JP2010161358A5 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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Claims (3)
- 第１の導電層と、
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の導電層と前記第１の半導体層との間に接する領域を有する絶縁層と、
前記第２の半導体層上に接する領域を有する不純物半導体層と、
前記不純物半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記不純物半導体層と接する領域を有する第３の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層のキャリア移動度は、前記第２の半導体層のキャリア移動度よりも高い、
前記第１の半導体層の前記第１の導電層側は、全面が前記第１の導電層と重畳していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 第１の導電層と、
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の導電層と前記第１の半導体層との間に接する領域を有する絶縁層と、
前記第２の半導体層上に接する領域を有する第１の不純物半導体層と、
前記第１の不純物半導体層上に接する領域を有する第２の不純物半導体層と、
前記第２の不純物半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の不純物半導体層と接する領域を有する第３の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層のキャリア移動度は、前記第２の半導体層のキャリア移動度よりも高い、
前記第１の半導体層の前記第１の導電層側は全面が前記第１の導電層によって遮光されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体層は結晶性半導体を有し、
前記第２の半導体層は非晶質半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
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