JP4553135B2

JP4553135B2 - 有機強誘電体メモリ

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Publication number: JP4553135B2
Application number: JP2005215615A
Authority: JP
Inventors: 潤一柄沢; 栄樹平井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-07-26
Filing date: 2005-07-26
Publication date: 2010-09-29
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Description

本発明は、有機強誘電体メモリに関する。

有機ＥＬ（Electroluminescence）表示デバイス（例えば特許文献１参照）に不揮発性
メモリ機能を付加させる場合、例えば、不揮発性メモリデバイスを外付けすることが考えられる。これによれば、表示デバイスと別個に独立して不揮発性メモリを設けなければならず、電子機器の小型化及び高集積化を図ることは難しい。また、１つの表示デバイス基板上に不揮発性メモリ機能を有する薄膜トランジスタ回路を作り込むことにより、同一基板上に表示デバイス及び不揮発性メモリを形成することも考えられるが、その場合であっても、不揮発性メモリは表示デバイスの画素領域を避けて形成せざるを得ず、電子機器の小型化及び高集積化には限界がある。
特開平１１−０２４６０４号公報

本発明の目的は、小型化及び高集積化を図ることができる有機強誘電体メモリを提供することにある。

（１）本発明に係る有機強誘電体メモリは、
複数の画素領域を有する基板と、
前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられた画素電極と、
それぞれの前記画素電極に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、
走査線が第１のゲート電極に電気的に接続され、データ線が一方の電極に電気的に接続された第１の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタの他方の電極が第２のゲート電極に電気的に接続され、電流供給線が一方の電極に電気的に接続され、前記画素電極が他方の電極に電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極に対向する第２の電極、前記第１及び第２の電極の間に設けられた有機強誘電体層を含む有機強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記有機強誘電体キャパシタは、前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられている。

本発明によれば、走査線をワード線とし、データ線をビット線とし、有機強誘電体キャパシタの第２の電極に接続された電流供給線をプレート線としてそれぞれ駆動させることにより、いわゆる１トランジスタ１キャパシタ型の強誘電体メモリとして動作させることができる。さらに、有機強誘電体キャパシタは、画素領域に設けられているので、画素部の外側に平面領域を拡大することがない。したがって、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示機能を備え、かつ小型化及び高集積化を実現した有機強誘電体メモリを提供することができる。なお、従来の強誘電体酸化物キャパシタとは異なり、有機強誘電体キャパシタは低温プロセスで実現することが可能であるため、他素子にダメージを与えることなく画素領域に有機強誘電体キャパシタを形成することができる。

（２）この有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機強誘電体キャパシタに対するスイッチング機能を果たす第３の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。

（３）この有機強誘電体メモリにおいて、
前記第２の薄膜トランジスタの前記第２のゲート電極に電気的に接続された保持容量をさらに含んでもよい。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの断面図であり、図２〜図６は、この有機強誘電体メモリの製造方法の一部を示す図であり、図７は、図１の構造図に対応する有機強誘電体メモリの回路図である。

１．有機強誘電体メモリ
有機強誘電体メモリ１００は、基板１１０と、画素部１２０と、第１の薄膜トランジスタ１３０と、第２の薄膜トランジスタ１４０と、有機強誘電体キャパシタ１５０と、を含む。

本実施の形態では、有機強誘電体メモリ１００は、メモリ機能のみならず有機ＥＬ（Electroluminescence）表示機能も備え、すなわち有機ＥＬ表示デバイスを兼ねている。この有機ＥＬ表示デバイスを兼ねている有機強誘電体メモリ１００には、Ｙ方向に複数配列されそれぞれＸ方向（Ｙ方向に対する直交方向）に延びる複数の走査線と、Ｘ方向に複数配列されそれぞれＹ方向に延びる複数のデータ線と、複数の走査線及びデータ線により特定される複数の画素を含む画素部１２０とが配置されている。図７に示すように、第１の薄膜トランジスタ１３０は一方がデータ線に電気的に接続され、他方が第２の薄膜トランジスタ１４０を介して画素部１２０に電気的に接続されることにより、アクティブマトリクス型の表示デバイスが構成されている。なお、走査線及びデータ線は、図示しない走査ドライバ及びデータドライバにより制御されており、有機強誘電体メモリ１００は、上述したもののほか、電源回路、コントローラなど表示機能に必要な回路ブロックを有することができる。

