JP2019169670A - アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル - Google Patents
アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019169670A JP2019169670A JP2018058277A JP2018058277A JP2019169670A JP 2019169670 A JP2019169670 A JP 2019169670A JP 2018058277 A JP2018058277 A JP 2018058277A JP 2018058277 A JP2018058277 A JP 2018058277A JP 2019169670 A JP2019169670 A JP 2019169670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- photoelectric conversion
- active matrix
- matrix substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 268
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXLSGYSTDQCZQM-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Nb+5].[Mo+4] Chemical compound [O-2].[Nb+5].[Mo+4] NXLSGYSTDQCZQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zn+2].[Cd+2] UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Abstract
【課題】水分の浸透による光電変換素子のリーク電流によって生じる検出精度の低下を抑制する。【解決手段】アクティブマトリクス基板1は、複数の画素のそれぞれに、一対の電極14a,14bと、電極14a,14bの間に設けられた半導体層15とを有する光電変換素子12と、光電変換素子12において一方の電極14b側の表面の一部と光電変換素子12の側面とを覆う無機膜105aと、水分に対して耐食性を有し、光電変換素子12の側面と重なる無機膜105aの部分を覆う保護膜105bと、無機膜105aと保護膜105bとを覆う有機膜106と、を備える。【選択図】図4
Description
本発明は、アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたX線撮像パネルに関する。
従来より、画素ごとに、スイッチング素子と接続された光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板を有する光電変換装置が知られている。下記特許文献1には、このような光電変換装置が開示されている。この光電変換装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタを備え、光電変換素子としてフォトダイオードを備える。フォトダイオードは、半導体層としてp型半導体層、i型半導体層、及びn型半導体層が用いられ、p型半導体層とn型半導体層のそれぞれに電極が接続されて構成されている。フォトダイオードは、エポキシ樹脂からなる樹脂膜によって覆われている。
ところで、撮像パネルを作製後、撮像パネルの表面に傷がつく場合がある。撮像パネル表面の傷から大気中の水分が入り込むと、フォトダイオードの半導体層におけるリーク電流が電極間に流れやすくなる。例えば、図8Aに示す撮像パネルにおいて、撮像パネルの表面についた傷Jから水分が入り込むと、フォトダイオード12の上の樹脂膜22に水分が浸透する。図8Bは、図8Aの破線枠210で示す部分を拡大した図である。図8A、8Bに示すように、フォトダイオード12における半導体層122より電極121aがX半導体層122の外側(X軸方向)に突出している場合、フォトダイオード12の表面を覆っている無機膜21は、電極121aが突出した部分において不連続となりやすい。樹脂膜22に浸透した水分が、無機膜21が不連続となる部分2101に入り込むと、半導体層122のリーク電流が電極121aと121bの間に流れやすく、X線の検出精度が低下する。
本発明は、水分の浸透による光電変換素子のリーク電流によって生じる検出精度の低下を抑制し得る技術を提供する。
上記課題を解決する本発明のアクティブマトリクス基板は、複数の画素を有するアクティブマトリクス基板において、前記複数の画素のそれぞれは、一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子において前記一対の電極の一方の電極側の表面の一部と前記光電変換素子の側面とを覆う無機膜と、水分に対して耐食性を有し、前記無機膜において前記光電変換素子の側面と重なる部分を覆う保護膜と、前記無機膜と前記保護膜とを覆う有機膜と、を備える。
本発明によれば、水分の浸透による光電変換素子のリーク電流によって生じる検出精度の低下を抑制できる。
本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板は、複数の画素を有するアクティブマトリクス基板において、前記複数の画素のそれぞれは、一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子において前記一対の電極の一方の電極側の表面の一部と前記光電変換素子の側面とを覆う無機膜と、水分に対して耐食性を有し、前記無機膜において前記光電変換素子の側面と重なる部分を覆う保護膜と、前記無機膜と前記保護膜とを覆う有機膜と、を備える(第1の構成)。
第1の構成によれば、光電変換素子は、一対の電極と一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する。光電変換素子において一対の電極の一方の電極側の表面の一部と光電変換素子の側面は無機膜に覆われている。また、光電変換素子の側面と重なる無機膜の部分の上には水分に対して耐食性を有する保護膜が設けられ、無機膜と保護膜は有機膜に覆われている。つまり、光電変換素子の側面は無機膜と保護膜とが積層されている。そのため、仮に、光電変換素子の側面を覆う無機膜に不連続部分がある場合において有機膜に水分が浸透したとしても、保護膜によって無機膜の不連続部分に水分が入り込みにくい。その結果、光電変換素子のリーク電流が流れにくく、検出精度が低下しにくい。
