JP6704599B2 - 半導体素子、半導体素子の製造方法、フォトダイオードアレイおよび撮像装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 391
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 433
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 217
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 55
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 374
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 49
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 45
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 4
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Description
膜応力の問題
1−1.膜応力の影響でTFTのしきい値が安定しない。
1−2.酸化物半導体層の上層に高い膜応力を有する膜を形成できない。
フォトダイオードとの組み合わせで生じる問題
2−1.フォトダイオード成膜時に発生する水素によるオフ特性が悪化する。
2−2.フォトダイオードを下層に配置すると別の問題が生じる。
<実施例1の構成>
図3は本発明の実施例1の半導体素子の素子構造の断面図である。また、図4はフォトダイオードアレイの回路を模式的に表わした平面図である。図3に示す素子構造について説明する。TFTは酸化物半導体層4の上層にソース電極5とドレイン電極6がチャネル長だけ離間して形成しており、酸化物半導体層4の直下にはゲート絶縁膜3をはさんでゲート電極2が存在する。ゲート電極2の下には基板1が存在し、基板1が最下層に配置されている。TFTには第1保護膜7が直接接触して被覆している。フォトダイオードは下部電極8、水素化アモルファスシリコン層9、上部電極10が連続して積層した構造であるものとする。水素化アモルファスシリコン層9は、さらに下からn+水素化アモルファスシリコン層9(a)、イントリンジック水素化アモルファスシリコン層9(b)、p+水素化アモルファスシリコン層9(c)の順で積層して形成されている。フォトダイオードは第1保護膜7の直上に配置され、第2保護膜11が直接接触して被覆している。TFTとフォトダイオードはソース電極5と下部電極8が、第1保護膜7に形成された第1コンタクトホール16を介して接続している。ゲート電極2は図4のゲート線20と連続して形成されている。ドレイン電極6は信号線13と、第1保護膜7と第2保護膜11に形成された第3コンタクトホール18を介して接続する。また上部電極10はバイアス線12と、第2保護膜11に形成された第2コンタクトホール17を介して接続する。信号線13とバイアス線12は第2保護膜11の上に形成され、第3保護膜14で被覆されている。本発明の特徴である開口部19は、TFT直上に存在する全ての保護膜、少なくとも第1保護膜7に対して形成される。開口部19は酸化物半導体層4のチャネル部分を含んでチャネル部分よりも広い範囲を開口する。すなわち開口部19は酸化物半導体層4のチャネルまたはバックチャネル領域を包含する位置および大きさである。ただし、開口部19は上部電極10または水素化アモルファスシリコン層9が配置された場所に形成してはならない。したがって、酸化物半導体層4のチャネル領域の真上にはフォトダイオードは配置されない。開口部19の深さは酸化物半導体層4およびソース電極5およびドレイン電極6が露出する程度であり、開口部19形成時に酸化物半導体層4またはソース電極5およびドレイン電極6が消失してはならない。開口部19形成と後述する後処理が実施された後、開口部19は第4保護膜15で被覆され、第4保護膜15よりも上層には何も存在しない。
次に本発明のフォトダイオードアレイの製造方法について説明する。図6A〜Dには実施例1の半導体素子の製造工程途中の断面図を示した。
実施例1の効果を、図3を用いて説明する。酸化物半導体層4直上の保護膜が除去される直接的な効果として、膜応力による半導体のしきい値シフトを改善することが可能になる。本発明によれば、酸化物半導体層4上層の第1保護膜7から第3保護膜14をまとめて除去するので、開口の工程で酸化物半導体層4にかかる膜応力が一旦解放される。したがって、第1保護膜7から第3保護膜14に関しては、設計上、膜応力について考慮する必要がなくなり、第4保護膜15のみ膜応力を考慮すればよいので、設計上の制約が緩和される。
<実施例2の構成>
