JP2014212309A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 基板上に抵抗素子と、トランジスタとを有し、
   前記抵抗素子は、
   第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上に接する窒化物絶縁層と、
   前記窒化物絶縁層上に位置し、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、を含み、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極層と前記第２の酸化物半導体層との間の絶縁層と、
   前記第２の酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層と、
   前記酸化物絶縁層上の前記窒化物絶縁層と、
   前記窒化物絶縁層上に位置し、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された第３の電極及び第４の電極と、を含み、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層は、同一の組成を有し、且つ、前記第１の酸化物半導体層のキャリア密度は、前記第２の酸化物半導体層のキャリア密度よりも高い半導体装置。
2. 基板上に抵抗素子と、トランジスタとを有し、
   前記抵抗素子は、
   第１の窒化物絶縁層と、
   前記第１の窒化物絶縁層上の第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の酸化物絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上に接する第２の窒化物絶縁層と、
   前記第２の窒化物絶縁層上に位置し、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続された第１の電極及び第２の電極と、を含み、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の前記第１の窒化物絶縁層と、
   前記第１の窒化物絶縁層上の前記第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の窒化物絶縁層及び前記第１の酸化物絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上に接する第２の酸化物絶縁層と、
   前記第２の酸化物絶縁層上の前記第２の窒化物絶縁層と、
   前記第２の窒化物絶縁層上に位置し、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された第３の電極及び第４の電極と、を含み、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層は、同一の組成を有し、且つ、前記第１の酸化物半導体層のキャリア密度は、前記第２の酸化物半導体層のキャリア密度よりも高い半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記抵抗素子においてキャリアが流れる経路の長さは、前記トランジスタにおいてキャリアが流れる経路の長さよりも長い半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記トランジスタを含む画素を複数有する画素部と、
   前記抵抗素子を含む駆動回路部と、を有する半導体装置。