第1の構成において、前記一対の電極の他方の電極の端部は前記半導体層の側面より突出していることとしてもよい(第2の構成)。
第2の構成によれば、光電変換素子の側面に対して他方の電極が突出しているため、光電変換素子の側面を覆う無機膜は不連続となりやすい。しかしながら、光電変換素子の側面は無機膜と保護膜とが積層されるため、有機膜から水分が浸透しても保護膜によって無機膜の不連続部分に水分が入り込みにくい。
第1又は第2の構成において、前記光電変換素子における前記一方の電極側の表面は光の入射面であり、前記保護膜は、前記光電変換素子における前記一方の電極と平面視で重ならないこととしてもよい(第3の構成)。
第3の構成によれば、保護膜が光電変換素子の入射面に設けられていないため、透過率を低下させることなく、光電変換素子のリーク電流を抑制できる。
第1から第3のいずれかの構成において、前記無機膜は複数の画素に亘って連続して設けられ、前記保護膜は、前記複数の画素に設けられた前記無機膜上に連続して設けられていることとしてもよい(第4の構成)。
第4の構成によれば、複数の画素間において無機膜は連続して設けられ、保護膜も複数の画素間に設けられた無機膜上に連続して設けられる。そのため、有機膜から水分が浸透しても、保護膜と無機膜の界面から水分が入り込みにくく、光電変換素子のリーク電流の抑制効果を向上させることができる。
第1から第4のいずれかの構成において、前記保護膜は、導電性材料で構成されていることとしてもよい(第5の構成)。
第1から第4のいずれかの構成において、前記保護膜は、絶縁性材料で構成されている、こととしてもよい(第6の構成)。
本発明の一実施形態に係る撮像パネルは、第1から第6のいずれかのアクティブマトリクス基板と、照射されるX線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、を備える(第7の構成)。
第7の構成によれば、アクティブマトリクス基板において、光電変換素子の側面は無機膜と保護膜とが積層されている。そのため、仮に、光電変換素子の側面を覆う無機膜に不連続部分がある場合において有機膜に水分が浸透したとしても、保護膜によって無機膜の不連続部分に水分が入り込みにくい。その結果、光電変換素子のリーク電流が流れにくく、シンチレータで変換されたシンチレーション光の検出精度が低下しにくい。
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[第1実施形態]
(構成)
図1は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板を適用したX線撮像装置を示す模式図である。X線撮像装置100は、アクティブマトリクス基板1と、制御部2とを備える。制御部2は、ゲート制御部2Aと信号読出部2Bとを含む。被写体Sに対しX線源3からX線が照射される。被写体Sを透過したX線は、アクティブマトリクス基板1の上部に配置されたシンチレータ4において蛍光(以下、シンチレーション光)に変換される。X線撮像装置100は、シンチレーション光をアクティブマトリクス基板1及び制御部2において撮像することにより、X線画像を取得する。
(構成)
図1は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板を適用したX線撮像装置を示す模式図である。X線撮像装置100は、アクティブマトリクス基板1と、制御部2とを備える。制御部2は、ゲート制御部2Aと信号読出部2Bとを含む。被写体Sに対しX線源3からX線が照射される。被写体Sを透過したX線は、アクティブマトリクス基板1の上部に配置されたシンチレータ4において蛍光(以下、シンチレーション光)に変換される。X線撮像装置100は、シンチレーション光をアクティブマトリクス基板1及び制御部2において撮像することにより、X線画像を取得する。
図2は、アクティブマトリクス基板1の概略構成を示す模式図である。図2に示すように、アクティブマトリクス基板1には、複数のソース配線10と、複数のソース配線10と交差する複数のゲート配線11とが形成されている。ゲート配線11は、ゲート制御部2Aと接続され、ソース配線10は、信号読出部2Bと接続されている。
アクティブマトリクス基板1は、ソース配線10とゲート配線11とが交差する位置に、ソース配線10及びゲート配線11に接続されたTFT13を有する。また、ソース配線10とゲート配線11とで囲まれた領域(以下、画素)には、フォトダイオード12が設けられている。画素において、フォトダイオード12により、被写体Sを透過したX線を変換したシンチレーション光がその光量に応じた電荷に変換される。
アクティブマトリクス基板1における各ゲート配線11は、ゲート制御部2Aにおいて順次選択状態に切り替えられ、選択状態のゲート配線11に接続されたTFT13がオン状態となる。TFT13がオン状態になると、フォトダイオード12において変換された電荷に応じた信号がソース配線10を介して信号読出部2Bに出力される。
図3は、図2に示すアクティブマトリクス基板1の画素が設けられた画素部の一部を拡大した平面図である。
図3に示すように、ゲート配線11及びソース配線10に囲まれた画素にフォトダイオード12とTFT13とを有する。
フォトダイオード12は、下部電極14a、光電変換層15、及び上部電極14bを含む。TFT13は、ゲート配線11と一体化されたゲート電極13aと、半導体活性層13bと、ソース配線10と一体化されたソース電極13cと、ドレイン電極13dとを有する。ドレイン電極13dと下部電極14aは、コンタクトホールCH1を介して接続されている。
また、ゲート配線11及びソース配線10と平面視で重なるようにバイアス配線16が配置されている。バイアス配線16は、透明導電膜17と接続されている。透明導電膜17は、コンタクトホールCH2を介してフォトダイオード12にバイアス電圧を供給する。
ここで、図4に、図3の画素部P1におけるA−A線の断面図を示す。図4において、アクティブマトリクス基板1のZ軸正方向側からシンチレータ4で変換されたシンチレーション光が入射する。