まず、図１を参照して有機強誘電体メモリ１００の構造の詳細について説明する。

（１−１）基板１１０は絶縁基板であり、例えばガラス基板又は樹脂フィルムなどのフレキシブル基板が挙げられる。基板１１０は、光透過性を有していてもよいし、遮光性を有していてもよい。例えば、ボトムエミッション（又はバックエミッション）型の有機ＥＬ表示デバイスでは、基板１１０側から光を取り出すので光透過性の基板１１０を使用する。基板１１０上には、絶縁層（例えば酸化（又は窒化）シリコン層）１１２が設けられていてもよい。なお、基板１１０は、有機ＥＬ表示パネルということができる。

（１−２）基板１１０（絶縁層１１２）上には、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０が形成されている。第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０は同一レイヤに形成することができる。また、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０は、例えば高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、あるいはアモルファスシリコン薄膜トランジスタにより形成することができる。この場合、シリコン薄膜トランジスタ回路は、耐プロセス性のある基板上に先ず形成され、次いで転写法により、画素部１２０が形成される基板１１０上に回路を転写し形成することができる。なお、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０、１４０は、例えば有機薄膜トランジスタで形成することもできる。この場合、基板１１０が耐プロセス性の乏しい樹脂フィルムなどのフレキシブル基板上であっても、直接、有機薄膜トランジスタ回路を形成することができる。

第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０、１４０がポリシリコン薄膜トランジスタの場合について説明する。

第１の薄膜トランジスタ１３０は、ソース領域１３２、チャネル領域１３３、ドレイン領域１３４、ゲート絶縁層１３５、ゲート電極１３６を含む。ソース領域１３２、チャネル領域１３３及びドレイン領域１３４は、ポリシリコン層に所定の不純物を注入及び拡散させることにより形成されている。ゲート絶縁層１３５は、少なくともチャネル領域１３３上に形成され、例えばソース領域１３２、チャネル領域１３３及びドレイン領域１３５上に形成されていてもよい。ゲート電極１３６は、例えばＡｌ，Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＮｉＭｏＷ合金，Ｃｒなどの金属により形成することができる。

また、第２の薄膜トランジスタ１４０は、ソース領域１４２、チャネル領域１４３、ドレイン領域１４４、ゲート絶縁層１４５、ゲート電極１４６を含み、それらの詳細は第１の薄膜トランジスタ１３０と同様である。

第１の薄膜トランジスタ１３０は、ゲート電極１３６が走査線に電気的に接続され、ソース領域１３２がデータ線１９０に電気的に接続され、ドレイン領域１３４が有機強誘電体キャパシタ１５０及び第２の薄膜トランジスタ１４０に電気的に接続されている。また、第２の薄膜トランジスタ１４０は、ゲート電極１４６が第１の薄膜トランジスタ１３０のドレイン領域１３４に電気的に接続され、ソース領域１４２が電流供給線１９２に電気的に接続され、ドレイン領域１４４が画素部１２０に電気的に接続されている。

（１−３）画素部１２０は、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０及び有機強誘電体キャパシタ１５０の上方に形成されている。図１に示す例では、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０等の上に必要に応じて絶縁層１６０〜１６４が形成され、それらの上に画素部１２０が形成されている。画素部１２０は、少なくとも、複数の画素電極１２２と、複数の画素電極１２２のそれぞれに設けられた有機発光層（広義には電気光学素子）１２４と、有機発光層１２４を介して複数の画素電極１２２と対向する対向電極１２６と、を含む。画素部１２０は、複数行複数列に配列された複数の画素に分割することができる。なお、画素電極１２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であってもよい。

それぞれの画素電極１２２は、１つの画素に対応する画素領域１２１に配置されている。ここで、画素領域１２１は、有機発光層１２４が設けられる領域のみならず、その周囲のバンク１６８が設けられる領域を含む。また、対向電極１２６は、複数行複数列に配列された複数の画素電極１２２に対する共通電極として設けられている。対向電極１２６は、例えばＬｉＦ層、Ｃａ層及びＡｌ層からなる複数層により形成することができる。