図7は本発明の実施例2の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例1との大きな違いは、図3が酸化物半導体層4の直上に直接ソース電極5とドレイン電極6を形成するチャネル掘り込み型構造であるのに対し、図7は酸化物半導体層4の上層にエッチストップ層23が形成された、チャネル保護型構造である点にある。ソース電極5とドレイン電極6は互いに離間し、それぞれ酸化物半導体層4およびエッチストップ層23と部分的に被覆して形成してある。開口部19の深さはエッチストップ層23およびソース電極5とドレイン電極6が露出する程度であり、開口部19形成時にエッチストップ層23またはソース電極5およびドレイン電極6が消失してはならない。開口部19形成後のエッチストップ層23の膜厚は薄いほど望ましく、1000Å以下である。すなわち、ソース電極5およびドレイン電極6はエッチストップ層23と酸化物半導体層4にそれぞれ接触して重なるように形成されている。
図7に示すように、基板1上に下から順番にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4を形成する。ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4に関しては実施例1と同一である。
開口部19形成の効果としては、実施例1と同じである。実施例2の効果としては、実施例1とは異なり、実施例2ではソース電極5およびドレイン電極6をエッチングする際、エッチャントが酸化物半導体層4に曝されなくなる。したがって、実施例2では、実施例1のようにソース電極5とドレイン電極6をエッチングするときに、酸化物半導体層4がエッチングされないような金属材料またはエッチャントの組み合わせが使用できない場合でも、本発明の素子構造を実施することができる。
<実施例3の構成>
図8は本発明の実施例3の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例1との大きな違いは、ソース電極5およびドレイン電極6が開口部19を形成した後に成膜される点にある。また、下部電極8とソース電極5を接続する第1コンタクトホール16は、第1保護膜7ではなく第2保護膜11および第3保護膜14に形成される。したがって、ソース電極5は下部電極8の上面と接続することになる。さらに、第3コンタクトホール18は第3保護膜14に形成されるため、ドレイン電極6は信号線13の上面と接続することになる。酸化物半導体直上の開口部19はチャネル部分を含み、チャネル部分とソース電極5との接触領域とドレイン電極6との接触領域の総和となる範囲を開口する。ソース電極5とドレイン電極6は、開口部19よりも幅が広くなるように形成する。したがって、TFTのチャネル幅方向に見たときに、開口部19が酸化物半導体層4よりも内側にある場合、チャネル幅は開口部19の幅に依存して決まり、開口部19が酸化物半導体層4よりも外側まで広がっている場合、チャネル幅は酸化物半導体層4の幅に依存して決まる。開口部19の深さは酸化物半導体層4が露出する程度であり、開口部19形成時に酸化物半導体層4が消失してはならない。第4保護膜15は開口部19に加え、ソース電極5およびドレイン電極6の全体を被覆するように形成する。
図8に示すように、基板1上に下から順番にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4を形成する。ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4に関しては実施例1と同一である。
開口部19形成による効果は実施例1と同じである。実施例3の効果としては、第一に、実施例1および実施例2では、酸化物半導体層4のソース電極5とドレイン電極6との接続領域を後処理できないのに対し、実施例3はこの接続領域の処理も可能という点が挙げられる。実施例1や2はソース電極5やドレイン電極6、エッチストップ層23が後処理の際に存在するので、特に分子サイズが大きいガス分子による処理を実施する場合、酸化物半導体の特性回復の後処理が効果的に作用しない可能性がある。
<実施例4の構成>
図9は本発明の実施例4の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例3との違いはエッチストップ層23が追加された点である。ソース電極5とドレイン電極6は互いに離間し、それぞれ酸化物半導体層4およびエッチストップ層23とを部分的に被覆している。
図9に示すように、実施例3と同様にして、基板1上に下から順番にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4、第1保護膜7、下部電極8、水素化アモルファスシリコン層9、上部電極10、第2保護膜11、第2コンタクトホール17、バイアス線12、信号線13、第3保護膜14、開口部19、第1コンタクトホール16、第3コンタクトホール18を形成する。開口部19形成後、半導体特性を改善する後処理を実施してエッチストップ層23を酸化物半導体層4のチャネル領域直上に形成する。エッチストップ層23の大きさはチャネル長を決定するので、設計したいチャネル長に合わせてサイズを決定する。エッチストップ層23の材質は、ケイ素を含む絶縁膜、Al2O3膜、TiO2膜、Y2O3膜、ATO膜、アクリルなどの有機膜、その他水や水素の拡散および酸化物半導体層4への侵入を抑制する絶縁性膜のいずれかを含む単層あるいは積層膜とする。エッチストップ層23をパターニングする際に酸化物半導体がエッチングされにくい材料を上記材料から選択する。もしくは、酸化物半導体がエッチングされにくいエッチャントを使用する。
実施例3と同じである。エッチストップ層23による効果については、実施例2と同じである。
