JP4553135B2 - 有機強誘電体メモリ - Google Patents
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Description
メモリ機能を付加させる場合、例えば、不揮発性メモリデバイスを外付けすることが考えられる。これによれば、表示デバイスと別個に独立して不揮発性メモリを設けなければならず、電子機器の小型化及び高集積化を図ることは難しい。また、1つの表示デバイス基板上に不揮発性メモリ機能を有する薄膜トランジスタ回路を作り込むことにより、同一基板上に表示デバイス及び不揮発性メモリを形成することも考えられるが、その場合であっても、不揮発性メモリは表示デバイスの画素領域を避けて形成せざるを得ず、電子機器の小型化及び高集積化には限界がある。
複数の画素領域を有する基板と、
前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられた画素電極と、
それぞれの前記画素電極に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、
走査線が第1のゲート電極に電気的に接続され、データ線が一方の電極に電気的に接続された第1の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタの他方の電極が第2のゲート電極に電気的に接続され、電流供給線が一方の電極に電気的に接続され、前記画素電極が他方の電極に電気的に接続された第2の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線と電気的に接続された第1の電極、前記第1の電極に対向する第2の電極、前記第1及び第2の電極の間に設けられた有機強誘電体層を含む有機強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記有機強誘電体キャパシタは、前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられている。
前記有機強誘電体キャパシタに対するスイッチング機能を果たす第3の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。
前記第2の薄膜トランジスタの前記第2のゲート電極に電気的に接続された保持容量をさらに含んでもよい。
有機強誘電体メモリ100は、基板110と、画素部120と、第1の薄膜トランジスタ130と、第2の薄膜トランジスタ140と、有機強誘電体キャパシタ150と、を含む。
次に、図2〜図6を参照して有機強誘電体メモリの製造方法の一例について説明する。
次に、本実施の形態に係る有機強誘電体メモリの変形例について説明する。図8は、本実施の形態の変形例に係る回路図である。
122…画素電極 124…有機発光層 126…対向電極
130…第1の薄膜トランジスタ 136…ゲート電極
140…第2の薄膜トランジスタ 146…ゲート電極 152…第1の電極
154…有機強誘電体層 156…第2の電極 200…第3の薄膜トランジスタ
210…保持容量
Claims (4)
- 複数の画素領域を有する基板と、
前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられた画素電極と、
それぞれの前記画素電極に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を介して複数の前記画素電極と対向する対向電極と、
走査線が第1のゲート電極に電気的に接続され、データ線が一方の電極に電気的に接続された第1の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタの他方の電極が第2のゲート電極に電気的に接続され、電流供給線が一方の電極に電気的に接続され、前記画素電極が他方の電極に電気的に接続された第2の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタを介して前記データ線と電気的に接続された第1の電極、前記第1の電極に対向する第2の電極、前記第1及び第2の電極の間に設けられた有機強誘電体層を含む有機強誘電体キャパシタと、
を含み、
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)コオリゴマー、およびフッ化ビニリデンオリゴマーからなる群より選択される少なくとも一種により形成され、
前記有機強誘電体層は、前記第1の薄膜トランジスタおよび前記第2の薄膜トランジスタを覆っており、
前記有機強誘電体キャパシタは、前記基板のそれぞれの前記画素領域に設けられている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記画素電極および前記対向電極との間に印加される電圧は、前記有機強誘電体キャパシタの動作電圧よりも小さい、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機強誘電体キャパシタに対するスイッチング機能を果たす第3の薄膜トランジスタをさらに含み、
前記画素電極および前記対向電極との間に印加される電圧は、前記有機強誘電体キャパシタの動作電圧よりも大きい、有機強誘電体メモリ。 - 請求項3記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記第2の薄膜トランジスタの前記第2のゲート電極に電気的に接続された保持容量をさらに含む、有機強誘電体メモリ。
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