有機発光層１２４は、画素電極１２２上（詳しくは絶縁層１６６の開口部）に設けられる。有機発光層１２４は、所定の発光色（例えば赤、緑、青）を有する。有機発光層１２４を構成する材料は、高分子系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。有機発光層１２４は、電流が流れることで発光する。有機発光層１２４は、発光色に応じて、発光効率が異なっていてもよい。必要に応じて有機発光層１２４と画素電極１２２の間に第１のバッファ層１２３を設けることができる。第１のバッファ層１２３は、有機発光層１２４への正孔注入を安定化させる正孔注入層を有していてもよいし、正孔輸送層を有していてもよい。正孔輸送層は、有機発光層１２４と正孔注入層との間に設けられていてもよい。また、必要に応じて有機発光層１２４と対向電極１２６の間に第２のバッファ層１２５を設けることができる。第２のバッファ層１２５は、有機発光層１２４への電子注入を安定化させる電子注入層を有していてもよいし、電子輸送層を有していてもよい。電子輸送層は、有機発光層１２４と電子注入層との間に設けられていてもよい。また、隣同士の有機発光層１２４は、バンク１６８により区画され、電気的に絶縁されている。バンク１６８は、例えばアクリル樹脂等により形成することができる。なお、対向電極１２６上には、有機発光層１２４等を保護するための保護層１７０が設けられている。保護層１７０は、有機発光層１２４を封止するものであってもよい。保護層１７０を設けることにより、有機発光層１２４等が水分や酸素等により劣化するのを防止することができる。

（１−４）有機強誘電体キャパシタ１５０は、基板１１０（絶縁層１１２）上に形成されており、第１の電極（図１では上部電極）１５２と、第１の電極１５２に対向する第２の電極（図１では下部電極）１５６と、第１及び第２の電極１５２，１５６の間に設けられた有機強誘電体層１５４と、を含む。有機強誘電体キャパシタ１５０を設けることにより、第１の薄膜トランジスタ１３０を選択トランジスタとする、いわゆる１トランジスタ１キャパシタ型（蓄積容量型）の強誘電体メモリとして動作させることができる。

有機強誘電体層１５４は、少なくとも第１及び第２の電極１５２，１５６の間に設けられ、例えば下部側の第２の電極１５６上のみに設けられていてもよいし、基板１１０の全面の上方に設けられていてもよい。有機強誘電体層１５４の強誘電体材料としては、例えばポリ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン）（Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ））、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン）コオリゴマー、フッ化ビニリデンオリゴマー、偶数及び奇数ナイロン、シアン化ビニリデンコポリマー、ポリ尿素などが挙げられる。なお、第１の電極１５２と第２の電極１５６とは、お互い異なる材質（例えばＡｌなどの金属材料、導電性有機材料等）により形成することもできる。

また、図１に示す例では、第１の電極１５２は、第１の薄膜トランジスタ１３０を介してデータ線１９０に電気的に接続され、かつ第２の薄膜トランジスタ１４０のゲート電極１４６に電気的に接続されている。また、第２の電極１５６は、電流供給線１９２に電気的に接続されている。

本実施の形態では、複数の画素領域１２１のそれぞれに、少なくとも１つの有機強誘電体キャパシタ１５０が設けられている。そして、それぞれの有機強誘電体キャパシタ１５０は、画素領域１２１に設けられている。これによれば、画素部１２０の外側に平面領域を拡大することがないので小型化及び高集積化を図ることができる。

（１−５）次に、上述した構造を有する有機強誘電体メモリ１００の動作の概略について説明する。

前提として、強誘電体メモリは、強誘電体が有する双安定な分極状態を利用した不揮発性メモリである。分極―電界曲線におけるヒステリシスカーブを特徴とする強誘電体は、強誘電体に印加される電圧が０Ｖであっても、分極状態が消えない不揮発性の性質を有する。この分極状態には、強誘電体に印加された電圧が正の時と負の時とで２つ存在し、これら２つの分極状態の一方を０他方を１にそれぞれ対応させることで、強誘電体を不揮発性メモリの媒体として利用することができる。本実施の形態に係る有機強誘電体メモリは、走査線をワード線とし、データ線をビット線とし、有機強誘電体キャパシタの第２の電極１５６に接続された電流供給線をプレート線としてそれぞれ駆動させることにより、不揮発性メモリとして動作させることができる。

図７に示す回路図は、有機ＥＬ素子の動作電圧が有機強誘電体キャパシタ動作電圧に比べて十分に低い場合に適用することができる。すなわち、有機ＥＬ素子の動作に起因する電位差が有機強誘電体キャパシタ１５０に与えられても、有機強誘電体メモリの分極反転が生じない場合に適用することができる。