<実施例5の構成>
図10は本発明の実施例5の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例1との大きな違いは、開口部19を形成する際、酸化物半導体層4のバックチャネル領域は露出させず、第1保護膜7を薄膜化する程度に残しておくという点にある。第1保護膜7の薄膜化した領域の膜厚は、後処理に用いるガス分子の分子サイズによって適切な膜厚は異なるが、1000Å以下である。
図10に示すように、実施例1と同様にして、基板1上面に下から順番にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4、ソース電極5、ドレイン電極6、第1保護膜7、第1コンタクトホール16、下部電極8、水素化アモルファスシリコン層9、上部電極10、第2保護膜11、第2コンタクトホール17、第3コンタクトホール18、バイアス線12、信号線13、第3保護膜14を形成する。
開口部19形成の効果は実施例1と同じである。実施例5の効果としては、実施例1のように酸化物半導体層4の全体を露出させないため、実施例1と比べてエッチング時間を短縮でき、酸化物半導体層4表面のエッチングによるダメージおよびこれによってもたらされる悪影響を軽減することができる、という点である。そして本発明の開口部の深さについて、多少の面内バラツキの影響で一部の素子の第1保護膜7を除去してしまったり、他の素子と比べて多少残存膜厚が多くなってしまっても、後処理に用いるガス分子が、酸化物半導体中へ侵入するのに要する時間がわずかに変化するだけであり、大きな問題にはなりにくい。
<実施例6の構成>
図11は本発明の実施例6の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例5との違いはエッチストップ層23が追加された点である。ソース電極5とドレイン電極6は互いに離間し、それぞれ酸化物半導体層4およびエッチストップ層23と部分的に被覆して形成する。
レイ基板および撮像装置の構成は実施例1と同一である。
図11に示すように、実施例1および実施例5と同様にして、基板1上面に下から順番にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4を形成する。
開口部19形成の効果は実施例1と同じである。開口部19形成の際、第1保護膜7の全体を除去せず、第1保護膜7の一部を残す効果は実施例5と同じである。実施例6の効果は、ソース電極5およびドレイン電極6をエッチングするためのエッチャントに酸化物半導体層4が曝されなくなる点にある。
<実施例7の構成>
図12は本発明の実施例7の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例1との大きな違いは、ソース電極5とドレイン電極6が酸化物半導体層4の下面に接続したボトムコンタクト型TFTになっている点である。
図12に示すように、実施例1と同様にして、基板1上面に下からゲート電極2、ゲート絶縁膜3の順番で形成する。
開口による効果は実施例1と同じである。実施例1や実施例3、4との大きな違いは、実施例7はTFT構造がボトムコンタクト型になっていることであり、これにより開口部19開口時のエッチングでソース電極5とドレイン電極6と、酸化物半導体層4との接続領域を荒らすことがなくなるという点にある。そのため実施例3や4と比べて酸化物半導体層4とソース電極5、ドレイン電極6の密着性が高く、接続抵抗は低く安定する。またソース電極5やドレイン電極6が酸化物半導体層4の上層に無いため、酸化物半導体層4が露出する領域は実施例1と比べてより広範であり、結果として後処理の効果がさらに得られやすくなるという点にある。
<実施例8の構成>
図13は本発明の実施例8の半導体素子の素子構造の断面図である。同じチャネル保護型である実施例2との大きな違いは、エッチストップ層23も開口部19形成時に除去し、バックチャネル領域を露出させるという点である。エッチストップ層23は、開口部19形成時にバックチャネル領域部分を除去するため、最終的にソース電極5およびドレイン電極6と平面的に重なる部分のみ存在する。
図13に示すように、実施例1と同様にして、基板1上面に下からゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層4の順番で形成する。
実施例2のようなチャネル保護型で形成されるエッチストップ層23は、ソース電極5とドレイン電極6の形成時に用いるエッチャントから酸化物半導体層4を保護するために設けられている。したがって、ソース電極5とドレイン電極6を形成した後ならば、エッチストップ層23は必要ないので、そのバックチャネル領域を除去しても問題にはならない。
<実施例9の構成>
