Energy Lab |
Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
|
JP4027740B2
(ja)
|
2001-07-16 |
2007-12-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
EP1443130B1
(en)
|
2001-11-05 |
2011-09-28 |
Japan Science and Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
US7049190B2
(en)
|
2002-03-15 |
2006-05-23 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
JP3989761B2
(ja)
|
2002-04-09 |
2007-10-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体表示装置
|
JP4104489B2
(ja)
*
|
2002-05-17 |
2008-06-18 |
東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 |
表示装置及びその製造方法
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
JP4314926B2
(ja)
*
|
2003-08-04 |
2009-08-19 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
|
JP4483235B2
(ja)
|
2003-09-01 |
2010-06-16 |
カシオ計算機株式会社 |
トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
|
EP1737044B1
(en)
|
2004-03-12 |
2014-12-10 |
Japan Science and Technology Agency |
Amorphous oxide and thin film transistor
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
KR101087567B1
(ko)
*
|
2004-03-23 |
2011-11-28 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기전계발광 소자 및 그 제조방법
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
KR100689316B1
(ko)
*
|
2004-10-29 |
2007-03-08 |
엘지.필립스 엘시디 주식회사 |
유기전계발광다이오드소자 및 그 제조방법
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
US7868326B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-11 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor
|
EP1812969B1
(en)
|
2004-11-10 |
2015-05-06 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor comprising an amorphous oxide
|
CN101057333B
(zh)
|
2004-11-10 |
2011-11-16 |
佳能株式会社 |
发光器件
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
TWI562380B
(en)
|
2005-01-28 |
2016-12-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
US7608531B2
(en)
|
2005-01-28 |
2009-10-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
WO2006105077A2
(en)
|
2005-03-28 |
2006-10-05 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
JP4553135B2
(ja)
*
|
2005-07-26 |
2010-09-29 |
セイコーエプソン株式会社 |
有機強誘電体メモリ
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
EP3614442A3
(en)
|
2005-09-29 |
2020-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
KR101117948B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2012-02-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 디스플레이 장치 제조 방법
|
EP1793366A3
(en)
*
|
2005-12-02 |
2009-11-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device, and electronic device
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
EP1843194A1
(en)
|
2006-04-06 |
2007-10-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
US8274078B2
(en)
|
2007-04-25 |
2012-09-25 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Metal oxynitride semiconductor containing zinc
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
TWI481029B
(zh)
*
|
2007-12-03 |
2015-04-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
KR101375831B1
(ko)
|
2007-12-03 |
2014-04-02 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치
|
JP5215158B2
(ja)
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
JP5264197B2
(ja)
|
2008-01-23 |
2013-08-14 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ
|
JP5602390B2
(ja)
|
2008-08-19 |
2014-10-08 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5532568B2
(ja)
*
|
2008-09-26 |
2014-06-25 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置及び電子機器
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
KR102095625B1
(ko)
|
2008-10-24 |
2020-03-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
EP2202802B1
(en)
|
2008-12-24 |
2012-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driver circuit and semiconductor device
|
TWI607670B
(zh)
*
|
2009-01-08 |
2017-12-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
發光裝置及電子裝置
|
TWI496122B
(zh)
*
|
2009-01-28 |
2015-08-11 |
Semiconductor Energy Lab |
顯示裝置
|
JP5099060B2
(ja)
*
|
2009-03-26 |
2012-12-12 |
セイコーエプソン株式会社 |
有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器
|
CN104133314B
(zh)
*
|
2009-05-02 |
2019-07-12 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示设备
|
JP5509703B2
(ja)
*
|
2009-07-15 |
2014-06-04 |
セイコーエプソン株式会社 |
電気光学装置および電子機器
|
WO2011007675A1
(en)
*
|