まず、普段の有機ＥＬ素子動作時においては、有機ＥＬ素子動作電圧の方が有機強誘電体キャパシタ１５０の動作電圧よりも十分に低いため、有機強誘電体キャパシタ１５０の記憶状態（分極状態）は影響を受けず、有機ＥＬ素子動作に関わらずその記憶状態を維持する。すなわち、有機ＥＬ素子の動作電圧により有機強誘電体キャパシタ１５０の情報が書き換えられることがない。なお、このとき、有機強誘電体キャパシタ１５０は有機ＥＬ動作用の保持容量として機能する。

他方、メモリ動作時においては、上述したようにワード線、ビット線、プレート線をそれぞれ駆動させることにより、有機強誘電体キャパシタ１５０の記憶状態を適宜制御することができる。

本実施の形態に係る有機強誘電体メモリによれば、１つの画素領域にある有機強誘電体に１つの情報を記憶させることができるため、例えば、パネル表示情報をそのまま記憶させることができる。これにより、外付けのメモリデバイスがなくても記憶した画像データを読み出すことにより、例えば電源オフ時の画像を電源オン時にそのまま画像を表示することができる。あるいは、有機強誘電体メモリをパネル表示情報とは別に単独に不揮発性メモリとして機能させることもできる。いずれにしても本実施の形態に係る有機強誘電体メモリによれば、有機強誘電体キャパシタ１５０が画素領域１２１に設けられているので、外付けメモリが不要であることは当然ながら、画素部１２０の外側に平面領域を拡大することがない。したがって、有機ＥＬ表示機能を備え、かつ小型化及び高集積化を実現した有機強誘電体メモリを提供することができる。

２．有機強誘電体メモリの製造方法
次に、図２〜図６を参照して有機強誘電体メモリの製造方法の一例について説明する。

（２−１）図２に示すように、まず、転写用の基板１８０を用意する。基板１８０は、製造プロセスにおいてのみ使用するものであり、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０、有機強誘電体キャパシタ１５０等を形成した後、最終的に剥離及び除去する。このように転写技術を適用することにより、製造プロセスに要求される条件（プロセス耐性など）及び完成品に要求される条件（フレキシブル性など）の両方を満たすことが可能になる。なお、基板１８０は、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０等の製造プロセスに耐性を有するものであればその材質は限定されず、例えばガラス基板であってもよい。基板１８０が光透過性を有していれば、光照射により基板１８０の剥離工程を容易に行うことができる。

必要があれば、基板１８０上に分離層１８２を形成してもよい。分離層１８２は、基板１８０の剥離を容易に行うためのものである。例えば、分離層１８２は、光照射により結合力を消失するものであってもよいし、その他の物理的化学的作用（例えば加熱）により結合力を消失するものであってもよい。分離層１８２の材質としては、例えばアモルファスシリコンなどの半導体、各種セラミックス、有機材料、低融点金属、ＵＶ硬化型接着材料などが挙げられる。

基板１８０（図２では分離層１８２）上に絶縁層１１２を形成してもよい。絶縁層１１２は、例えば有機シリコン材料であるＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４））を原材料としたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。絶縁層１１２は、第１の薄膜トランジスタ１３０の保護、遮光、絶縁、マイグレーションの防止などの機能を有する。

（２−２）次に、図３〜図５に示すように、第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０を形成する。

第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０を低温ポリシリコンプロセスにより形成してもよい。これによれば、低温プロセスであるために要求される熱耐性の制限が緩和されるので、基板１８０等の材料選択自由度の向上を図ることができる。

まず、図３に示すように、薄膜半導体層１８４〜１８６を絶縁層１１２上に形成する。それぞれの薄膜半導体層１８４〜１８６は分離して形成する。薄膜半導体層１８４〜１８６は、例えばアモルファスシリコン層をＣＶＤ法により成膜し、脱水素アニールを行い、レーザアニール等により多結晶化させた後、エッチング等によりパターニングして形成することができる。これにより、薄膜半導体層１８４〜１８６をポリシリコン層として形成する。あるいは、薄膜トランジスタ１８４〜１８６をシリコン系液体材料を吐出することにより直接パターニングして形成してもよい。

次に、図４に示すように、薄膜半導体層１８４，１８６上にゲート絶縁層（例えばＳｉＯ_２層）１３５，１４５を形成する。ゲート絶縁層１３５，１４５は、例えばＴＥＯＳ−ＣＶＤ法により形成することができる。その後、ゲート電極１３６，１４６をパターニングして形成し、それらをマスクとして薄膜半導体層１８４〜１８６に不純物を注入する。その後、不純物を拡散させるためにアニールを行う。

