JP6636755B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について、図1乃至図13を用いて説明する。
図1(A)は、本発明の一態様の半導体装置100の上面図であり、図1(B)は、図1(A)の一点鎖線A−B間、一点鎖線C−D間、及び一点鎖線E−F間における切断面の断面図に相当する。なお、図1(A)において、煩雑になることを避けるため、半導体装置100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜等)を省略して図示している。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図1(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
第1の酸化物半導体膜108及び第2の酸化物半導体膜111に用いることのできる酸化物半導体膜は、膜中の酸素欠損及び/又は膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗率を制御することができる半導体材料である。そのため、第1の酸化物半導体膜108及び第2の酸化物半導体膜111へ酸素欠損及び/又は不純物濃度が増加する処理、または酸素欠損及び/又は不純物濃度が低減する処理を選択することによって、それぞれの酸化物半導体膜の抵抗率を制御することができる。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。なお、基板102として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。また、基板102として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタ150、容量素子160等を形成してもよい。
絶縁膜104としては、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜104としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜104において少なくとも酸化物半導体膜108と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁膜104として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、加熱処理により絶縁膜104に含まれる酸素を、酸化物半導体膜108に移動させることが可能である。
第1の酸化物半導体膜108及び第2の酸化物半導体膜111a、111bは、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、SnまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
絶縁膜110は、トランジスタ150のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜110は、酸化物半導体膜108、特にチャネル領域108iに酸素を供給する機能を有する。例えば、絶縁膜110としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜110において、酸化物半導体膜108と接する領域は、少なくとも酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。絶縁膜110として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いればよい。
絶縁膜116は、窒素または水素を有する。また、絶縁膜116は、フッ素を有していてもよい。絶縁膜116としては、例えば、窒化物絶縁膜が挙げられる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化フッ化シリコン、フッ化窒化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁膜116に含まれる水素濃度は、1×1022atoms/cm3以上であると好ましい。また、絶縁膜116は、酸化物半導体膜108のソース領域108s、及びドレイン領域108dと接する。したがって、絶縁膜116と接するソース領域108s、及びドレイン領域108d中の不純物(窒素または水素)濃度が高くなり、ソース領域108s、及びドレイン領域108dのキャリア密度を高めることができる。
絶縁膜118としては、酸化物絶縁膜を用いることができる。また、絶縁膜118としては、酸化物絶縁膜と、窒化物絶縁膜との積層膜を用いることができる。絶縁膜118として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn酸化物などを用いればい。
導電膜120a、120bとしては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、熱CVD法等を用いて形成することができる。また、導電膜120a、120bとしては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電膜120a、120bは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにその上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
トランジスタ150の保護絶縁膜として機能する絶縁膜122としては、プラズマCVD法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。または、絶縁膜122として、第3の絶縁膜または第4の絶縁膜と同様の材料を用いることができる。
次に、図1(A)、(B)に示す半導体装置100と異なる構成について、図5を用いて説明する。
次に、図1(A)、(B)に示す半導体装置100と異なる構成について、図6乃至図8を用いて説明する。
ここで、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_1、108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造、並びに絶縁膜104、酸化物半導体膜108_1、108_2のバンド構造について、図9(A)乃至(C)を用いて説明する。なお、図9(A)乃至(C)は、チャネル領域108iにおけるバンド構造である。
次に、図1に示す半導体装置の作製方法の一例について、図10乃至図13を用いて説明する。なお、図10乃至図13は、トランジスタ150および容量素子160の作製方法を説明するチャネル長(L)方向及びチャネル幅(W)方向の断面図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置のトランジスタおよび容量素子に適用可能な酸化物半導体の一例について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置80について、図19乃至図31を用いて説明する。