図14は本発明の実施例9の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例1との大きな違いは、ソース電極5とドレイン電極6と下部電極8がなく、酸化物半導体薄膜1層で、ソース領域32と、ドレイン領域33と、活性領域(チャネル領域またはバックチャネル領域)34を形成している点である。ソース領域32と、ドレイン領域33と、活性領域34は酸化物半導体薄膜が連続して形成されており、空間的に分割されていない。また、ソース領域32と活性領域34の境界、ドレイン領域33と活性領域34の境界は、それぞれ開口部19の側壁の位置によって定義される。開口部19で第2保護膜11および第3保護膜14は完全に除去され、活性領域34が露出される。活性領域34の縦幅および横幅は、ゲート電極2の縦幅および横幅よりそれぞれ小さく、またソース領域32とドレイン領域33は、それぞれゲート電極2と、ゲート絶縁膜3を介して部分的に重なっている。ソース領域32とn+水素化アモルファスシリコン層9(a)は直接接触しており、ドレイン電極33と信号線13は、第3コンタクトホール18を介して直接接触している。さらに、ソース領域32とドレイン領域33は図2におけるBのようにゲート電圧が負のときにオフしない(ここではOn/Off比が103未満とする)特性を示し、また活性領域34は図2におけるAまたはCのように良好なトランジスタ特性(On/Off比≧103)を示すことを特徴としている。すなわち、ソース領域32及びドレイン領域33の比抵抗は活性領域34の比抵抗に比べて低い。
図15A〜Dには実施例9の半導体素子の製造工程途中の断面図を示した。
図14に示すように、実施例1と同様にして、基板1上面に下からゲート電極2、ゲート絶縁膜3をこの順番で形成する。
実施例9の効果は、実施例1とは異なり、ソース電極5、ドレイン電極6、下部電極8を廃し、1層の酸化物半導体薄膜35でこれらの代用をすることで、マスク枚数を減らし生産性を向上させる効果がある。実際、実施例1の場合、ゲート電極2から開口部19を形成するまでに9枚のマスクを要するが、実施例9の場合、6枚のマスクで作製可能である。さらに、酸化物半導体の一例としてIn−Ga−Zn−Oを想定した場合、In−Ga−Zn−Oは水素プラズマによって容易に縮退し、フェルミ準位は伝導帯近傍(4.3eV程度、先行文献6(特許文献3))まで上昇することが知られている。これは、n+水素化アモルファスシリコン層9(a)との接触抵抗が、下部電極8に用いる金属として想定しているAl、Ni、Mo、Ti、Cr、Ta、W、Zn、Cu、In、Au、La、Nb、Ndなど(仕事関数:4.1eV〜5.2eV)と同程度である。したがって、縮退したIn−Ga−Zn−Oを下部電極8に代用した場合でも、実施例1と同等のフォトダイオード特性を示す。
<実施例10の構成>
図16は本発明の実施例10の半導体素子の素子構造の断面図である。実施例9との大きな違いは、開口部19の底部が第2保護膜11中にあり、活性領域34が露出しない点にある。なお、実施例10における活性領域34の位置は、開口部19の底部における側壁の位置から基板1に垂直に外挿したときに、酸化物半導体薄膜35と交わる位置で定義される。
開口部19以外の構成は、実施例9と同一である。また、フォトダイオードアレイ基板と撮像装置の構成は実施例1と同一である。
図16に示すように、実施例9と同様にして、基板1上面に下からゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体層薄膜35、水素化アモルファスシリコン層9、上部電極10、第2保護膜11、第2コンタクトホール17、第3コンタクトホール18、バイアス線12、信号線13、第3保護膜14をこの順番で形成する。
開口による効果は実施例1と同じである。薄膜トランジスタの酸化物半導体層4、ソース電極5、ドレイン電極6、下部電極8を廃し、代わりに酸化物半導体薄膜35を1層挿入する効果は実施例9と同じである。実施例9との大きな違いは、実施例5と同様に、活性領域34を露出させないため、実施例9と比べてエッチング時間を短縮でき、活性領域34表面のエッチングによるダメージおよびこれによってもたらされる悪影響を軽減することができる、という点である。そして本発明の開口部の深さについて、多少の面内バラツキの影響で一部の素子の第2保護膜11を除去してしまったり、他の素子と比べて多少残存膜厚が多くなってしまっても、後処理に用いるガス分子が、酸化物半導体中へ侵入するのに要する時間がわずかに変化するだけであり、大きな問題にはなりにくい。
<実施例11の構成>
実施例11から実施例15は、薄膜トランジスタの酸化物半導体層4、エッチストップ層23、開口部19の正面から見た形状に関するものであり、側面から見た断面構造を示した実施例1〜8とは独立したものである。なお、実施例11から実施例15に示す内容はゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6、酸化物半導体層4、開口部19の位置関係に関するものであり、ソース電極5、ドレイン電極6、酸化物半導体層4が存在しない実施例9、10には関連しない。
プロセスフローは実施例1〜8と同じである。
実施例11は開口部19の横幅が酸化物半導体層4よりも大きいため、特性改善の効果が最も得られる形状である。その理由は、電流の通り道であるソース電極5とドレイン電極6の間の酸化物半導体の全体を処理できる形状だからである。すなわち、図17に示す薄膜トランジスタにおいて、ソース電極5とドレイン電極6の間を流れる電流は、開口して露出した酸化物半導体層4を必ず横切らなければならないのである。特に、水素が多量に導入されて非常に低抵抗になった酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタがあったとして、実施例11のような開口部19の形成と後処理によって、電流が横切る領域が一部でも高抵抗になっているならば、流れるオフ電流は後処理前よりも小さくなる。逆に言えば、開口部19の横幅が酸化物半導体層4よりも小さく、一部でも後処理による特性改善ができない領域があると、ソース電極5とドレイン電極6の間を流れる電流は、後処理によって高抵抗化した領域は通らずに、後処理されていない低抵抗領域を通るため、後処理前後でオフ電流がほとんど変わらないのである。