図4に示すように、基板101上に、ゲート配線11(図3参照)と一体化されたゲート電極13aと、ゲート絶縁膜102とが形成されている。基板101は、絶縁性を有する基板であり、例えば、ガラス基板等で構成される。
ゲート電極13a及びゲート配線11は、例えば、下層にチタン(Ti)からなる金属膜、上層に銅(Cu)からなる金属膜が積層されて構成される。なお、ゲート電極13a及びゲート配線11は、下層にアルミニウム(Al)からなる金属膜、上層にモリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜が積層された構造であってもよい。この例において、下層と上層の各金属膜の膜厚は、それぞれ、300nmと100nm程度である。なお、ゲート電極13a及びゲート配線11の材料及び膜厚はこれに限定されない。
ゲート絶縁膜102は、ゲート電極13aを覆う。ゲート絶縁膜102は、例えば、酸化ケイ素(SiOx)、窒化ケイ素(SiNx)、酸化窒化ケイ素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化ケイ素(SiNxOy)(x>y)等を用いてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜102は、上層に酸化ケイ素(SiOx)からなる絶縁膜と、下層に窒化ケイ素(SiNx)からなる絶縁膜とが積層されて構成されている。この例において、酸化ケイ素(SiOx)からなる絶縁膜の膜厚は約50nm、窒化ケイ素(SiNx)からなる絶縁膜の膜厚は約400nmである。ただし、ゲート絶縁膜102の材料及び膜厚はこれに限定されない。
ゲート絶縁膜102を介してゲート電極13aの上に、半導体活性層13bと、半導体活性層13bに接続されたソース電極13c及びドレイン電極13dとが設けられている。
半導体活性層13bは、ゲート絶縁膜102に接して形成されている。半導体活性層13bは、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、InGaO3(ZnO)5、酸化マグネシウム亜鉛(MgxZn1−xO)、酸化カドミウム亜鉛(CdxZn1−xO)、酸化カドミウム(CdO)、又は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体等を用いてもよい。この例において、半導体活性層13bは、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体からなる。この例において、半導体活性層13bの膜厚は70nm程度である。なお、半導体活性層13bの材料及び膜厚はこれに限定されない。
ソース電極13c及びドレイン電極13dは、ゲート絶縁膜102の上において半導体活性層13bの一部と接するように配置されている。この例において、ソース電極13cは、ソース配線10(図3参照)と一体的に形成されている。ドレイン電極13dは、コンタクトホールCH1を介して下部電極14aと接続されている。
ソース電極13c及びドレイン電極13dは、同一層上に形成される。ソース電極13c及びドレイン電極13dは、例えば、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜と、アルミニウム(Al)からなる金属膜と、チタン(Ti)からなる金属膜とが積層された3層構造を有する。この例において、これら3層の膜厚は、上層から順に、100nm、500nm、50nm程度である。ただし、ソース電極13c及びドレイン電極13dの材料及び膜厚はこれに限定されない。
ゲート絶縁膜102の上に、ソース電極13c及びドレイン電極13dと重なるように第1絶縁膜103が設けられている。第1絶縁膜103は、ドレイン電極13dの上に開口を有する。この例において、第1絶縁膜103は、例えば、窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜で構成される。
第1絶縁膜103の上に、第2絶縁膜104が設けられている。第2絶縁膜104は、ドレイン電極13dの上に開口を有し、第1絶縁膜103の開口と第2絶縁膜104の開口によってコンタクトホールCH1が形成されている。
第2絶縁膜104は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂などの有機系透明樹脂からなり、その膜厚は、約2.5μmである。なお、第2絶縁膜104の材料及び膜厚はこれに限定されない。
第2絶縁膜104の上に、下部電極14aが設けられている。下部電極14aは、コンタクトホールCH1を介してドレイン電極13dと接続されている。下部電極14aは、例えば、モリブデンナイトライド(MoN)を含む金属膜で構成され、膜厚は約200nmである。なお、下部電極14bの材料及び膜厚はこれに限定されない。
下部電極14aの上に、光電変換層15が設けられている。光電変換層15は、n型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、p型非晶質半導体層153が順に積層されて構成されている。
本実施形態では、光電変換層15のX軸方向の長さは、下部電極14aのX軸方向の長さよりも短くなっている。つまり、光電変換層15の側面に対して下部電極14aが光電変換層15の外側に突出し、図4の破線枠で示すように、フォトダイオード12の側面は凸部12gを有する。
n型非晶質半導体層151は、n型不純物(例えば、リン)がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。
真性非晶質半導体層152は、真性のアモルファスシリコンからなる。真性非晶質半導体層152は、n型非晶質半導体層151に接して形成されている。
p型非晶質半導体層153は、p型不純物(例えば、ボロン)がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。p型非晶質半導体層153は、真性非晶質半導体層152に接して形成されている。
この例において、n型非晶質半導体層151の膜厚は約30nm、真性非晶質半導体層の膜厚は約1000nm、p型非晶質半導体層153の膜厚は約5nmである。なお、これら半導体層に用いられる材料及び膜厚はこれに限定されない。