こうして、図５に示すように、薄膜半導体層１８４に第１の薄膜トランジスタ１３０のソース領域１３２及びドレイン領域１３４を形成し、薄膜半導体層１８６に第２の薄膜トランジスタ１４０のソース領域１４２及びドレイン領域１４４を形成する。

（２−３）その後、図６に示すように、有機強誘電体キャパシタ１５０を形成する。

先ず有機強誘電体キャパシタ１５０の第２の電極１５６を形成する。第２の電極１５６は、例えば、蒸着法、スパッタ法、メッキ法又は液滴吐出法により形成することができる。次いで、少なくとも第２の電極１５６上に有機強誘電体層１５４を形成する。例えば、ポリ（フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン）共重合体を溶媒（例えばケトン系の溶媒）に溶かして所定の溶液にした後、第２の電極１５６を含む領域上に成膜し、１４０℃〜１５０℃程度でアニールして結晶化させる。有機強誘電体材料の場合、無機強誘電体材料と比較すると極めて低温でアニールすることができる。有機強誘電体層１５４の成膜方法としては、スピンコート法、マイクロディスペンス法、インクジェット法、又は溶液霧化法（ＬＳＭＣＤ：Liquid Source Misted Chemical Deposition）などに代表される溶液吐出法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、真空蒸着法などが挙げられる。図６に示すように、有機強誘電体層１５４を例えば基板１１０の全面に設けることができる。その後、有機強誘電体層１５４上に第１の電極１５２を形成する。第１の電極１５２は、例えば、蒸着法、スパッタ法、メッキ法又は液滴吐出法により形成することができる。

（２−４）こうして、第１の薄膜トランジスタ１３０及び有機強誘電体キャパシタ１５０を形成した後、図１に示すように、所定の絶縁層１６０〜１６４及び配線層等を形成する。有機強誘電体キャパシタ１５０の上方に形成する絶縁層１６０〜１６４は、成膜温度が低いもの、すなわち有機強誘電体キャパシタ１５０の熱耐性を満たすものを使用することができる。絶縁層１６０〜１６４は、例えば、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、光硬化型樹脂（例えばＵＶ硬化型樹脂）等をＣＶＤ法等により成膜することができる。これによれば、いずれも低温（例えば１４０℃以下）による成膜が可能になるので、有機強誘電体キャパシタ１５０の熱によるダメージの低減を図ることができる。

転写技術を適用する場合には、基板１８０上の被転写層（上述の第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０及び有機強誘電体キャパシタ１５０を含む）を、少なくとも１回の転写工程により基板１１０に転写する。こうして、完成品の一部をなす基板１１０に、製造プロセスによるダメージを与えることなく必要な素子を形成することができる。なお、画素部１２０の製造プロセスは公知であるのでその説明は省略する。

３．変形例
次に、本実施の形態に係る有機強誘電体メモリの変形例について説明する。図８は、本実施の形態の変形例に係る回路図である。

図８に示す回路図は、上述した図７とは逆に、有機ＥＬ素子の動作電圧が有機強誘電体キャパシタ動作電圧に比べて十分に高い場合に適用することができる。ただし、本変形例では、有機強誘電体キャパシタ１５０に対するスイッチング機能を果たす第３の薄膜トランジスタ２００と、第２の薄膜トランジスタ１４０のゲート電極１４６に電気的に接続された保持容量２１０と、が設けられている。

まず、普段の有機有機ＥＬ素子動作時においては、有機ＥＬ素子動作電圧の方が有機強誘電体キャパシタ１５０の動作電圧よりも十分に高いため、有機強誘電体キャパシタ１５０の記憶状態（分極状態）は影響される可能性がある。そのため、図８に示すように、有機ＥＬ素子動作時においては、第３の薄膜トランジスタ２００をオフにすることにより有機強誘電体キャパシタ１５０を電気的に遮断させる。こうすることにより、有機ＥＬ素子動作に関わらず有機強誘電体キャパシタ１５０の記憶状態を維持させておくことができる。そして、この場合には、保持容量２１０を設けることにより、保持容量２１０にデータ線から供給されるデータに対応した電荷を蓄積させて有機ＥＬ素子を動作させることができる。

