JP6746522B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
以下に図1乃至図12を用いて、実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。以下では、半導体記憶装置がDRAMである場合について説明する。また、以下の説明において、「接続」は直接接続される場合だけではなく、任意の素子を介して接続される場合も含む。また、トランジスタの第1端子はソースまたはドレインの一方を示し、トランジスタの第2端子はソースまたはドレインの他方を示す。また、トランジスタの制御端子は、ゲートを示す。
まず、実施形態に係る半導体記憶装置の構成例について説明する。
次に、実施形態に係る半導体記憶装置の動作シーケンス例について説明する。
上記実施形態によれば、コントローラ121は、キャッシュメモリ121Aを含む。キャッシュメモリ121Aは、ホスト200からの書き込みデータおよびリテンション情報に基づいて、書き込みデータのアドレス情報、ワード線設定電圧情報、およびリフレッシュサイクル情報を記憶する。これらの情報に基づいて、各記憶領域のリフレッシュ時のワード線の電圧およびリフレッシュサイクルを設定することができる。これにより、各記憶領域において、データリテンションをそれぞれ任意に設定することができる。
Claims (15)
- 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
スリープモード時において、前記第1ワード線に第1電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1電圧と異なる第2電圧を供給する第1回路と、
を具備し、
前記第1回路は、書き込み時において、前記第1メモリセルが書き込み対象の場合に前記第1ワード線に第3電圧を供給し、かつ前記第2メモリセルが書き込み対象の場合に前記第2ワード線に前記第3電圧と異なる第4電圧を供給する、半導体記憶装置。 - スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラをさらに具備する請求項1の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、前記第1メモリセルの第1リフレッシュサイクル情報、および前記第2メモリセルの第2リフレッシュサイクル情報を記憶する請求項2の半導体記憶装置。
- 前記第1回路は、前記第1リフレッシュサイクル情報に基づいて前記第1メモリセルに対して第1周期でリフレッシュを行い、かつ前記第2リフレッシュサイクル情報に基づいて前記第2メモリセルに対して前記第1周期とは異なる第2周期でリフレッシュを行う請求項3の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1電圧情報および前記第2電圧情報を設定して記憶する請求項2の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1リフレッシュサイクル情報および前記第2リフレッシュサイクル情報を設定して記憶する請求項3の半導体記憶装置。
- 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
前記第1ワード線に第1範囲の電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1範囲と異なる第2範囲の電圧を供給する第1回路と、
スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラと、
を具備し、
前記第1回路は、書き込み時において、前記第1メモリセルが書き込み対象の場合に前記第1ワード線に第3電圧を供給し、かつ前記第2メモリセルが書き込み対象の場合に前記第2ワード線に前記第3電圧と異なる第4電圧を供給する、半導体記憶装置。 - 前記コントローラは、前記第1メモリセルの第1リフレッシュサイクル情報、および前記第2メモリセルの第2リフレッシュサイクル情報を記憶する請求項7の半導体記憶装置。
- 前記第1回路は、前記第1リフレッシュサイクル情報に基づいて前記第1メモリセルに対して第1周期でリフレッシュを行い、かつ前記第2リフレッシュサイクル情報に基づいて前記第2メモリセルに対して前記第1周期とは異なる第2周期でリフレッシュを行う請求項8の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1電圧情報および前記第2電圧情報を設定して記憶する請求項7の半導体記憶装置。
- 前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1リフレッシュサイクル情報および前記第2リフレッシュサイクル情報を設定して記憶する請求項8の半導体記憶装置。
- 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
スリープモード時において、前記第1ワード線に第1電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1電圧と異なる第2電圧を供給する第1回路と、
スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラと、
を具備し、
前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1電圧情報および前記第2電圧情報を設定して記憶する、半導体記憶装置。 - 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
スリープモード時において、前記第1ワード線に第1電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1電圧と異なる第2電圧を供給する第1回路と、
スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラと、
を具備し、
前記コントローラは、前記第1メモリセルの第1リフレッシュサイクル情報、および前記第2メモリセルの第2リフレッシュサイクル情報を記憶し、
前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1リフレッシュサイクル情報および前記第2リフレッシュサイクル情報を設定して記憶する、半導体記憶装置。 - 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
前記第1ワード線に第1範囲の電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1範囲と異なる第2範囲の電圧を供給する第1回路と、
スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラと、
を具備し、
前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1電圧情報および前記第2電圧情報を設定して記憶する、半導体記憶装置。 - 第1トランジスタと第1キャパシタとを含む第1メモリセルと、
第2トランジスタと第2キャパシタとを含む第2メモリセルと、
前記第1トランジスタに電気的に接続される第1ワード線と、
前記第2トランジスタに電気的に接続される第2ワード線と、
前記第1ワード線に第1範囲の電圧を供給し、かつ前記第2ワード線に前記第1範囲と異なる第2範囲の電圧を供給する第1回路と、
スリープモード時において前記第1ワード線に供給される第1電圧情報、およびスリープモード時において前記第2ワード線に供給される第2電圧情報を記憶するコントローラと、
を具備し、
前記コントローラは、前記第1メモリセルの第1リフレッシュサイクル情報、および前記第2メモリセルの第2リフレッシュサイクル情報を記憶し、
前記コントローラは、書き込み時において、外部からの書き込みデータと前記書き込みデータのリテンション情報とに基づいて、前記第1リフレッシュサイクル情報および前記第2リフレッシュサイクル情報を設定して記憶する、半導体記憶装置。
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