光電変換層15の上に、上部電極14bが設けられている。上部電極14bは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)で構成され、上部電極14bの膜厚は約70nmである。なお、上部電極14bの材料及び膜厚はこれに限定されない。
フォトダイオード12の表面に第3絶縁膜105aが設けられている。具体的には、第3絶縁膜105aは、上部電極14b上に開口を有し、フォトダイオード12の側面と第2絶縁膜104とを覆う。この例において、第3絶縁膜105aは、例えば窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜で構成され、膜厚は約300nm程度である。なお、第3絶縁膜105aの材料及び膜厚はこれに限定されない。
第3絶縁膜105aの一部と重なるように保護膜105bが設けられている。より具体的には、保護膜105bは、フォトダイオード12における上部電極14bと平面視で重ならず、フォトダイオード12の側面に接する第3絶縁膜105aを覆うように、第3絶縁膜105aの一部の上に設けられている。フォトダイオード12の外側において、保護膜105bは隣接画素まで連続して設けられておらず、隣接する画素の保護膜105bと分断されている。フォトダイオード12の側面の凸部12gには、第3絶縁膜105aと保護膜105bとが積層される。フォトダイオード12の上部電極14b側の面はシンチレーション光の入射面である。上記のとおり、保護膜105bは上部電極14bと平面視で重ならないため、画素における透過率が低下しにくい。
保護膜105bは、水分に対して耐食性を有する材料であれば、導電性又は絶縁性を有する材料が用いられてもよい。具体的には、保護膜105bは、例えば、酸化チタン(TiO)、窒化チタン(TiN)、チタン(Ti)、酸化モリブデンニオブ(MoNbO)、窒化モリブデンニオブ(MoNbN)、モリブデンニオブ(MoNb)、タングステン(W)、タンタル(Ta)等の水分に対して耐食性を有する金属、金属窒化膜、又は金属酸化物を材料に用いることができる。また、保護膜105bの材料として、IZO(In−Zn−O)又はIGZO(In−Ga−Zn−O)等の水分に対して耐食性を有する透明導電膜、透明アモルファス半導体膜を用いてもよい。また、上記した材料を含む合金を用いてもよい。なお、上記耐食性とは、水分によって金属が腐食(酸化)して金属が溶解し、金属への水分の浸透が生じにくいことである。
第3絶縁膜105aの開口において離間し、第3絶縁膜105a及び保護膜105bを覆うように第4絶縁膜106が設けられ、第4絶縁膜106と第3絶縁膜105aとを貫通するコンタクトホールCH2が形成されている。第4絶縁膜106は、例えばアクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂で構成され、膜厚は例えば2.5μm程度である。なお、第4絶縁膜106の材料及び膜厚はこれに限定されない。
第4絶縁膜106上にはバイアス配線16と、バイアス配線16と接続された透明導電膜17とが設けられている。透明導電膜17は、コンタクトホールCH2において上部電極14bと接する。
バイアス配線16は、制御部2(図1参照)に接続されている。バイアス配線16は、コンタクトホールCH2を介して、制御部2から入力されるバイアス電圧を上部電極14bに印加する。
バイアス配線16は、3層構造を有する。具体的には、バイアス配線16は、上層から順に、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜と、アルミニウム(Al)からなる金属膜と、チタン(Ti)からなる金属膜とを積層した構造を有する。この例において、これら3層の金属膜の膜厚は上層から順に、100nm、300nm、50nm程度である。ただし、バイアス配線16の材料及び膜厚はこれに限定されない。
透明導電膜17は、例えばITOからなり、膜厚は70nm程度である。なお、透明導電膜17の材料及び膜厚はこれに限定されない。
また、第4絶縁膜106上には、透明導電膜17を覆うように第5絶縁膜107が設けられている。第5絶縁膜107は、例えば窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜で構成され、膜厚は、例えば200nm程度である。なお、第5絶縁膜107の材料及び膜厚はこれに限定されない。
第5絶縁膜107を覆うように第6絶縁膜108が設けられている。第6絶縁膜108は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂で構成され、膜厚は、例えば2.0μm程度である。なお、第5絶縁膜107の材料及び膜厚はこれに限定されない。
(アクティブマトリクス基板1の製造方法)
次に、図5A〜図5Tを参照しながらアクティブマトリクス基板1の製造方法について説明する。図5A〜図5Tは、アクティブマトリクス基板1の各製造工程における断面図(図3のA−A断面)を示している。
次に、図5A〜図5Tを参照しながらアクティブマトリクス基板1の製造方法について説明する。図5A〜図5Tは、アクティブマトリクス基板1の各製造工程における断面図(図3のA−A断面)を示している。
図5Aに示すように、基板101の上に、既知の方法を用いて、ゲート絶縁膜102とTFT13とを形成する。
続いて、例えば、プラズマCVD法を用い、窒化ケイ素(SiN)からなる第1絶縁膜103を形成する(図5B参照)。
その後、基板101の全面に350℃程度の熱処理を加え、フォトリソグラフィ法、及びフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、第1絶縁膜103をパターニングする(図5C参照)。これにより、ドレイン電極13dの上に第1絶縁膜103の開口103aが形成される。
次に、例えば、スリットコーティング法により、第1絶縁膜103の上に、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第2絶縁膜104を形成する(図5D参照)。その後、フォトリソグラフィ法を用い、第2絶縁膜104をパターニングする(図5E参照)。これにより、平面視で開口103aと重なる第2絶縁膜104の開口104aが形成され、開口103a及び104aからなるコンタクトホールCH1が形成される。
続いて、例えば、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜をパターニングする。これにより、第2絶縁膜104上に、コンタクトホールCH1を介してドレイン電極13dと接続された下部電極14aが形成される(図5F参照)。