<実施例12の構成>
実施例12は、実施例3、4を適用した場合にのみ、効果のある形状である。そのため、実施例12の断面構造は実施例3(図8)または実施例4(図9)が好適である。
プロセスフローは実施例3、4と同じである。
まず実施例3、4の断面構造に実施例11の平面構造を適用する際、酸化物半導体の横幅よりも広い範囲で開口するため、開口部19形成時に第1保護膜7から第3保護膜14とゲート絶縁膜3の間にエッチング選択性がなければ、酸化物半導体の外側にあるゲート絶縁膜3は開口部19形成とともにエッチングされ、場合によってはゲート電極2が露出してしまう懸念がある。特に実施例3と4は、ソース電極5とドレイン電極6を開口した後から形成するため、露出したゲート電極2とショートする危険がある。
<実施例13の構成>
実施例13以降は、実施例4を適用した場合にのみ、効果のある形状である。そのため特に断りがない限り、実施例13以降の断面構造は実施例4が好適である。
プロセスフローは実施例4と同じである。
実施例12で説明したように、酸化物半導体層4がない開口領域は、ゲート絶縁膜3をエッチングし、ゲート電極2を露出させる可能性がある。しかし実施例4の場合に限って言えば、ソース電極5およびドレイン電極6を形成する前にゲート絶縁膜3が露出しうる箇所にエッチストップ層23を配置することで、ゲート電極2とソース電極5およびドレイン電極6のショートは回避できる。
<実施例14の構成>
図23は本発明の実施例14の薄膜トランジスタの平面図である。本実施例の大きな特徴は、実施例13とは異なり、段落[0129]で説明した、ゲート電極2の露出部分をエッチストップ層23で隠しつつ、酸化物半導体層4の横幅よりも開口部19の横幅を広くなるように、開口部19の形状を工夫した構造の一例である。なお、開口部19以外の構成については実施例10の図21と同一である。
プロセスフローは実施例4と同じである。
実施例14の効果は実施例13と同じである。
<実施例15の構成>
図24は本発明の実施例15の薄膜トランジスタの平面図である。本実施例の大きな特徴は、実施例13、14とは異なり、段落[0129]で説明した、ゲート電極2露出部分をエッチストップ層23で隠しつつ、酸化物半導体層4の横幅よりも開口部19の横幅を広くなるように、エッチストップ層23の形状を工夫した構造の一例である。なお、開口部19以外の構成については実施例12の図21と同一である。
プロセスフローは実施例4と同じである。
実施例15の効果は実施例13と同じである。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 酸化物半導体層
4(a) (変質した)酸化物半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 第1保護膜
8 下部電極
9 水素化アモルファスシリコン層
9(a) n+水素化アモルファスシリコン層
9(b) イントリンジック水素化アモルファスシリコン層
9(c) p+水素化アモルファスシリコン層
10 上部電極
11 第2保護膜
12 バイアス線
13 信号線
14 第3保護膜
15 第4保護膜
16 第1コンタクトホール
17 第2コンタクトホール
18 第3コンタクトホール
19 開口部
20 ゲート線
21 TFT
22 フォトダイオード
23 エッチストップ層
24 撮像装置
25 フォトダイオードアレイ基板
26 第1端子パッド
27 第1端子コンタクト
28 ゲート層変換部
29 第2端子パッド
30 第2端子コンタクト
31 第4コンタクトホール
32 ソース領域
33 ドレイン領域
34 活性領域(チャネル領域またはバックチャネル領域)
35 酸化物半導体薄膜
35(a) 変質した酸化物半導体薄膜
Claims (18)
- 島状に形成された、インジウムとガリウムと亜鉛とスズのうち少なくとも一つ以上の元素と酸素が含まれる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接続された、金属層からなるソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体層の上層に形成された少なくとも1層以上の絶縁性の第1保護膜と
を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層よりも上層に設けられ、水素化アモルファスシリコン層を有するフォトダイオードと、
前記薄膜トランジスタにおける少なくとも前記酸化物半導体層、および前記フォトダイオードの上層に形成された少なくとも1層以上の絶縁性の第2保護膜と、
前記第1保護膜および前記第2保護膜に設けられ、前記酸化物半導体層のチャネルまたはバックチャネル領域を包含する位置および大きさの開口部と
を有しており、
