JP2008251872A - 複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】同一基板上に配置される、少なくとも1つの有機発光ダイオード素子と少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ素子とを備える複合型有機発光トランジスタ素子であって、該有機発光ダイオード素子は、陽極と陰極との間に配置される第1の有機物層を有し、かつ、該有機薄膜トランジスタ素子は、ソース電極およびドレイン電極上に配置される第2の有機物層を有し、上記第1の有機物層と上記第2の有機物層とは、空間的に分離しており、上記第2の有機物層を構成する有機材料は、上記第1の有機物層を構成する有機材料と同一である複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法。
【選択図】図1
Description
(第1の実施形態)
以下、実施の形態を示して本発明を詳細に説明する。図1は、本発明の複合型有機発光トランジスタ素子の好ましい一実施形態を示す概略断面図である。図1に示される複合型有機発光トランジスタ素子は、基板101上に並列に配置された有機発光ダイオード素子(以下、OLED素子とも称する)102と有機薄膜トランジスタ素子(以下、有機TFT素子とも称する)103とを備える。OLED素子102は、陽極104と、陰極105と、陽極104と陰極105との間に配置される第1の有機物層106とから構成される。第1の有機物層106は、有機半導体層107、正孔輸送層108および電子輸送層109よりなる。本実施形態において、電子輸送層109は、それ自体発光層でもある。有機半導体層107は、正孔注入層として機能するものである。また、OLED素子102の下部であって、基板101を介した反対側には、OLED素子102が発する光の波長を変換するカラーフィルタ119が配置されている。基板101およびカラーフィルタ119上には平坦化膜130(保護膜)が形成されている。
(1)1,6−ビス(2−(4−メチルフェニル)ビニル)ピレン
(2)1,6−ビス(2−(4−ブチルフェニル)ビニル)ピレン
(3)4,4’−ビス(2−(4−オクチルフェニル)ビニル)ビフェニル
(4)4,4’−ビス(2−(4−オクチルフェニル)ビニル)p−ターフェニル
(5)1,6−ビス(2−(4−ヘキシルフェニル)ビニル)ビフェニル
(6)1,4−ビス(2−(4−(4−ブチルフェニル)フェニル)ビニル)ベンゼン
(7)4,4’−ビス(2−(5−オクチルチオフェン−2−イル)ビニル)ビフェニル
上記式(1)〜(7)の有機半導体材料は、0.1〜1.0cm2/Vs程度の高いキャリヤ移動度μを有し、しかも可視領域においてほぼ透明であるため好ましく用いられる。
図2(a)は、本発明の複合型有機発光トランジスタ素子の別の好ましい一実施形態を示す概略断面図である。図2(a)に示される本実施形態の複合型有機発光トランジスタ素子は、有機発光ダイオード素子(OLED素子)202を駆動する第1の有機薄膜トランジスタ素子(有機TFT素子)203および発光画素を選択する第2の有機薄膜トランジスタ素子(有機TFT素子)220の2つの有機TFT素子を有していること以外は、上記第1の実施形態と同様の構成である。第2の有機TFT220は、第1の有機TFT203と同じ構成を有している。すなわち、第2の有機TFT素子220の活性層224と活性層218と有機半導体層207、第2の有機TFT素子220の第3の保護層223と第3の保護層217と正孔輸送層208、第2の有機TFT素子220の第2の保護層222と第2の保護層216と電子輸送層209は、第2の有機TFT素子220の第1の保護層221と第1の保護層215と陰極205は、それぞれ同一の有機材料からなり、しかも各層の積層順序も同じである。このような構成によっても上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態の複合型有機発光トランジスタ素子を用いてアクティブマトリクス回路を形成し、開口率が高く、したがって単位面積あたりの明るさが従来と比較して大きい有機ELディスプレイを得ることができる。また、上記図2(a)の例では、有機TFT素子およびOLED素子形成面とは反対側の基板面にカラーフィルタおよび平坦化膜(保護膜)が形成されているが、これに限られるものではなく、図2(b)に示されるように、平坦化膜の上に有機TFT素子およびOLED素子を形成するようにしてもよい。この点は、上記第1の実施形態についても同様である。
上記した実施の形態は、たとえば以下のような変形が可能である。まず、図1を参照して、第1の有機物層106は、有機EL素子が一般に有し得る構造に変形されてもよい。すなわち、適切な位置に発光層、電子注入層、正孔ブロック層などの他の有機層が設けられてもよい。この場合、第1の有機物層106の変形と同じ変形が有機TFT素子103の第2の有機物層114について行なわれる。ただし、上記第1および第2の実施形態と同様に、有機半導体材料からなる活性層118は、ソース電極112およびドレイン電極113に接して設けられ、かつ同じ有機半導体材料からなる有機半導体層107が第1の有機物層106の最下層として設けられることが望ましい。
次に、本発明の複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法について説明する。当該製造方法は、上記した本発明の複合型有機発光トランジスタ素子を製造するための方法として好適に用いられる。本発明の製造方法は、陽極と陰極との間に配置される第1の有機物層を有する少なくとも1つの有機発光ダイオード素子と、ソース電極およびドレイン電極上に配置される第2の有機物層を有する少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ素子とが同一基板上に形成されてなる複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法であって、次の工程(A)〜(G)を含む。