次に、例えば、プラズマCVD法を用いて、n型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、p型非晶質半導体層153の順に成膜する。その後、例えば、スパッタリング法を用いてITOからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜をパターニングする。これにより、p型非晶質半導体層153上に上部電極14bが形成される(図5G参照)。
次に、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、n型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、及びp型非晶質半導体層153をパターニングする(図5H参照)。これにより、平面視で下部電極14aの領域の内側に光電変換層15が形成され、光電変換層15の側面に対して下部電極14aが突出した凸部12gが形成される。
続いて、例えば、プラズマCVD法により、窒化ケイ素(SiN)からなる第3絶縁膜105aを成膜する(図5I参照)。その後、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、第3絶縁膜105aをパターニングする(図5J参照)。これにより、上部電極14b上に第3絶縁膜105aの開口H1が形成される。
続いて、例えばスパッタリング法により、酸化チタン(TiO)からなる薄膜115を第3絶縁膜105a上に成膜する(図5K参照)。その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、薄膜115をパターニングする(図5L参照)。これにより、保護膜105bが形成される。保護膜105bは、平面視で上部電極14bと重ならないように、フォトダイオード12上の第3絶縁膜105aの上に開口H2を有し、フォトダイオード12の側面と接する第3絶縁膜105aを覆う。つまり、保護膜105bは、フォトダイオード12の側面を覆う第3絶縁膜105aと、フォトダイオード12の外側に設けられた第3絶縁膜105aの一部と重なるように配置される。
次に、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第4絶縁膜106を形成する(図5M参照)。その後、フォトリソグラフィ法を用い、第4絶縁膜106をパターニングする(図5N参照)。これにより、第3絶縁膜105aの開口H1の上に、第4絶縁膜106の開口H3が形成され、開口H1及びH3からなるコンタクトホールCH2が形成される。
続いて、第4絶縁膜106を覆うように、例えば、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド(MoN)と、アルミニウム(Al)と、チタン(Ti)とを順に積層した金属膜160を成膜する(図5O参照)。その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜160をパターニングする(図5P参照)。これにより、第4絶縁膜106上にバイアス配線16が形成される。
次に、例えば、スパッタリング法により、ITOからなる透明導電膜170を成膜する(図5Q参照)。そして、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜170をパターニングする(図5R参照)。これにより、バイアス配線16と接続され、コンタクトホールCH2を介して光電変換層15と接続された透明導電膜17が形成される。
続いて、透明導電膜17を覆うように、例えば、プラズマCVD法により、窒化ケイ素(SiN)からなる第5絶縁膜107を第4絶縁膜106上に成膜する(図5S参照)。
その後、第5絶縁膜107を覆うように、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第6絶縁膜108を形成する(図5T参照)。これにより、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板1が作製される。
本実施形態のアクティブマトリクス基板1において、フォトダイオード12の側面は、光電変換層15の側面に対して下部電極14aが光電変換層15の外側に突出した凸部12gを有する。フォトダイオード12の側面は第3絶縁膜105aと保護膜105bとが積層される。第3絶縁膜105aと保護膜105bは有機系樹脂膜の第4絶縁膜106に覆われている。仮に、フォトダイオード12の側面の凸部12gを覆う第3絶縁膜105aが不連続である場合において、アクティブマトリクス基板1を作製後、アクティブマトリクス基板1の表面に生じた傷から第4絶縁膜106に水分が浸透しても、保護膜105bによって第3絶縁膜105aの不連続部分から水分が浸透しにくい。その結果、第3絶縁膜105aがフォトダイオード12のリーク電流のリークパスとならず、リーク電流によるX線の検出精度の低下を抑制することができる。
なお、上述の図5Jの工程では、フォトリソグラフィ法を用いて第3絶縁膜105aをパターニングし、第3絶縁膜105aの開口H1を形成したが、以下のようにしてもよい。例えば、保護膜105bを形成後、第4絶縁膜106を成膜し、第4a絶縁膜106aをマスクとして第3絶縁膜105aをパターニングして第3絶縁膜105aの開口H1を形成してもよい。
(X線撮像装置100の動作)
ここで、図1に示すX線撮像装置100の動作について説明しておく。まず、X線源3からX線が照射される。このとき、制御部2は、バイアス配線16(図3等参照)に所定の電圧(バイアス電圧)を印加する。X線源3から照射されたX線は、被写体Sを透過し、シンチレータ4に入射する。シンチレータ4に入射したX線は蛍光(シンチレーション光)に変換され、アクティブマトリクス基板1にシンチレーション光が入射する。アクティブマトリクス基板1における各画素に設けられたフォトダイオード12にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード12により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード12で変換された電荷に応じた信号は、TFT13(図3等参照)がゲート制御部2Aからゲート配線11を介して出力されるゲート電圧(プラスの電圧)に応じてON状態となっているときに、ソース配線10を通じて信号読出部2B(図2等参照)に読み出される。そして、読み出された信号に応じたX線画像が、制御部2において生成される。