前記薄膜トランジスタにおける前記ソース電極および前記ドレイン電極の間の領域であって、かつ前記開口部の直上に位置する領域には電極もしくは配線を有しない
ことを特徴とする半導体素子。 - 前記水素化アモルファスシリコン層の膜厚が0.5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記薄膜トランジスタは、
前記酸化物半導体層のチャネルまたはバックチャネル領域直上に直接配置された、前記ソース電極および前記ドレイン電極のエッチングから前記酸化物半導体層を保護する作用を有するエッチストップ層を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記エッチストップ層と前記酸化物半導体層とにそれぞれ接触して重なるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 島状に形成された、インジウムとガリウムと亜鉛とスズのうち少なくとも一つ以上の元素と酸素が含まれる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と同層かつ同じ組成の膜で構成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記酸化物半導体層の上層に形成された少なくとも1層以上の絶縁性の第1保護膜と、
を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層よりも上層に設けられ、水素化アモルファスシリコン層を有するフォトダイオードと、
前記薄膜トランジスタにおける少なくとも前記酸化物半導体層、および前記フォトダイオードの上層に形成された少なくとも1層以上の絶縁性の第2保護膜と、
前記第1保護膜および前記第2保護膜に設けられ、前記酸化物半導体層のチャネルまたはバックチャネル領域を包含する位置および大きさの開口部と
を有しており、
前記薄膜トランジスタにおける前記ソース領域および前記ドレイン領域の間の領域であって、かつ前記開口部の直上に位置する領域には電極もしくは配線を有さず、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記チャネルまたはバックチャネル領域に比べて比抵抗が低く、
前記フォトダイオードは、
前記水素化アモルファスシリコン層の内、n型水素化アモルファスシリコン層が前記酸化物半導体層の前記ソース領域と接触していることを特徴とする半導体素子。 - 前記開口部は、前記第1保護膜のうち最下層の保護膜が膜厚方向の途中まで開口され、前記酸化物半導体層が露出しないことを特徴とする請求項1または4に記載の半導体素子。
- 前記開口部において、前記酸化物半導体層のチャネルまたはバックチャネル領域が露出することを特徴とする請求項1または4に記載の半導体素子。
- 前記開口部は、前記第1保護膜のうち最下層の保護膜が膜厚方向の途中まで開口され、前記エッチストップ層が露出しないことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 前記開口部において、前記エッチストップ層が露出することを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 前記薄膜トランジスタにおける前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記第2保護膜よりも上層に配置され、かつ前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記開口部を介して前記酸化物半導体層と接続することを特徴とする請求項1または3に記載の半導体素子。
- 前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記酸化物半導体層よりも下層に設けられていることを特徴とする請求項1または3に記載の半導体素子。
- 酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタと、
前記酸化物半導体層よりも上層に設けられ、水素化アモルファスシリコン層を有するフォトダイオードと
を有する半導体素子の製造方法であって、
基板上にインジウムとガリウムと亜鉛とスズのうち少なくとも一つ以上の元素と酸素が含まれる前記酸化物半導体層を島状に形成する第1工程と、
前記酸化物半導体層の全体を被覆する第1の保護膜を成膜する第2工程と、
前記酸化物半導体のチャネル領域またはバックチャネル領域を包含する位置および大きさの開口部を前記第1の保護膜に形成する第3工程と、
前記酸化物半導体層の酸素密度あるいは電子密度を変える気体を含む雰囲気下で放置、加熱またはプラズマ処理を行う第4工程と、
第2の保護膜を形成し、前記開口部を塞ぐ第5工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第4工程において、前記気体が、酸素を有し前記酸化物半導体層に対して酸素を供与する、もしくは前記酸化物半導体層中の電子密度を減少させる性質を示す酸化性気体であることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第4工程において、前記気体が、前記酸化物半導体層から酸素を脱離する、もしくは前記酸化物半導体層中の電子密度を増大させる性質を示す還元性気体であることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- 酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタと、