次に、表示装置80に含まれる素子基板の具体的な構成について説明する。まず、FFSモードによって駆動する表示装置80が有する複数の画素70a、70b、70cの上面図を図20に示す。
次に、表示装置80が有する、図20に示す画素とは異なる構成の複数の画素70d、70e、70fの上面図を図22に示す。
図32(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図32(A)では、パルス電圧出力回路401、電流検出回路402を示している。なお図32(A)では、一例として、パルス電圧が与えられる電極421をX1−X6の6本の配線、電流の変化を検知する電極422をY1−Y6の6本の配線として示している。なお、電極の数は、これに限定されない。また図32(A)は、電極421および電極422が重畳すること、または、電極421および電極422が近接して配置されることで形成される容量403を図示している。なお、電極421と電極422とはその機能を互いに置き換えてもよい。または、パルス電圧出力回路401と電流検出回路402とは、互いに置き換えてもよい。
ここでは、表示素子やトランジスタ等が設けられる基板(以下、素子基板とも記す)上に、タッチセンサを構成する一対の電極のうちの少なくとも一つを配置する例について説明する。
以下では、本発明の一態様のタッチパネルに適用可能ないくつかの方式について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の液晶表示装置に適用可能な垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードで動作する液晶素子を備える画素の構成について、図38および図39を参照して説明する。図38は液晶表示装置が備える画素の上面図であり、図39は図38の切断線A1−B1における断面を含む側面図である。また、図40(A)は、液晶表示装置が備える画素の等価回路図である。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図41乃至図44を用いて以下説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができるタッチパネルについて図45乃至図50を用いて説明する。本実施の形態では、発光素子、具体的にはEL素子を用いたタッチパネルを例示する。
図45(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図46(A)は、図45(A)に示す一点鎖線M−N間の断面図である。
以下では、タッチセンサ595のより具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、実施の形態5に示したEL素子785、および実施の形態6に示した発光素子350Rに用いることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すEL層220が、他の実施の形態に示したEL層786およびEL層353に相当する。
図51(A)に示す発光素子230は、一対の電極(電極218、電極222)間にEL層220が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、電極218を陽極として用い、電極222を陰極として用いるものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図52及び図53を用いて説明を行う。
12 絶縁膜
13 導電膜
14 絶縁膜
15 絶縁膜
16 絶縁膜
17 絶縁膜
18 酸化物半導体膜
18_1 ソースドレイン領域
18_2 ソースドレイン領域
18i チャネル領域
19a 酸化物半導体膜
19b 酸化物半導体膜
19c コモン電極
21a 導電膜
21b 導電膜
21c 導電膜
27 絶縁膜
29 導電膜
51 液晶素子
52 トランジスタ
55 容量素子
62 配線
70 画素
70a 画素
70b 画素
70c 画素
70d 画素
70e 画素
70f 画素
71 画素部
74 走査線駆動回路
75 コモン線
76 信号線駆動回路
77 走査線
78 配線
79 信号線
80 表示装置
100 半導体装置
100A 半導体装置
100B 半導体装置
100C 半導体装置
100D 半導体装置
100E 半導体装置
100F 半導体装置
100G 半導体装置
102 基板
104 絶縁膜
106 ゲート電極
107 酸化物半導体膜
108 酸化物半導体膜
108_1 酸化物半導体膜
108_2 酸化物半導体膜
108_3 酸化物半導体膜
108b 酸化物半導体膜
108d ドレイン領域
108f 領域
108i チャネル領域
108s ソース領域
110 絶縁膜
110_0 絶縁膜
111 酸化物半導体膜
111_0 酸化物半導体膜
111a 酸化物半導体膜
111b 酸化物半導体膜
112 導電膜
112_0 導電膜
116 絶縁膜
117 EL層
118 絶縁膜
120a 導電膜
120b 導電膜
120c 導電膜
122 絶縁膜
123 導電膜
124 導電膜
140 マスク
141a 開口部
141b 開口部
142 開口部
143 開口部
144 開口部
145 開口部
150 トランジスタ
150A トランジスタ
150B トランジスタ
150C トランジスタ
150D トランジスタ
150E トランジスタ
150F トランジスタ
150G トランジスタ
160 容量素子
218 電極
220 EL層
220a 電荷発生層
222 電極
230 発光素子
231 発光素子
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g 走査線駆動回路
303s 画像信号線駆動回路
303t トランジスタ
311 配線
319 端子
321 絶縁膜
328 隔壁
350R 発光素子
351R 下部電極
351Ra 半透過電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 接着層
367BM 遮光膜
367p 反射防止層
367R 着色膜
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
400a 画素
400b 画素
401 パルス電圧出力回路
402 電流検出回路
403 容量
410 タッチパネル
411 基板
412 基板
413 FPC
414 導電膜
419a 導電膜
419b 導電膜
420a 液晶素子
420b 液晶素子
421 電極
422 電極
423 液晶
424 絶縁膜
426 開口部
428a 導電膜
428b 導電膜
429a 導電膜
429b 導電膜
431 着色膜
453 配線
454 配線
459a センサ電極
459b センサ電極
461 配線
463 トランジスタ
464 液晶素子
465_1 ブロック
465_2 ブロック
467_1 ブロック
467_4 ブロック
471 電極
471_1 電極
471_2 電極
472 電極
472_1 電極
472_4 電極
501 表示部
503 接着層
504 絶縁膜
505 タッチパネル
