JP2016096545A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016096545A5
JP2016096545A5 JP2015220035A JP2015220035A JP2016096545A5 JP 2016096545 A5 JP2016096545 A5 JP 2016096545A5 JP 2015220035 A JP2015220035 A JP 2015220035A JP 2015220035 A JP2015220035 A JP 2015220035A JP 2016096545 A5 JP2016096545 A5 JP 2016096545A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
drain
source
electrically connected
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015220035A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6616665B2 (ja
JP2016096545A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2016096545A publication Critical patent/JP2016096545A/ja
Publication of JP2016096545A5 publication Critical patent/JP2016096545A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6616665B2 publication Critical patent/JP6616665B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (8)

  1. 第1の回路と、
    第2の回路と、を有する撮像装置であって、
    前記第1の回路は、光電変換素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、第3の容量素子と、を有し、
    前記第2の回路は、第7のトランジスタを有し、
    前記光電変換素子の一方の端子は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第1の容量素子の一方の端子と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の容量素子の他方の端子と電気的に接続され、
    前記第1の容量素子の他方の端子は、前記第2の容量素子の一方の端子と電気的に接続され、
    前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2の容量素子の他方の端子と電気的に接続され、
    前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第3の容量素子の一方の端子は、前記第2の容量素子の他方の端子と電気的に接続され、
    前記第3の容量素子の他方の端子は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第5のトランジスタのゲートは前記第3の容量素子の一方の端子と電気的に接続され、
    前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第7のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記光電変換素子は、光電変換層にセレンを有する撮像装置。
  2. 請求項1において、
    前記撮像装置は第3の回路を有し、
    前記第3の回路は、第8のトランジスタと、抵抗素子と、を有し、
    前記第8のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第8のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記抵抗素子の一方の端子と電気的に接続される撮像装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記第2の回路は、第9のトランジスタを有し、
    前記第9のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第7のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第9のトランジスタのゲートは、前記第7のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第9のトランジスタのゲートは、前記第9のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される撮像装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記光電変換素子の他方の端子と電気的に接続される撮像装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記第1の回路は第4の容量素子を有し、
    前記第4の容量素子の一方の端子は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される撮像装置。
  6. 請求項5において、
    前記第4の容量素子の他方の端子は、前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される撮像装置。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
    前記第1のトランジスタ乃至第のトランジスタの一部または全ては、活性層に酸化物半導体を有し、
    当該酸化物半導体は、Inと、Znと、M(MはAl、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)と、を有する撮像装置。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置、操作キー、または、シャッターボタンと、を有する電子機器。
JP2015220035A 2014-11-10 2015-11-10 撮像装置および電子機器 Active JP6616665B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014227703 2014-11-10
JP2014227703 2014-11-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019203111A Division JP6845299B2 (ja) 2014-11-10 2019-11-08 撮像装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016096545A JP2016096545A (ja) 2016-05-26
JP2016096545A5 true JP2016096545A5 (ja) 2018-12-20
JP6616665B2 JP6616665B2 (ja) 2019-12-04

Family

ID=55912883

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015220035A Active JP6616665B2 (ja) 2014-11-10 2015-11-10 撮像装置および電子機器
JP2019203111A Active JP6845299B2 (ja) 2014-11-10 2019-11-08 撮像装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019203111A Active JP6845299B2 (ja) 2014-11-10 2019-11-08 撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9548327B2 (ja)
JP (2) JP6616665B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7464447B2 (ja) 2020-06-05 2024-04-09 Tianma Japan株式会社 イメージセンサ

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6685240B2 (ja) 2015-01-27 2020-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 乗員保護装置
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR20230044327A (ko) 2015-04-22 2023-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR20160144314A (ko) 2015-06-08 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 그 동작 방법, 및 전자 기기
TWI738569B (zh) 2015-07-07 2021-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及其運作方法
JP6791667B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102698685B1 (ko) 2015-09-10 2024-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법
US10896923B2 (en) * 2015-09-18 2021-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of operating an imaging device with global shutter system
US10020336B2 (en) * 2015-12-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
JP2021182657A (ja) * 2018-08-24 2021-11-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
CN115088074A (zh) * 2020-02-20 2022-09-20 新唐科技日本株式会社 固体摄像装置以及摄像装置
KR20220032923A (ko) 2020-09-08 2022-03-15 삼성전자주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH02159737A (ja) * 1988-12-14 1990-06-19 Fuji Photo Film Co Ltd Ccd遅延線
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5892540A (en) * 1996-06-13 1999-04-06 Rockwell International Corporation Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager
JPH10233964A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Nikon Corp 2値化信号形成用固体撮像装置
JP2000022118A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 撮像装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7541617B2 (en) * 2003-02-14 2009-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Radiation image pickup device
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
WO2006051995A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
AU2005302963B2 (en) 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7302039B2 (en) * 2005-02-24 2007-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Radiography apparatus, radiography system, and control method thereof
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4773768B2 (ja) * 2005-08-16 2011-09-14 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4467542B2 (ja) * 2006-06-15 2010-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 固体撮像装置
JP4989120B2 (ja) * 2006-06-16 2012-08-01 キヤノン株式会社 放射線撮像システム及びその駆動方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4238900B2 (ja) * 2006-08-31 2009-03-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置
JP4986771B2 (ja) * 2006-08-31 2012-07-25 キヤノン株式会社 撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5528734B2 (ja) * 2009-07-09 2014-06-25 富士フイルム株式会社 電子素子及びその製造方法、表示装置、並びにセンサー
KR101824123B1 (ko) 2009-11-06 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102183A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012248953A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Olympus Corp 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
JP5935293B2 (ja) * 2011-11-02 2016-06-15 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
KR20230096127A (ko) 2014-09-02 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7464447B2 (ja) 2020-06-05 2024-04-09 Tianma Japan株式会社 イメージセンサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016096545A5 (ja)
JP2017055403A5 (ja) 撮像装置、モジュール、電子機器
JP2014199428A5 (ja)
JP2017010052A5 (ja) 半導体装置
JP2016015485A5 (ja) 撮像装置及び電子機器
JP2017121046A5 (ja)
JP2016212944A5 (ja) 半導体装置、及び電子部品
JP2018124977A5 (ja) 半導体装置
JP2015128163A5 (ja)
JP2017059829A5 (ja) 撮像装置
JP2013153169A5 (ja)
JP2015222807A5 (ja)
JP2011142621A5 (ja) 半導体装置
JP2012009839A5 (ja) 半導体装置
JP2014225006A5 (ja)
JP2017055401A5 (ja) 撮像装置
JP2013137498A5 (ja)
JP2015195378A5 (ja)
JP2013042482A5 (ja) イメージセンサ
JP2013009313A5 (ja)
JP2016001292A5 (ja)
JP2014209714A5 (ja) 半導体装置
JP2011181167A5 (ja) 半導体装置
JP2016021563A5 (ja) 半導体装置
JP2014199404A5 (ja)