JP2016146626A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、光電変換素子と、を有する撮像装置であって、
   前記光電変換素子の一方の電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記光電変換素子の一方の電極は、前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
   前記光電変換素子の他方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲート電極は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第１の配線に供給される電位がＨＶＤＤであるとき、前記第２の配線に供給される電位の最大値は、ＨＶＤＤよりも小さい、撮像装置。
2. 請求項１において、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第１の配線に供給される電位がＨＶＤＤであり、前記第３の配線に供給される電位がＶＤＤであり、ＨＶＤＤがＶＤＤよりも大きい電位であるとき、前記第２の配線に供給される電位の最大値は、ＶＤＤである、撮像装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは活性層に酸化物半導体を有し、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する、撮像装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第２のトランジスタおよび前記第４のトランジスタは活性層または活性領域にシリコンを有する、撮像装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記光電変換素子は、光電変換層にセレンを有する、撮像装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置と、を有する、電子機器。