前記酸化物半導体層よりも上層に設けられ、水素化アモルファスシリコン層を有するフォトダイオードと
を有する半導体素子の製造方法であって、
基板上にインジウムとガリウムと亜鉛とスズのうち少なくとも一つ以上の元素と酸素が含まれる前記酸化物半導体層を島状に形成する第1工程と、
前記酸化物半導体層の全体を被覆する第1の保護膜を成膜する第2工程と、
前記酸化物半導体のチャネル領域またはバックチャネル領域を包含する位置および大きさの開口部を前記第1の保護膜に形成する第3工程と、
大気下もしくは減圧下で放置または加熱処理を行う第4工程と、
第2の保護膜を形成し、前記開口部を塞ぐ第5工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第2工程と前記第3工程の間に前記水素化アモルファスシリコン層を有するフォトダイオードを形成する工程を有することを特徴とする請求項11または14に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第3工程において、前記開口部と同時に配線端子部のコンタクトホールを形成することを特徴とする請求項11または14に記載の半導体素子の製造方法。
- 請求項1乃至10のいずれか一に記載の半導体素子を、縦横方向各々に複数個並べてマトリクス状に配置したフォトダイオードアレイ。
- 請求項17に記載のフォトダイオードアレイを搭載した撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/139,487 US9941324B2 (en) | 2015-04-28 | 2016-04-27 | Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus |
CN201610279848.1A CN106098713B (zh) | 2015-04-28 | 2016-04-28 | 半导体器件、制造半导体器件的方法、光电二极管阵列以及成像设备 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015092286 | 2015-04-28 | ||
JP2015092286 | 2015-04-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213432A JP2016213432A (ja) | 2016-12-15 |
JP6704599B2 true JP6704599B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=57552069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015244543A Active JP6704599B2 (ja) | 2015-04-28 | 2015-12-15 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、フォトダイオードアレイおよび撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6704599B2 (ja) |
CN (1) | CN106098713B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106941082B (zh) * | 2017-03-21 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板 |
JP2019110159A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル |
JP7237859B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2023-03-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN108615826B (zh) | 2018-05-04 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102502646B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2023-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
CN108735769A (zh) * | 2018-08-25 | 2018-11-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏组件及电子装置 |
CN110047859A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-07-23 | 北京京东方传感技术有限公司 | 传感器及其制备方法 |
