JP2011151384A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記第第２の酸化物半導体層は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記第第２の酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域とを有し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域とを有し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶領域を有し、
   前記第１の領域のＺｎの割合は、Ｉｎの割合及びＧａの割合より高いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
   前記結晶領域は、前記第２の酸化物半導体層の表面に対して、垂直な方向に±１０°以内の方向にＣ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記容量の一方の電極と、前記第２のトランジスタのソース又ドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とは、第１の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成され、
   前記容量の他方の電極と、前記第２のトランジスタのゲートとは、第２の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層は、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の水素を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の水素を有することを特徴とする半導体装置。
8. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   容量とを有し、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層の第１の領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、前記酸化物半導体層の第２の領域を有し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
   前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
   前記酸化物半導体層は、前記容量と重なる、第３の領域を有することを特徴とする半導体装置。