JP2017055401A5 - 撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims 9
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- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
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- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (8)
- 第１および第２の光電変換素子と、第１乃至第６のトランジスタと、を有し、
前記第１の光電変換素子の一方の端子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２の光電変換素子の一方の端子は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続されている撮像装置。 - 第１および第２の画素を有する撮像装置であって、
前記第１および前記第２の画素の各々は、第１および第２の光電変換素子と、第１乃至第６のトランジスタと、を有し、
前記第１の光電変換素子の一方の端子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２の光電変換素子の一方の端子は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、
前記第１の画素の前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の画素の前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている撮像装置。 - 請求項１または２において、
前記第１の光電変換素子の他方の端子には、高電位が印加され、
前記第２の光電変換素子の他方の端子には、高電位が印加される撮像装置。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１および前記第２の光電変換素子と、前記第１乃至前記第６のトランジスタと、が積層されて設けられている撮像装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１の容量素子の一方の端子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の一方の端子は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される撮像装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子と、はセレンを含む材料を有する撮像装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１乃至前記第５のトランジスタは、活性層に酸化物半導体を有する撮像装置。 - 請求項７において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する撮像装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015175427 | 2015-09-07 | ||
| JP2015175427 | 2015-09-07 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021022962A Division JP2021083112A (ja) | 2015-09-07 | 2021-02-17 | 撮像装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017055401A JP2017055401A (ja) | 2017-03-16 |
| JP2017055401A5 true JP2017055401A5 (ja) | 2019-10-24 |
| JP6840493B2 JP6840493B2 (ja) | 2021-03-10 |
Family
ID=58191075
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016174201A Active JP6840493B2 (ja) | 2015-09-07 | 2016-09-07 | 撮像装置 |
| JP2021022962A Withdrawn JP2021083112A (ja) | 2015-09-07 | 2021-02-17 | 撮像装置 |
| JP2022079449A Withdrawn JP2022116063A (ja) | 2015-09-07 | 2022-05-13 | 撮像装置、電子機器 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021022962A Withdrawn JP2021083112A (ja) | 2015-09-07 | 2021-02-17 | 撮像装置 |
| JP2022079449A Withdrawn JP2022116063A (ja) | 2015-09-07 | 2022-05-13 | 撮像装置、電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10090344B2 (ja) |
| JP (3) | JP6840493B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI738569B (zh) | 2015-07-07 | 2021-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置及其運作方法 |
| KR102618850B1 (ko) | 2015-09-10 | 2023-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법 |
| US10109667B2 (en) | 2015-10-09 | 2018-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device, module, and electronic device |
| JP2018186398A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
| CN112189261A (zh) | 2018-06-21 | 2021-01-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 摄像装置及其工作方法以及电子设备 |
| CN111244119B (zh) * | 2019-12-13 | 2024-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种探测基板、其制作方法及平板探测器 |
| WO2023131996A1 (ja) * | 2022-01-05 | 2023-07-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光検出システム |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3360928B2 (ja) * | 1994-05-12 | 2003-01-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像素子の作製方法 |
| KR100787938B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 공유 능동 화소 센서 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그구동 방법 |
| JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
| JPWO2009078299A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2011-04-28 | ローム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR101503682B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2015-03-20 | 삼성전자 주식회사 | 공유 픽셀형 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| WO2011055626A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| SG10201500220TA (en) * | 2010-01-15 | 2015-03-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for driving the same |
| CN102754209B (zh) | 2010-02-12 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其驱动方法 |
| CN104979369B (zh) | 2010-03-08 | 2018-04-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN102804380B (zh) | 2010-03-12 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR101770550B1 (ko) | 2010-03-12 | 2017-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 |
| JP5771079B2 (ja) | 2010-07-01 | 2015-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| JP2012256819A (ja) | 2010-09-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP5925475B2 (ja) | 2010-12-09 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出回路 |
| JP5774974B2 (ja) | 2010-12-22 | 2015-09-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
| TWI596769B (zh) * | 2011-01-13 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體儲存裝置 |
| US9116248B2 (en) | 2011-02-17 | 2015-08-25 | Analogic Corporation | Detector array having effective size larger than actual size |
| JP2013156325A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Seiko Epson Corp | 分光センサー及び角度制限フィルター |
| JP5821315B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-11-24 | ソニー株式会社 | 電子機器、電子機器の駆動方法 |
| US8836626B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| KR101962261B1 (ko) | 2011-07-15 | 2019-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
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| US9674470B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device |
| JP2016029795A (ja) | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、撮像装置及び電子機器 |
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| JP2016092413A (ja) | 2014-10-29 | 2016-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
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| US9591245B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-03-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with adjustable body bias |
| TWI738569B (zh) | 2015-07-07 | 2021-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置及其運作方法 |
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-
2016
- 2016-09-01 US US15/254,255 patent/US10090344B2/en active Active
- 2016-09-07 JP JP2016174201A patent/JP6840493B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-17 JP JP2021022962A patent/JP2021083112A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-05-13 JP JP2022079449A patent/JP2022116063A/ja not_active Withdrawn
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