US11322542B2 (en) * | 2020-03-27 | 2022-05-03 | Harvatek Corporation | Light-emitting diode (LED) assembly and method of manufacturing an LED cell of the same |
CN112736104B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-08-11 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | 平板探测器的制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6777685B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-08-17 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
US6809008B1 (en) * | 2003-08-28 | 2004-10-26 | Motorola, Inc. | Integrated photosensor for CMOS imagers |
JP2010087332A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ |
US20110027950A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Jones Robert E | Method for forming a semiconductor device having a photodetector |
JP5403464B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2014-01-29 | Nltテクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
WO2011043164A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
KR101084265B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 엑스레이 검출기 |
WO2011099343A1 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
CN102884632B (zh) * | 2010-06-02 | 2013-12-04 | 夏普株式会社 | 接触结构、基板、显示装置及接触结构和基板的制造方法 |
JP5709709B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
JP5978625B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2016-08-24 | ソニー株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ |
JP6099035B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2017-03-22 | Nltテクノロジー株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法並びにx線画像検出装置 |
CN103013370B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种各向异性导电胶膜及电子装置 |
TWI538177B (zh) * | 2014-04-15 | 2016-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 光感應裝置及其製作方法 |
TWI595669B (zh) * | 2014-05-19 | 2017-08-11 | 群創光電股份有限公司 | 半導體結構、顯示面板及其控制方法 |
US9881954B2 (en) * | 2014-06-11 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
-
2015
- 2015-12-15 JP JP2015244543A patent/JP6704599B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-28 CN CN201610279848.1A patent/CN106098713B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106098713A (zh) | 2016-11-09 |
JP2016213432A (ja) | 2016-12-15 |
CN106098713B (zh) | 2020-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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