ここで、図1に示すX線撮像装置100の動作について説明しておく。まず、X線源3からX線が照射される。このとき、制御部2は、バイアス配線16(図3等参照)に所定の電圧(バイアス電圧)を印加する。X線源3から照射されたX線は、被写体Sを透過し、シンチレータ4に入射する。シンチレータ4に入射したX線は蛍光(シンチレーション光)に変換され、アクティブマトリクス基板1にシンチレーション光が入射する。アクティブマトリクス基板1における各画素に設けられたフォトダイオード12にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード12により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード12で変換された電荷に応じた信号は、TFT13(図3等参照)がゲート制御部2Aからゲート配線11を介して出力されるゲート電圧(プラスの電圧)に応じてON状態となっているときに、ソース配線10を通じて信号読出部2B(図2等参照)に読み出される。そして、読み出された信号に応じたX線画像が、制御部2において生成される。
[第2実施形態]
上述した第1実施形態では、フォトダイオード12の側面と重なる第3絶縁膜105aと、フォトダイオード12の外側に設けられた第3絶縁膜105aの一部とが保護膜105bで覆われる構成であったが、保護膜の構成はこれに限定されない。
上述した第1実施形態では、フォトダイオード12の側面と重なる第3絶縁膜105aと、フォトダイオード12の外側に設けられた第3絶縁膜105aの一部とが保護膜105bで覆われる構成であったが、保護膜の構成はこれに限定されない。
図6は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の画素部の概略断面図である。図6において、第1実施形態と同じ構成には第1実施形態と同じ符号が付されている。以下、主として第1実施形態と異なる構成について説明する。
図6に示すように、アクティブマトリクス基板1Aは、第3絶縁膜105a上に保護膜105cを備える。保護膜105cは、第1実施形態の保護膜105bと同じ材料からなる。
保護膜105cは、平面視で上部電極14bと重ならない第3絶縁膜105aの上を覆う。つまり、保護膜105cは、平面視で上部電極14bと重ならず、フォトダイオード12の側面とフォトダイオード12の外側の領域に設けられた第3絶縁膜105aと接している。なお、図6では一の画素部のみを図示しており、隣接画素の図示は省略されているが、第3絶縁膜105aは、隣接画素まで連続して設けられており、保護膜105cも隣接画素の第3絶縁膜105a上に連続して設けられている。
本実施形態においても、フォトダイオード12の凸部12gを含む側面は、第3絶縁膜105aと保護膜105cとが積層される。そのため、仮に、フォトダイオード12の側面の凸部12gを覆う第3絶縁膜105aに不連続部分があった場合において、アクティブマトリクス基板1Aの作製後に、アクティブマトリクス基板1Aの表面に生じた傷から水分が浸透しても、第3絶縁膜105aの不連続部分に水分が浸透しにくい。また、フォトダイオード12の外側に設けられた保護膜105cは隣接画素まで連続して設けられているため、第1実施形態の構成と比べ、保護膜105cと第3絶縁膜105aとの界面から水分が入り込みにくい。そのため、第1実施形態の構成より、フォトダイオード12のリーク電流が流れにくく、X線検出の信頼性が高い。
本実施形態のアクティブマトリクス基板1Aは以下のようにして作製してもよい。まず、上述した第1実施形態と同様に図5A〜5Kの各工程を行う。その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、薄膜115をパターニングする(図7参照)。つまり、図5Kにおける上部電極14bと平面視で重なる保護膜105cをエッチングする。これにより、平面視で上部電極14bと重ならない第3絶縁膜105a上の領域に保護膜105cが形成される。
保護膜105cを形成後は、上述した第1実施形態と同様に図5M〜5Tの各工程を行うことによりアクティブマトリクス基板1A(図6参照)が作製される。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
(1)上述した第1及び第2実施形態では、画素に入射するシンチレーション光の透過率を低下させないため、保護膜105b、105cは、平面視でフォトダイオード12における上部電極14bと重なる領域に設けられていない。しかしながら、保護膜105b、105cとして、画素の透過率の低下を損なわないIZO等の透明材料が用いられる場合、平面視で上部電極14bと重なる領域の一部にも保護膜105b、105cが設けられていてもよい。つまり、保護膜105b、105cは、少なくとも、フォトダイオード12の側面に接する第3絶縁膜105aと重なるように設けられていればよく、フォトダイオード12の側面部以外の領域における保護膜105b、105cの配置は限定されない。
1,1A…アクティブマトリクス基板、2…制御部、2A…ゲート制御部、2B…信号読出部、3…X線源、4…シンチレータ、10…ソース配線、11…ゲート配線、12…フォトダイオード、12g…凸部、13…薄膜トランジスタ(TFT)、13a…ゲート電極、13b…半導体活性層、13c…ソース電極、13d…ドレイン電極、14a…下部電極、14b…上部電極、15…光電変換層、16…バイアス配線、100…X線撮像装置、101…基板、102…ゲート絶縁膜、103…第1絶縁膜、104…第2絶縁膜、105a…第3絶縁膜、105b,105c…保護膜、106…第4絶縁膜、107…第5絶縁膜、108…第6絶縁膜、151…n型非晶質半導体層、152…真性非晶質半導体層、153…p型非晶質半導体層
Claims (7)
- 複数の画素を有するアクティブマトリクス基板において、
前記複数の画素のそれぞれは、
一対の電極と、当該一対の電極の間に設けられた半導体層とを有する光電変換素子と、
前記光電変換素子において前記一対の電極の一方の電極側の表面の一部と前記光電変換素子の側面とを覆う無機膜と、