2009-07-17 |
2011-01-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
CN102473733B
(zh)
|
2009-07-18 |
2015-09-30 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置以及制造半导体装置的方法
|
KR101782176B1
(ko)
|
2009-07-18 |
2017-09-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
|
CN102473734B
(zh)
|
2009-07-31 |
2015-08-12 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置及其制造方法
|
KR102386147B1
(ko)
*
|
2009-07-31 |
2022-04-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 디바이스 및 그 형성 방법
|
WO2011013502A1
(en)
*
|
2009-07-31 |
2011-02-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
TWI596741B
(zh)
|
2009-08-07 |
2017-08-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置和其製造方法
|
TWI634642B
(zh)
*
|
2009-08-07 |
2018-09-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置和其製造方法
|
KR101149433B1
(ko)
*
|
2009-08-28 |
2012-05-22 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
|
KR101882887B1
(ko)
|
2009-09-16 |
2018-07-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
발광 장치 및 이의 제조 방법
|
WO2011043218A1
(en)
|
2009-10-09 |
2011-04-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
EP2486596A4
(en)
*
|
2009-10-09 |
2013-08-28 |
Semiconductor Energy Lab |
SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
|
KR101680047B1
(ko)
*
|
2009-10-14 |
2016-11-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
|
WO2011070981A1
(ja)
*
|
2009-12-09 |
2011-06-16 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
US10020374B2
(en)
*
|
2009-12-25 |
2018-07-10 |
Ricoh Company, Ltd. |
Field-effect transistor, semiconductor memory display element, image display device, and system
|
KR102063214B1
(ko)
|
2009-12-28 |
2020-01-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억 장치와 반도체 장치
|
WO2011089832A1
(en)
*
|
2010-01-20 |
2011-07-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for driving display device and liquid crystal display device
|
US8633481B2
(en)
|
2010-08-30 |
2014-01-21 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device and process for production thereof
|
KR101372852B1
(ko)
|
2010-10-05 |
2014-03-10 |
삼성디스플레이 주식회사 |
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
US8957468B2
(en)
|
2010-11-05 |
2015-02-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Variable capacitor and liquid crystal display device
|
TWI432865B
(zh)
*
|
2010-12-01 |
2014-04-01 |
Au Optronics Corp |
畫素結構及其製作方法
|
TWI422940B
(zh)
*
|
2010-12-16 |
2014-01-11 |
Innolux Corp |
陣列基板的形成方法
|
KR101833235B1
(ko)
*
|
2011-07-14 |
2018-04-16 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
KR101925540B1
(ko)
|
2011-08-04 |
2019-02-28 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
US8723824B2
(en)
*
|
2011-09-27 |
2014-05-13 |
Apple Inc. |
Electronic devices with sidewall displays
|
JP6111398B2
(ja)
|
2011-12-20 |
2017-04-12 |
株式会社Joled |
表示装置および電子機器
|
TWI613824B
(zh)
*
|
2011-12-23 |
2018-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
KR101884891B1
(ko)
*
|
2012-02-08 |
2018-08-31 |
삼성디스플레이 주식회사 |
표시 장치
|
US20140014948A1
(en)
|
2012-07-12 |
2014-01-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. |
Semiconductor device
|
KR101954984B1
(ko)
*
|
2012-09-25 |
2019-03-08 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
KR101962852B1
(ko)
*
|
2012-10-09 |
2019-03-28 |
삼성디스플레이 주식회사 |
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
US8981374B2
(en)
|
2013-01-30 |
2015-03-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
TWI611567B
(zh)
|
2013-02-27 |
2018-01-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
|
US20140306219A1
(en)
|
2013-04-10 |
2014-10-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
JP6456598B2
(ja)
|
2013-04-19 |
2019-01-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
TWI809474B
(zh)
|
2013-05-16 |
2023-07-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
KR102090710B1
(ko)
*
|
2013-06-26 |
2020-03-19 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법
|
JP6400961B2
(ja)
*
|
2013-07-12 |
2018-10-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
JP6556998B2
(ja)
*
|
2013-11-28 |
2019-08-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
KR102124025B1
(ko)
*
|
2013-12-23 |
2020-06-17 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
|