他方、メモリ動作時においては、上述したようにワード線、ビット線、プレート線をそれぞれ駆動させることにより、有機強誘電体キャパシタ１５０の記憶状態を適宜制御することができる。この場合、有機ＥＬ素子動作電圧が有機強誘電体キャパシタ動作電圧よりも十分に高いため、基本的には、有機強誘電体キャパシタ動作により有機ＥＬ素子の表示状態が影響を受けることはない。なお、メモリ動作時には第３の薄膜トランジスタ２００はオンにしておくことができる。

なお、第３の薄膜トランジスタ２００の構成は、上述した第１及び第２の薄膜トランジスタ１３０，１４０の内容を適用することができる。また、本変形例におけるその他の詳細及び効果はすでに説明した通りである。

上述した例では、薄膜トランジスタとしてポリシリコン薄膜トランジスタを挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタを適用することもできる。この場合、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、Ａｕ及びＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属材料だけでなく導電性有機材料を用いても形成することができる。導電性有機材料としては、例えば、導電性高分子であるポリスチレンサルフォネート（ＰＳＳ）をドープしたポリエチレンジオキサンチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、又はポリアニリンなどが挙げられる。有機半導体材料及び導電性有機材料は、例えばスピンコート法、マイクロディスペンス法、インクジェット法、又は溶液霧化法（ＬＳＭＣＤ：Liquid Source Misted Chemical Deposition）などの溶液吐出法により設けることができる。なお、有機半導体層の材料としては、例えばフルオレン−チオフェン共重合体の一つであるＦ８Ｔ２が挙げられる。

半導体層の材料として有機材料を用いることにより、さらなる低温プロセスが可能となり、例えばシリコンを用いる場合と比べて製造プロセスが極めて容易となる。従って、有機薄膜トランジスタを用いた場合、前述したような転写法を用いずとも、樹脂フィルムなどのフレキシブル基板上に本発明のデバイスを、直接、形成することが出来る。

なお、有機薄膜トランジスタの場合、トップゲート―ボトムコンタクト型、ボトムゲート―トップコンタクト型、トップゲート―トップコンタクト型、ボトムゲート―ボトムコンタクト型などの多様な薄膜トランジスタ構造をとることが出来る。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの断面図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの製造方法を説明する図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの製造方法を説明する図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの製造方法を説明する図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの製造方法を説明する図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの製造方法を説明する図。本発明の実施の形態に係る有機強誘電体メモリの回路図。本発明の実施の形態の変形例に係る有機強誘電体メモリの回路図。

符号の説明

１００…有機強誘電体メモリ１１０…基板１２１…画素領域
１２２…画素電極１２４…有機発光層１２６…対向電極
１３０…第１の薄膜トランジスタ１３６…ゲート電極
１４０…第２の薄膜トランジスタ１４６…ゲート電極１５２…第１の電極
１５４…有機強誘電体層１５６…第２の電極２００…第３の薄膜トランジスタ
２１０…保持容量

Claims

複数の画素領域を有する基板と、
前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられた画素電極と、
それぞれの前記画素電極に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、
走査線が第１のゲート電極に電気的に接続され、データ線が一方の電極に電気的に接続された第１の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタの他方の電極が第２のゲート電極に電気的に接続され、電流供給線が一方の電極に電気的に接続され、前記画素電極が他方の電極に電気的に接続された第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極に対向する第２の電極、前記第１及び第２の電極の間に設けられた有機強誘電体層を含む有機強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記有機強誘電体層は、ポリ（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、（フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン）コオリゴマー、およびフッ化ビニリデンオリゴマーからなる群より選択される少なくとも一種により形成され、
前記有機強誘電体層は、前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタを覆っており、
前記有機強誘電体キャパシタは、前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられている、有機強誘電体メモリ。
請求項１記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記画素電極および前記対向電極との間に印加される電圧は、前記有機強誘電体キャパシタの動作電圧よりも小さい、有機強誘電体メモリ。
請求項１記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機強誘電体キャパシタに対するスイッチング機能を果たす第３の薄膜トランジスタをさらに含み、
前記画素電極および前記対向電極との間に印加される電圧は、前記有機強誘電体キャパシタの動作電圧よりも大きい、有機強誘電体メモリ。
請求項３記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記第２の薄膜トランジスタの前記第２のゲート電極に電気的に接続された保持容量をさらに含む、有機強誘電体メモリ。