水分に対して耐食性を有し、前記無機膜において前記光電変換素子の側面と重なる部分を覆う保護膜と、
前記無機膜と前記保護膜とを覆う有機膜と、
を備えるアクティブマトリクス基板。 - 前記一対の電極の他方の電極の端部は前記半導体層の側面より突出している、請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記光電変換素子における前記一方の電極側の表面は光の入射面であり、
前記保護膜は、前記光電変換素子における前記一方の電極と平面視で重ならない、請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記無機膜は複数の画素に亘って連続して設けられ、
前記保護膜は、前記複数の画素に設けられた前記無機膜上に連続して設けられている、請求項1から3のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記保護膜は、導電性材料で構成されている、請求項1から4のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記保護膜は、絶縁性材料で構成されている、請求項1から4のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板と、
照射されるX線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
を備えるX線撮像パネル。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018058277A JP2019169670A (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル |
US16/362,802 US10811449B2 (en) | 2018-03-26 | 2019-03-25 | Active matrix substrate and x-ray imaging panel including same |
CN201910228691.3A CN110364542B (zh) | 2018-03-26 | 2019-03-25 | 有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的x射线摄像面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018058277A JP2019169670A (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019169670A true JP2019169670A (ja) | 2019-10-03 |
Family
ID=67985460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018058277A Pending JP2019169670A (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10811449B2 (ja) |
JP (1) | JP2019169670A (ja) |
CN (1) | CN110364542B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022176503A1 (ja) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
US11600652B2 (en) | 2020-06-11 | 2023-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion panel and method for manufacturing photoelectric conversion panel |
US11916094B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-02-27 | Sharp Display Technology Corporation | Photoelectric conversion panel and method for manufacturing photoelectric conversion panel |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11114496B2 (en) * | 2019-01-30 | 2021-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, X-ray imaging panel with the same, and method for producing the same |
CN112713155A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-27 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
JP2022167161A (ja) * | 2021-04-22 | 2022-11-04 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | X線撮像パネル及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037609A (en) * | 1997-01-17 | 2000-03-14 | General Electric Company | Corrosion resistant imager |
JP2007165865A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
JP6157341B2 (ja) | 2013-12-19 | 2017-07-05 | 野洲メディカルイメージングテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクスアレイ基板、信号処理装置、受光装置及び表示装置 |