509 FPC
510 基板
511 基板
513 接着層
515 絶縁膜
531 電極
532 電極
533 電極
534 ブリッジ電極
536 電極
537 電極
538 交差部
541 配線
542 配線
550 FPC
555 領域
561 導電膜
562 導電膜
563 導電膜
564 ナノワイヤ
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁膜
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
601 基板
602 基板
604 絶縁膜
606 ゲート配線
607 容量配線
609 容量配線
611b 画素電極
612b 画素電極
616 絶縁膜
618 絶縁膜
620a 配線
620b ドレイン電極
622 絶縁膜
629 トランジスタ
630 容量素子
641b 開口部
650 トランジスタ
651 トランジスタ
661 容量素子
662 容量素子
671 コモン電極
672 スリット
673 着色膜
674 スリット
675 突起
677 配向膜
678 配向膜
680 液晶層
681 液晶素子
682 液晶素子
700A 表示装置
700B 表示装置
700C 表示装置
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 配線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
746 配向膜
748 配向膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
764 絶縁膜
766 絶縁膜
768 絶縁膜
772 導電膜
774 導電膜
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
781 接着層
782 導電膜
783 絶縁膜
784 導電膜
785 EL素子
786 EL層
790 容量素子
791 異方性導電膜
4616 配線
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (5)
- 第1の絶縁膜上に設けられた、トランジスタと、一対の電極間に第3の絶縁膜を含む容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第1の金属酸化物膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜上および前記第1の金属酸化物膜上に、前記第3の絶縁膜が設けられ、
前記酸化物半導体膜は、
前記第1の金属酸化物膜と重なるチャネル領域と、
前記第3の絶縁膜と接するソース領域と、
前記第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの一以上を有し、
前記容量素子は、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記ソース領域および前記ドレイン領域の一方と電気的に接続する第2の金属酸化物膜と、
前記第2の金属酸化物膜上の前記第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第1の導電膜と、を有し、
前記第2の金属酸化物膜は、画素電極としての機能を有する、半導体装置。 - 第1の絶縁膜上に設けられた、トランジスタと、一対の電極間に第3の絶縁膜を含む容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の前記第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第1の金属酸化物膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜上および前記第1の金属酸化物膜上に、前記第3の絶縁膜が設けられ、
前記酸化物半導体膜は、
前記第1の金属酸化物膜と重なるチャネル領域と、
前記第3の絶縁膜と接するソース領域と、
前記第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの一以上を有し、
前記容量素子は、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記ソース領域および前記ドレイン領域の一方と電気的に接続する第2の金属酸化物膜と、
前記第2の金属酸化物膜上の前記第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第1の導電膜と、を有し、
前記第2の金属酸化物膜は、画素電極としての機能を有する、半導体装置。 - 第1の絶縁膜上に設けられた、トランジスタと、一対の電極間に第3の絶縁膜を含む容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の前記第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第1の金属酸化物膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜上および前記第1の金属酸化物膜上に、前記第3の絶縁膜が設けられ、
前記ゲート電極は、前記第1の金属酸化物膜と電気的に接続され、
前記酸化物半導体膜は、
前記第1の金属酸化物膜と重なるチャネル領域と、
前記第3の絶縁膜と接するソース領域と、
前記第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの一以上を有し、
前記容量素子は、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記ソース領域および前記ドレイン領域の一方と電気的に接続する第2の金属酸化物膜と、
前記第2の金属酸化物膜上の前記第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第1の導電膜と、を有し、
前記第2の金属酸化物膜は、画素電極としての機能を有する、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記トランジスタは、
前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜に設けられた第1の開口部を介して、前記ソース領域に電気的に接続される第2の導電膜と、
前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜に設けられた第2の開口部を介して、前記ドレイン領域に電気的に接続される第3の導電膜と、を有する、
前記第2の導電膜および前記第3の導電膜の一方は、前記第3の絶縁膜および前記第4の絶縁膜に設けられた第3の開口部を介して、前記第2の金属酸化物膜に電気的に接続される、半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記第3の絶縁膜は、窒素または水素を含む、半導体装置。
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