JP2010206187A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. ゲート電極層と、
   ゲート絶縁層と、
   Ｉｎと、Ｓｎと、ＳｉＯｘと、を含む第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、
   画素電極領域と、を有し、
   前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と、前記画素電極領域とは、同一層の第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面を有する基板上に、
   ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、
   画素電極領域と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、ＳｉＯｘと、を含み、
   前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と、前記画素電極領域とは、同一層の第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体層の導電率は、１．６×１０^−３Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物半導体層は、非晶質であることを特徴とする半導体装置。