WO2016002563A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | シャープ株式会社 | 撮像パネル及びx線撮像装置 |
KR20160144314A (ko) * | 2015-06-08 | 2016-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 그 동작 방법, 및 전자 기기 |
US20190187309A1 (en) * | 2016-08-03 | 2019-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Imaging panel and method for producing same |
-
2018
- 2018-03-26 JP JP2018058277A patent/JP2019169670A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-25 CN CN201910228691.3A patent/CN110364542B/zh active Active
- 2019-03-25 US US16/362,802 patent/US10811449B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11600652B2 (en) | 2020-06-11 | 2023-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion panel and method for manufacturing photoelectric conversion panel |
WO2022176503A1 (ja) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
US11916094B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-02-27 | Sharp Display Technology Corporation | Photoelectric conversion panel and method for manufacturing photoelectric conversion panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190296065A1 (en) | 2019-09-26 |
US10811449B2 (en) | 2020-10-20 |
CN110364542A (zh) | 2019-10-22 |
CN110364542B (zh) | 2023-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019169670A (ja) | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル | |
JP6796150B2 (ja) | 撮像パネル及びその製造方法 | |
CN109804468B (zh) | 摄像面板及其制造方法 | |
US11133345B2 (en) | Active matrix substrate, X-ray imaging panel with the same, and method of manufacturing the same | |
WO2016195001A1 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
JP2019134009A (ja) | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えたx線撮像パネル | |
CN110164884B (zh) | 有源矩阵基板、具备其的x射线摄像面板及其制造方法 | |
CN110783353B (zh) | 摄像面板 | |
WO2018025820A1 (ja) | 撮像パネル及びその製造方法 | |
WO2018181438A1 (ja) | 撮像パネル及びその製造方法 | |
CN110100311B (zh) | 摄像面板及其制造方法 | |
US20190170884A1 (en) | Imaging panel and method for producing same | |
US11081517B2 (en) | Active matrix substrate, x-ray imaging panel with the same, and method of manufacturing the same | |
US20210391360A1 (en) | Photoelectric conversion device and x-ray imaging device | |
US20190189673A1 (en) | Active matrix substrate, and x-ray imaging panel including same | |
US11257855B2 (en) | Imaging panel and production method thereof | |
JP2019174365A (ja) | 撮像パネル | |
JP2019174366A (ja) | 撮像パネル | |
US20200161367A1 (en) | Imaging panel and method for producing same | |
US20190259798A1 (en) | Active matrix substrate, x-ray imaging panel including same, and producing method thereof | |
US20200091220A1 (en) | Active matrix substrate, x-ray imaging panel with the same, and method of manufacturing the same | |
JP2019145594A (ja) | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた撮像パネルと製造方法 | |
CN110797357A (zh) | 摄像面板及其制造方法 | |
JP2019174468A (ja) | 撮像パネル |