(A)基板上に上記有機薄膜トランジスタ素子のゲート電極を形成する工程、
(B)該ゲート電極上の少なくとも一部にゲート絶縁膜を形成する工程、
(C)該ゲート絶縁膜上に、上記有機薄膜トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極、ならびに上記有機発光ダイオード素子の陽極を形成する工程、
(D)所定の領域にレジストからなるリブを形成する工程、
(E)該リブにより形成された凹部に、同じ有機材料を用いて、上記第1の有機物層および上記第2の有機物層を形成する工程、および
(F)上記第1の有機物層上に上記有機発光ダイオード素子の陰極を形成する工程。以下、図3を参照しながら、各工程について詳細に説明する。図3は、本発明の複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法の好ましい一例を示す概略工程図であり、同一基板上に2つの有機薄膜トランジスタ素子と1つの有機発光ダイオード素子とを備える複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法を示すものである。
具体的には、第1の有機物層311および第2の有機物層312、313を構成する各構成層を真空蒸着法等により順に積層させるが、この際、各構成層の有機材料および各構成層の積層順序を同じとする。これにより、第1の有機物層311および第2の有機物層312、313を一体的に、同時に形成することができる。
次に示す方法により複合型有機発光トランジスタ素子を作製した。図3を参照して、まず、ガラス基板301上に、アルミニウムをスパッタにより、膜厚100nmで成膜した後、その上にレジストを塗布し、露光、現像を行ない、レジストパターンを形成した。その後、アルミニウム層をアルミエッチング溶液でウェットエッチングして、ゲート電極302、303を形成した(図3(a))。ついで、ゲート電極302、303上に、SiO2をプラズマCVD法により、膜厚250nmで成膜した後、同様にリソグラフィとウェットエッチングを行ない、ゲート絶縁膜304、305を形成した(図3(b))。
Claims (9)
- 同一基板上に配置される、少なくとも1つの有機発光ダイオード素子と少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ素子とを備える複合型有機発光トランジスタ素子であって、
前記有機発光ダイオード素子は、陽極と陰極との間に配置される第1の有機物層を有し、かつ、前記有機薄膜トランジスタ素子は、ソース電極およびドレイン電極上に配置される第2の有機物層を有し、
前記第1の有機物層と前記第2の有機物層とは、空間的に分離しており、
前記第2の有機物層を構成する有機材料は、前記第1の有機物層を構成する有機材料と同一である、複合型有機発光トランジスタ素子。 - 前記第1の有機物層および前記第2の有機物層は、同じ数の2以上の層からなり、
前記第2の有機物層を構成する各層の有機材料は、前記第1の有機物層を構成する各層の有機材料とそれぞれ同一である、請求項1に記載の複合型有機発光トランジスタ素子。 - 前記第2の有機物層は、ソース電極およびドレイン電極に接して形成された、有機半導体材料からなる活性層を含み、
前記第1の有機物層は、前記活性層を構成する有機半導体材料と同一の材料からなる正孔注入層を含む、請求項2に記載の複合型有機発光トランジスタ素子。 - 前記有機薄膜トランジスタ素子は、前記第2の有機物層上に形成され、前記有機発光ダイオード素子が有する前記陰極と同一の材料からなる層をさらに備える、請求項1〜3のいずれかに記載の複合型有機発光トランジスタ素子。
- 前記有機発光ダイオード素子を駆動する有機薄膜トランジスタ素子と、発光画素を選択する有機薄膜トランジスタ素子とを備える、請求項1〜4のいずれかに記載の複合型有機発光トランジスタ素子。
- 前記有機発光ダイオード素子が発する光の波長を変換するカラーフィルタをさらに備える、請求項1〜6のいずれかに記載の複合型有機発光トランジスタ素子。
- 陽極と陰極との間に配置される第1の有機物層を有する少なくとも1つの有機発光ダイオード素子と、ソース電極およびドレイン電極上に配置される第2の有機物層を有する少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ素子とが同一基板上に形成されてなる複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法であって、
基板上に前記有機薄膜トランジスタ素子のゲート電極を形成する工程(A)と、
前記ゲート電極上の少なくとも一部にゲート絶縁膜を形成する工程(B)と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記有機薄膜トランジスタ素子のソース電極およびドレイン電極、ならびに前記有機発光ダイオード素子の陽極を形成する工程(C)と、
所定の領域にレジストからなるリブを形成する工程(D)と、
前記リブにより形成された凹部に、同じ有機材料を用いて、前記第1の有機物層および前記第2の有機物層を形成する工程(E)と、
前記第1の有機物層上に前記有機発光ダイオード素子の陰極を形成する工程(F)と、
を含む、複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法。 - 前記工程(E)において、前記第1の有機物層および前記第2の有機物層は、複数の層を積層させることにより形成され、前記第1の有機物層および前記第2の有機物層の最下層は、有機半導体材料からなる層である、請求項7に記載の複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法。
- 前記工程(F)において、前記第1の有機物層上に前記有機発光ダイオード素子の陰極が形成されるとともに、該陰極と同一の材料からなる層が前記第2の有機物層上に形成される、請求項7または8に記載の複合型有機発光トランジスタ素子の製造方法。
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